CN110235322A - 激光装置和用于制造激光装置的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种激光装置,其具有:经电吸收调制的激光器(11),所述激光器具有激光器分段(111)和电吸收调制器分段(112);用于为所述激光器分段(111)供给电流的电流源(17);对于所述电流源(17)附加地设置的直流电压源(15),经由所述直流电压源能够将直流电压(Vrev)施加到所述电吸收调制器分段(112)的二极管结构(1121)上;驱动器(13),借助于所述驱动器能够为所述激光器(11)输送高频信号;电连接(14),经由所述电连接将所述驱动器(13)与所述激光器(11)连接。根据本发明,经由在所述驱动器(13)和所述激光器(11)之间的电连接(14)存在直流连接并且所述驱动器构成为,使得在所述激光器(11)的所述电吸收调制器分段(112)中通过用所述激光器分段(111)的光照射所产生的光电流(Iphoto)至少部分地流向所述驱动器(13)并且至少分担所述驱动器(13)的能量供给。本发明还涉及一种用于制造激光装置的方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种根据权利要求1的前序部分的激光装置以及一种根据权利要求27的前序部分的用于制造激光装置的方法。
背景技术
这种激光装置具有经电吸收调制的激光器(EML),也就是说如下激光器,其具有用于产生激光辐射的激光器分段和用于调制在激光器分段中产生的激光辐射的电吸收调制器分段。具有EML的激光装置例如在US9,116,367 B2中公开。
发明内容
本发明基于的问题是,尽可能高能效地运行具有EML的激光装置。
所述问题通过提供具有权利要求1的特征的激光装置以及通过提供根据权利要求27的方法实现。本发明的改进方案在从属权利要求中给出。
据此提供一种激光装置,其具有:
-经电吸收调制的激光器(EML),其具有激光器分段和电吸收调制器分段;
-用于为激光器分段供给电流的电流源;
-对于电流源附加地设置的直流电压源,经由所述直流电压源能够将直流电压施加到电吸收调制器分段的二极管结构上;
-驱动器,借助于所述驱动器能够为激光器输送高频信号;
-电连接,驱动器经由所述电连接与激光器连接,其中
-经由电连接在驱动器和激光器之间存在直流连接、即DC耦合并且驱动器构成为,使得在激光器的电吸收调制器分段中通过用激光器分段的光照射所产生的光电流至少部分地流向驱动器并且至少分担驱动器的能量供给。
由此,根据本发明的激光装置利用在激光器运行中产生的并且往常未被利用的光电流,由此减少要从外部输送给驱动器的能量或者甚至不必为驱动器输送附加的能量。借助于根据本发明的激光装置尤其能够实现高能效的光学传送器。
根据本发明的一个设计方案,经由电连接在驱动器和激光器之间也存在高频连接,也就是说如下连接,经由其可将高频信号从驱动器传送至激光器。尤其,电连接是阻抗匹配的线路;例如是阻抗匹配于驱动器的输出阻抗和/或激光器的阻抗的线路。驱动器尤其包括驱动器电路,其还具有至少一个放大器。
至少部分地用于馈送给驱动器的光电流在用光对激光器的电吸收调制器分段照射时产生,所述光在激光器的激光器分段中产生。
驱动器例如是单端的(和进而尤其不是差分的)放大器。因此,高频信号尤其可通过如下方式输送给驱动器,即驱动器的输入端加载有随时间变化的电位,其中高频信号作为变化的电位与时间上基本上恒定的参考电位的差得出。可考虑的是,驱动器的另一输入端加载有参考电位(接地电位)。然而,本发明不限于将单端的放大器作为驱动器。也可考虑的是,驱动器包括其他驱动器电路;例如驱动器电路,其能够实现差分运行。
尤其可考虑的是,驱动器构成为并且与激光器连接为,使得仅能够通过在激光器的电吸收调制器分段中产生的光电流为驱动器供给能量(经由直流连接)。还可能的是,由电流源生成的电流至少基本上不流入驱动器中。
例如,驱动器构成为并且与激光器连接为,使得在如下情况下所述驱动器至少基本上也保持其放大特性:仅通过在激光器的电吸收调制器分段中产生的光电流为驱动器供给能量,也就是说,尤其在驱动器的直流电流供给仅仅经由直流连接和例如仅仅经由驱动器的与直流连接耦合的高频输出端进行的情况下如此。
还可能的是,在电流源和电吸收调制器分段之间不存在电连接或在激光装置运行期间至少基本上构成不传导电流的电连接,例如仅经由激光器的至少一个掺杂的(由n掺杂的)半导体层。尤其,在电流源和驱动器之间也不存在电连接(除了可能的不传导电流的连接以外,例如经由掺杂的半导体层)。因此,不发生从激光器分段的电流源到驱动器中的电流流动。此外,在直流电压源和激光器分段之间也不会存在电连接或者构成无电流的电连接,尤其仅仅经由激光器的至少一个掺杂的半导体层。
