CN110275356A - 弯曲显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种显示装置，其包括：光控层和弯曲的第一、第二基底。第一基底包括：第一基础基板和信号线，包括滤色器的绝缘层；像素电极；与两个相邻滤色器的边界部分叠置的屏蔽电极。信号线包括栅极线和数据线。第二基底包括第二基础基板、共电极和仅沿第一方向延伸的黑矩阵。屏蔽电极沿第二方向延伸并与两条相邻数据线叠置。屏蔽电极设置在两个水平相邻的像素电极之间，每个像素电极包括第一和第二子像素电极。多条栅极线包括设置在两个相邻像素电极之间的栅极线。主存储线设置在第一与第二子像素电极之间并沿第一方向延伸。黑矩阵沿栅极线和主存储线两者延伸并与它们叠置。屏蔽电极和黑矩阵在其中两条相邻的数据线与栅极线和主存储线交叉的区域叠置。

Description

弯曲显示装置

本申请是申请日为2014年5月30日、申请号为201410238983.2、发明名称为“弯曲显示装置”的专利申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及一种显示装置。更具体地说，本公开涉及一种具有弯曲显示面板的显示装置。

背景技术

液晶显示器包括两个基板以及设置在两个基板之间的液晶层。液晶显示器驱动液晶层的液晶分子，以控制像素中的光透射率，由此显示图像。

在液晶显示器的各种操作模式中的垂直对准模式液晶显示器中，当在两个基板之间产生电场时，液晶层的液晶分子相对于基板垂直地对准，而垂直对准的液晶分子使光透射，由此显示图像。垂直对准模式液晶显示器包括液晶畴，以使液晶分子沿不同的方向对准，由此改善液晶显示器的视角。

近年来，已经开发了弯曲显示装置。弯曲显示装置给用户提供弯曲的显示区域，从而弯曲显示装置给用户提供具有改善的三维效果、临场感和存在感的图像。

发明内容

本公开提供了一种包括具有改善的显示品质的弯曲显示面板的弯曲显示装置。

本发明的示例性实施例提供了一种沿第一方向弯曲的弯曲显示装置。在这样的实施例中，所述弯曲显示装置包括：第一基板；设置为与第一基板相对并且包括共电极的第二基板；以及光控层，置于第一基板和第二基板之间。

在这样的实施例中，第一基板包括：多条信号线；绝缘层，覆盖信号线；像素电极，设置在绝缘层上；以及屏蔽电极，与像素电极电绝缘并且沿信号线中的大体沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的信号线设置。

根据这样的示例性实施例，屏蔽电极接收具有与施加到共电极的电压基本相同的电位的电压，由此在屏蔽电极和共电极之间不产生电场。因此，屏蔽电极阻挡了从背光组件提供的光穿过液晶层，并可以从与屏蔽电极相对应的第二基板中省略黑矩阵。

因此，位于第二基板上的黑矩阵可以有效防止感知到在像素区域中因第一基板和第二基板之间的偏差而引起的线状的竖直暗部。

在这样的实施例中，通过调节屏蔽电极的宽度，可以有效地防止感知到由于在相邻的像素电极之间的界面中的液晶分子的偏差而导致的纹理缺陷。

附图说明

通过参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其它特点将变得更加明显，其中：

图1A是根据本发明的弯曲显示装置的示例性实施例的透视图；

图1B是图1A中示出的弯曲显示装置的侧视图；

图2是示出了根据本发明的第一基板的示例性实施例的平面视图；

图3是当在第一基板和第二基板之间产生电场时沿图2中示出的I-I'线截取的剖视图；

图4是示出了根据本发明的弯曲显示装置的示例性实施例的平面视图；

图5A是沿图4中示出的II-II'线截取的剖视图；

图5B是沿图4中示出的III-III'线截取的剖视图；

图6是示出了屏蔽电极的示例性实施例的平面视图；

图7A是示出了出现竖直线故障的像素的示图；

图7B是示出了包括屏蔽电极的像素的示例性实施例的示图；

图8是具有各种面板尺寸的弯曲显示装置的偏差值(misalignment value)与曲率半径的关系的曲线图；

图9是示出了根据本发明的弯曲显示装置的可选示例性实施例的透视图；

图10是示出了根据本发明的弯曲显示装置的可选示例性实施例的像素结构的平面视图；

图11是示出了限定在像素区域中的畴及液晶对准方向的示图。

具体实施方式

现在，将在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，且不应解释为局限于这里提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并且将把本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。相同的标号始终代表相同的元件。

应该理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接或结合到另一元件或层，或者，可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。

应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。

为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，如“在…之下”、“在…下方”、“下”、“在…上方”、“上”等，以描述如在图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因而，术语“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。

这里使用的术语仅为了描述具体实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

考虑到测量的问题和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里所使用的“大约”或“近似”包括陈述的值并意味着在如本领域普通技术人员所确定的具体值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或更多个标准偏差的范围内，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％的范围内。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与本说明书和/或相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或者过于正式的含义来进行解释。

在这里参照作为理想化的实施例的示意性视图的剖视图来描述示例性实施例。这样，预计将出现例如由制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为局限于这里示出的区域的特定形状，而是将包括例如由制造所造成的形状上的偏差。例如，通常示出或被描述为平坦的区域可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可被倒圆。因此，附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的精确形状，也不意图限制当前权利要求的范围。

