CN110275359A - 显示装置、液晶显示装置以及有机el显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够抑制配线迂回部的面积的显示装置。显示装置(1)具备基板(100)，基板(100)具有显示区域(30)和非显示区域(10)，显示装置(1)具备：多个第1种开关元件(TFT1、TFT2)；多个栅极线(50)，其连接到该多个第1种开关元件的栅极；多个第2开关元件(TFT3)；多个副栅极线(60)，其连接到该多个第2种开关元件的栅极；以及连接线(70)，其将多个栅极线(50)中的任意一个栅极线(50)与多个副栅极线(60)中的任意一个副栅极线(60)连接。

Description

显示装置、液晶显示装置以及有机EL显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置、液晶显示装置以及有机EL显示装置。
背景技术
以往，在应用于仪表、娱乐设备等的多像素液晶显示装置中，例如有时会在显示区域形成穿孔部、切口部。在这种情况下，有时会产生穿孔部周边的显示不良。或者，为了抑制显示不良，有时不得不将穿孔部周边的非显示区域配置得较大。
其原因在于，由于在穿孔部不存在基板，自身不能进行配线，因此，需要在其周围设置栅极线、数据线等的配线迂回部。另外，该配线迂回部也是用于封入液晶的密封材料的形成区域，因此，需要一定的宽度，但是优选是不使显示区域变小的较窄的宽度。因此，各配线变得密集。
另外，在使用光固化性的材料作为密封材料的情况下，是从形成栅极线、数据线等配线的阵列基板侧照射光(紫外线、可见光)，但若配线密集的话，固化可能会不充分，密封材的未固化成分可能会到达液晶层而成为显示不良。
另外，在多像素液晶显示装置中，在针对1个像素配置有1根栅极线以及另1根栅极线(也被称为副栅极线)的构成中，配线迂回部的配线容易变得更密集。
例如，在专利文献1中记载有如下构成：在形成有开口部(穿孔部)的部分，栅极线与数据线都以避开开口部而在其周围迂回的方式布设，还具备将向各像素行供应相同信号的共用信号线捆绑而成的连接配线。
另外，在专利文献2中公开了与上述专利文献1大致同样的构成，是将电源线捆绑而成的构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2010-032760号(2010年2月12日公开)
专利文献2：特开2008-257191号(2008年10月23日公开)
发明内容
发明要解决的问题
但是，即使原样使用专利文献1和2的技术，在具备栅极线和副栅极线的构成中，也很难抑制配线迂回部的面积。
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种液晶显示装置，其能够在具备栅极线和副栅极线的构成中抑制配线迂回部的面积。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明的一个方式的显示装置具备基板，上述基板具有显示区域和非显示区域，上述显示装置具备：多个第1种开关元件；多个栅极线，其连接到该多个第1种开关元件的栅极；多个第2开关元件；多个副栅极线，其连接到该多个第2种开关元件的栅极；以及连接线，其将上述多个栅极线中的任意一个栅极线与上述多个副栅极线中的任意一个副栅极线连接。
发明效果
根据本发明的一个方式，能够提供一种显示装置，其能够在具备栅极线和副栅极线的构成中抑制配线迂回部的面积。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1的液晶显示装置的主要部分的构成的局部放大图。
图2是示出上述实施方式1的液晶显示装置的整体的图。
图3是图2的A部的放大图。
图4是图3中的单位像素的电路图的例示。
图5的(a)是图2的C部的放大图，(b)是图2的B部的放大图。
图6的(a)是图3的E部的放大图，(b)是示出比较例的图。
图7是图2的D部的放大图。
图8的(a)是图5的(b)的局部放大图，(b)是(a)的连接部的截面图，(c)是示出(b)的变形例的截面图。
图9的(a)是示出图8的(a)的变形例的图，(b)是示出(a)的连接部的截面图。
图10是示出实施方式1的液晶显示装置的变形例的整体的图。
图11的(a)是本发明的实施方式2的液晶显示装置的相当于上述图2的B部的放大图，(b)是(a)的连接部的截面图。
图12是示出上述实施方式2的液晶显示装置的上述图11的(a)的变形例的图。
图13是示出本发明的实施方式3的有机EL显示装置的基板的构成的俯视图。
图14是图13中的单位像素的电路图的例示。
图15的(a)是上述实施方式3的连接部的截面图的一个例子，(b)是其变形例的连接部的截面图，(c)是其又一变形例的连接部的截面图。
附图标记说明
1、1a～1f 显示装置
2 柔性印刷电路基板
3、3a 单位像素