激光器分段和电吸收调制器分段的所述(尤其严格的)电隔离尤其也包括激光装置的构成用于运行激光器分段的电路与设计用于用调制信号加载电吸收调制器分段的电路的隔离。借助于这些电路的这种隔离可以避免在电路这些之间的干扰性的耦合,由此例如抑制光学的频率啁啾的产生。
此外,借助于电压源,电吸收调制器分段的例如稳定的电压供给和/或工作点设定可以不受激光器分段运行影响。此外,激光器分段的电流源与驱动器的电隔离能够实现驱动器的仅或至少基本上仅借助于在电吸收调制器分段中生成的光电流进行电流供给和进而能够实现激光器的特别节约能量的运行。
如上文已经提到,可考虑的是,驱动器的能量供给主要通过在激光器的电吸收调制器分段中产生的光电流进行。据此可能的是,存在单独的用于供给驱动器的电压源,除了光电流之外经由所述电压源将电能提供给驱动器。然而还可考虑的是,驱动器的能量供给至少基本上仅通过在激光器中生成的光电流进行并且例如取消用于供给驱动器的电压源。相应地,于是也可以弃用(昂贵的、高频关键的且要求空间的)高频去耦线圈,经由所述高频去耦线圈将外部的供给电压耦合输入到驱动器中。对高频去耦线圈的弃用尤其可以由于空间需求较小例如在具有多个根据本发明的激光装置的阵列的情况下是有利的。
根据本发明的另一改进方案,激光装置构成为,使得至少基本上所有在激光器的电吸收调制器分段中产生的光电流被用于驱动器的能量供给。因此,根据该变型形式,基本上所有在EML中产生的光电流经由直流连接输送给驱动器。然而完全也可考虑的是,光电流的仅仅一部分流向驱动器并且例如光电流的另一部分用于馈送给激光装置的另一消耗器或者经由电阻流出。
根据本发明的另一实施例,驱动器是行波放大器(“Travelling WaveAmplifier”——TWA),其中光电流尤其传送给行波放大器的进行放大的晶体管。例如,各个放大器(晶体管)以单端配置构成并且例如相应地不以差分形式运行。然而,本发明不限于驱动器的特定的设计方案。更确切地说,原则上可以使用任何适合的驱动器(尤其放大电路)。适合的驱动器例如构成为并且与激光器连接为,使得当所述驱动器仅通过在激光器的电吸收调制器分段中产生的光电流供给以能量时,驱动器保持其放大特性,如上文已经阐述那样。
也可能的是,根据本发明的激光装置具有阻抗匹配电路,所述阻抗匹配电路具有匹配电感、匹配电阻和/或直流隔离电容(例如通过直流隔离电容器“DC-Blocking-Kondensator”实现)。除了通过光电流的能量供给之外尤其在驱动器的电压供给中直流隔离电容还抑制尤其在驱动器的终端阻抗中的DC功率损耗。然而也可考虑的是,阻抗匹配电路不具有直流隔离电容。
阻抗匹配电路尤其是激光器的一部分并且例如通过电吸收调制器分段构成或与其连接;尤其阻抗匹配电路与电吸收调制器分段的二极管结构耦合。然而也可考虑的是,阻抗匹配电路集成到驱动器和EML之间的电连接中;尤其阻抗匹配电路是柔性线路的组成部分,所述柔性线路构成电连接。通过将阻抗匹配电路移置于电连接中例如可以简化激光器的电吸收调制器分段的制造。例如可考虑的是,在制造具有多个根据本发明的激光装置的阵列时阻抗匹配电路移置于相应的电连接中。
此外,根据本发明的激光装置的驱动器、电连接和激光器可以单片地集成,即这些器件尤其在共同的基板上构成。单片的集成例如可以借助于InP-、GaAs-、SiGe-、SiP-CMOS技术或类似技术实现。例如,在此情况下由于根据本发明的激光装置的能量需求减小而不一定需要驱动器和EML的热学去耦。
然而也可考虑的是混合式构造,其中驱动器和EML设置在单独的基板上并且尤其经由同样单独地构成的电连接彼此连接;例如经由其他下面所阐述的“柔性线(Flexline)”连接。
也可能的是,根据本发明的激光装置具有直流电压源,经由所述直流电压源可以将直流电压施加到电吸收调制器分段的有源区上。直流电压源例如用于将反向电压施加到EML的电吸收调制器分段的二极管结构上。
根据本发明的另一改进方案,电连接通过柔性线路构成。例如,柔性线路是“柔性线”,也就是说是柔性线路,其具有介电的柔性的载体材料,在所述载体材料上设置有多个(尤其金属的)线路(例如呈带状导线形式)。作为载体材料,柔性线路例如具有聚合物(例如聚酰亚胺)。例如,柔性线路构成为共面带状线路。
借助于柔性线路,驱动器与激光器的连接即使在这些部件距离较大的情况下是可能的,使得驱动器能够与激光器间隔开地设置,以便实现驱动器和激光器彼此间的尽可能良好的热学去耦。柔性线路(或其他构成电连接的线路)与驱动器和/或激光器的连接例如经由倒装键合进行。
