CN110291618B - 硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制台阶差状微小缺陷的产生的硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法。硅晶片的抛光方法具备：双面抛光工序，对硅晶片的正面及背面进行抛光处理；缺口部抛光工序，在双面抛光工序之后，对硅晶片的缺口部的倒角部实施抛光处理；外周倒角部抛光工序，在缺口部抛光工序之后，对缺口部的倒角部以外的硅晶片的外周倒角部实施抛光处理；及精抛工序，在外周倒角部抛光工序之后，对硅晶片的正面实施精抛处理，所述硅晶片的抛光方法的特征在于，缺口部抛光工序在正面处于水润湿状态下进行。

Description

硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法
技术领域
本发明涉及一种硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法。
背景技术
以往，作为半导体器件的基板，广泛使用硅晶片。硅晶片以如下方式制造。首先，通过提拉(Czochralski、CZ)法等培养单晶硅锭。接着，对所培养的单晶硅锭的外周部实施磨削处理而将锭的直径调整为规定值。
接着，在经外周磨削的单晶硅锭的外周面形成显示出特定的晶体取向的缺口部。例如，在晶面为(100)面的硅晶片上形成显示出<110>取向等的缺口部。该缺口部例如通过将适当的磨具以与锭的外周部接触的状态沿轴向移动而形成圆弧状或大致V字状等的槽部。
接着，对形成有缺口部的单晶硅锭进行切割为块状的加工之后，使用线锯(wire-saw)装置等将单晶硅块进行切片，并对所得到的硅晶片实施倒角处理、一次平坦化处理(研磨处理)、抛光处理等。
在倒角处理中，通过倒角装置将硅晶片的外周端面部调整为指定的形状。对缺口部也同样地实施该倒角处理。
在一次平坦化处理中，使用研磨装置或双面磨削装置等对硅晶片的正面(制作器件的面)及背面进行粗磨削而提高晶片正面和背面的平行度。
在抛光处理中，使用抛光装置对硅晶片的正面及背面进行抛光而提高平坦度。该抛光处理大致分为对硅晶片的正面及背面同时进行抛光的双面抛光处理和仅对正面进行抛光的单面抛光处理。
在双面抛光处理中，使用聚氨酯等比较硬质的研磨布以比较快的抛光速度将装填于载板的保持孔中的硅晶片的正面及背面同时抛光至所期望的厚度。相对于此，在单面抛光处理中，使用如绒面革那样的比较软质的研磨布及微小尺寸的磨粒对硅晶片的正面进行抛光而降低如纳米形貌或雾度之类的硅晶片表面上的微小的表面粗糙度。最后进行的单面抛光处理被称为精抛处理。
在上述抛光处理中通常使用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing、CMP)法，该化学机械抛光法一边将碱性水溶液中含有二氧化硅等磨粒的浆料作为抛光液而进行供给，一边使硅晶片与研磨布相对旋转来进行。CMP法为组合基于磨粒的机械抛光作用和基于碱性水溶液的化学抛光作用的方法，通过它们的复合作用，硅晶片表面被镜面化，能够实现高平坦性。
并且，上述抛光处理不仅需要防止来自硅晶片的正面及背面的微粒的起尘，还需要防止来自倒角部的微粒的起尘等。因此，对晶片外周部的倒角部也实施抛光处理而将倒角部镜面化，并且对缺口部的倒角部也同样地实施抛光处理。
然而，若在进行双面抛光处理之前进行晶片外周部的倒角部的抛光处理，则在双面抛光处理时，载板的晶片保持孔的内周面与被镜面化的倒角面会接触，因此有可能产生摩擦而使倒角面受损。为此，报道了在双面抛光处理之后进行倒角面的抛光处理(例如，参考专利文献1)。
