CN110299453A - 一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用 - Google Patents
一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用 Download PDFInfo
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- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 36
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 34
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 title 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 8
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 organometallic halide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本发明公开了一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明制备方法如下:(1)将钨酸溶解于双氧水中,搅拌得到乳白色的A溶液;(2)将A溶液加热反应得到透明的B溶液;(3)在B溶液中加入有机溶剂与蒸馏水,加热反应得到溶液C;(4)在C溶液中加入有机溶剂,加热反应得到无色透明溶胶D;(5)取溶胶D在导电玻璃基底上喷涂;(6)喷涂后的基底在加热台上加热,得到氧化钨电子传输层薄膜。本发明制备的电子传输层应用于可印刷钙钛矿太阳能电池中可得到850‑891mV的开路电压。本发明制备的电子传输层厚度可控,工艺简单,流程方便,可重复性强,能有效降低电池制作成本,便于技术推广。
Description
技术领域
本发明涉及一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用,属于无机纳米材料技术领域。
背景技术
从2009年诞生到2019年的短短十年间,基于有机金属卤化物光吸收剂的钙钛矿太阳能电池的认证效率从3.8%跃升至23.7%,引起了研究者的广泛关注。其中,可印刷钙钛矿太阳能电池舍弃了影响电池稳定性的空穴传输材料和金属电极,选取碳对电极取代诸如Pt、Au等贵金属,并用丝网印刷工艺制备对电极,大大降低了电池的制作成本,同时提高器件的稳定性,是最具有应用前景的电池器件之一。
氧化钨是一种典型的n型半导体过渡金属氧化物,是少数几种易于实现量子尺寸效应的半导体氧化物之一,纳米氧化钨较大的比表面积和对电磁波很高的吸收能力使它在太阳能吸收材料领域体现出重要的应用价值。同时,氧化钨具有良好的电子传输能力(10~20cm2V-1s-1)和化学稳定性,其导带位置介于二氧化钛与氧化锡之间,其能带结构与电子迁移率都符合钙钛矿太阳能电池的要求。纳米氧化钨薄膜的制备方法有多种,如水热法、电化学沉积法、喷雾热解法等方法。其中,水热法制备的氧化钨薄膜厚度可控性较差,不利于钙钛矿太阳能电池中所需较薄的电子传输层的要求。电化学沉积法制备所得的氧化钨薄膜与导电基质结合性不好,且所得薄膜均匀性不甚理想。而采用喷雾热解法制备纳米薄膜技术更能有效的控制薄膜厚度。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明采用钨酸作为钨源制备溶胶,经高温热解形成氧化钨薄膜,所得氧化钨薄膜,具有良好致密性、厚度可控,可用作钙钛矿太阳能电池中的电子传输层。
本发明目的通过下述方案实现。
本发明提供一种氧化钨电子传输层的制备方法,具体步骤如下:
(1)将2.4g~3g钨酸溶解于30~35mL双氧水中,搅拌得到乳白色的A溶液;
(2)将A溶液加热反应0.5~1小时得到透明的B溶液;
(3)在B溶液中加入30~35 mL有机溶剂与45~50mL蒸馏水,加热反应5~20分钟得到溶液C;
(4)在溶液C中加入150~200mL有机溶剂,加热反应40分钟~60分钟,得到无色透明溶胶D;
(5)取一定量的溶胶D在导电玻璃基底上喷涂10~20分钟,喷涂速度为2mL/min;
(6)喷涂后的基底在加热台上500℃加热,得到氧化钨电子传输层薄膜。
本发明中,步骤(2)、步骤(3)和步骤(4)中,加热温度为95~110℃。
本发明中,步骤(3)和步骤(4)中,有机溶剂选自无水乙醇或异丙醇或正丁醇中任一种。
本发明中,步骤(5)中,导电玻璃基底为FTO导电玻璃;取用溶胶D的体积为10~50mL,采用喷雾热解技术制备,喷涂速度为2mL/min。
本发明中,步骤(6)中,加热时间为20~40分钟。
本发明还提供一种上述的制备方法制得的氧化钨电子传输层。