4 源极驱动部
5 栅极驱动部
10 非显示区域
20 配线迂回区域
30 显示区域
40、40a、40(a+1)、40b 源极线
50 栅极线
60 副栅极线
70 连接线
80 辅助电容线
85 共用连接线
90 电源线
91 反射电极
92、92’ 阳极侧电源线
100、100a、100b 基板
TFT1、TFT2 第1种开关元件
TFT3 第2种开关元件
Tr1～Tr7 晶体管。
具体实施方式
〔实施方式1〕
下面，参照图1～图10来说明本发明的实施方式1。此外，在本实施方式和后述的实施方式2中，作为显示装置，说明液晶显示装置，但不限于此，例如，作为显示装置，也可以是实施方式3中说明的有机EL显示装置。
(显示装置的整体构成)
下面，参照图2来说明本实施方式的液晶显示装置的整体构成。
图2是示出本实施方式的液晶显示装置1的整体的图。如图2所示，液晶显示装置1具备：基板(阵列基板)100和相对基板，其隔开规定间隔相对配置，例如为玻璃基板；以及液晶层，其封入于这一对基板之间，液晶显示装置1具有显示区域30和非显示区域10。非显示区域10为大致圆形，其周围被显示区域30包围。另外，在非显示区域10的所有区域或者至少一部分区域中，基板100也被挖穿成大致圆形。另外，图2中的附图标记2示出用于连接到未图示的外部控制单元的柔性印刷电路基板。附图标记40示出源极线(也被称为数据线)，附图标记50(60)示出栅极线(副栅极线)。另外，栅极线(副栅极线)有时被称为扫描线。附图标记4示出向源极线40输出数据信号的源极驱动部，附图标记5示出向栅极线50(60)输出扫描信号的栅极驱动部。
在本实施方式的例如垂直取向模式的液晶显示装置中，具备多像素，与1个像素对应的像素电极至少分割为2个，在各个像素电极与例如图4所示的相对电极3-3之间施加不同的电压。此外，相对电极例如形成于相对基板。
多像素能够提高视野角特性，以多种方法来实现，但在本实施方式中，还如后述的图4所示，作为一个例子，1个像素具备：连接到共同的栅极线的2个开关元件、连接到副栅极线的1个开关元件以及连接到辅助电容线的3个辅助电容。
在本实施方式中，各像素具备：副栅极线，其被供应与和多个栅极线中的任意1根栅极线所对应的像素行不同的像素行的栅极线(例如2行后的栅极线)相同的信号。
另外，如图2所示，在基板100的显示区域30与非显示区域10之间设置有配线迂回区域20。
此外，在此，示出了在非显示区域10中基板100被挖穿的构成，但是基板100也可以不必被挖穿。例如，即使是在非显示区域10存在基板100的情况下，只要通过在其周围设置配线迂回区域而设为在非显示区域10不配置配线的构成，就也能够提高非显示区域10的透射率。这种构成适合于诸如在非显示区域10的背面不配置背光源而是配置老虎机的鼓(卷筒)的游戏机。
(液晶显示装置的主要部分的构成)
下面，参照图1、图3～图4来详细说明液晶显示装置1的主要部分的构成。图1是示出本实施方式的液晶显示装置1的主要部分的构成的局部放大图。如图1所示，在液晶显示装置1的显示区域30，多个栅极线50和副栅极线60以及多个源极线40配设成格子状。另外，在图1中，虽未图示，但在显示区域30也配设有像素晶体管和像素电极等其它结构。
具体来说，在显示区域30设置有：多个源极线40，其在上下方向上延伸；以及多个栅极线50和多个副栅极线60，其在左右方向上延伸。
在以下说明中，将栅极线(也包括副栅极线)的总数设为N(N：自然数)。另外，将以下记载的表示第几级的n、m、p、q、r以及s设为N以下的自然数。
如图1所示，副栅极线60和栅极线50按60n(n：自然数，以下同样)、50n、60(n+1)、50(n+1)、60(n+2)、50(n+2)、…的顺序交替设置。另外，在液晶显示装置1的显示区域30，例如同一像素行的副栅极线60(n+2)和栅极线50(n+2)中的副栅极线60(n+2)经由连接线70(n+2)越过栅极线50(n+1)而与被供应相同信号并处于与栅极线50(n+2)不同的行的栅极线50n连接。另外，与之相同地，副栅极线60(n+1)经由连接线70(n+1)越过栅极线50n而与下一栅极线50(n－1)连接。这样，在液晶显示装置1的显示区域30与配线迂回区域20之间的区域重复相同的构成。
图3是图2的A部的放大图。另外，在图3中，例如也构成为：副栅极线60(m+2)经由连接线70(m+2)越过栅极线50(m+1)而与栅极线50m连接。即，图3所示的构成与图1所示的构成是同样的。
图4是液晶显示装置1所具备的多个单位像素3中的1个电路图的例示。如图4所示，单位像素3在主像素3-1中具备连接到栅极线50m的2个开关元件(TFT1、TFT2)，在子像素3-2中具备连接到副栅极线60m的开关元件(TFT3)。在此，作为开关元件，例如可举出氧化物半导体的n型TFT(thin film transistor：薄膜晶体管)，但开关元件不限于此。