近年来，硅晶片的微细化及集成化日益进展，对硅晶片表面要求极高的平坦性。作为这样的硅晶片表面的平坦性的评价，正在使用微分干涉对比(DifferentialInterference Contrast、DIC)法。该DIC法为能够检测晶片表面的高度(或深度)超过指定的阈值(例如，2nm)的凹凸形状的台阶差状微小缺陷的个数的方法。另外，该台阶差状微小缺陷为宽度30～200μm、高度2～90nm左右的缺陷，是在其他检测模式下难以检测出的缺陷。
图1是说明通过DIC法检测台阶差状微小缺陷的原理的图。如该图所示，利用光束分离器B将激光L(例如He-Ne激光)进行分割并照射到硅晶片W的表面。光电二极管P经由反射镜M接收从硅晶片W的表面反射的反射光。当在硅晶片W的表面上存在凹凸形状的台阶差状微小缺陷D时，会检测出台阶差状微小缺陷特有的相位差，根据反射光的光路差能够求出该缺陷的高度信息。以下，在本说明书中，将通过DIC法检测出的高度2nm以上且凹凸形状的台阶差状微小缺陷简称为“台阶差状微小缺陷”。
若上述台阶差状微小缺陷的个数在所期望的基准内，则能够判定为硅晶片表面的品质良好。另一方面，将不满足上述所期望的基准的硅晶片判定为不良品，这种硅晶片无法作为产品出厂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-299290号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，得知在实施双面抛光处理之后实施倒角部的抛光处理，接着进行对硅晶片表面的精抛处理的情况下，在精抛处理后的硅晶片表面上台阶差状微小缺陷的产生会增加。
因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制硅晶片中的台阶差状微小缺陷的产生的硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法。
用于解决技术问题的方案
本发明人为了解决上述技术问题而详细调查整个晶片制造工序，对产生台阶差状微小缺陷的原因进行了研究。其结果，查明了在对形成于晶片外周部的缺口部的倒角部实施抛光处理时，浆料飞散到硅晶片的正面，浆料的飞沫干燥而导致飞沫中所包含的磨粒(例如，二氧化硅)固着，以存在该固着物的状态进行精抛，从而产生台阶差状微小缺陷。
因此，本发明人对在进行对缺口部的倒角部的抛光处理时抑制浆料飞沫中所包含的磨粒固着于硅晶片的正面上的方法进行了深入研究。其结果，发现了在硅晶片的正面处于水润湿状态下进行对缺口部的倒角部的抛光处理极为有效，并完成了本发明。
即，本发明的宗旨结构如下。
(1)一种硅晶片的抛光方法，其具备：
双面抛光工序，对硅晶片的正面及背面进行抛光；
缺口部抛光工序，在所述双面抛光工序之后，对所述硅晶片的缺口部的倒角部实施抛光处理；
外周倒角部抛光工序，在所述缺口部抛光工序之后，对所述缺口部的倒角部以外的所述硅晶片的外周倒角部实施抛光处理；及
精抛工序，在所述外周倒角部抛光工序之后，对所述硅晶片的正面实施精抛处理，
所述硅晶片的抛光方法的特征在于，
所述缺口部抛光工序在所述正面处于水润湿状态下进行。
(2)根据所述(1)所述的硅晶片的抛光方法，其中，所述水润湿状态是通过在所述双面抛光处理之后，对所述正面实施亲水化处理而使其成为亲水面之后，向所述亲水面供给水而形成。
(3)根据所述(2)所述的硅晶片的抛光方法，其中，所述亲水化处理为化学清洗处理。
(4)根据所述(2)或(3)所述的硅晶片的抛光方法，其中，所述水的供给以1L/分钟以上且10L/分钟以下的流量进行。
