CN110358461A - 一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带及其制备方法 - Google Patents

一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，包括依次贴合的轻剥离氟塑离型膜、第一导电有机硅压敏胶层、耐高温导电屏蔽材层、第二导电有机硅压敏胶层和重剥离氟塑离型膜。本发明提供一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，具有很高的耐温性，长期可180摄氏度以上使用，短期可承受260摄氏度以上的高温，并且对硅、PU等低表面能的材质具有良好的贴付效果，优异的导电性，此外还能消除电磁干磁、降低辐射、隔离电磁波对产品和环境的危害，以及自排泡性、耐候性佳，使用寿命更长等优点。

Description

一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带及其制备方法
技术领域
本发明涉及胶带技术领域，尤其涉及一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带及其制备方法。
背景技术
随着科技迅速发展，使得人们的生活中都离不开各种电子或电气设备，例如家电产品、智能装置、计算机、网络、无线通讯、电子系统、电机系统、输配电系统等等，这些电子器材与设备被广泛应用和密集配置，使得我们的空间充满了不同波长和频率的电磁波，这些电磁波不仅干扰了电子产品的正常使用，而且还对人体各器官、组织、系统都产生不同程度的危害。因此，世界各国纷纷制定相关的EMC(Electromagnetic Compatibility,电磁兼容)、EMI(Electromagnetic Interference,电磁干扰)法规，以规范市场上的各种电子产品，有效的管控产品内部及对外环境所产生之电磁干扰。
目前行业内在解决EMI问题时，常用的材料为电磁波屏蔽类胶带，如导电布双面胶带、铜箔胶带等，皆为丙烯酸压敏胶体系，此体系材料的耐热温度长期约80摄氏度、短期约120摄氏度，且对低表面能的被贴物(如硅、PU(polyurethane)等材质)贴付能力较差，面对现今电子设备在加工过程或应用中的高温环境180摄氏度甚至260摄氏度，及多样化且特殊材质，已无法满足新产品的需求。
发明内容
鉴于上述现有技术中存在的缺陷，本发明的目的是提出一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带及其制备方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，包括依次贴合的轻剥离氟塑离型膜、第一导电有机硅压敏胶层、耐高温导电屏蔽材层、第二导电有机硅压敏胶层和重剥离氟塑离型膜。
进一步的，所述耐高温导电屏蔽材层由一种厚度为3微米-200微米、耐热温度180摄氏度以上、屏蔽效能大于50dB的薄膜材料构成。
进一步的，所述薄膜材料为金属薄膜、耐高温导电布或具有屏蔽效能的镀膜。
进一步的，所述第一导电有机硅压敏胶层和第二导电有机硅压敏胶层均由导电有机硅压敏胶构成；所述导电有机硅压敏胶按质量份数计包括：有机硅树指与有机硅橡胶预聚物55-75份、导电材料2-10份、交联剂0.5-2份、铂金0.2-1份及稀释剂30-40份。
进一步的，所述导电有机硅压敏胶的厚度为3微米-100微米、电阻值小于0.1欧姆。
进一步的，所述导电材料为银粉、铜粉、镍粉、金属包覆材或导电高分子。
一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带的制备方法，包括以下步骤：
(1)配胶：按质量份数计，在搅拌的状态下，将有机硅树指与有机硅橡胶预聚物55-75份中，顺序加入稀释剂30-40份、导电材料2-10份、交联剂0.5-2份、铂金0.2-1份，制备得到胶水；
(2)将步骤(1)制备的胶水，涂布于耐高温导电屏蔽材层上，经过烘箱交联反应后，贴附上轻剥离氟塑离型膜，收卷得到半成品；
(3)在步骤(2)制备的半成品上涂布步骤(1)制备的胶水，经过烘箱交联反应后，贴附上重剥离氟塑离型膜，收卷得到所述耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带。
本发明的突出效果为：本发明提供一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，具有很高的耐温性，长期可180摄氏度以上使用，短期可承受260摄氏度以上的高温，并且对硅、PU等低表面能的材质具有良好的贴付效果，优异的导电性，此外还能消除电磁干磁、降低辐射、隔离电磁波对产品和环境的危害，以及自排泡性、耐候性佳，使用寿命更长等优点。
附图说明
图1为本发明实施例1-5的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例1
如图1所示，本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，包括依次贴合的轻剥离氟塑离型膜1、第一导电有机硅压敏胶层2、耐高温导电屏蔽材层3、第二导电有机硅压敏胶层4和重剥离氟塑离型膜5。
耐高温导电屏蔽材层3由一种厚度为3微米、耐热温度180摄氏度以上、屏蔽效能大于50dB的薄膜材料构成。上述薄膜材料为电磁屏蔽膜(具有屏蔽效能的镀膜)。
