CN110350063A - 发光二极管、显示基板和转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种发光二极管、显示基板和转移方法。转移方法包括：分别制备转移基板和显示基板，转移基板包括矩阵排布的多个发光二极管；将转移基板与显示基板对位，转移基板上发光二极管的第一磁性层与显示基板上子像素的第二磁性层一一对应；驱动转移基板邻近显示基板，使转移基板上的发光二极管在第一磁性层和第二磁性层产生的磁吸力作用下，定位下落到显示基板的子像素。本发明通过在发光二极管上设置第一磁性层以及在显示基板的子像素内设置第二磁性层，在转移过程中，通过第一磁性层与第二磁性层之间产生的磁吸力，保证了发光二极管定位下落到显示基板的子像素，提高了定位精度，有效解决了现有技术存在的定位不准确等问题。

Description

发光二极管、显示基板和转移方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种发光二极管、显示基板和转移方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)技术发展了近三十年，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。随着芯片制作及封装技术的发展，约50微米～60微米的次毫米发光二极管(Mini Light EmittingDiode，Mini LED)显示和15微米以下的微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示逐渐成为显示面板的一个热点。其中，Micro LED显示具有低功耗、高色域、超高分辨率、超薄等显著优势，有望成为替代有机发光二极管显示(Organic LightEmitting Diode，OLED)的更优显示技术。
Micro LED显示技术存在的一个技术难点是巨量转移技术，即如何将Micro LED从最初的外延衬底上巨量转移到显示基板上。目前，巨量转移方法主要是依靠静电吸附或范德华力等方式将Micro LED放置到指定位置，然后进行绑定(bonding)。
经本申请发明人研究发现，现有巨量转移方法由于存在定位不准确的问题，不仅导致批次转移Micro LED的数量少，增加了生产节拍时间(tack time)，而且导致转移过程中存在短路问题，降低了成品率。因此，如何提高巨量转移的精准定位，增加批次转移MicroLED的数量，减少转移过程中短路的产生，是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种发光二极管、显示基板和转移方法，以克服现有技术存在的定位不准确等问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种发光二极管，包括发光结构层以及设置在所述发光结构层上的第一电极焊盘、第二电极焊盘和第一磁性层，所述第一电极焊盘和第二电极焊盘用于绑定连接显示基板，所述第一磁性层用于在转移过程中与显示基板的第二磁性层产生磁吸力，使发光二极管在所述磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素。
可选地，所述第一磁性层包括光敏材料层，所述光敏材料层中设置有磁性纳米粒子。
可选地，所述光敏材料层的材料包括光刻胶，所述磁性纳米粒子的材料包括四氧化三铁、镍或钴，磁性纳米粒子的直径为10nm～20nm。
可选地，所述第一磁性层的磁极性与第二磁性层的磁极性相反。
可选地，所述第一磁性层设置在所述第一电极焊盘和第二电极焊盘之间；和/或，所述第一磁性层设置在所述第一电极焊盘远离第二电极焊盘的一侧；和/或者，所述第一磁性层设置在所述第二电极焊盘远离第一电极焊盘的一侧。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板，包括矩阵排布的多个子像素，每个子像素包括驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的第一接触电极、第二接触电极和第二磁性层，所述第一接触电极和第二接触电极用于绑定连接发光二极管，所述第二磁性层用于在转移过程中与发光二极管的第一磁性层产生磁吸力，使发光二极管在所述磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素。