如上所述，在本实施方式中，液晶显示装置1具备基板100，基板100具有显示区域30和非显示区域10，液晶显示装置1具备：多个第1种开关元件TFT1和TFT2；多个栅极线50，其连接到该多个第1种开关元件TFT1和TFT2的栅极；多个第2开关元件TFT3；多个副栅极线60，其连接到该多个第2种开关元件TFT3的栅极；以及连接线70，其将多个栅极线50中的任意一个栅极线50与多个副栅极线60中的任意一个副栅极线60连接。
根据上述构成，在显示区域30与配线迂回区域20之间的区域中，通过连接线70来连接多个栅极线50中的任意一个栅极线50与多个副栅极线60中的任意一个副栅极线60，从而，在后述的配线迂回部20，能够削减与副栅极线60相当的迂回配线的数量。因此，能够抑制配线迂回部20的面积。另外，能够可靠地进行非显示区域周围的密封固化，能够提供还能实现窄边框化的液晶显示装置。
另外，如图4所示，单位像素3在子像素3-2中具备连接到辅助电容线80m的辅助电容Cs和Cs’，在主像素中具备连接到辅助电容线80’m的CS”。另外，如图4所示，单位像素3在子像素中具备与辅助电容Cs并联连接的液晶电容LC。另外，如图4所示，单位像素3在主像素中具备与辅助电容Cs”并联连接的液晶电容LC’。
接下来，参照图5来进一步说明液晶显示装置1的主要部分的构成。图5的(a)是图2的C部的放大图，(b)是图2的B部的放大图。另外，由于图5的(a)与图5的(b)为线对称构成，因此，仅对一方进行说明而省略另一方的说明。如图5所示，在液晶显示装置1的基板100上，在显示区域30与非显示区域10之间设置有配线迂回区域20，在配线迂回区域20不存在副栅极线60。
根据上述构成，由于在配线迂回区域20不存在副栅极线60，因此，能够在配线迂回部20中避免相当于副栅极线的迂回配线。
另外，如上所述，液晶显示装置1具备多个源极线40。另外，详细情况虽未图示，但在本实施方式中，包含连接线70的层是与包含栅极线50的层和包含源极40线的层不同的层。
根据上述构成，通过将包含连接线的层设为与包含栅极线的层和包含源极线的层不同的层，从而，能够高效地防止配线间的短路等故障。
接下来，参照图6来进一步说明液晶显示装置1的主要部分的构成。图6的(a)是图3的E部的放大图，(b)是示出比较例的图。如图6的(a)所示，与在配线迂回区域20不存在副栅极线60的构成相比，在图6的(b)所示的比较例的构成中，不仅使栅极线迂回，还使副栅极线迂回，因此，配线迂回区域20中的配线根数比图6的(a)所示的构成的多。因此，图6的(a)所示的本申请的构成与图6的(b)所示的比较例的构成相比，能够可靠地进行非显示区域周围的密封固化，另外，能够实现窄边框化。
以上，说明了显示区域30的中心部的构成。下面，参照图7来说明显示区域30的周边部的构成。图7是图2的D部的放大图。如图7所示，在栅极驱动部5侧，如对应的显示区域30的中心部的构成那样，副栅极线60(p+2)越过栅极线50(p+1)而与栅极线50p连接。
接下来，参照图8～图9来进一步说明液晶显示装置1的主要部分的构成。图8的(a)是图5的(b)的局部放大图，(b)是(a)的连接部的截面图，(c)是示出(b)的变形例的截面图。
如图8的(a)所示，副栅极线60(q+3)越过栅极线50(q+2)地与栅极线50(q+1)连接。
另外，如图8的(b)所示，在液晶显示装置1中，在基板100上形成有由包含栅极线50的层形成的栅极电极层50a。另外，在栅极电极层50a上以覆盖栅极电极层50a的方式按顺序形成有栅极绝缘膜50b和第1绝缘膜51。另外，在栅极绝缘膜50b和第1绝缘膜51的与栅极电极层50a对应的部位形成有包括开口部的接触孔，以包含该接触孔并覆盖栅极绝缘膜50b和第1绝缘膜51的一部分的方式形成有包含连接线70的连接线层70a。最后，在连接线层70a上以覆盖连接线层70a的方式形成有第2绝缘膜71。根据上述构成，连接线层70a与栅极电极层50a能够电连接。
栅极电极层50a为导电层，例如能够由钛(Ti)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)或它们的合金、层叠膜等金属材料形成。在本实施方式中，优选由包括铜(Cu)和钛(Ti)的2重构成来形成。
栅极绝缘膜50b例如能够由二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料形成。另外，第1绝缘膜51例如可以由包含感光剂的丙烯酸树脂等有机绝缘材料形成，也可以像栅极绝缘膜50b那样由二氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料形成。另外，也可以是在二氧化硅(SiO2)上层叠有有机绝缘材料的双层构成等。