在下文中，将参照附图详细地描述本发明的示例性实施例。

图1A是根据本发明的弯曲显示装置的示例性实施例的透视图，图1B是图1A中示出的弯曲显示装置的侧视图。

参照图1A，作为示例性实施例，显示装置500具有在第一方向D1上弯曲的形状。在这样的实施例中，显示装置500可以在用户观看显示装置500的方向上弯曲，从而用户感知到显示在弯曲屏幕(例如，弯曲屏幕中的弯曲显示区域DA)上的图像。具有弯曲显示区域DA的显示装置500被称作为弯曲显示装置500。当使用弯曲显示装置500显示图像时，可以充分地改善提供给用户的图像的三维效果、临场感和存在感。

在示例性实施例中，弯曲显示装置500包括第一基板100、面对第一基板100的第二基板300以及置于第一基板100和第二基板300之间的光控层(未示出)。在一个示例性实施例中，例如，光控层可以是但不限于液晶层。

第一基板100和第二基板300具有沿第一方向D1弯曲的形状。第一基板100的一部分或者整体可以沿第一方向D1连续地弯曲，因此显示区域DA沿第一方向D1弯曲，从而具有弯曲的表面形状。在这样的实施例中，第二基板300可以与第一基板100对应地弯曲。

参照图1B，在示例性实施例中，在第一基板100和第二基板300具有弯曲形状的情况下，垂直于与第二基板300的表面(例如，外表面)上的第一位置P1接触的切线11的法线10穿过位于第一基板100的表面(例如，外表面)上的第二位置P2。然而，沿着用户观看弯曲显示装置500的注视方向穿过第二位置P2的注视线15穿过位于第三基板300上的第三位置P3，第三位置P3与第二基板300上的第一位置P1不同。

第一位置P1和第三位置P3之间的距离根据弯曲显示装置500的曲率而变化。在这样的实施例中，随着弯曲装置500的曲率增加，第一位置P1和第三位置P3之间的距离增加。

如上所述，第一位置P1和第三位置P3之间出现距离的现象被称为由于曲率导致的第一基板100和第二基板300之间的偏差(或曰“未对准”)。这里，第一位置P1和第三位置P3之间的距离被定义为偏差值。在下文中，将详细描述有效防止感知到由于偏差导致的纹理缺陷的弯曲显示装置的示例性实施例。

图2是示出了根据本发明的第一基板的示例性实施例的平面视图，图3是当在第一基板和第二基板之间产生电场时沿图2中示出的I-I'线截取的剖视图。

参照图2和图3，弯曲显示装置500的第一基板100包括第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及设置于其上的第一数据线DLj和第二数据线DLj+1。在示例性实施例中，像素电极PEj设置在可由第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及第一数据线DLj和第二数据线DLj+1限定的像素区域PA中。

像素电极PEj设置为与沿第一方向D1和其相邻的其它像素电极(例如，左侧像素电极PEj-1和右侧像素电极PEj+1)分隔开并且电绝缘。

第一基板100还包括电连接到第二栅极线GLi和第一数据线DLj的薄膜晶体管TR，以切换施加到像素电极PEj的信号。在示例性实施例中，薄膜晶体管TR包括从第二栅极线GLi分支的栅电极GE、从第一数据线DLj分支的源电极SE以及电连接到像素电极PEj的漏电极DE。

第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi基本上沿第一方向D1延伸，第一数据线DLj和第二数据线DLj+1基本上沿与第一方向D1垂直的第二方向D2延伸。在示例性实施例中，如图2中所示，第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及第一数据线DLj和第二数据线DLj+1具有条带的形状，但不限于此。在可选的示例性实施例中，第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及第一数据线DLj和第二数据线DLj+1可以具有弯曲的形状。

在示例性实施例中，第一屏蔽电极SCEj设置在像素电极PEj和左像素电极PEj-1之间，第二屏蔽电极SCEj+1设置在像素电极PEj和右像素电极PEj+1之间。

第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1分别沿着第一数据线DLj和第二数据线DLj+1设置，并且具有比第一数据线DLj和第二数据线DLj+1的宽度大的宽度。在这样的实施例中，第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1设置为当在平面视图中观看时分别覆盖第一数据线DLj和第二数据线DLj+1。

第一屏蔽电极SCEj的宽度比像素电极PEj和左像素电极PEj-1之间的距离小，并且像素电极PEj与左像素电极PEj-1电绝缘。第二屏蔽电极SCEj+1的宽度比像素电极PEj和右像素电极PEj+1之间的距离小，并且像素电极PEj与右像素电极PEj+1电绝缘。

如图3中所示，当像素电极PEj和右像素电极PEj+1之间的距离被称为“d1”时，第二屏蔽电极SCEj+1具有比“d1”小的宽度w1。

在示例性实施例中，第二基板300包括面对像素电极PEj的共电极CE。液晶层LC置于像素电极PE和共电极CE之间，并且液晶层LC的液晶分子通过在像素电极PE和共电极CE之间产生的电场而对准。共电极CE被施以共电压，像素电极PE被施以来自第一数据线DLj的数据电压。因此，在像素电极PE和共电极CE之间产生的电场具有与共电压和数据电压之间的电位差相对应的强度，液晶层LC的液晶分子的对准根据电场强度而变化，从而控制液晶层LC的透光率。