根据本发明的另一改进方案,激光装置包括用于冷却经电吸收调制的激光器的热电冷却设备,尤其以便激光器(由电吸收调制器分段)的温度保持尽可能恒定。例如,EML设置在热电冷却设备上。
然而要指出的是,根据本发明的激光装置由于使用其他对加热激光器有贡献的光电流而不一定需要冷却设备。在驱动器和激光器之间也不一定必须设有较大的间距。更确切地说,单片的集成也是可能的,如上文已经阐述那样。
如上文已经表明,本发明还可以涉及具有多个根据本发明的激光装置的阵列,例如具有2、4、8、……个激光装置(通道)的阵列。
本发明还涉及一种用于制造激光装置尤其如上文所描述地构成的激光装置的方法,其中所述方法具有如下步骤:
-提供经电吸收调制的激光器,所述激光器具有激光器分段和电吸收调制器分段;
-提供用于为激光器分段供给电流的电流源和对电流源附加地设置的直流电压源,经由所述直流电压源能够将直流电压施加到电吸收调制器分段的二极管结构上;
-提供驱动器,借助于所述驱动器能够为激光器输送高频信号;
-在驱动器与激光器之间建立电连接,其中
-激光装置配置为,使得经由电连接在驱动器和激光器之间存在直流连接,使得在激光器的电吸收调制器分段中通过用激光器分段的光照射所产生的光电流至少部分地流向驱动器并且至少分担驱动器的能量供给。
提供经电吸收调制的激光器和/或驱动器尤其也包括:制造激光器或驱动器。此外,上文结合根据本发明的激光装置所描述的实施例当然也可以类似地用于根据本发明的方法的改进方案。
附图说明
下面参照附图根据实施例详细阐述本发明。附图示出:
图1示意地示出根据本发明的第一实施例的激光装置;
图2示出根据本发明的第二实施例的激光装置的立体图;
图3示出根据本发明的第三实施例的激光装置的电路图;
图4示出图3中的激光装置的变型形式;
图5示出图3中的激光装置的另一变型形式;
图6示出根据本发明的第四实施例的激光装置的电路图;
图7示出图6中的激光装置的变型形式;
图8示出根据本发明的第五实施例的激光装置的电路图;
图9示出根据本发明的第六实施例的激光装置的电路图;以及
图10示出根据本发明的第七实施例的激光装置的电路图。
具体实施方式
在图1中示出的根据本发明的激光装置1包括经电吸收调制的激光器(EML)11,所述激光器具有激光器分段111(例如呈DFB或DBR激光器的形式)和电吸收调制器分段112。为了冷却激光器11可以存在(例如热电的)冷却设备12,在所述冷却设备上设置有激光器11。冷却设备12然而仅是可选的。
为了操控激光器11,尤其为了传送高频信号,激光装置1包括驱动器13、尤其呈行波放大器(TWA)的形式。驱动器13尤其用于放大高频的输入信号VRFin并且用于用放大的高频信号经由电连接14馈送给激光器11。
电连接14不仅实现在驱动器13和激光器11之间的高频连接,而且同时在驱动器13和激光器11之间也提供直流连接。此外,激光装置1配置为,使得在激光器11的电吸收调制器分段112中在用激光器分段111的光照射时产生的光电流Iphoto至少部分地经由电连接14流向驱动器13并且至少分担驱动器13的能量供给。
可考虑的尤其是,驱动器13的能量供给仅通过光电流Iphoto进行。然而例如也可能的是,驱动器13经由电压源输送附加的供给电压VTMA。尤其,驱动器13实现为,使得其能够实现仅通过光电流Iphoto以及借助于附加的供给电压VTWA的能量供给。
在图2中示出根据本发明的激光装置1的可能的混合式设计方案。在此驱动器13作为集成电路设置在第一基板130上,而EML作为半导体结构设置在单独的第二基板110上。
驱动器13和EML11经由同样单独的电连接14彼此耦合,其中电连接14作为柔性线路成形,也就是说作为包括多个设置在柔性基板141上的带状导线142的线路成形。带状导线142经由触点(凸点(Bumps))143与驱动器13的输出线路或激光器11的输入线路连接。
驱动器13还与宽带的终端线圈(去耦线圈)131耦合,经由所述终端线圈可以将供给电压输送给驱动器13。除了通过激光器11的经由电连接14输送的光电流的供给之外,提供所述供给电压。这种附加的电压供给和进而还有终端线圈131然而仅是可选的。
在图3中示出根据本发明的激光装置1的另一实施例的电路图。据此,激光装置1还具有直流电压源15,经由所述直流电压源可以将直流电压(反向电压Vrev)施加到激光器1的电吸收调制器分段112的二极管结构1121上。此外,存在用于为激光器分段111供给电流的电流源17(供给电流IDFB)。