(5)根据所述(1)所述的硅晶片的抛光方法，其中，所述水润湿状态是通过在所述双面抛光处理之后，向所述正面继续供给水而形成。
(6)根据所述(1)至(5)中任一项所述的硅晶片的抛光方法，其中，所述外周倒角部抛光工序与所述精抛工序之间不进行化学清洗处理。
(7)一种硅晶片的制造方法，其特征在于，在利用提拉法培养的单晶硅锭的外周部形成缺口部，接着进行切片而得到硅晶片之后，通过所述(1)至(6)中任一项所述的硅晶片的抛光方法对所得到的硅晶片实施抛光处理。
发明效果
根据本发明，由于在硅晶片的正面处于水润湿状态下进行对硅晶片的缺口部的倒角部的抛光处理，所以抑制浆料的飞沫中所包含的磨粒固着，从而能够抑制产生台阶差状微小缺陷。
附图说明
图1是说明基于微分干涉对比法的台阶差状微小缺陷的测定原理的图。
图2是说明实施于硅晶片的外周部的倒角部的通常的抛光处理的图。
图3是说明通过本发明能够防止飞散到硅晶片的正面的浆料的固着的原理的图。
图4是表示对以往例及发明例的台阶差状微小缺陷的个数的图。
具体实施方式
(硅晶片的抛光方法)
以下，参考附图对本发明的实施方式进行说明。本发明的硅晶片的抛光方法为具备如下工序的硅晶片的抛光方法：双面抛光工序，对硅晶片的正面及背面实施抛光处理；缺口部抛光工序，在双面抛光工序之后，对硅晶片的缺口部的倒角部实施抛光处理；外周倒角部抛光工序，在缺口部抛光工序之后，对缺口部的倒角部以外的硅晶片的外周倒角部(外周部的倒角部)实施抛光处理；及精抛工序，在外周倒角部抛光工序之后，对硅晶片的正面实施精抛处理。在此，其特征在于，缺口部抛光工序在正面处于水润湿状态下进行。
如上所述，对形成有倒角部的硅晶片依次实施双面抛光处理、倒角部的抛光处理及精抛处理。图2是说明对硅晶片的外周部的倒角部实施的抛光处理的图。如该图所示，倒角部的抛光处理包含以下4个工序。
首先，进行对缺口部的倒角部实施抛光处理的缺口部抛光工序。具体而言，如图2(a)所示，使小径的抛光垫11旋转。然后，从浆料供给部12朝向硅晶片W的缺口部N的倒角部供给浆料S，一边改变硅晶片W的角度一边将缺口部N抵压于抛光垫11。由此，能够对缺口部N的倒角部进行镜面加工。
接着，进行对缺口部N的倒角部以外的晶片外周倒角部实施抛光处理的外周倒角部抛光工序。具体而言，如图2(b)所示，使载置有硅晶片W的平台21旋转。然后，一边从浆料供给部22向硅晶片W的中心部供给浆料S，一边将硅晶片W的外周倒角部抵压于抛光垫23。由此，能够对缺口部N的倒角部以外的晶片外周倒角部进行镜面加工。
接着，进行清洗如上所述对倒角部实施了抛光处理的硅晶片W的清洗工序。具体而言，如图2(c)所示，使载置有硅晶片W的平台(未图示)旋转。然后，在从配置于晶片平面方向外侧的双流体喷嘴31向硅晶片W的外周部喷射空气及纯水并且从水供给机构33向硅晶片W的正面供给纯水的状态下，一边使刷子32旋转，一边将其抵压于硅晶片W的外周部。如此清洗硅晶片W的正面及外周部整体。
最后，进行干燥清洗后的硅晶片W的干燥工序。其如图2(d)所示，例如能够通过旋转干燥来进行，使载置有硅晶片W的平台(未图示)高速旋转而使附着于硅晶片W的表面的水分吹飞来进行干燥，并且利用吸引机构41回收吹飞的水分。
本发明人在调查台阶差状微小缺陷的产生原因的过程中发现了在进行图3(a)所示的对缺口部N的倒角部的抛光处理时，飞沫H中所包含的磨粒固着于硅晶片W的表面。在进行上述对缺口部N的倒角部的抛光处理时，不让硅晶片W旋转。并且，浆料S的供给仅仅是对缺口部N的局部性供给。因此，在进行上述缺口部的倒角部的抛光处理期间，缺口部N以外的正面的区域已干燥。认为若浆料S飞散并附着于该干燥的硅晶片W的正面，则附着的浆料S的飞沫H干燥而导致飞沫H中所包含的磨粒固着。