可选地，所述第二磁性层的材料包括镍、铁、钴或镍铁合金。
可选地，所述第二磁性层的磁极性与第一磁性层的磁极性相反。
可选地，所述第二磁性层设置在所述第一接触电极和第二接触电极之间；和/或，所述第二磁性层设置在所述第一接触电极远离第二接触电极的一侧；和/或者，所述第二磁性层设置在所述第二接触电极远离第一接触电极的一侧。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种转移方法，用于将多个前述的发光二极管转移到前述的显示基板上；所述转移方法包括：
分别制备转移基板和显示基板，所述转移基板包括矩阵排布的多个发光二极管；
将所述转移基板与显示基板对位，所述转移基板上发光二极管的第一磁性层与所述显示基板上子像素的第二磁性层一一对应；
驱动转移基板邻近显示基板，使转移基板上的发光二极管在所述第一磁性层和第二磁性层产生的磁吸力作用下，定位下落到显示基板的子像素。
本发明实施例提供了一种发光二极管、显示基板和转移方法，通过在发光二极管上设置第一磁性层以及在显示基板的每个子像素内设置第二磁性层，在转移过程中，通过第一磁性层与第二磁性层之间产生的磁吸力，保证了发光二极管定位下落到显示基板的子像素，提高了定位精度，有效解决了现有技术存在的定位不准确等问题。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例转移方法的流程图；
图2为本发明实施例Micro LED的结构示意图；
图3为本发明实施例显示基板的结构示意图。
附图标记说明:
100—发光结构层； 101—第一电极焊盘； 102—第二电极焊盘；
103—第一磁性层； 200—基底； 201—第一接触电极；
202—第二接触电极； 203—第二磁性层； 300—驱动电路层；
400—黑矩阵层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
为了克服现有巨量转移技术存在的定位不准确等问题，本发明实施例提供了一种转移方法。图1为本发明实施例转移方法的流程图。如图1所示，本发明实施例转移方法包括：
S1、分别制备转移基板和显示基板，所述转移基板包括矩阵排布的多个发光二极管，所述显示基板包括矩阵排布的多个子像素；
S2、将所述转移基板与显示基板对位，所述转移基板上发光二极管的第一磁性层与所述显示基板上子像素的第二磁性层一一对应；
S3、驱动转移基板邻近显示基板，使转移基板上的发光二极管在所述第一磁性层和第二磁性层产生的磁吸力作用下，定位下落到显示基板的子像素。
本发明实施例提供了一种转移方法，通过在发光二极管上设置第一磁性层以及在显示基板的每个子像素内设置第二磁性层，在转移过程中，利用第一磁性层与第二磁性层之间产生的磁吸力，保证了发光二极管定位下落到显示基板的子像素，提高了定位精度，有效解决了现有技术存在的定位不准确等问题。
图2为本发明实施例Micro LED的结构示意图。本发明实施例Micro LED的主体结构与相关技术Micro LED的主体结构基本上相同，所不同的是，本发明实施例Micro LED上设置有第一磁性层。如图2所示，本发明实施例Micro LED的主体结构包括发光结构层100，以及设置在发光结构层100上的第一电极焊盘101、第二电极焊盘102和第一磁性层103。其中，第一电极焊盘101和第二电极焊盘102用于与显示基板的第一接触电极和第二接触电极绑定连接，第一磁性层103用于在转移过程中与显示基板的第二磁性层产生磁吸力，使Micro LED在磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素，保证Micro LED的第一电极焊盘与显示基板的第一接触电极接触以及Micro LED的第二电极焊盘与显示基板的第二接触电极接触。本发明实施例中，第一电极焊盘101和第二电极焊盘102可以分别是P电极焊盘和N电极焊盘，也可以分别是N电极焊盘和P电极焊盘，发光结构层100可以是红色发光结构层、绿色发光结构层、蓝色发光结构层，分别形成红色Micro LED、绿色Micro LED和蓝色MicroLED。