然而,已弃用驱动器13的单独的电压供给,也就是说仅通过经由电连接14由激光器11输送的直流电流I* photo提供用于运行驱动器13的能量,使得唯一的对运行激光装置1所需的能量源是直流电压源15和电流源17。
借助于二极管结构1121并且根据由激光器11经由驱动器13输送的高频电压,调制由激光器分段111产生的连续的光辐射(PoptCW),其中EML发射经调制的辐射(Poptmod)EML并且在电吸收调制器分段112中产生光电流Iphoto。光电流Iphoto如上文已经阐述那样经由电连接14输送给驱动器13,更确切说,尤其输送给所述驱动器的放大晶体管133(TWA)。
此外,激光装置1具有阻抗匹配电路16,其用于尤其将激光器11的电吸收调制器分段112的阻抗匹配于连接14的和驱动器13的阻抗,以便保持驱动器信号的反射尽可能小。阻抗匹配电路16在图3的实施例中相应地构成为激光器11的终端阻抗电路并且包括匹配电感161(“Lterm”)、匹配电阻162(终端电阻Rterm)以及直流隔离电容163(“Cblock”)。匹配电感161、匹配电阻162和直流隔离电容163串联连接。
直流隔离电容163尤其防止光电流Iphoto的和返回到电压源15的电流IRTERM的一部分经由终端电阻Rterm流出。相应地,驱动器13至少基本上通过从激光器11流至驱动器13的直流电流I* photo馈送,其中在此流向驱动器13的直流电流I* photo对应于所产生的光电流Iphoto(也就是说I* photo=Iphoto)。
也可考虑的是,弃用直流隔离电容163并且将所述直流隔离电容通过短路替代,由此可以简化阻抗匹配电路的制造。所述变型方案在图4中示出。在此情况下,直流电流IRTERM与在电吸收调制器分段112中生成的光电流Iphoto一起流入驱动器13,使得针对馈送给驱动器13的电流I* photo得出:I* photo=Iphoto+IRTERM。
也可考虑的是,终端电阻Rterm取代驱动器13的输出电阻(“推挽(pull-up)”电阻)RL(尤其在激光装置1的单片的实施方案中)并且驱动器13的馈送以支持光电流的方式从电吸收调制器分段112中经由终端电阻Rterm(=RL)进行。在晶体管Q处的驱动器侧的电阻RL(“集电极开路的(Open-Collector)”驱动器配置)被弃用,如这在图5中所示出。由此尤其简化用电压源15(Vrev)的小电流供给的驱动器侧的基极分压器(包括电阻RB2和Rb)的构造;尤其通过如下方式,即与电阻Rb串联连接的电感Lb现在直接接地。经由电容Cinput和电阻Rg以及基极分压器,将经调制的高频输入电流IPRBS输送给晶体管133。
图6示出根据本发明的激光装置1的电路图,所述激光装置类似于图3的实施例地构成,其中然而示出构成为行波放大器的驱动器13的其他细节。同样类似于图3,图6的激光装置包括构成为激光器11的电吸收调制器分段112的终端阻抗电路的阻抗匹配电路16。
此外,电线路14构成为具有柔性的基板141和设置在其上的带状导线142的柔性线路。驱动器13还可以附加地经由电压源132(供给电压VTWA)和高频终端线圈131供给。通过使用光电流Iphoto,得到在运行驱动器13时的能量节约:VTWA×Iphoto,其中所述光电流如上文所阐述地由于存在隔离电容器163而对应于实际上流向驱动器13的直流电流I* photo。
行波放大器尤其具有多于一个的放大级。行波放大器本身然而是已知的,以至于不进行进一步阐述。然而要指出的是,本发明不限于行波放大器的应用。因此,完全也可使用具有仅一个放大级的放大器作为驱动器。
此外,图6示出电容Cin,term、Cext,EAM、Cint和Cext,IC,经由所述电容进行激光装置1(驱动器13和电吸收调制器分段112)的高频接地连接,其中然而防止光电流Iphoto朝向接地流出。相对于返回波在输出侧,驱动器13包括具有电阻Rout,term和电容Cout,term和Cout,ext的终端网络,其中为该驱动器输送输入信号VRFIN。其他方面参照对图4的阐述。
图7示出图6的与图4类似的变型方案,据此阻抗匹配电路16构成为不具有直流隔离电容163。这例如减少了用于制造电吸收调制器分段112所需的制造步骤。还可考虑的是,取消驱动器侧的电压源132(VTWA)。