连接线层70a例如能够由钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或ITO(透明导电膜)或者是它们的层叠膜形成。另外，第2绝缘膜71例如能够由氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料形成。
图8的(c)是示出(b)的变形例的截面图。两者的不同点在于，在图8的(c)所示的液晶显示装置1a中，(1)在第2绝缘膜71的与栅极电极层50a对应的部位形成有包括开口部的接触孔，以包含该接触孔并覆盖第2绝缘膜71的一部分的方式形成有第2连接线层70b；(2)第2连接线层70b例如由ITO或IZO等透明导电膜形成。此外，该透明导电膜也能够被设为与各像素中的构成像素电极的导电膜相同。省略其它的与图8的(b)同样的构成的说明。
(连接部的变形例)
图9的(a)是示出图8的(a)的变形例的图，(b)是(a)的连接部的截面图。如图9的(a)所示，副栅极线60(r+2)经由连接线70(r+2)和分支配线70’(r+2)越过栅极线50(r+1)而与栅极线50r连接。
另外，图9的(b)与图8的(b)相比，其不同之处在于以下方面。即，(1)在图9的(b)中，用由ITO或IZO等透明导电膜形成的连接线层70c来代替图8的(b)中的连接线层70a；(2)在图9的(b)中，省略图8的(b)中的第2绝缘膜71。省略其它的同样的构成的说明。在该构成中，通过将透明导电膜设为与构成像素电极的导电膜相同，能够降低制造成本。
(液晶显示装置的变形例)
以上说明了非显示区域在液晶显示装置的中央设置为圆形的构成，但不限于此。例如，非显示区域也可以设置在液晶面板的周边。即，也可以是，非显示区域是至少一部分被显示区域包围的构成，而非完全被显示区域包围的构成。另外，非显示区域的形状可以是矩形状，也可以是其它形状。
图10是示出本实施方式的液晶显示装置的变形例的整体的图。如图10所示，即使在例如以与大致矩形状的外形(显示区域)的侧边接触的方式形成非显示区域的构成(图10的F部)或是在角部形成非显示区域的构成(图10的G部和H部)中，也能应用本发明。
具体来说，在图10所示的液晶显示装置1c中，设为通过连接线70d而将栅极线50c与副栅极线60a连接起来的构成。
根据上述构成，在如图示的F部、G部以及H部那样的配线迂回部，能够避免相当于副栅极线的迂回配线，因此，能够可靠地进行非显示区域周围的密封固化，提供还能实现窄边框化的液晶显示装置。
在本实施方式中，作为将与任意1根栅极线相同的信号输入到副栅极线的方法，例示了在栅极驱动部5侧经由源极层将栅极线与对应的副栅极线连接起来的构成(图7)，但不限于此。例如，也可以是如下构成：尽管是相同的信号，但是从不同的信号源来供应信号。而且，也可以是如下构成：栅极驱动部5不是在基板100上形成为单片，而是安装驱动芯片。
另外，液晶显示装置的显示模式例如是VA模式的液晶显示装置，但不限于此。例如，也能应用于TN模式、FFS模式等其它液晶显示装置。
另外，像素的开关元件假定为底栅型氧化物半导体型TFT，但也能应用a-si、p-Si的TFTT等，也可以是顶栅型，既可以是n型TFT也可以是p型TFT。
另外，显示区域的尺寸、形状能适当进行变更。
而且，本实施方式的迂回配线设为以同心圆状等间隔排列的配线，但这是用于明示与比较例(图6的(b))的差别的例示，配线的方式不限于此。
〔实施方式2〕
本实施方式2与上述实施方式1不同的构成主要在于形成连接线的层。下面，以该不同点为中心进行说明。
下面，参照图11～12来说明本发明的实施方式2。在本实施方式中，对于与实施方式1相同的构件标注同一附图标记，除非特别必要，否则不重复对其进行详细说明。
(液晶显示装置1d的构成)
图11的(a)是本实施方式的液晶显示装置1d的相当于上述图2的B部的放大图，(b)是(a)的连接部的截面图。如图11的(a)所示，副栅极线60(s+2)经由用包含源极线40的层形成的连接线70(e+1)越过栅极线50(s+1)而与被供应相同信号的栅极线50s连接。
另外，在液晶显示装置1d中，如图11的(b)所示，在基板100上形成有由包含栅极线50的层形成的栅极电极层50a。另外，在栅极电极层50a上以覆盖栅极电极层50a的方式形成有栅极绝缘膜50b。另外，在栅极绝缘膜50b的与栅极电极层50a对应的部位形成有包括开口部的接触孔，以包含该接触孔并覆盖栅极绝缘膜50b的一部分的方式形成有包含连接线70的连接线层70ea(包含源极线40的层)。最后，在连接线层70ea上以覆盖连接线层70ea的方式形成有第1绝缘膜71a。根据上述构成，连接线层70ea与栅极电极层50a能够电连接。
连接线层70ea例如能够由钛(Ti)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)或它们的合金、层叠膜等金属材料形成。
另外，由于栅极电极层50a、栅极绝缘膜50b以及第1绝缘膜71a的构成材料与上述实施方式1的相应构成的材料是同样的，因此，省略其说明。