本发明实施例中，第一磁性层103可以设置在第一电极焊盘101和第二电极焊盘102之间，也可以设置在第一电极焊盘101远离第二电极焊盘102的一侧和/或第二电极焊盘102远离第一电极焊盘101的一侧，还可以同时设置在第一电极焊盘101和第二电极焊盘102之间和两侧。实际实施时，第一磁性层103的位置和大小可以根据实际所需的磁吸力和Micro LED电极焊盘的位置来设置。
在一个实施例中，第一磁性层103为磁性粒子层。磁性粒子层是指在非金属基材中添加磁性纳米粒子形成的磁性层，非金属基材可以采用光刻胶或其它光敏材料，磁性纳米粒子可以是四氧化三铁Fe3O4颗粒、镍Ni颗粒、钴Co颗粒等具有磁性的颗粒。通常，Fe3O4颗粒可以采用物理方法和化学方法制备，物理方法包括气相沉积、电子束平板印刷和机械粉碎法等，化学方法包括沉积法、H2还原赤铁矿法、氨水共沉积法、水热法和温式(溶液)氧化法等。其中，物理方法存在粒度控制不精确且成本较高等缺陷，化学方法中的沉积法是一种较好的制备Fe3O4颗粒的方法。沉积法是将铁盐和亚铁盐以一定的比例配合成溶液，选用适当的碱性沉淀剂进行共沉淀，通过控制工艺条件，可得到性能优良的纳米级Fe3O4颗粒。本发明实施例中，Fe3O4颗粒是近圆形的多边形，粒径为10nm～20nm，采用本领域成熟的沉积工艺制备。
在另一个实施例中，第一磁性层103为磁性材料层。磁性材料层是指由铁磁性金属材料形成的磁性层，铁磁性金属材料可以是镍Ni、铁Fe、钴Co等磁性材料及其合金，如镍铁合金NiFe。
本发明实施例中，制备微型发光二极管Micro LED可以采用本领域成熟的制备工艺。例如，制备发光二极管的过程可以包括：在基底上生长一层缓冲层，在缓冲层上生长N型半导体层，在N型半导体层上生长多量子阱，在多量子阱上生长P型半导体层，随后在N型半导体层上形成台阶，在N型半导体层上制备N电极焊盘，在P型半导体层上制备P电极焊盘，形成发光二极管，N电极焊盘和P电极焊盘用于与显示基板绑定连接，其中，基底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱和P型半导体层一起作为本发明实施例的发光结构层，N电极焊盘和P电极焊盘与发光结构层连接。与相关技术Micro LED制备过程不同的是，在制备完成N电极焊盘和P电极焊盘后，本发明实施例在N电极焊盘和P电极焊盘以外区域制备第一磁性层103，第一磁性层103用于在转移过程中与显示基板的第二磁性层产生磁吸力，使Micro LED在磁吸力作用下准确地落到显示基板的设定位置，保证Micro LED的第一电极焊盘与显示基板的第一接触电极接触以及Micro LED的第二电极焊盘与显示基板的第二接触电极接触。
对于第一磁性层是磁性粒子层，可以利用现有成熟的图形化工艺制备。例如，先制备混有Fe3O4颗粒的溶液，然后将混有Fe3O4颗粒的溶液混入光刻胶中。在制备完成发光结构层、N电极焊盘和P电极焊盘后，将混有Fe3O4颗粒的光刻胶涂敷在发光结构层上，通过掩膜曝光和显影(即图形化)，即可在所需位置制备出磁性粒子层图案。对于第一磁性层是磁性材料层，可以利用现有成熟的电镀工艺制备。例如，在制备完成发光结构层、N电极焊盘和P电极焊盘后，采用电镀方式在所需位置制备出磁性材料层图案。实际实施时，磁性粒子层或磁性材料层也可以采用其它方式制备，本发明在此不做具体限定。
本发明实施例，第一磁性层103优选地采用磁性粒子层，磁性粒子层包括混有Fe3O4颗粒的光刻胶，采用图形化工艺制备。磁性粒子层包括第一磁性粒子块、第二磁性粒子块和第三磁性粒子块，第一磁性粒子块位于第一电极焊盘101和第二电极焊盘102之间，第二磁性粒子块位于第一电极焊盘101远离第二电极焊盘102的一侧，第三磁性粒子块位于第二电极焊盘102远离第一电极焊盘101的一侧。