图8涉及根据本发明的激光装置1的另一变型方案,据此阻抗匹配电路16不构成为终端阻抗电路,而是集成到构成为柔性线路的电连接14中。相应地,在电连接14的带状导线142之间设置有匹配电感161a、161b(Lflex,a、Lflex,b)、匹配电阻162a、162b(Rflex,a、Rflex,b)以及直流隔离电容163a、163b(Cflex,a、Cflex,b);尤其呈如下结构的形式,所述结构同样设置在电连接14的载体141上并且在那设置在带状导线142之间。可考虑的是,所产生的光电流Iphoto经由匹配电阻162辅助。还可能的是,参照电连接14使用电位(例如带状导线的外侧与所述电位连接),所述电位高于驱动器13的接地并且抑制光电流的一部分经由匹配电阻162流出。
在电感结构、电阻结构和电容结构Lflex,a、Lflex,b、Rflex,a、Rflex,b、Cflex,a、Cflex,b中的各一个存在于两个相邻的带状导线142之间,其中这些结构一起得到总匹配电感、总匹配电阻和总隔离电容。电感结构、电阻结构和电容结构Lflex,a、Lflex,b、Rflex,a、Rflex,b、Cflex,a、Cflex,b位于电连接14(尤其在电连接14的朝向电吸收调制器分段112的端部的区域中)的朝向激光器11(尤其电吸收调制器分段112)的半部上。
图9的实施例对应于图8的实施例,其中然而与驱动器13耦合的高频终端线圈131被弃用。相应地,在此将供给电压V* TWA通过使用并联的电容Cout,ext经由匹配电阻Rout,term输送给行波放大器。电容Cout,ext与另一电容Cout,term共同地实现匹配电阻Rout,term与接地的宽带的高频连接。
在供给驱动器时的能量节约根据V* TWA×I* photo得出,其中V* TWA=VTWA+Rout,term×I* TWA,I* TWA=ITWA。
根据图10的实施例也取消用于对驱动器13附加地供给的单独的电压源132;也就是说驱动器13仅通过在激光器11的电吸收调制器分段112中产生的光电流馈送,其中可选地除了光电流之外,流过电阻Rflex的电流可以用于供给驱动器13。为此可考虑,弃用电容Cflex。
要指出的是,上述实施例的元件当然也可以以彼此组合的形式使用。此外,本发明如上文已经提到那样并不限于激光装置的混合式构造。尤其,上文所描述的实施例可以类似地也以激光装置的单片的构造实现。
Claims (27)
1.一种激光装置,具有:
-经电吸收调制的激光器(11),其具有激光器分段(111)和电吸收调制器分段(112);
-用于为所述激光器分段(111)供给电流的电流源(17);
-对于所述电流源(17)附加地设置的直流电压源(15),经由所述直流电压源能够将直流电压(Vrev)施加到所述电吸收调制器分段(112)的二极管结构(1121)上;
-驱动器(13),借助于所述驱动器能够为所述激光器(11)输送高频信号;
-电连接(14),经由所述电连接将所述驱动器(13)与所述激光器(11)连接,
其特征在于,
经由所述电连接(14)在所述驱动器(13)和所述激光器(11)之间存在直流连接并且所述驱动器构成为,使得在所述激光器(11)的所述电吸收调制器分段(112)中通过用所述激光器分段(111)的光照射所产生的光电流(Iphoto)至少部分地流向所述驱动器(13)并且至少分担所述驱动器(13)的能量供给。
2.根据权利要求1所述的激光装置,其特征在于,经由所述电连接(14)在所述驱动器(13)和所述激光器(11)之间也存在高频连接。
3.根据权利要求2所述的激光装置,其特征在于,所述电连接(14)是匹配阻抗的线路。
4.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,所述驱动器是单端的放大器。
5.根据权利要求4所述的激光装置,其特征在于,能够通过如下方式为所述驱动器输送所述高频信号,即所述驱动器的输入端加载有随时间变化的电位,其中所述高频信号作为所述变化的电位与时间上基本上恒定的参考电位的差得出。
6.根据权利要求5所述的激光装置,其特征在于,所述驱动器的另一输入端加载有所述参考电位。
7.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,所述驱动器(13)构成为并且与所述激光器(11)连接为,使得所述驱动器(13)仅能够通过在所述激光器(11)的所述电吸收调制器分段(112)中产生的光电流(Iphoto)供给能量。
8.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,由所述电流源(17)生成的电流至少基本上不流入所述驱动器(13)中。