在上述实施方式1中，连接线层是由与栅极层和源极层都不同的层(通过与像素电极隔着绝缘膜重叠而形成辅助电容的电极层、或是用于将形成辅助电容的电极层低电阻化的配线层)形成的，但在本实施方式中，连接线层是由源极层形成的。根据这种构成，也能够起到与上述实施方式1同样的效果。特别是，在是不使用形成辅助电容的电极层而形成辅助电容的构成(例如，用像素电极和由栅极层形成的辅助电容线来形成辅助电容的大部分的构成)的情况下，由于无需追加配线层、绝缘膜，因此，在不会增加制造成本这一点上是优选的。
接下来，参照图12来说明本实施方式的变形例中的液晶显示装置1e的主要部分的构成。如图12所示，在液晶显示装置1e中，还具备由栅极层形成的多个辅助电容线80a、80(a+1)、80(a+2)、…，多个辅助电容线80a、80(a+1)、80(a+2)、…经由形成在包含源极线40的层中的共用连接线85而相互连接。
根据上述构成，即使是具备由栅极层形成的多个辅助电容线的构成，也能够起到与上述实施方式1同样的效果。另外，由于连接线使用与共用连接线相同的配线层即源极层，从而，与使用配线电阻高的ITO、IZO等透明导电膜的情况相比，能够在不增加工序的情况下实现连接线的低电阻化。例如，即使是副栅极线与更远的栅极线连接的构成，也能够实现连接线的低电阻化。
另外，如图12所示，共用连接线85与连接线相比，配置在距非显示区域10的距离更大的位置。
在具备辅助电容线的共用连接线的情况下，并且是大型液晶显示装置等的情况下，连接到共用连接线的辅助电容线的根数多，因此，共用连接线的线宽度趋于比副栅极线的连接线粗。
在此，如果着眼于副栅极线的连接线与辅助电容线用的共用连接线的位置关系的话，则在将辅助电容线用的共用连接线配置在与副栅极线的连接线相比离非显示区域更近的一侧的情况下，辅助电容线用的共用连接线会靠近密封区域(在某些情况下重叠)，其线宽度趋于变粗，因此，在使密封区域可靠地固化这一点上是不利的。另外，为了使密封固化，共用连接线有时也需要开口部。因此，通过将共用连接线与连接线相比配置在距非显示区域的距离更大的位置，从而，能够抑制包含用于配置共用连接线的区域的配线迂回部20的面积。另外，能够起到使密封区域更可靠地固化的效果。
〔实施方式3〕
本实施方式3与上述实施方式1不同的构成主要在于开关元件、基板的构成。下面，以该不同点为中心进行说明。
下面，参照图13～15来说明本发明的实施方式3。在本实施方式中，对于与实施方式1相同的构件标注同一附图标记，除非特别必要，否则不重复对其进行详细说明。
(有机EL显示装置1f的构成)
有机EL显示装置1f是例如使用多晶硅的p型TFT作为像素的开关元件的、顶部发光的有机EL(OLED：Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)显示装置，并且相当于基板的背板基板是包含聚酰亚胺等的柔性基板。
图13是示出本实施方式的有机EL显示装置1f的基板100b的构成的俯视图。图14是有机EL显示装置1f所具备的多个单位像素3a中的1个电路图的例示。如图13和图14所示，单位像素3a例如具备：
·连接到副栅极线60’b和初始化用电源线90’的1组开关元件(Tr1(晶体管1，以下同样))；
·连接到栅极线50d的1组开关元件(Tr2)、连接到栅极线50d的1个开关元件(Tr3)；
·经由Tr3连接到源极线40b的1个开关元件(Tr4)；
·连接到信号线93的2个开关元件(Tr5和Tr6)；
·连接到副栅极线60b的1个开关元件(Tr7)；
·连接到Tr4的栅极以及阳极侧电源线92、92’的电容C1；以及
·连接到Tr6与Tr7的OLED器件层。
在此，作为开关元件，例如可举出多晶硅的p型TFT(thin filmtransistor：薄膜晶体管)，但开关元件不限于此。另外，信号线93上被供应用于控制OLED器件层的发光期间与非发光期间(灰度级数据的写入期间)的信号。
另外，与图示的像素行的栅极线50d相同的信号输入到副栅极线60b，副栅极线60b上除了连接有图示的像素行的Tr7以外，还连接有后一像素行的Tr1。
而且，副栅极线60’b上被供应与前一像素行的栅极线50(d－1)相同的信号。该副栅极线60’b是被供应恒定电位的配线，是控制为了将Tr4的栅极电极电位初始化为一定的电位例如初始化电源线90’的电位而设置的Tr1的信号线。
此外，Tr4是控制向OLED器件层供应的电流量的元件，但在其源极电极和漏极电极中的一个电极上经由Tr6连接有在其上层蒸镀有OLED器件层的反射电极91。另外，在另一个电极上经由Tr3连接有源极线40b，并且经由Tr5连接有对OLED器件层进行供应的电源线(阳极侧电源线92和92’)。
在此，上述初始化电源线90形成为在与栅极层和源极层都不同的配线层(第3配线层)中与栅极线50d平行地延伸。
换言之，包含连接线的上述第3配线层包含被施加有初始化电压的电源线90。