在这样的实施例中，提供到液晶层LC的光可以是从设置在第一基板100下方的背光组件(未示出)所提供的光。

在示例性实施例中，第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1被施以具有黑色灰度的电压。在示例性实施例中，例如，施加到第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1的电压可以具有与施加到共电极CE的共电压的电位基本相同的电位。因此，如图3中所示，第二屏蔽电极SCEj+1和共电极CE之间未产生电场。在这样的实施例中，当液晶层LC包括负性液晶分子时，液晶分子在无电场的状态下相对于第二屏蔽电极SCEj+1的表面基本上垂直地对准。

如上所述，当液晶分子基本上竖直地对准时，从背光组件提供的光可以被竖直地对准的液晶分子阻挡。因此，设置第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1的区域可以变成阻挡从背光组件提供的光的光阻挡区域BA。

如上所述，在示例性实施例中，在第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1沿第一数据线DLj和第二数据线DLj+1设置的情况下，光阻挡区域BA可以沿第二方向D2限定。

在这样的实施例中，第二基板300在与第一基板100的光阻挡区域相对应的区域(设置第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1的区域)中可以不包括黑矩阵。

因此，在这样的实施例中，在第一基板100上设置像素电极PEj以及第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1的情况下，即使在第一基板100和第二基板300之间出现偏差时，仍可以有效地防止光阻挡区域BA在像素区域PA内运动。因此，可以有效地防止在像素区域PA中沿着弯曲显示装置500所弯曲的方向(例如，与第一方向D1垂直的第二方向D2)形成以线状出现的竖直的暗部。

图4是示出了根据本发明的弯曲显示装置的示例性实施例的平面视图，图5A是沿图4中示出的II-II'线截取的剖视图，图5B是沿图4中示出的III-III'线截取的剖视图。

弯曲显示装置500包括多个像素，这些像素彼此具有基本上同样的结构和功能。因此，为了便于说明，图4仅示出了沿第一方向D1布置的两个像素，例如第一像素Pij和第二像素Pi(j+1)。

参照图4、图5A和图5B，弯曲显示装置500的示例性实施例包括第一基板100、设置为与第一基板100相对(例如，面对第一基板100)的第二基板300以及置于第一基板100和第二基板300之间的液晶层LC。

第一基板100包括第一基础基板S1、第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi、第一数据线DL1j、第二数据线DL2j、第三数据线DL1(j+1)和第四数据线DL2(j+1)以及存储线。

例如，第一基础基板S1可以是具有透光性和柔性的绝缘基板，诸如塑料基板。在一个示例性实施例中，例如，第一像素Pij设置在由第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及第一数据线DL1j和第二数据线DL2j限定的第一像素区域中，而第二像素Pi(j+1)设置在由第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及第三数据线DL1(j+1)和第四数据线DL2(j+1)限定的第二像素区域中，

第一像素Pij包括第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2以及第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2，而第二像素Pi(j+1)包括第三薄膜晶体管TR3和第四薄膜晶体管TR4以及第三子像素电极SPE3和第四子像素电极SPE4。

屏蔽电极SCE设置在第一像素Pij和第二像素Pi(j+1)之间。屏蔽电极SCE大体上沿着与第一方向D1垂直的第二方向D2延伸。

如图4中所示，第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi大体上沿着第一方向D1延伸，第一数据线DL1j、第二数据线DL2j、第三数据线DL1(j+1)和第四数据线DL2(j+1)大体上沿着与第一方向D1垂直的第二方向D2延伸。第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi在与第一数据线DL1j、第二数据线DL2j、第三数据线DL1(j+1)和第四数据线DL2(j+1)交叉的同时通过栅极绝缘层112与第一数据线DL1j、第二数据线DL2j、第三数据线DL1(j+1)和第四数据线DL2(j+1)绝缘。

第一薄膜晶体管TR1包括从第二栅极线GLi分支的第一栅电极GE1、从第一数据线DL1j分支的第一源电极SE1以及与第一源电极SE1分隔开预定距离的第一漏电极DE1。第二薄膜晶体管TR2包括从第二栅极线GLi分支的第二栅电极GE2、从第二数据线DL2j分支的第二源电极SE2以及与第二源电极SE2分隔开预定距离的第二漏电极DE2。

第一像素区域PA1包括沿第二方向D2布置的两个区域，例如，第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2。在示例性实施例中，第一子像素区域SPA1的大小与第二子像素区域SPA2的大小可以不同。在一个示例性实施例中，例如，第一子像素区域SPA1可以比第二子像素区域SPA2小。

第一子像素电极SPE1设置在第一子像素区域SPA1中并且电连接到第一薄膜晶体管TR1的第一漏电极DE1。第二子像素电极SPE2设置在第二子像素区域SPA2中并且电连接到第二薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。

