CN110299300B - 板式pecvd设备的质量流量计的标定方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，板式PECVD设备包括质量流量计M1至Mn，其中，n为3以上的自然数，标定方法包括如下步骤：步骤S1，释放反应腔体中的气体，使板式PECVD设备的反应腔体中的压力稳定至P0；步骤S2，经由质量流量计M1向板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的气体，待反应腔体中的压力稳定后记录反应腔体中的压力为P1；步骤S3，重复步骤S1和步骤S2，分别记录经由质量流量计M2至Mn向板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的所述气体后反应腔体中的压力P2至Pn；步骤S4，根据所测得的P1至Pn确定需要更换的质量流量计并进行更换。本发明实施例的标定方法较为准确的判断出异常的质量流量计并进行更换，保证了镀膜效果，且操作简单方便。
Description
技术领域
本发明涉及流量计技术领域，具体涉及一种板式PECVD设备的质量流量计的标定方法。
背景技术
在太阳能电池的生产中，在板式PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备中通过若干不同的通气管通入氨气和硅烷以在硅片上沉积SiNx薄膜，其中每根通气管通过氨气流量计和硅烷流量计来分别设定，通过设定不同的气体比例来沉积不同膜厚及折射率的SiNx薄膜。板式PECVD设备通常使用的氨气流量计和硅烷流量计均为质量流量计，其精度较低，经常出现实际流量与设定值出现偏差，从而不能准确控制沉积的SiNx薄膜的厚度，影响镀膜效果。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，该标定方法较为准确的判断出异常的质量流量计并进行更换，从而准确的控制了沉积的SiNx薄膜的厚度，保证了镀膜效果，且操作简单方便。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
根据本发明实施例的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，包括如下步骤：
步骤S1，释放反应腔体中的气体，使所述板式PECVD设备的所述反应腔体中的压力稳定至P0；
步骤S2，经由所述质量流量计M1向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的气体，待所述反应腔体中的压力稳定后记录所述反应腔体中的压力为P1；
步骤S3，重复所述步骤S1和所述步骤S2，分别记录经由所述质量流量计M2至Mn向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入所述预定流量的所述气体后所述反应腔体中的压力P2至Pn；
步骤S4，根据所测得的P1至Pn确定需要更换的质量流量计并进行更换。
优选地，所述步骤S4包括：
步骤S41，计算所测得的P1至Pn的算数平均值Pa；
步骤S42，将P1至Pn分别与所述Pa相比较，分别得到各个所述质量流量计所对应的压力偏差；
步骤S43，所述压力偏差满足预定条件时所对应的所述质量流量计，进行更换。
进一步优选地，所述步骤S43中，确定所述压力偏差的绝对值大于预定值所对应的所述质量流量计，进行更换。
进一步优选地，所述步骤S43中，确定所述压力偏差的绝对值最大所对应的所述质量流量计，进行更换。
优选地，所述步骤S1具体包括：
对所述板式PECVD设备的反应腔体进行抽压，使所述板式PECVD设备的反应腔体中的压力稳定为P0。
优选地，所述步骤S2中，经由所述质量流量计向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入的气体为氮气。
进一步优选地，所述质量流量计M1至Mn分别为硅烷质量流量计。
进一步优选地，所述质量流量计M1至Mn分别为氨气质量流量计。
本发明的有益效果在于：
通过记录经由质量流量计M1至Mn向板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的气体后反应腔体中的压力P1至Pn，根据所测得的P1至Pn确定需要更换的质量流量计，本发明实施例的标定方法较为准确的判断出了异常的质量流量计并进行更换，从而准确的控制了沉积的SiNx薄膜的厚度，保证了镀膜效果，且操作简单方便。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1为本发明实施例的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法的流程图；
图2为本发明实施例的实施板式PECVD设备的质量流量计的标定方法的气路连接图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例仅用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，根据本发明实施例的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，板式PECVD设备包括质量流量计M1至Mn，其中，n为3以上的自然数，标定方法包括如下步骤：
步骤S1，释放反应腔体中的气体，使所述板式PECVD设备的所述反应腔体中的压力稳定至P0；
根据本发明的一些实施例，步骤S1具体包括：对板式PECVD设备的反应腔体进行抽压，使板式PECVD设备的反应腔体中的压力稳定为P0。
步骤S2，经由所述质量流量计M1向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的气体，待所述反应腔体中的压力稳定后记录所述反应腔体中的压力为P1；
根据本发明的一些实施例，步骤S2中，经由质量流量计向板式PECVD设备的反应腔体中通入的气体为氮气。从而使该标定方法更为安全且更为价廉。
优选地，质量流量计M1至Mn分别为硅烷质量流量计或氨气质量流量计。
步骤S3，重复所述步骤S1和所述步骤S2，分别记录经由所述质量流量计M2至Mn向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入所述预定流量的所述气体后所述反应腔体中的压力P2至Pn；