当制备完成包括第一磁性层的Micro LED后，将多个Micro LED按照所需转移的间距(pitch)排列设置在转移基板上，多个发光二极管在转移基板上矩阵排布，矩阵排布方式与显示基板的多个子像素的矩阵排布方式相同，这样即形成本发明实施例的转移基板。在形成的转移基板中，为了保证Micro LED的电极焊盘与显示基板的接触电极的可靠连接，可以设置第一磁性层的表面与转移基板的距离小于或等于电极焊盘(第一电极焊盘和第二电极焊盘)的表面与转移基板的距离，在发光二极管落到显示基板上时，使得Micro LED的电极焊盘与显示基板的接触电极首先接触。
图3为本发明实施例显示基板的结构示意图。本发明实施例显示基板的主体结构与相关技术显示基板的主体结构基本上相同，所不同的是，本发明实施例显示基板上设置有第二磁性层。在平行于显示基板的平面上，显示基板包括矩阵排布的多个子像素，多个子像素的矩阵排布方式与转移基板上多个发光二极管的矩阵排布方式相同。在垂直于显示基板的平面上，每个子像素包括基底200，设置在基底200上的驱动电路层300，设置在驱动电路层300上的第一接触电极201、第二接触电极202和第二磁性层203。其中，第一接触电极201和第二接触电极202用于与Micro LED的第一电极焊盘和第二电极焊盘绑定连接，第二磁性层203用于在转移过程中与Micro LED的第一磁性层产生磁吸力，使Micro LED在磁吸力作用下准确地落到显示基板的设定位置，保证Micro LED的第一电极焊盘与显示基板的第一接触电极接触以及Micro LED的第二电极焊盘与显示基板的第二接触电极接触。本发明实施例中，第一接触电极201和第二接触电极202可以分别是P接触电极和N接触电极，也可以分别是N接触电极和P接触电极，子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。
本发明实施例中，第二磁性层203可以设置在第一接触电极201和第二接触电极202之间，也可以设置在第一接触电极201远离第二接触电极202的一侧和/或第二接触电极202远离第一接触电极201的一侧，还可以同时设置在第一接触电极201和第二接触电极202之间和两侧。实际实施时，第二磁性层203的位置和大小可以根据Micro LED的第一磁性层的位置和大小设计，使两者的位置和大小相对应。
在一个实施例中，第二磁性层203为磁性粒子层。在另一个实施例中，第二磁性层203为磁性材料层。当Micro LED的第一磁性层采用磁性粒子层时，显示基板上的第二磁性层203采用磁性材料层，当Micro LED的第一磁性层采用磁性材料层时，显示基板上的第二磁性层203采用磁性粒子层，以实现第一磁性层与第二磁性层两者的磁极性相反。有关磁性粒子层和磁性材料层的材料、结构和制备方式已在前面介绍，这里不再赘述。
本发明实施例中，制备显示基板可以采用本领域成熟的制备工艺，先在基底上制备驱动电路层，驱动电路层包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和公共电极，然后在驱动电路层上制备与薄膜晶体管的漏电极连接的第一接触电极和与公共电极连接的第二接触电极。其中，制备驱动电路层、第一接触电极和第二接触电极的过程与相关技术相同。与相关技术显示基板制备过程不同的是，在制备完成第一接触电极和第二接触电极后，本发明实施例在第一接触电极和第二接触电极以外区域制备第二磁性层203，第二磁性层203用于在转移过程中与Micro LED的第一磁性层产生磁吸力，使Micro LED在磁吸力作用下准确地落到显示基板的设定位置，保证Micro LED的第一电极焊盘与显示基板的第一接触电极接触以及Micro LED的第二电极焊盘与显示基板的第二接触电极接触。