第一子像素电极SPE1包括第一主干部T1和以辐射形式从第一主干部T1延伸的多个第一分支部B1，从而将第一子像素区域SPA1分成为多个畴。在示例性实施例中，如图4中所示，第一主干部T1具有十字形，因此第一子像素区域SPA1被第一主干部T1分成为四个畴。第一分支部B1沿彼此大体上平行的方向延伸，并且被布置为在被第一主干部T1限定的每个区域中彼此分隔开。在一个示例性实施例中，例如，第一分支部B1可以沿着相对于第一主干部T1呈大约45度倾斜的方向延伸。在示例性实施例中，彼此相邻的第一分支部B1彼此分隔开微米的距离(例如，几微米或者几十微米)，从而在第一分支部B1中限定多个第一细狭缝US1。由于第一细狭缝US1，液晶层LC的液晶分子在畴中以不同的方向预倾斜。

第二子像素电极SPE2包括第二主干部T2和以辐射形式从第二主干部T2延伸的多个第二分支部B2，从而将第二子像素区域SPA2分成为多个畴。在示例性实施例中，如图4中所示，第二主干部T2具有十字形，因此第二子像素区域SPA2被第二主干部T2分成为四个畴。第二分支部B2沿彼此大体上平行的方向延伸，并且被布置为在被第二主干部T2限定的每个区域中彼此分隔开。在示例性实施例中，彼此相邻的第二分支部B2彼此分隔开微米的距离，从而在第二分支部B2中限定多个第二细狭缝US2。由于第二细狭缝US2，液晶层LC的液晶分子在畴中以不同的方向预倾斜。

存储线包括：主存储线MSLi，设置在第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2之间，并大体上沿第一方向D1延伸；第一子存储线SSL1和第二子存储线SSL2，从主存储线MSLi分支并且大体上沿着第二方向D2延伸。

当在平面视图中观看时，主存储线MSLi可以与第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2部分地叠置。第一子存储线SSL1和第二子存储线SSL2可以与第一子像素电极SPE1部分地叠置。在示例性实施例中，第一子存储线SSL1和第二子存储线SSL2之间的距离可以小于第一数据线DL1j和第二数据线DL2j之间的距离，而第一子像素电极SPE1的沿第一方向D1的宽度可以大于第一子存储线SSL1和第二子存储线SSL2之间的距离且小于第一数据线DL1j和第二数据线DL2j之间的距离。

在示例性实施例中，第一像素Pij还包括从第一栅极线GLi-1分支并且与第二子像素电极SPE2部分地叠置的存储电极SSE。

第二像素Pi(j+1)的结构和功能与第一像素Pij的结构和功能基本相同，因此将省略对第二像素Pi(j+1)的重复的详细描述。

第二像素Pi(j+1)与第一像素Pij共用第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及存储线MSLi。在这样的实施例中，第二像素Pi(j+1)包括电连接到第三数据线DL1(j+1)的第三薄膜晶体管TR3和电连接到第四数据线DL2(j+1)的第四薄膜晶体管TR4以及电连接到第三薄膜晶体管TR3的第三子像素电极SPE3和电连接到第四薄膜晶体管TR4的第四子像素电极SPE4。在这样的实施例中，第二像素Pi(j+1)包括第三子存储线SSL3和第四子存储线SSL4。

图5A示出了第一像素Pij和第二像素Pi(j+1)之间的边界部分的剖面结构。

参照图5A，第二子存储线SSL2和第三子存储线SSL3与第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi一起设置在第一基础基板S1上。

第二子存储线SSL2和第三子存储线SSL3被栅极绝缘层112覆盖，而第二数据线DL2j和第三数据线DL1(j+1)设置在栅极绝缘层112上。

在示例性实施例中，第二子存储线SSL2和第三子存储线SSL3之间的距离d2大于第二数据线DL2j和第三数据线DL1(j+1)之间的距离d3。当在平面视图下观看时，第二子存储线SSL2与第二数据线DL2j部分地叠置或者与第二数据线DL2j分隔开预定的距离。在示例性实施例中，第三存储线SSL3与第三数据线DL1(j+1)部分地叠置或者与第三数据线DL1(j+1)分隔开预定的距离。

第二数据线DL2j和第三数据线DL1(j+1)被有机绝缘层113覆盖。有机绝缘层113可以限定红色像素R、绿色像素G和蓝色像素(未示出)。在示例性实施例中，红色像素R被限定在第一像素区域PA1中，而绿色像素G被限定在第二像素区域PA2中。

第一子像素电极SPE1、第二子像素电极SPE2、第三子像素电极SPE3和第四子像素电极SPE4设置在有机绝缘层113上。当在平面视图下观看时，第一像素Pij的第一子像素电极SPE1与第二子存储线SSL2叠置，第二像素Pi(j+1)的第三子像素电极SPE3与第三子存储线SSL3叠置。

第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3在第一方向D1上彼此分隔开。在示例性实施例中，第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3之间的距离大于第二子存储线SSL2和第三子存储线SSL3之间的距离d2。

屏蔽电极SCE设置在第一像素Pij和第二像素Pi(j+1)之间。如图4中所示，屏蔽电极SCE沿着第二数据线DL2j和第三数据线DL1(j+1)大体上在第二方向D2上延伸。屏蔽电极SCE设置为与第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3分隔开，因此屏蔽电极SCE与第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3电绝缘。