步骤S4，根据所测得的P1至Pn确定需要更换的质量流量计并进行更换。
根据本发明的一些实施例，步骤S4包括：
步骤S41，计算所测得的P1至Pn的算数平均值Pa；
步骤S42，将P1至Pn分别与所述Pa相比较，分别得到各个所述质量流量计所对应的压力偏差；
步骤S43，所述压力偏差满足预定条件时所对应的所述质量流量计，进行更换。以此可以较为准确的确定需要更换的质量流量计并进行更换。
优选地，步骤S43中，确定所述压力偏差的绝对值大于预定值所对应的所述质量流量计，进行更换。
优选地，步骤S43中，确定所述压力偏差的绝对值最大所对应的所述质量流量计，进行更换。
通过记录质量流量计M1至Mn向板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的所述气体后反应腔体中的压力P1至Pn，根据所测得的P1至Pn确定需要更换的质量流量计，本发明实施例的标定方法较为准确的判断出了异常的质量流量计并进行更换，从而准确的控制了沉积的SiNx薄膜的厚度，保证了镀膜效果，且操作简单方便。
下面通过具体实施例描述本发明。
一种板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，包括如下步骤：
(1)打开主抽阀门对板式PECVD设备的反应腔体进行抽压，等待反应腔体中的压力稳定至P0，其中P0为1.7E-02Pa；
(2)如图2所示，打开阀门10，经由板式PECVD设备的硅烷质量流量计M1向反应腔体中通入预定流量的氮气，硅烷质量流量计的设定为300sccm，压力稳定后记录反应腔体中的压力P1；
(3)重复步骤(1)和步骤(2)，记录经由硅烷质量流量计M2至M6向反应腔体中通入预定流量的氮气后反应腔体中的压力P2至P6，其中P1-P6的结果如下表1所示；
(4)根据所测得的P1至P6，硅烷质量流量计M3对应的压力偏差的绝对值大于预定值，对硅烷质量流量计M3进行更换；
(5)重复步骤(1)和步骤(2)，记录经由更换过的硅烷质量流量计M31向反应腔体中通入预定流量的氮气后反应腔体中的压力P31，P31的结果如表1所示。
(6)打开主抽阀门对板式PECVD设备的反应腔体进行抽压，等待反应腔体中的压力稳定至P0，其中P0为1.7E-02Pa；
(7)打开阀门20，经由板式PECVD设备的氨气质量流量计M7向反应腔体中通入预定流量的氮气，氨气质量流量计的设定为500sccm，压力稳定后记录反应腔体中的压力P7；
(8)重复步骤(6)和步骤(7)，记录经由氨气质量流量计M7至M12向反应腔体中通入预定流量的氮气后反应腔体中的压力P7至P12，其中P7-12的结果如表下2所示；
(9)根据所测得的P7至P12，氨气质量流量计M7至M12对应的压力偏差的绝对值均小于预定值。
表1经由硅烷质量流量计向反应腔体中通入氮气后反应腔体中的压力
| P1 | P2 | P3 | P31 | P4 | P5 | P6 | |
| 压力(Pa) | 3.2E-02 | 3.1E-02 | 3.7E-02 | 3.2E-02 | 3.3E-02 | 3.2E-02 | 3.1E-02 |
表2经由氨气质量流量计向反应腔体中通入氮气后反应腔体中的压力
| P7 | P8 | P9 | P10 | P11 | P12 | |
| 压力(Pa) | 4.5E-02 | 4.5E-02 | 4.4E-02 | 4.5E-02 | 4.5E-02 | 4.3E-02 |
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (7)
1.一种板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，所述板式PECVD设备包括质量流量计M1至Mn，其中，n为3以上的自然数，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，释放反应腔体中的气体，使所述板式PECVD设备的所述反应腔体中的压力稳定至P0；
步骤S2，经由所述质量流量计M1向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的气体，待所述反应腔体中的压力稳定后记录所述反应腔体中的压力为P1；
步骤S3，重复所述步骤S1和所述步骤S2，分别记录经由所述质量流量计M2至Mn向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入所述预定流量的所述气体后所述反应腔体中的压力P2至Pn；
步骤S4，根据所测得的P1至Pn确定需要更换的质量流量计并进行更换；
其中，所述步骤S4包括：
步骤S41，计算所测得的P1至Pn的算数平均值Pa；
步骤S42，将P1至Pn分别与所述Pa相比较，分别得到各个所述质量流量计所对应的压力偏差；
步骤S43，所述压力偏差满足预定条件时所对应的所述质量流量计，进行更换。
2.根据权利要求1所述的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，其特征在于，所述步骤S43中，确定所述压力偏差的绝对值大于预定值所对应的所述质量流量计，进行更换。
3.根据权利要求1所述的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，其特征在于，所述步骤S43中，确定所述压力偏差的绝对值最大所对应的所述质量流量计，进行更换。
4.根据权利要求1所述的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：
对所述板式PECVD设备的反应腔体进行抽压，使所述板式PECVD设备的反应腔体中的压力稳定为P0。
5.根据权利要求1所述的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，其特征在于，所述步骤S2中，经由所述质量流量计向所述板式PECVD设备的反应腔体中通入的气体为氮气。
6.根据权利要求5所述的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，其特征在于，所述质量流量计M1至Mn分别为硅烷质量流量计。
7.根据权利要求5所述的板式PECVD设备的质量流量计的标定方法，其特征在于，所述质量流量计M1至Mn分别为氨气质量流量计。
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