此外，阳极侧电源线92在源极层中与源极线40b平行地形成，阳极侧电源线92’在上述第3配线层中与栅极线50d平行地形成，阳极侧电源线92与阳极侧电源线92’相互连接。
根据上述构成，能够在不增加制造成本的情况下提高有机EL显示装置1f的基板构成的设计自由度。
另外，上述反射电极91是OLED器件的阳极侧电极。在本实施方式中，具备包含反射电极91的反射电极层，连接线配置在该反射电极层。因此，能够实现显示亮度的提高。
另外，参照图15来说明本实施方式的连接部的截面构成。图15的(a)是本实施方式的连接部的截面图的一个例子，(b)是其变形例的连接部的截面图，(c)是其又一变形例的连接部的截面图。
如图15所示，本实施方式的连接部的截面构成中共同的部分是：基板100b、底涂膜101、栅极绝缘膜50db、栅极层50da以及第1绝缘膜51a。
并且，如图15的(a)所示，在第1绝缘膜51a的与栅极电极层50da对应的部位形成有包括开口部的接触孔，以包含该接触孔并覆盖第1绝缘膜51a的一部分的方式形成有包含连接线70的上述第3配线层70f。另外，在第3配线层70f上以覆盖第3配线层70f的方式按顺序形成有第2绝缘膜71b、平坦化膜72以及阻挡膜73。根据上述构成，作为连接线层的第3配线层70f与栅极电极层50da能够电连接。
另外，基板100b、底涂膜101、栅极绝缘膜50db、栅极层50da、第1绝缘膜51a以及第2绝缘膜71b的构成材料与上述实施方式中的相应部分的构成材料是同样的，因此，省略其说明。
栅极电极层50da和第3配线层70f例如能够由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、金(Au)、钨(W)或它们的合金、层叠膜等金属材料形成。在本实施方式中，优选由钼(Mo)形成。
平坦化膜72和阻挡膜73能使用聚酰亚胺等现有材料，因此，省略其说明。
作为上述构成的一个变形例，可举出图15的(b)所示的构成。下面，仅对与图15的(a)的不同点进行说明而省略同样的构成的说明。如图15的(b)所示，首先，以覆盖第1绝缘膜51a的方式按顺序形成了第2绝缘膜71b以及平坦化膜72。然后，在第1绝缘膜51a、第2绝缘膜71b以及平坦化膜72的与栅极电极层50da对应的部位形成了包括开口部的接触孔，以包含该接触孔地覆盖平坦化膜72的一部分的方式形成了包含连接线70的上述反射电极层91a。进而，以覆盖反射电极层91a的方式形成了阻挡膜73。根据上述构成，作为连接线层的反射电极层91a与栅极电极层50da能够电连接。
另外，反射电极层91a例如能够由反射性能、导电性能优异的银(Ag)等金属或金属与ITO等层叠膜形成。
作为上述构成的另一变形例，可举出图15的(c)所示的构成。下面，仅对与图15的(a)、(b)的不同点进行说明而省略同样的构成的说明。如图15的(c)所示，首先，以覆盖第1绝缘膜51a的方式形成了第2绝缘膜71b。然后，在第1绝缘膜51a以及第2绝缘膜71b的与栅极电极层50da对应的部位形成了包括开口部的接触孔，以包含该接触孔并覆盖第2绝缘膜71b的一部分的方式形成了包含连接线70的连接线层(源极层)40aa。进而，以覆盖连接线层40aa的方式按顺序形成了平坦化膜72和阻挡膜73。根据上述构成，连接线层40aa与栅极电极层50da能够电连接。
另外，连接线层40aa例如能够由包含成本低且具有良好的导电性能的铝(Al)等的层叠膜形成。
以上例示了连接部的截面构成，但不限于此。例如，也可以是在平坦化膜与阻挡膜之间还形成有保护膜(聚酰亚胺)。另外，本实施方式是顶栅型的TFT，因此，未图示的半导体层形成在栅极绝缘膜与底涂膜之间。
根据本实施方式的上述各构成，能够得到特别是将非显示区域周围的非显示区域缩小的效果。
在以上的各实施方式中主要说明了连接线将任意1根副栅极线越过与该副栅极线相邻的栅极线而与下一栅极线连接的构成，但不限于此，能根据需要进行设计变更。例如，在实施方式1中，连接线能将多个栅极线中的任意一个栅极线与从该栅极线来看按扫描顺序配置在上游侧的副栅极线连接。另外，在实施方式3中，连接线能将多个栅极线中的任意一个栅极线与从该栅极线来看按扫描顺序配置在下游侧的副栅极线连接。
具体来说，参照图1进行说明，在实施方式1中说明了副栅极线60(n+2)经由连接线70(n+2)而与栅极线50n连接的构成，但不限于此。例如也能根据需要使副栅极线60(n+2)经由连接线而与栅极线50(n－1)连接。
根据上述构成，能够与各种驱动方法相对应地提高连接线的设计自由度。
〔总结〕
本发明的方式1的显示装置(1)具备基板(100)，基板(100)具有显示区域(30)和非显示区域(10)，显示装置(1)具备：多个第1种开关元件(TFT1和TFT2)；多个栅极线(50)，其连接到多个第1种开关元件(TFT1和TFT2)的栅极；多个第2开关元件(TFT3)；多个副栅极线(60)，其连接到多个第2种开关元件(TFT3)的栅极；连接线(70)，其将多个栅极线(50)中的任意一个栅极线(50)与多个副栅极线(60)中的任意一个副栅极线(60)连接。