9.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,所述驱动器(13)构成为并且与所述激光器(11)连接为,使得当所述驱动器仅通过在所述激光器(11)的所述电吸收调制器分段(112)中产生的光电流(Iphoto)供给能量时,所述驱动器(13)保持其放大特性。
10.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,在所述电流源(17)和所述电吸收调制器分段(112)之间不存在电连接或者构成在所述激光装置运行期间不传导电流的电连接,尤其仅经由所述激光器的至少一个掺杂的半导体层构成。
11.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,在所述电流源(17)和所述驱动器(13)之间不存在电连接或者构成在所述激光装置的运行期间不传导电流的电连接,尤其仅经由所述激光器的至少一个掺杂的半导体层构成。
12.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,在所述直流电压源(15)和所述激光器分段(111)之间不存在电连接或电连接仅经由所述激光器的至少一个掺杂的半导体层构成。
13.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,所述驱动器(13)的能量供给主要通过在所述激光器(11)的所述电吸收调制器分段(112)中产生的光电流(Iphoto)进行。
14.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,所述驱动器(13)的能量供给至少基本上仅通过在所述激光器(11)的所述电吸收调制器分段(112)中产生的光电流(Iphoto)进行。
15.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,所述激光装置(1)构成为,使得至少基本上所有在所述电吸收调制器分段中产生的光电流(Iphoto)用于所述驱动器(13)的能量供给。
16.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,所述驱动器(13)是行波放大器。
17.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,设有阻抗匹配电路(16),所述阻抗匹配电路具有匹配电感(161)、匹配电阻(162)和/或直流隔离电容(163)。
18.根据权利要求17所述的激光装置,其特征在于,所述阻抗匹配电路不具有直流隔离电容(163)。
19.根据权利要求17或18所述的激光装置,其特征在于,所述阻抗匹配电路(16)是所述激光器(11)的部分。
20.根据权利要求17或18所述的激光装置,其特征在于,所述阻抗匹配电路(16)集成到所述电连接(14)中。
21.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,所述驱动器(13)、所述电连接(14)和所述激光器(11)单片地集成。
22.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,所述电连接(14)通过柔性线路构成。
23.根据权利要求22所述的激光装置,其特征在于,所述柔性线路包括介电的柔性的载体材料(141),在所述载体材料上设置有多个线路(142)。
24.根据上述权利要求中任一项所述的激光装置,其特征在于,设有用于冷却经电吸收调制的所述激光器(11)的热电冷却设备(12)。
25.根据权利要求24所述的激光装置,其特征在于,所述激光器(11)设置在热电冷却设备(12)上。
26.一种具有多个根据上述权利要求中任一项所述的激光装置(1)的阵列。
27.一种用于制造尤其根据上述权利要求1至25中任一项所述的激光装置的方法,具有如下步骤:
-提供经电吸收调制的激光器(11),所述激光器具有激光器分段(111)和电吸收调制器分段(112);
-提供用于为所述激光器分段(111)供给电流的电流源(17)和对于所述电流源(17)附加地设置的直流电压源(15),经由所述直流电压源能够将直流电压(Vrev)施加到所述电吸收调制器分段(112)的二极管结构(1121)上;
-提供驱动器(13),借助于所述驱动器能够为所述激光器(11)输送高频信号;
-在所述驱动器(13)与所述激光器(11)之间建立电连接(14),
其特征在于,