本发明进一步提供一种上述的氧化钨电子传输层在钙钛矿太阳能电池中作为电子传输层的应用。优选的,钙钛矿太阳能电池为可印刷钙钛矿太阳能电池。更优选的,其由氧化钨电子传输层上旋涂二氧化钛多孔层、二氧化锆间隔层、钙钛矿层,并印刷碳电极获得。钙钛矿太阳能电池的开路电压达到850-891mV。
和现有技术相比,本发明的有益效果在于:
1、通过本发明制备方法得到的氧化钨薄膜结构致密,形貌均一、稳定性强、能够厚度可控的合成。
2、本发明制备的氧化钨电子传输层薄膜可广泛应用于无空穴传输层的可印刷钙钛矿电池等领域,在所制得的电子传输层的基础上旋涂二氧化钛多孔层、二氧化锆间隔层、钙钛矿层,并印刷碳电极,制备的钙钛矿太阳能电池可得到850-891mV的开路电压。
附图说明
图1:实施例2制得的氧化钨电子传输层薄膜放大50000倍的扫描电镜图。
图2:实施例2制得的氧化钨电子传输层薄膜放大25000倍的断面扫描电镜图。
图3:实施例2制得的氧化钨薄膜和钙钛矿薄膜的紫外-可见光吸收曲线。
图4:实施例1-4制得的钙钛矿太阳能电池结构示意图。
图5:实施例1制得的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线。
图6:实施例2制得的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线。
图7:对比例1中采用二氧化钛为电子传输层制得的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明作进一步阐述。本领域技术人员将会理解,以下实施例仅为本发明的优选实施例,其目的仅在于更好理解本发明的内容。因此,所举之例并不限制本发明的保护范围。
下面结合具体实例对本发明做进一步说明。
实施例1
(1)将2.4g钨酸溶解于30mL双氧水中,搅拌得到乳白色的A溶液;
(2)将A溶液加热到100℃回流0.5小时得到透明的溶液B;
(3)在B溶液中加入35 mL异丙醇与50mL蒸馏水,95℃下加热5分钟得到溶液C;
(4)在C溶液中加入200mL异丙醇,继续95℃下加热1h得到无色透明溶胶D;
(5)取20mL的溶胶D在清洁的FTO导电玻璃上喷涂10分钟,喷涂速度为2mL/min;
(6)喷涂后的基底在加热台上500℃加热30分钟,得到性能良好的氧化钨电子传输层薄膜材料。
在所制得的电子传输层的基础上旋涂二氧化钛多孔层、二氧化锆间隔层、钙钛矿层,并印刷碳电极,制备得到钙钛矿太阳能电池结构如图4所示,其光伏特性曲线如图5所示,开路电压为880mV,短路电流密度为16.73mAcm-2,填充因子为0.46,外量子效率 6.70%。
实施例2
(1)将2.5g钨酸溶解于30mL双氧水中,搅拌得到乳白色的A溶液;
(2)将A溶液加热到95℃反应1小时得到透明的溶液B;
(3)在B溶液中加入35 mL无水乙醇与50mL蒸馏水,95℃下加热5分钟得到溶液C;
(4)在C溶液中加入150 mL无水乙醇,继续95℃下加热1h得到无色透明溶胶D;
(5)取40mL的溶胶D在清洁的FTO导电玻璃上喷涂20分钟,喷涂速度为2mL/min;
(6)喷涂后的基底在加热台上500℃加热20分钟,得到性能良好的氧化钨电子传输层薄膜材料。图1是实施例2制得的氧化钨薄膜放大50000倍的扫描电镜照片;图2是实施例2制得的氧化钨薄膜放大25000倍的断面扫描电镜照片;其结果表示实施例2制得了致密、平整、稳定性好、厚度可控的氧化钨薄膜。实施例2制得的氧化钨薄膜和钙钛矿薄膜的紫外-可见光吸收曲线如图3所示。在所制得的电子传输层的基础上旋涂二氧化钛多孔层、二氧化锆间隔层、钙钛矿层,并印刷碳电极,制得的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线如图6所示。制备的钙钛矿太阳能电池的开路电压为891mV,电流15.54 mAcm-2,填充因子0.48,外量子效率为6.63%。
实施例3
(1)将3g钨酸溶解于35mL双氧水中,搅拌得到乳白色的A溶液;
(2)将A溶液加热到100℃回流0.5小时得到透明的溶液B;
(3)在B溶液中加入30mL无水乙醇与50mL蒸馏水,100℃下加热20分钟得到溶液C;
(4)在C溶液中加入200 mL无水乙醇,100℃下继续加热1h得到无色透明溶胶D;
(5)取30mL的溶胶D在清洁的FTO导电玻璃上喷涂15分钟,喷涂速度为2mL/min;
(6)喷涂后的基底在加热台上500℃加热40分钟,得到性能良好的氧化钨电子传输层薄膜材料。
在所制得的电子传输层的基础上旋涂二氧化钛多孔层、二氧化锆间隔层、钙钛矿层,并印刷碳电极,制备的钙钛矿太阳能电池可得到860mV的开路电压。
实施例4
(1)将3g钨酸溶解于35mL双氧水中,搅拌得到乳白色的A溶液;
(2)将A溶液加热到100℃回流0.5小时得到透明的溶液B;
(3)在B溶液中加入30mL正丁醇与50mL蒸馏水,100℃下加热20分钟得到溶液C;