根据上述构成，在显示区域(30)与配线迂回区域(20)之间的区域，能够削减相当于副栅极线(60)的迂回配线的数量，因此，能够可靠地进行非显示区域(10)周围的密封固化，能够提供还能实现窄边框化的显示装置(1)。
本发明的方式2的显示装置(1)可以是，在上述方式1中，非显示区域(10)的至少一部分被显示区域(30)包围。
本发明的方式3的显示装置(1)可以是，在上述方式1或2中，在基板(100)上，在显示区域(30)与非显示区域(10)之间设置有配线迂回区域(20)，在配线迂回区域(20)不存在副栅极线(60)。
根据上述构成，由于在配线迂回区域(20)不存在副栅极线(60)，因此，能够在配线迂回部(20)中避免相当于副栅极线(60)的迂回配线。
本发明的方式4的显示装置(1)可以是，在上述方式1～3中的任意一个方式当中，还具备源极线(40)，包含连接线(70)的层是与包含栅极线(50)的层和包含源极线(40)的层不同的层。
根据上述构成，通过将包含连接线的层设为与包含栅极线的层和包含源极线的层不同的层，从而，能够高效地防止配线间的短路等故障。
本发明的方式5的显示装置(1)可以是，在上述方式4中，包含连接线(70)的层包含被施加有初始化电压的电源线(90)。
根据上述构成，能够在不增加制造成本的情况下提高显示装置(1)的基板(100)构成的设计自由度。
本发明的方式6的显示装置(1)可以是，在上述方式1～3中的任意一个方式当中，还具备源极线(40)，连接线(70)配置在包含源极线(40)的层。
根据上述构成，也能够起到与上述方式1同样的效果。
本发明的方式7的显示装置(1)可以是，在上述方式6中，还具备多个辅助电容线(80)，多个辅助电容线(80)经由形成在包含源极线(40)的层的共用连接线(85)而相互连接。
根据上述构成，即使是在具备由栅极层形成的多个辅助电容线的构成中，也能够起到与上述方式1同样的效果。另外，由于连接线使用与共用连接线相同的配线层即源极层，从而，与使用配线电阻高的ITO、IZO等透明导电膜的情况相比，能够在不增加工序的情况下实现连接线的低电阻化。例如，即使是设为副栅极线(60)与更远的栅极线(50)连接的构成，也能够实现连接线(70)的低电阻化。
本发明的方式8的显示装置(1)可以是，在上述方式7中，共用连接线(85)与连接线(70)相比，配置在距非显示区域(10)的距离更大的位置。
根据上述构成，能够起到使显示装置的密封区域更可靠地固化的效果。
本发明的方式9的显示装置(1)可以是，在上述方式1～3中的任意一个方式当中，还具备反射电极层，连接线(70)配置在上述反射电极层。
根据上述构成，能够实现显示装置的基板构成的简化。
本发明的方式10的显示装置(1)可以是，在上述方式1～9中的任意一个方式当中，连接线(70)将多个栅极线(50)中的任意一个栅极线与从该栅极线来看按扫描顺序配置在下游侧的副栅极线(60)连接。
根据上述构成，能够与各种驱动方法对应地提高连接线(70)的设计自由度。
本发明的方式11的液晶显示装置(1)可以具备上述方式1～10中的任意一项所述的显示装置，其中，第2种开关元件(TFT3)连接到辅助电容。
根据上述构成，液晶显示装置(1)能够可靠地控制通过辅助电容而施加到像素的电流。
本发明的方式12的有机EL显示装置(1)可以是，具备上述方式1～10中的任意一项所述的显示装置，其中，第2种开关元件(Tr1)连接到被供应恒定电位的配线60’b。
根据上述构成，有机EL显示装置(1)能够通过配线60’b可靠地控制电位。
本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围内进行各种变更。将不同的实施方式分别公开的技术手段适当地组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。也能够通过将各实施方式分别公开的技术手段组合起来而形成新的技术特征。

Claims (12)

1.一种显示装置，具备基板，上述基板具有显示区域和非显示区域，上述显示装置的特征在于，具备：
多个第1种开关元件；
多个栅极线，其连接到该多个第1种开关元件的栅极；
多个第2种开关元件；
多个副栅极线，其连接到该多个第2种开关元件的栅极；以及
连接线，其将上述多个栅极线中的任意一个栅极线与上述多个副栅极线中的任意一个副栅极线连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述非显示区域的至少一部分被上述显示区域包围。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
在上述基板上，在上述显示区域与上述非显示区域之间设置有配线迂回区域，