另外，在对图2(b)所示的缺口部N以外的外周倒角部实施抛光处理时，浆料S被供给到旋转的硅晶片W的中心部，因此浆料S被供给到整个正面，硅晶片W的正面处于润湿的状态。认为其结果，在倒角部的抛光中不会产生浆料S中所包含的磨粒的局部性固着。
本发明人发现了，若将如上所述的磨粒固着于正面的硅晶片W供于下一工序的精抛处理，则固着有磨粒的部分的抛光速率变得低于其他部分的抛光速率，其结果，形成台阶差状微小缺陷。
如此，本发明人发现，在进行对缺口部N的倒角部的抛光处理时，分散到硅晶片W的正面的浆料S的飞沫H干燥，飞沫H中所包含的磨粒局部性地固着，这是台阶差状微小缺陷的产生原因之一。
因此，本发明人等对在进行对缺口部N的倒角部的抛光处理时抑制浆料S的飞沫H中所包含的磨粒固着于正面上的方法进行了深入研究。其结果，想到了在硅晶片的正面处于水润湿状态下进行上述抛光处理。
在此，“硅晶片的正面处于水润湿状态”是指，如图3(b)所示，在硅晶片W的正面形成有水膜F的状态。通过该水膜F，即使在浆料S飞散到硅晶片W的正面的情况下，也能够抑制飞沫H在晶片的正面上干燥而导致飞沫H中所包含的磨粒固着。
具体而言，上述水膜F能够通过对硅晶片W的正面实施亲水化处理而使其成为亲水面之后，向该亲水面供给水而形成。即，在实施抛光处理的前工序即双面抛光处理之后，硅晶片W的正面具有疏水性。即使向这样的具有疏水性的正面供给水，也会排斥水，难以在正面上形成水膜F。因此，首先，在双面抛光处理之后对疏水性的正面实施亲水化处理而使其成为亲水面。
上述亲水化处理例如能够通过化学清洗处理来进行。具体而言，对硅晶片W的正面实施使用臭氧水的清洗或SC-1清洗等而使硅晶片W的正面氧化，从而形成硅氧化膜。由于硅氧化膜具有亲水性，所以刚进行双面抛光处理之后，能够使疏水性的正面成为亲水面。
通过对如此得到的亲水面供给水，能够在硅晶片W的正面上形成水膜F。上述水的供给能够利用淋浴器等水供给机构来进行。并且，将所供给的水设为纯水或纯度比纯水高的超纯水。
并且，上述水的供给优选以1L/分钟以上且10L/分钟以下的流量进行。通过将流量设为1L/分钟以上，能够在硅晶片W的整个正面良好地形成水膜F。并且，越提高水的供给流量，对水膜F的形成越有效，但无需过度地提高，从降低制造成本的观点考虑，优选将流量设为10L/分钟以下。
关于上述水膜F的形成，也能够通过将亲水化处理后的硅晶片W浸渍于水而形成。
通过本发明，在进行对缺口部N的倒角部的抛光处理时，能够防止附着物附着于硅晶片的正面。由此，无需进行以往进行的、在外周倒角部抛光工序结束之后且精抛工序开始之前，进行化学清洗处理而去除附着于硅晶片的正面的附着物的工序，从而能够节约化学清洗处理中所使用的药剂等。
另外，代替上述水膜F的形成而在进行上述对缺口部的倒角部的抛光处理期间对硅晶片W的正面继续供给水，由此也能够抑制飞散到正面上的浆料S的飞沫H干燥而固着。因此，设为该构成也包含于本发明中的“硅晶片的正面处于水润湿状态”中。在该情况下，硅晶片S的正面可以保持疏水性，也可以实施亲水化处理而成为亲水面。
若飞散并附着于硅晶片W的正面的浆料S的飞沫H未干燥，则无需一定要连续地进行上述水的供给，也可以断续地进行。
如此，能够抑制在硅晶片的正面上产生台阶差状微小缺陷。
(硅晶片的制造方法)
接着，对基于本发明的硅晶片的制造方法进行说明。基于本发明的硅晶片的制造方法的特征在于，通过提拉法培养硅锭，将所培养的硅锭进行切片而得到硅晶片之后，针对所得到的硅晶片，通过上述基于本发明的硅晶片的抛光方法对缺口部的倒角部在特定的条件下实施抛光处理。因此，依次进行双面抛光工序、缺口部抛光工序、外周倒角部抛光工序及精抛工序，在硅晶片的正面处于水润湿状态下进行缺口部抛光工序，除此以外，一概不受限定。以下，示出本发明的硅晶片的制造方法的一例。