在示例性实施例中，屏蔽电极SCE设置在有机绝缘层113上。在这样的实施例中，像第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3一样，屏蔽电极SCE可以包括透明导电材料，例如，氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)等。

屏蔽电极SCE在第一方向D1上的宽度w2可以小于第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3之间的距离并且大于第二数据线DL2j和第三数据线DL1(j+1)之间的距离d3。

在这样的实施例中，屏蔽电极SCE的宽度w2可以等于或大于第二数据线DL2j和第三数据线DL1(j+1)之间的距离d3、第二数据线DL2j的宽度以及第三数据线DL1(j+1)的宽度的总和。

将参照图8详细描述确定屏蔽电极SCE的宽度w2的方法。

在示例性实施例中，如图5A和图5B所示，屏蔽电极SCE与第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4彼此设置在同一层上。在可选的示例性实施例中，屏蔽电极SCE可以与第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4设置在不同的层上。在一个示例性实施例中，例如，屏蔽电极SCE可以设置在有机绝缘层113上，屏蔽电极SCE可以被内绝缘层(未示出)覆盖，而第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4可以设置在内绝缘层上。

图6是示出了屏蔽电极的示例性实施例的平面视图。

参照图4和图6，多个屏蔽电极SCE设置在第一基板100上，屏蔽电极SCE大体上沿第二方向D2延伸从而彼此基本上平行，并且基本上沿第一方向D1布置。屏蔽电极SCE均可以设置为与像素列之间的边界相邻。

屏蔽电极SCE通过第一连接线CL1和第二连接线CL2彼此连接。在这样的实施例中，第一连接线CL1共同地连接到屏蔽电极SCE的第一端部，而第二连接线CL2共同地连接到屏蔽电极SCE的第二端部。

在示例性实施例中，如图6中所示，第一连接线CL1和第二连接线CL2与屏蔽电极SCE一体地形成为单个整体的且不可分割的单元，但不限于此或受此限制。在可选的示例性实施例中，第一连接线CL1和第二连接线CL2可以与存储线MSLi和SSL1到SSL4设置在同一层，然后通过接触孔电连接到屏蔽电极SCE。

在示例性实施例中，第一连接线CL1和第二连接线CL2分别连接到屏蔽电极SCE的两端。在可选的示例性实施例中，第一连接线CL1和第二连接线CL2中的仅仅一个可以设置在第一基板100上。

第一连接线CL1和第二连接线CL2从外部源(未示出)接收具有与共电压Vcom的电位相同的电位的电压(在下文中称为共电压Vcom)。根据另一示例性实施例，第一连接线CL1和第二连接线CL2可以被施以具有与共电压Vcom的电位不同的电位的电压。

返回参照图5A，第二基板300包括第二基础基板S2、外敷层312和共电极313。共电极313接收共电压Vcom并且被设置为面对第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4，因此在共电极313和第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4之间产生电场。在示例性实施例中，共电极313可以一体地形成为单个整体的且不可分割的单元。

屏蔽电极SCE被施以与施加到共电极313的共电压Vcom基本相同的电位的电压。因此，有效地防止在屏蔽电极SCE和共电极313之间产生电场。在这样的实施例中，当液晶层LC包括负性液晶分子时，液晶分子在无电场的状态下相对于屏蔽电极SCE的表面基本上垂直地对准。

如上所述，当液晶分子基本上垂直地对准时，从背光组件提供的光可以被垂直对准的液晶分子阻挡。因此，设置屏蔽电极SCE的区域可以用作阻挡从背光组件提供的光的第一光阻挡区域BA1。

如上所述，在这样的实施例中，在屏蔽电极SCE沿第一数据线DL2j和第二数据线DL1(j+1)设置的情况下，第一光阻挡区域BA1可以沿第二方向D2设置。

第二基板300在与设置屏蔽电极SCE的区域相对应的区域中可以不包括黑矩阵。

因此，在这样的实施例中，在第一基板100上设置屏蔽电极的情况下，即使在第一基板100和第二基板300之间出现偏差时，仍可以有效地防止第一光阻挡区域BA1在像素区域PA内移动。因此，可以有效地防止在像素区域PA中沿着弯曲显示装置500所弯曲的方向(例如，与第一方向D1垂直的第二方向D2)形成以线状出现的竖直的暗部。

参照图4和图5B，第二基板300还包括黑矩阵314。黑矩阵314包括阻挡光入射于其上的材料，因此黑矩阵314阻挡入射到其上的光的透射(例如，光泄漏)。

黑矩阵314沿着主存储线MSLi以及第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi设置，从而黑矩阵314具有大体沿着第一方向D1延伸的条带形状。

在沿第一方向D1弯曲的弯曲显示装置500的示例性实施例中，沿着第二方向D2在第一基板100和第二基板300之间未发生偏差。因此，设置在第二基板300上的黑矩阵314大体上沿着第一方向D1延伸，由此限定第二光阻挡区域BA2。在这样的实施例中，第二光阻挡区域BA2大体沿第一方向D1设置。

可以在第二基板300的与由设置在第一基板100上的屏蔽电极SCE限定的第一光阻挡区域BA1相对应的区域中省略黑矩阵314。

在示例性实施例中，屏蔽电极SCE和黑矩阵314设置在第一数据线DL1j、第二数据线DL2j、第三数据线DL1(j+1)和第四数据线DL2(j+1)与第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及主存储线MSLi交叉的区域中。