所述激光装置(1)配置为,使得经由所述电连接(14)在所述驱动器(13)和所述激光器(11)之间存在直流连接,使得在所述激光器(11)的所述电吸收调制器分段(112)中通过用所述激光器分段(111)的光照射所产生的光电流(Iphoto)至少部分地流向所述驱动器(13)并且至少分担所述驱动器(13)的能量供给。
Applications Claiming Priority (5)
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PCT/EP2017/081836 WO2018104456A1 (de) | 2016-12-09 | 2017-12-07 | Laseranordnung und verfahren zum herstellen einer laseranordnung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110235322A true CN110235322A (zh) | 2019-09-13 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780076140.9A Active CN110235322B (zh) | 2016-12-09 | 2017-12-07 | 激光装置和用于制造激光装置的方法 |
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---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021196040A1 (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 华为技术有限公司 | 一种电吸收调制激光器和光模块 |
CN117374726A (zh) * | 2023-12-07 | 2024-01-09 | 合肥玉卓光电科技有限公司 | 一种高集成度、大功率的智能化半导体激光电源系统 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11594855B2 (en) * | 2017-11-02 | 2023-02-28 | Sony Corporation | Semiconductor laser drive circuit, method for driving semiconductor laser drive circuit, distance measuring apparatus, and electronic apparatus |
US11594856B2 (en) * | 2018-05-21 | 2023-02-28 | Google Llc | Wavelength drift suppression for burst-mode tunable EML transmitter |
WO2019226306A1 (en) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | Google Llc | Burst mode laser driving circuit |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6002699A (en) * | 1998-02-27 | 1999-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor laser drive circuit |
US20020141679A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-03 | Masaharu Dol | Optical modulator |
US20040028099A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-02-12 | Fujitsu Limited | Drive circuit and drive method of semiconductor laser module provided with electro-absorption type optical modulator |