第一导电有机硅压敏胶层2和第二导电有机硅压敏胶层4均由导电有机硅压敏胶构成；导电有机硅压敏胶按质量份数计包括：有机硅树指与有机硅橡胶预聚物55份、导电材料2份、交联剂0.5份、铂金0.5份及稀释剂40份。上述导电有机硅压敏胶的厚度为3微米、电阻值小于0.1欧姆。上述导电材料为银粉。
本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带的制备方法，包括以下步骤：
(1)配胶：按质量份数计，在搅拌的状态下，将有机硅树指与有机硅橡胶预聚物55份中，顺序加入稀释剂40份、导电材料2份、交联剂0.5份、铂金0.5份，制备得到胶水；
(2)将步骤(1)制备的胶水，涂布于耐高温导电屏蔽材层3上，经过烘箱交联反应后，贴附上轻剥离氟塑离型膜1，收卷得到半成品；
(3)在步骤(2)制备的半成品上涂布步骤(1)制备的胶水，经过烘箱交联反应后，贴附上重剥离氟塑离型膜5，收卷得到耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带。
使用本实施例时，将轻剥离氟塑离型膜1和重剥离氟塑离型膜5撕离后，黏贴在所需要被贴物上即可。
实施例2
如图1所示，本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，包括依次贴合的轻剥离氟塑离型膜1、第一导电有机硅压敏胶层2、耐高温导电屏蔽材层3、第二导电有机硅压敏胶层4和重剥离氟塑离型膜5。
耐高温导电屏蔽材层3由一种厚度为200微米、耐热温度180摄氏度以上、屏蔽效能大于50dB的薄膜材料构成。上述薄膜材料为耐高温导电布。
第一导电有机硅压敏胶层2和第二导电有机硅压敏胶层4均由导电有机硅压敏胶构成；导电有机硅压敏胶按质量份数计包括：有机硅树指与有机硅橡胶预聚物75份、导电材料10份、交联剂2份、铂金0.8份及稀释剂40份。上述导电有机硅压敏胶的厚度为100微米、电阻值小于0.1欧姆。上述导电材料为铜粉及镍粉。
本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带的制备方法，包括以下步骤：
(1)配胶：按质量份数计，在搅拌的状态下，将有机硅树指与有机硅橡胶预聚物75份中，顺序加入稀释剂40份、导电材料10份、交联剂2份、铂金0.8份，制备得到胶水；
(2)将步骤(1)制备的胶水，涂布于耐高温导电屏蔽材层3上，经过烘箱交联反应后，贴附上轻剥离氟塑离型膜1，收卷得到半成品；
(3)在步骤(2)制备的半成品上涂布步骤(1)制备的胶水，经过烘箱交联反应后，贴附上重剥离氟塑离型膜5，收卷得到耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带。
实施例3
如图1所示，本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，包括依次贴合的轻剥离氟塑离型膜1、第一导电有机硅压敏胶层2、耐高温导电屏蔽材层3、第二导电有机硅压敏胶层4和重剥离氟塑离型膜5。
耐高温导电屏蔽材层3由一种厚度为50微米、耐热温度180摄氏度以上、屏蔽效能大于50dB的薄膜材料构成。上述薄膜材料为金属薄膜铜箔。
第一导电有机硅压敏胶层2和第二导电有机硅压敏胶层4均由导电有机硅压敏胶构成；导电有机硅压敏胶按质量份数计包括：有机硅树指与有机硅橡胶预聚物65份、导电材料5份、交联剂1份、铂金0.5份及稀释剂35份。上述导电有机硅压敏胶的厚度为20微米、电阻值小于0.1欧姆。上述导电材料为镍粉。
本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带的制备方法，包括以下步骤：
(1)配胶：按质量份数计，在搅拌的状态下，将有机硅树指与有机硅橡胶预聚物65份中，顺序加入稀释剂35份、导电材料5份、交联剂1份、铂金0.5份，制备得到胶水；
(2)将步骤(1)制备的胶水，涂布于耐高温导电屏蔽材层3上，经过烘箱交联反应后，贴附上轻剥离氟塑离型膜1，收卷得到半成品；
(3)在步骤(2)制备的半成品上涂布步骤(1)制备的胶水，经过烘箱交联反应后，贴附上重剥离氟塑离型膜5，收卷得到耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带。
实施例4
如图1所示，本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，包括依次贴合的轻剥离氟塑离型膜1、第一导电有机硅压敏胶层2、耐高温导电屏蔽材层3、第二导电有机硅压敏胶层4和重剥离氟塑离型膜5。
耐高温导电屏蔽材层3由一种厚度为75微米、耐热温度180摄氏度以上、屏蔽效能大于50dB的薄膜材料构成。上述薄膜材料为金属薄膜铝箔。
第一导电有机硅压敏胶层2和第二导电有机硅压敏胶层4均由导电有机硅压敏胶构成；导电有机硅压敏胶按质量份数计包括：有机硅树指与有机硅橡胶预聚物60份、导电材料4.5份、交联剂1.5份、铂金0.6份及稀释剂35份。上述导电有机硅压敏胶的厚度为40微米、电阻值小于0.1欧姆。上述导电材料为金属包覆材。
本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带的制备方法，包括以下步骤：
(1)配胶：按质量份数计，在搅拌的状态下，将有机硅树指与有机硅橡胶预聚物60份中，顺序加入稀释剂35份、导电材料4.5份、交联剂1.5份、铂金0.6份，制备得到胶水；
(2)将步骤(1)制备的胶水，涂布于耐高温导电屏蔽材层3上，经过烘箱交联反应后，贴附上轻剥离氟塑离型膜1，收卷得到半成品；