具体地，显示基板的制备过程包括：(1)在基底200上先形成缓冲层；(2)通过构图工艺在缓冲层上形成有源层；(3)形成覆盖有源层的第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第一栅电极；(4)形成覆盖第一栅电极的第二绝缘层和设置在第二绝缘层上的第二栅电极；(5)形成覆盖第二栅电极的第三绝缘层，其上开设有暴露出有源层的两个第一过孔；(6)在第三绝缘层上形成源电极、漏电极和公共电极，源电极和漏电极分别通过第一过孔与有源层连接；(7)形成覆盖源电极、漏电极和公共电极的第四绝缘层，其上开设有暴露出漏电极和公共电极的两个第二过孔；(8)在第四绝缘层上形成第一电极和第二电极，第一电极通过一个第二过孔与漏电极连接，第二电极通过另一个第二过孔与公共电极连接；(9)形成第五绝缘层，其上开设有暴露出第一电极和第二电极的第三过孔。本发明实施例中，从缓冲层到第五绝缘层之间的结构称之为驱动电路层300；(10)在第五绝缘层的第三过孔内形成第一接触电极201和第二接触电极202，第一接触电极201与第一电极连接，第二接触电极202与第二电极连接；(11)在第一接触电极201和第二接触电极202以外区域制备第二磁性层203；(12)最后形成黑矩阵层400，黑矩阵层400暴露出需要安装Micro LED的区域。
本发明实施例，第二磁性层203优选地采用磁性材料层，采用电镀方式制备。由于现有制备第一接触电极201和第二接触电极202也是采用电镀方式，因而接触电极和第二磁性层可以在一个设备中依次制备，简化了制备工艺。第二磁性层203包括第一磁性块、第二磁性块和第三磁性块，第一磁性块位于第一接触电极201和第二接触电极202之间，第二磁性块位于第一接触电极201远离第二接触电极202的一侧，第三磁性块位于第二接触电极202远离第一接触电极201的一侧。此外，为了保证Micro LED的电极焊盘与显示基板的接触电极的可靠连接，可以设置第二磁性层的表面与基底的距离小于或等于接触电极(第一接触电极和第二接触电极)的表面与基底的距离，在发光二极管落到显示基板上时，使得Micro LED的电极焊盘与显示基板的接触电极首先接触。
下面通过Micro LED转移过程详细说明本发明实施例的技术方案。
(1)分别制备转移基板和显示基板。有关制备转移基板以及制备显示基板的过程，已在前面详细说明。所制备的转移基板包括矩阵排布的多个发光二极管，每个发光二极管包括发光结构层以及设置在所述发光结构层上的第一电极焊盘、第二电极焊盘和第一磁性层。所制备的显示基板包括矩阵排布的多个子像素，每个子像素包括驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的第一接触电极、第二接触电极和第二磁性层。其中，第一磁性层的磁极性与第二磁性层的磁极性相反。其中，制备转移基板和制备显示基板没有时序要求，两者可以同时进行。
(2)将转移基板与显示基板对位。转移基板与显示基板进行对位的设备和方式与相关技术基本上相同，显示基板设置在承载装置上，显示基板的驱动电路层朝向上方的转移基板，转移基板由转移装置吸附并驱动移动，转移基板上的多个发光二极管朝向下方的显示基板，即转移基板上的第一磁性层与显示基板上的第二磁性层相对设置。当转移基板距离显示基板一定距离时开始对位，转移基板上矩阵排布的多个发光二极管的位置与显示基板上矩阵排布的多个子像素的位置一一对应，每个一一对应的发光二极管和子像素中，转移基板上发光二极管的第一电极焊盘的位置与显示基板上子像素的第一接触电极的位置相对应，转移基板上发光二极管的第二电极焊盘的位置与显示基板上子像素的第二接触电极的位置相对应，转移基板上发光二极管的第一磁性层的位置与显示基板上子像素的第二磁性层的位置相对应。
(3)转移装置驱动转移基板逐渐靠近显示基板时，由于转移基板上发光二极管的第一磁性层与显示基板上子像素的第二磁性层两者的磁极性相反，基于异性磁极相吸的原理，因而两者之间产生磁吸力，且随着转移基板与显示基板之间距离逐渐减小，磁吸力逐渐增大。当转移基板与显示基板邻近到一定距离，磁吸力加上发光二极管的重力大于转移基板粘结发光二极管的粘结力，使得发光二极管脱离转移基板并落到显示基板上。由于第一磁性层与第二磁性层之间磁吸力的存在，在发光二极管脱离转移基板后，该磁吸力继续驱使第一磁性层向第二磁性层靠近，因而在发光二极管落到显示基板上时，第一磁性层与第二磁性层仍可以保持良好的位置对应。第一磁性层与第二磁性层之间良好的位置对应，意味着发光二极管与子像素之间良好的位置对应，使发光二极管的第一电极焊盘与子像素的第一接触电极实现良好的接触，发光二极管的第二电极焊盘与子像素的第二接触电极实现良好的接触。