首先，通过CZ法将投入到石英坩埚中的多晶硅熔融为1400℃左右，接着，一边将籽晶浸渍于液面并使其旋转一边进行提拉，由此制造例如晶面为(100)面的单晶硅锭。在此，为了得到所期望的电阻率，例如掺杂硼或磷等。并且，通过在制造锭时使用施加磁场的磁场施加提拉(Magnetic field CZochralski、MCZ)法，能够控制硅锭中的氧浓度。
接着，对所得到的单晶硅锭的外周部实施磨削处理而使直径均匀之后，将具有适当的形状的磨具抵压于锭的外周面并反复进行锭的轴向移动，由此形成例如显示出<110>方向的缺口部。然后，进行将形成有缺口部的锭切成块状的加工。
接着，使用线锯或内圆切断机，将形成有缺口部的单晶硅块进行切片而得到硅晶片。
接着，对硅晶片的外周端面部实施一次倒角处理(粗倒角)。其能够通过使用精磨磨具的磨削加工或轮廓(contouring)加工等来进行，该精磨磨具通过整形修整在外周部预先形成有与倒角形状对应的形状的槽。例如，一边使粒径粗的金刚石砂轮等圆柱磨具旋转一边将其抵压于硅晶片的外周部来实施一次倒角处理。如此，硅晶片的外周部加工成带有指定的圆角的形状。
然后，对硅晶片的主面实施一次平坦化处理。在该一次平坦化处理中，将硅晶片配置于相互平行的一对研磨平板之间，一边向研磨平板之间供给例如由氧化铝等磨粒、分散剂及水的混合物组成的研磨液，一边在指定的加压下使硅晶片旋转及滑动。由此，机械研磨硅晶片的表面和背面而能够提高晶片的平行度。另外，作为一次平坦化处理，可以使用双面磨削装置磨削晶片表面和背面，也可以实施研磨处理及双面磨削处理这两种处理。
接着，对经一次平坦化处理的硅晶片的缺口部实施倒角处理。具体而言，一边使金属结合剂或树脂结合剂等磨具旋转，一边将其抵压于硅晶片的缺口部，使磨具沿着缺口部的轮廓移动而对硅晶片的缺口部实施倒角处理。进而，也可以对该经倒角处理的缺口部实施公知的带倒角处理。
然后，对实施了一次平坦化处理的硅晶片的外周部实施二次倒角处理。具体而言，一边使粒径比一次倒角处理中所使用的磨具细的金属结合剂或树脂结合剂等磨具旋转，一边将其抵压于硅晶片的外周部而对硅晶片实施二次倒角处理(精倒角)。另外，也可以对该经倒角处理的外周部实施公知的带倒角处理。
接着，对实施了二次倒角处理的硅晶片实施蚀刻处理。具体而言，通过使用由氢氟酸、硝酸、乙酸、磷酸中的至少一种组成的水溶液的酸蚀刻或使用氢氧化钾水溶液或氢氧化钠水溶液等的碱蚀刻、或上述酸蚀刻与碱蚀刻的并用，去除通过前工序为止的处理产生的晶片的应变。
另外，也可以对实施了蚀刻处理的硅晶片实施平面磨削处理来进一步提高晶片的平坦性。该平面磨削处理中可以使用单面平面磨削装置，也可以使用双面平面磨削装置。
然后，使用双面抛光处理装置对硅晶片的正面及背面实施双面抛光处理。该双面抛光处理如下进行：将硅晶片嵌入载板的孔部之后，用贴附有研磨布的上平板及下平板夹住载板，在上下平板与晶片之间流入例如在碱溶液中包含胶态二氧化硅等磨粒的浆料，并使上下平板及载体彼此在相反的方向上旋转。由此，减少晶片表面的凹凸而能够得到平坦度高的晶片。
接着，对硅晶片的外周部的倒角部实施抛光处理。首先，对缺口部的倒角部实施抛光处理。该抛光处理如下进行：一边使前端形状成型为锥形的盘状的聚氨酯抛光轮旋转一边将其抵压于缺口部的倒角部。另外，对缺口部的倒角部的抛光处理也可以为将旋转的研磨带抵压于缺口部的抛光处理。