在示例性实施例中，如图5A和图5B所示，外敷层312可以补偿因黑矩阵314引起的台阶差。因此，共电极313可以设置在具有基本均匀或平坦的表面的外敷层312上，由此共电极313与第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4之间的距离可以基本均匀地维持。

在图4到图6中示出的示例性实施例中，弯曲显示装置500可以沿一个特定方向(例如，第一方向D1)弯曲。在可选的示例性实施例中，弯曲显示装置500可以沿第一方向D1和第二方向D2弯曲或者呈半球形的形状弯曲，屏蔽电极SCE可以大体上沿第一方向D1和第二方向D2设置。在这样的实施例中，可以省略设置在第二基板300上的黑矩阵314。

图7A是示出了出现竖直线故障的像素的示图，图7B是示出了包括屏蔽电极的像素的示图。

图7A示出了在弯曲显示装置500沿第一方向D1弯曲的同时当具有网格形状并且大体沿着第一方向D1和第二方向D2延伸的黑矩阵设置在第二基板300上时测量的像素的亮度。根据图7A，当第一基板100和第二基板300彼此不重合时，在沿第二方向D2设置的数据线和黑矩阵之间出现偏差。因此，由于黑矩阵，而在像素区域PA中产生线状的竖直暗部VD。

如图7B所示，在示例性实施例中，当具有条带形状并且大体沿着第一方向D1延伸的黑矩阵314(参照图5B)设置在第二基板300上，并且大体沿着第二方向D2延伸的屏蔽电极SCE(参照图4)沿数据线设置在第一基板100上时，除了像素区域PA的畴之间的边界部分之外未产生线状的竖直暗部VD。

如上所述，在示例性实施例中，通过屏蔽电极SCE有效地防止在像素区域PA中形成线状的竖直暗部VD，可以显著改善弯曲显示装置500的显示品质。

图8是具有各种面板尺寸的弯曲显示装置的偏差值(misalignment value)与曲率半径的关系的曲线图。

在图8中，x轴表示弯曲显示装置500的曲率半径(毫米：mm)，而y轴表示第一基板100和第二基板300之间的偏差值(微米：μm)。在图8中，第一条曲线G1到第七条曲线G7分别表示具有32英寸、40英寸、46英寸、55英寸、70英寸、85英寸和95英寸的面板的弯曲显示装置的偏差值与曲率半径的关系。曲率半径与曲率成反比。

如图1B中所示，第一位置P1和第三位置P3之间的距离可以被定义为第一基板100和第二基板300之间的偏差值。

参照图8，偏差值随着曲率半径的增加而减小，而偏差值随着面板尺寸的增加而增加。因此，屏蔽电极SCE的宽度w2基于弯曲显示装置500的面板尺寸和曲率半径来确定。

屏蔽电极SCE的宽度w2可以是满足下述等式的值：

等式

w2＝C1+α(R)+β(S)+γ(S²)+δ(R×S)

在等式中，

C1、α、β、γ、δ均表示常量，R表示曲率半径，而S表示面板尺寸。C1、α、β、γ、δ可以具有预定值。

表1

根据表1，当曲率半径为大约4000mm时，针对每个面板尺寸来确定屏蔽电极SCE的宽度w2。偏差值不仅根据曲率半径变化，还根据面板的厚度或者设置在面板中的间隔件的结构而变化。因此，可以基于通过等式设置的值来设置宽度w2的公差范围。

根据表1，当曲率半径为大约4000mm，面板尺寸为大约32英寸时，屏蔽电极SCE的宽度w2为大约19μm。在小于中心值(19μm)大约10μm的值被设置为公差范围的最小值(9μm)，且大于中心值(19μm)大约10μm的值被设置为公差范围的最大值(29μm)之后，将屏蔽电极SCE的宽度w2设置为在公差范围内的值。

然而，小于中心值大约10μm的最小值和大于中心值大约10μm的值不应限制于此或者受此限制。在一个示例性实施例中，例如，在面板尺寸恒定的条件下，当t表示预定的厚度值时，弯曲显示面板的厚度为大约0.5t时与弯曲显示面板的厚度为大约0.7t时之间的偏差值的差为大约10μm。如上所述，由于偏差值在即使面板尺寸恒定的情况下仍变化，因此屏蔽电极SCE的宽度w2的公差范围可以基于因厚度引起的偏差值的不同而设置。在这样的实施例中，当因厚度引起的偏差值被称作为参考值时，屏蔽电极的宽度的公差范围可以具有通过从计算出的中心值减去参考值而获得的值作为公差范围的最小值以及通过使计算出的中心值加上参考值而获得的值作为公差范围的最大值。

在具有其它面板尺寸的弯曲显示装置的示例性实施例中，屏蔽电极SCE的宽度w2可以被设置为处于公差范围中的值，其中心值为从上述等式中计算出的宽度w2。

表2

如表2中所示，当曲率半径增加到大约5000mm时，曲率减小，因此偏差值相对于曲率半径为大约4000mm时减小。因此，屏蔽电极SCE的宽度w2可以减小。

可以基于通过等式计算出的屏蔽电极SCE的宽度w2来设置宽度w2的公差范围。即，屏蔽电极SCE的宽度w2可以设置为公差范围内的值，该值的中心值是由等式计算出的宽度w2。