(4)在C溶液中加入150 mL正丁醇,100℃下继续加热1h得到无色透明溶胶D;
(5)取40mL的溶胶D在清洁的FTO导电玻璃上喷涂20分钟,喷涂速度为2mL/min;
(6)喷涂后的基底在加热台上500℃加热40分钟;得到性能良好的氧化钨电子传输层薄膜材料。
在所制得的电子传输层的基础上旋涂二氧化钛多孔层、二氧化锆间隔层、钙钛矿层,并印刷碳电极,制备的钙钛矿太阳能电池可得到850mV的开路电压。
对比例1
采用二氧化钛为电子传输层,在电子传输层上旋涂二氧化钛多孔层、二氧化锆间隔层、钙钛矿层,并印刷碳电极,制得的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线如图7;所得电池的开路电压为825mV,短路电流密度为15.51mAcm-2,填充因子为0.50,外量子效率为6.24%。
Claims (10)
1.一种氧化钨电子传输层的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)将2.4g~3g钨酸溶解于30~35mL双氧水中,搅拌得到乳白色的A溶液;
(2)将A溶液加热反应0.5~1小时得到透明的B溶液;
(3)在B溶液中加入30~35 mL有机溶剂与45~50mL蒸馏水,加热反应5~20分钟得到溶液C;
(4)在溶液C中加入150~200mL有机溶剂,加热反应40分钟~60分钟,得到无色透明溶胶D;
(5)取一定量的溶胶D在导电玻璃基底上喷涂10~20分钟;
(6)喷涂后的基底在加热台上500℃加热,得到氧化钨电子传输层薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)、步骤(3)和步骤(4)中,加热温度为95~110℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)和步骤(4)中,有机溶剂选自无水乙醇或异丙醇或正丁醇中一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(5)中,导电玻璃基底为FTO导电玻璃;取用溶胶D的体积为10~50mL,采用喷雾热解技术制备,喷涂速度为2mL/min。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(6)中,加热时间为20~40分钟。
6.一种根据权利要求1~5之一所述的制备方法制得的氧化钨电子传输层。
7.一种根据权利要求6所述的氧化钨电子传输层在钙钛矿太阳能电池中作为电子传输层的应用。
8.根据权利要求7所述的应用,其特征在于,钙钛矿太阳能电池为可印刷钙钛矿太阳能电池。
9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,钙钛矿太阳能电池由氧化钨电子传输层上旋涂二氧化钛多孔层、二氧化锆间隔层、钙钛矿层,并印刷碳电极获得。
10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,钙钛矿太阳能电池的开路电压达到850-891mV。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910583243.5A CN110299453B (zh) | 2019-07-01 | 2019-07-01 | 一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910583243.5A CN110299453B (zh) | 2019-07-01 | 2019-07-01 | 一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110299453A true CN110299453A (zh) | 2019-10-01 |
CN110299453B CN110299453B (zh) | 2022-09-20 |
Family
ID=68029586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910583243.5A Active CN110299453B (zh) | 2019-07-01 | 2019-07-01 | 一种氧化钨电子传输层、制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110299453B (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN110299453B (zh) | 2022-09-20 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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