(3)在步骤(2)制备的半成品上涂布步骤(1)制备的胶水，经过烘箱交联反应后，贴附上重剥离氟塑离型膜5，收卷得到耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带。
实施例5
如图1所示，本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，包括依次贴合的轻剥离氟塑离型膜1、第一导电有机硅压敏胶层2、耐高温导电屏蔽材层3、第二导电有机硅压敏胶层4和重剥离氟塑离型膜5。
耐高温导电屏蔽材层3由一种厚度为100微米、耐热温度180摄氏度以上、屏蔽效能大于50dB的薄膜材料构成。上述薄膜材料为耐高温导电布。
第一导电有机硅压敏胶层2和第二导电有机硅压敏胶层4均由导电有机硅压敏胶构成；导电有机硅压敏胶按质量份数计包括：有机硅树指与有机硅橡胶预聚物70份、导电材料7份、交联剂1.8份、铂金0.2份及稀释剂30份。上述导电有机硅压敏胶的厚度为100微米、电阻值小于0.1欧姆。上述导电材料为导电高分子。
本实施例的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带的制备方法，包括以下步骤：
(1)配胶：按质量份数计，在搅拌的状态下，将有机硅树指与有机硅橡胶预聚物70份中，顺序加入稀释剂30份、导电材料7份、交联剂1.8份、铂金0.2份，制备得到胶水；
(2)将步骤(1)制备的胶水，涂布于耐高温导电屏蔽材层3上，经过烘箱交联反应后，贴附上轻剥离氟塑离型膜1，收卷得到半成品；
(3)在步骤(2)制备的半成品上涂布步骤(1)制备的胶水，经过烘箱交联反应后，贴附上重剥离氟塑离型膜5，收卷得到耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带。
对比例1-5
对比例1-5是采用现有技术中的亚克力导电双面胶带，其厚度和薄膜材料分别与实施例1-5对应一致。
实验例
1、对硅材料黏性测试
测试方试：将实施例1-5的耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带和对比例1-5亚克力导电双面胶带分别贴于50微米的硅油离型膜上，贴附24小时后，测试胶带剥离的力量。
实验结果：
2、180摄氏度耐温性测试
测试方试：将实施例1-5的耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带和对比例1-5亚克力导电双面胶带分别贴附于钢板上，贴附面积为1英吋平方，悬挂1公斤重的砝码，置于180摄氏度的高温烘箱中，测试168小时。未达时间掉落即不合格(NG)，反之为合格(Pass)。
实验结果：
由以上两组实验结果可以明显发现，耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带的对低表面能的材料贴附效果及耐温性，皆优于现有技术的亚克力导电双面胶带。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，其特征在于：包括依次贴合的轻剥离氟塑离型膜、第一导电有机硅压敏胶层、耐高温导电屏蔽材层、第二导电有机硅压敏胶层和重剥离氟塑离型膜。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，其特征在于：所述耐高温导电屏蔽材层由一种厚度为3微米-200微米、耐热温度180摄氏度以上、屏蔽效能大于50dB的薄膜材料构成。
3.根据权利要求2所述的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，其特征在于：所述薄膜材料为金属薄膜、耐高温导电布或具有屏蔽效能的镀膜。
4.根据权利要求1所述的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，其特征在于：所述第一导电有机硅压敏胶层和第二导电有机硅压敏胶层均由导电有机硅压敏胶构成；所述导电有机硅压敏胶按质量份数计包括：有机硅树指与有机硅橡胶预聚物55-75份、导电材料2-10份、交联剂0.5-2份、铂金0.2-1份及稀释剂30-40份。
5.根据权利要求4所述的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，其特征在于：所述导电有机硅压敏胶的厚度为3微米-100微米、电阻值小于0.1欧姆。
6.根据权利要求4所述的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带，其特征在于：所述导电材料为银粉、铜粉、镍粉、金属包覆材或导电高分子。
7.根据权利要求1所述的一种耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)配胶：按质量份数计，在搅拌的状态下，将有机硅树指与有机硅橡胶预聚物55-75份中，顺序加入稀释剂30-40份、导电材料2-10份、交联剂0.5-2份、铂金0.2-1份，制备得到胶水；
(2)将步骤(1)制备的胶水，涂布于耐高温导电屏蔽材层上，经过烘箱交联反应后，贴附上轻剥离氟塑离型膜，收卷得到半成品；
(3)在步骤(2)制备的半成品上涂布步骤(1)制备的胶水，经过烘箱交联反应后，贴附上重剥离氟塑离型膜，收卷得到所述耐高温电磁波屏蔽导电硅胶双面胶带。
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