在示例性实施例中，公差范围的最小值可以设置为比中心值小大约10μm的值，公差范围的最大值可以设置为比中心值大大约10μm的值，但公差范围不限于此或不受此限制。即，公差范围可以基于其它变量(例如，面板的厚度或间隔件的结构)来设置。

图9是根据本发明的弯曲显示装置550的可选的示例性实施例的透视图。

参照图9，弯曲显示装置550沿第一方向D1弯曲，并且沿大体上与第一方向D1垂直的第二方向D2具有可变的曲率。

在示例性实施例中，弯曲显示装置550的曲率沿着大体上平行于第二方向D2的虚拟线20变化。在这样的实施例中，弯曲显示装置550的上部在虚拟线20上的曲率可以比弯曲显示装置550的下部在虚拟线20上的曲率相对小。在这样的实施例中，弯曲显示装置550的曲率可以从弯曲显示装置550的上部朝弯曲显示装置550的下部逐渐增加。

在这样的实施例中，屏蔽电极SCE的宽度w2可以设置为由上部的曲率的所确定的第一宽度和由下部的曲率所确定的第二宽度的平均值。在这种实施例中，宽度w2的公差范围可以设置为具有根据其中心值的平均值。

根据可选的示例性实施例，屏蔽电极SCE的宽度w2可以设置为由上部的曲率所确定的第一宽度。在这样的实施例中，宽度w2的公差范围可以设置为具有根据其中心值的第一宽度。

图10是示出了根据本发明的弯曲显示装置的可选的示例性实施例的像素结构的平面视图，图11是示出了限定在像素区域中的畴及液晶对准方向的示图。利用上面所使用的用于描述图4中示出的弯曲显示装置的示例性实施例的相同的参考标号来标记图10和图11中示出的相同或相似的元件，将省略或简化其任何重复的详细描述。

参照图10，第一子像素电极SPE1包括第一水平主干部HS1、第二水平主干部HS2、第一竖直主干部VS1和第二竖直主干部VS2以及第一分支部B1、第二分支部B2、第三分支部B3和第四分支部B4。

第一竖直主干部VS1连接到第一水平主干部HS1、第一分支部B1的边缘和第二分支部B2的边缘，第二竖直主干部VS2连接到第二水平主干部HS2、第三分支部B3的边缘和第四分支部B4的边缘。第一竖直主干部VS1和第二竖直主干部VS2大体沿着第二方向D2延伸，第二方向D2与弯曲显示装置500弯曲的第一方向D1交叉。在一个示例性实施例中，例如，当在平面视图下观看时，第二方向D2可以大体上与第一方向D1垂直。

第一水平主干部HS1连接到第一竖直主干部VS1、第一分支部B1的边缘和第二分支部B2的边缘。第一水平主干部HS1沿第一方向D1延伸并且从第一竖直主干部VS1的中央部分分支。第一分支部B1的形状可以相对于第一水平主干部HS1大体上与第二分支部B2的形状相对称。

如图11中所示，第一水平主干部HS1可以置于第一畴和第二畴之间。

第二水平主干部HS2连接到第二竖直主干部VS2、第三分支部B3的边缘和第四分支部B4的边缘。第二水平主干部HS2大体沿第一方向D1延伸并且从第二竖直主干部VS2的中部分支。第三分支部B3的形状可以相对于第二水平主干部HS2与第四分支部B4的形状相对称。

如图11所示，第二水平主干部HS2可以置于第三畴和第四畴之间。

在示例性实施例中，如图10中所示，第一分支部B1的一部分从第一水平主干部HS1分支，而第一分支部B1的另一部分从第一竖直主干部VS1分支。在这样的实施例中，第一分支部B1大体上沿着相对于第一方向D1和第二方向D2倾斜的第三方向D3延伸，并且布置为当在平面视图下观看时彼此分隔开。

在这样的实施例中，第二分支部B2的一部分从第一水平主干部HS1分支，而第二分支部B2的另一部分从第一竖直主干部VS1分支。在这样的实施例中，第二分支部B2大体上沿着相对于第一方向D1和第二方向D2倾斜的第四方向D4延伸，并且布置为当在平面视图下观看时彼此分隔开。

当在平面视图下观看时，第四方向D4与第三方向D3交叉。在一个示例性实施例中，例如，当在平面视图下观看时，第三方向D3和第四方向D4可以大体上垂直，第三方向D3和第四方向D4均与第一方向D1或第二方向D2形成大约45度的角。

在这种实施例中，第三分支部B3的一部分从第二水平主干部HS2分支，而第三分支部B3的另一部分从第二竖直主干部VS2分支。在这样的实施例中，第三分支部B3大体上沿着相对于第一方向D1和第二方向D2倾斜的第五方向D5延伸，并且布置为当在平面视图下观看时彼此分隔开。