在本发明中，重要的是在硅晶片的正面处于水润湿状态下进行该对缺口部的倒角部的抛光处理。由此，在进行对缺口部的倒角部的抛光处理时，能够抑制飞散到硅晶片的正面的浆料S的飞沫H干燥而导致飞沫H中所包含的磨粒固着。其结果，在进行精抛处理时，能够抑制在硅晶片中产生台阶差状微小缺陷。
同样地，对缺口部以外的外周部的倒角部实施抛光处理。例如，以用吸附台保持硅晶片的背面的状态使晶片旋转，并将聚氨酯制等的抛光轮抵压于旋转的晶片的外周端面部，由此对硅晶片的外周部的倒角部进行镜面加工。
然后，使用单面抛光装置，对倒角部实施了抛光处理的硅晶片的正面实施精抛处理。该精抛处理能够使用绒面革材料的研磨布，并且作为抛光液而例如使用包含胶态二氧化硅的碱性抛光液来进行。
接着，将实施了精抛处理的硅晶片输送到清洗工序，例如使用作为氨水、过氧化氢水及水的混合物的SC-1清洗液或作为盐酸、过氧化氢水及水的混合物的SC-2清洗液去除晶片表面的微粒或有机物、金属等。
最后，将经清洗的硅晶片输送到检查工序，检查晶片的平坦度、晶片表面的LPD的数量、损伤、晶片表面的污染等。通过这些检查，只有满足指定的产品品质的晶片，作为产品出厂。
另外，根据需要，对在上述步骤中得到的晶片实施退火处理或外延膜生长处理，由此能够得到退火晶片或外延晶片、SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上)晶片等。
如此，能够制造台阶差状微小缺陷减少的硅晶片。
实施例
(发明例)
通过基于本发明的硅晶片的制造方法制作出硅晶片。首先，对通过CZ法培养的单晶锭的外周部实施磨削处理而调整直径之后，在锭的外周部形成了显示出<110>取向的缺口部。接着，进行从单晶硅锭切出块的加工之后，将形成有缺口部的块进行切片而得到了直径300mm的硅晶片。
接着，使用倒角加工机对硅晶片的外周部实施了一次倒角处理。具体而言，一边使硅晶片旋转，一边将晶片的外周部抵压于粒径粗的金属结合剂磨具，由此对硅晶片的外周端面部实施了一次倒角处理。
接着，将实施了一次倒角处理的硅晶片输送到研磨装置中，对硅晶片的正面及背面实施了一次平坦化处理。
然后，使用倒角装置对实施了一次平坦化处理的硅晶片的缺口部实施了倒角处理。具体而言，一边使金属结合剂磨具旋转，一边将其抵压于缺口部，使磨具沿着缺口部的轮郭移动，由此对缺口部实施倒角处理，从而形成了倒角部。接着，使用由粒径比一次倒角处理中所使用的磨具细的精磨削用树脂结合剂磨具组成的磨轮，对缺口部以外的晶片外周部也实施二次倒角处理而形成了倒角部。
接着，对形成有倒角部的硅晶片的正面及背面实施了双面抛光处理。双面抛光处理如下进行：一边从上平板侧供给包含磨粒的碱性研磨浆料，一边将装填于载板的晶片保持孔内的硅晶片夹持在贴附有聚氨酯制的研磨布的上下平板之间，以负载有指定的压力的状态使上平板及下平板彼此在相反的方向上旋转。使载板通过齿轮机构在与上平板相同的方向上旋转而将装填于载板内的硅晶片的表面和背面抛光至指定厚度。
然后，使用图2所示的倒角部抛光装置对实施了双面抛光处理的硅晶片的倒角部实施了抛光处理。具体而言，首先，对缺口部的倒角部实施了抛光处理。在该抛光处理之前，利用过氧化氢水对硅晶片的正面实施亲水化处理而使硅晶片表面成为亲水面。然后，利用喷雾器以1.8L/分钟的流量向亲水面供给纯水而在整个正面形成了水膜。另外，作为其他亲水化处理液，可以举出臭氧、表面活性剂等。
在形成上述水膜之后，一边使前端部形成为锥形状的盘状的聚氨酯抛光轮以600rpm旋转，一边将其抵压于缺口部的倒角部。此时，朝向缺口部的倒角部以1.5L/分钟的流量供给包含胶态二氧化硅的碱性浆料作为抛光液，一边使晶片在+55度～-55度的范围内倾斜，一边实施了抛光处理，以使整个倒角部被抛光。接着，以用吸附台保持硅晶片的背面的状态使晶片旋转，并将聚氨酯制抛光轮抵压于旋转的晶片的外周倒角部，由此对缺口部以外的硅晶片的外周部的倒角部实施了镜面抛光处理。