通过上述转移过程可以看出，本发明实施例预先在Micro LED上设置第一磁性层以及在显示基板的每个子像素内设置第二磁性层，在转移过程中，通过第一磁性层与第二磁性层之间产生的磁吸力，不仅实现了驱动Micro LED脱离转移基板并落到显示基板上，而且保证了每个Micro LED的准确落位，提高了定位精度。定位精度的提高，不仅能够提高批次转移Micro LED的数量，提高了转移效率，而且避免了转移过程中出现短路问题，保证了转移可靠性，提高了成品率。通过磁吸力驱动Micro LED脱离，有效缩短了生产节拍时间，提高了生产率，降低了生产成本。与现有技术相比，本发明实施例有效解决了现有技术存在的定位不准确等问题，具有工艺难度低、易于实施、适用于任意尺寸、任意形状、任意批量的大规模量产，具有良好的应用前景。此外，本发明实施例所提出的发光二极管和显示基板，利用现有成熟的设备即可实现，能够很好地与现有制备工艺兼容，具有工艺简单、易于实现、生产效率高、生产成本低和良品率高等优点。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“绑定”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括发光结构层以及设置在所述发光结构层上的第一电极焊盘、第二电极焊盘和第一磁性层，所述第一电极焊盘和第二电极焊盘用于绑定连接显示基板，所述第一磁性层用于在转移过程中与显示基板的第二磁性层产生磁吸力，使发光二极管在所述磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一磁性层包括光敏材料层，所述光敏材料层中设置有磁性纳米粒子。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述光敏材料层的材料包括光刻胶，所述磁性纳米粒子的材料包括四氧化三铁、镍或钴，磁性纳米粒子的直径为10nm～20nm。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一磁性层的磁极性与第二磁性层的磁极性相反。
5.根据权利要求1～4任一所述的发光二极管，其特征在于，所述第一磁性层设置在所述第一电极焊盘和第二电极焊盘之间；和/或，所述第一磁性层设置在所述第一电极焊盘远离第二电极焊盘的一侧；和/或者，所述第一磁性层设置在所述第二电极焊盘远离第一电极焊盘的一侧。
6.一种显示基板，其特征在于，包括矩阵排布的多个子像素，每个子像素包括驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的第一接触电极、第二接触电极和第二磁性层，所述第一接触电极和第二接触电极用于绑定连接发光二极管，所述第二磁性层用于在转移过程中与发光二极管的第一磁性层产生磁吸力，使发光二极管在所述磁吸力作用下定位下落到显示基板的子像素。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第二磁性层的材料包括镍、铁、钴或镍铁合金。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第二磁性层的磁极性与第一磁性层的磁极性相反。
9.根据权利要求6～8任一所述的显示基板，其特征在于，所述第二磁性层设置在所述第一接触电极和第二接触电极之间；和/或，所述第二磁性层设置在所述第一接触电极远离第二接触电极的一侧；和/或者，所述第二磁性层设置在所述第二接触电极远离第一接触电极的一侧。
10.一种转移方法，用于将多个如权利要求1～5任一所述的发光二极管转移到如权利要求6～9任一所述的显示基板上；其特征在于，所述转移方法包括：
分别制备转移基板和显示基板，所述转移基板包括矩阵排布的多个发光二极管；
将所述转移基板与显示基板对位，所述转移基板上发光二极管的第一磁性层与所述显示基板上子像素的第二磁性层一一对应；
驱动转移基板邻近显示基板，使转移基板上的发光二极管在所述第一磁性层和第二磁性层产生的磁吸力作用下，定位下落到显示基板的子像素。
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