在这种实施例中，第四分支部B4的一部分从第二水平主干部HS2分支，而第四分支部B4的另一部分从第二竖直主干部VS2分支。在这样的实施例中，第四分支部B4大体上沿着相对于第一方向D1和第二方向D2倾斜的第六方向D6延伸，并且布置为当在平面视图下观看时彼此分隔开。

当在平面视图下观看时，第五方向D5与第六方向D6交叉。在一个示例性实施例中，例如，当在平面视图下观看时，第五方向D5和第六方向D6可以大体上彼此垂直，第五方向D5和第六方向D6均与第一方向D1或第二方向D2形成大约45度的角。

第二子像素电极SPE2的尺寸与第一子像素电极SPE1的尺寸不同。第二子像素电极SPE2的尺寸可以比第一子像素电极SPE1的尺寸大。

第二子像素电极SPE2包括第三水平主干部HS3、第四水平主干部HS4、第三竖直主干部VS3和第四竖直主干部VS4以及第五分支部B5、第六分支部B6、第七分支部B7和第八分支部B8。

第二子像素电极SPE2的形状与第一子像素电极SPE1的形状类似，因此将省略第二子像素电极SPE2的详细描述。

在示例性实施例中，如图11中所示，第一畴DM1到第四畴DM4限定在第一子像素区域SPA1中，而第五畴DM5到第八畴DM8限定在第二子像素区域SPA2中。

在这样的实施例中，在第一畴DM1到第八畴DM8限定在第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2中的情况下，第一子像素电极SPE1还可以包括第一畴连接部LP1，第二子像素电极SPE2还可以包括第二畴连接部LP2。

第一畴连接部LP1置于第二畴DM2和第三畴DM3之间，以连接第二分支部B2和第三分支部B3，第二畴连接部LP2置于第六畴DM6和第七畴DM7之间，以连接第六畴DM6和第七畴DM7。第一畴连接部LP1可以位于第二畴DM2和第三畴DM3之间的边界区域的中央部分处，而第二畴连接部LP2可以位于第六畴DM6和第七畴DM7之间的边界区域的中央部分处。

当液晶分子通过第一分支部B1对准的区域被称作为第一畴DM1时，第一畴DM1中的第一液晶对准方向DR1与第三方向D3相对应。当液晶分子通过第二分支部B2对准的区域被称作为第二畴DM2时，第二畴DM2中的第二液晶对准方向DR2与第四方向D4相对应。

当液晶分子通过第三分支部B3和第四分支部B4对准的区域分别被称作为第三畴DM3和第四畴DM4时，第三畴DM3中的第三液晶对准方向DR3与第五方向D5相对应，而第四畴DM4中的第四液晶对准方向DR4与第六方向D6相对应。

在示例性实施例中，如上所述，沿第二方向D2顺序地布置的第一畴DM1到第四畴DM4限定在第一子像素区域SPA1中，液晶对准方向在第一畴DM1到第四畴DM4中彼此不同。因此，可以扩大第一子像素区域SPA1的可视范围。

在这种实施例中，沿第二方向D2顺序地布置的第五畴DM5到第八畴DM8限定在第二子像素区域SPA2中，液晶对准方向在第五畴DM5到第八畴DM8中彼此不同。因此，可以扩大第二子像素区域SPA2的可视范围。

在这种实施例中，第一畴DM1到第八畴DM8沿第二方向D2布置在单个像素中。因此，即使在沿第一方向D1弯曲的弯曲显示装置550中发生偏差时，具有不同液晶对准方向的畴也可以有效地防止彼此叠置。因此，可以有效地防止因液晶分子的偏差引起的纹理缺陷。

虽然已经描述了本发明的示例性实施例，但是应该理解的是，本发明不应该限制于这些示例性实施例，而是在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本领域普通技术人员可以进行各种改变和变形。

Claims (1)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：弯曲的第一基底、弯曲的第二基底、设置在所述弯曲的第一基底与所述弯曲的第二基底之间的光控层，

其中，所述弯曲的第一基底包括：第一基础基板；多条信号线，设置在所述第一基础基板上；绝缘层，设置在所述多条信号线上，所述绝缘层包括多个滤色器；像素电极，设置在所述绝缘层上；及屏蔽电极，设置在所述绝缘层上并与所述像素电极电绝缘，所述屏蔽电极与所述多个滤色器中的两个相邻的滤色器的边界部分叠置，

其中，所述多个信号线包括：多条栅极线，沿第一方向延伸；及多条数据线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，

其中，所述弯曲的第二基底包括：第二基础基板；共电极，设置在所述第二基础基板下方；及黑矩阵，仅沿所述第一方向延伸，并且

其中，所述屏蔽电极沿所述第二方向延伸并且与所述多条数据线中的两条相邻的数据线叠置，

所述像素电极设置为多个像素电极，所述屏蔽电极设置在两个水平相邻的像素电极之间，所述多个像素电极中的每个像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，

所述多条栅极线包括设置在两个竖直相邻的像素电极之间的栅极线，

主存储线设置在所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间，并且沿所述第一方向延伸，

所述黑矩阵沿所述栅极线和所述主存储线两者延伸并且与所述栅极线和所述主存储线两者叠置，并且

所述屏蔽电极和所述黑矩阵在其中两条相邻的数据线与所述栅极线和所述主存储线交叉的区域叠置。