接着，将实施了倒角部的抛光处理的硅晶片输送到单面抛光装置中，对硅晶片的主面实施了精抛处理。该单面抛光处理使用绒面革材料的研磨布，并且作为抛光液而使用包含胶态二氧化硅的碱性浆料来进行。
然后，用晶片清洗装置最终清洗实施了精抛处理的硅晶片而得到了硅晶片。
对将上述块进行切片时所得到的另一片硅晶片也实施与上述相同的处理，得到了另一片硅晶片。
(以往例)
与发明例同样地制作出两片硅晶片。但是，在进行对缺口部的倒角部的抛光处理之前，在硅晶片的正面上未形成水膜。其他条件与发明例均相同。
<DIC缺陷的评价>
使用晶片表面检查装置(Surfscan SP2；KLA-Tencor公司制)，在DIC模式(基于DIC法的测定模式)下对通过发明例及以往例制作出的硅晶片的表面进行了测定。在进行测定时，将凹凸形状的台阶差状微小缺陷的高度的阈值设定为3nm，求出了超过该阈值的台阶差状微小缺陷的个数。将所得到的结果示于图4。
如图4所示，在以往例中，检测出的台阶差状微小缺陷为9个及16个，相对于此，在发明例中为0个及2个。如此，可知通过在硅晶片的正面处于水润湿状态下进行对缺口部的倒角部的抛光处理，能够抑制台阶差状微小缺陷的产生。
产业上的可利用性
根据本发明，由于在硅晶片的正面处于水润湿状态下进行对硅晶片的缺口部的倒角部的抛光处理，所以抑制浆料的飞沫中所包含的磨粒固着，从而能够抑制产生台阶差状微小缺陷，因此在半导体制造业中有用。
附图标记说明
11、23-抛光垫，12、22-浆料供给机构，13、33-水供给机构，21-平台，31-双流体喷嘴，32-刷子，B-光束分离器，D-台阶差状微小缺陷，F-水膜，H-飞沫，L-激光，M-反射镜，P-光电二极管，S-浆料，W-硅晶片。

Claims (7)

1.一种硅晶片的抛光方法，其具备：
双面抛光工序，对硅晶片的正面及背面进行抛光；
缺口部抛光工序，在所述双面抛光工序之后，对所述硅晶片的缺口部的倒角部一边向所述缺口部的倒角部供给浆料一边实施抛光处理；
外周倒角部抛光工序，在所述缺口部抛光工序之后，对所述缺口部的倒角部以外的所述硅晶片的外周倒角部实施抛光处理；及
精抛工序，在所述外周倒角部抛光工序之后，对所述硅晶片的正面实施精抛处理，
所述硅晶片的抛光方法的特征在于，
所述缺口部抛光工序在所述正面处于水润湿状态下进行。
2.根据权利要求1所述的硅晶片的抛光方法，其中，
所述水润湿状态是通过在所述双面抛光工序之后，对所述正面实施亲水化处理而使其成为亲水面之后，向所述亲水面供给水而形成。
3.根据权利要求2所述的硅晶片的抛光方法，其中，
所述亲水化处理为化学清洗处理。
4.根据权利要求2或3所述的硅晶片的抛光方法，其中，
所述水的供给以1L/分钟以上且10L/分钟以下的流量进行。
5.根据权利要求1所述的硅晶片的抛光方法，其中，
所述水润湿状态是通过在所述双面抛光工序之后，向所述正面继续供给水而形成。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的硅晶片的抛光方法，其中，
所述外周倒角部抛光工序与所述精抛工序之间不进行化学清洗处理。
7.一种硅晶片的制造方法，其特征在于，
在利用提拉法培养的单晶硅锭的外周部形成缺口部，接着进行切片而得到硅晶片之后，通过权利要求1至6中任一项所述的硅晶片的抛光方法对所得到的硅晶片实施抛光处理。
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