在该配线迂回区域不存在上述副栅极线。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
还具备源极线，
包含上述连接线的层是与包含上述栅极线的层和包含上述源极线的层不同的层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
包含上述连接线的层包含被施加有初始化电压的电源线。
6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
还具备源极线，
上述连接线配置在包含上述源极线的层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
还具备多个辅助电容线，
上述多个辅助电容线经由形成在包含上述源极线的层的共用连接线而相互连接。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
上述共用连接线与上述连接线相比，配置在距上述非显示区域的距离更大的位置。
9.根据权利要求1至3中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
还具备反射电极层，
上述连接线配置在上述反射电极层。
10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
上述连接线将上述多个栅极线中的任意一个栅极线与从该栅极线来看按扫描顺序配置在下游侧的副栅极线连接。
11.一种液晶显示装置，具备权利要求1至10中的任意一项所述的显示装置，上述液晶显示装置的特征在于，
上述第2种开关元件连接到辅助电容。
12.一种有机EL显示装置，具备权利要求1至10中的任意一项所述的显示装置，上述有机EL显示装置的特征在于，
上述第2种开关元件连接到被供应恒定电位的配线。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210131489A (ko) * 2020-04-23 2021-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104865763A (zh) * 2015-06-12 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板
CN105164743A (zh) * 2013-03-15 2015-12-16 夏普株式会社 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法以及显示面板
CN107492357A (zh) * 2012-10-30 2017-12-19 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示面板以及具备该显示面板的显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7830591B2 (en) 2006-11-20 2010-11-09 Seiko Epson Corporation Active-matrix circuit board and display
JP4281840B2 (ja) 2007-03-15 2009-06-17 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス回路基板及び表示装置
US20080225216A1 (en) 2007-03-15 2008-09-18 Seiko Epson Corporation Active matrix circuit substrate and display device
JP2010032760A (ja) 2008-07-29 2010-02-12 Hitachi Displays Ltd 表示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107492357A (zh) * 2012-10-30 2017-12-19 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示面板以及具备该显示面板的显示装置
CN105164743A (zh) * 2013-03-15 2015-12-16 夏普株式会社 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法以及显示面板
CN104865763A (zh) * 2015-06-12 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板

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