US20050232319A1 (en) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Mason T G B | Laser driver circuit for externally modulated lasers |
CN201061080Y (zh) * | 2007-06-29 | 2008-05-14 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 级联式电吸收调制激光器 |
CN101702489A (zh) * | 2009-11-05 | 2010-05-05 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种电吸收调制激光器的偏置电路及其调试方法 |
JP2011044753A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-03-03 | Opnext Japan Inc | 変調器集積レーザ |
CN102593712A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-18 | 三菱电机株式会社 | 非冷却光半导体装置 |
CN103050887A (zh) * | 2012-12-26 | 2013-04-17 | 华为技术有限公司 | 电吸收方式调制激光器系统 |
CN103094835A (zh) * | 2013-01-14 | 2013-05-08 | 武汉电信器件有限公司 | 一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法 |
JP2014041878A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送受信システム |
CN103888190A (zh) * | 2014-03-18 | 2014-06-25 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
JP5666415B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2015-02-12 | アンリツ株式会社 | 電界吸収型光変調器の駆動回路 |
CN104865714A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-08-26 | 南京邮电大学 | 一种超宽光学频率梳的产生方法 |
CN106059673A (zh) * | 2016-05-18 | 2016-10-26 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块及光线路终端设备 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2827977B2 (ja) | 1995-07-14 | 1998-11-25 | 日本電気株式会社 | 半導体光変調器の変調回路 |
JP3736953B2 (ja) | 1997-10-20 | 2006-01-18 | 富士通株式会社 | 電界吸収型光変調器の駆動回路及び、これを用いた光送信器 |
EP0961372B1 (de) * | 1998-05-26 | 2002-07-10 | Infineon Technologies AG | Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
US6970515B1 (en) * | 2001-06-08 | 2005-11-29 | Lsi Logic Corporation | Line driver for asymmetric digital subscriber line system |
WO2003032547A2 (en) * | 2001-10-09 | 2003-04-17 | Infinera Corporation | Transmitter photonic integrated circuit |
SE520139C2 (sv) * | 2001-11-30 | 2003-06-03 | Optillion Ab | Lasermodulator med elektriskt separerade laser- och modulatorsektioner |
US6707589B2 (en) | 2002-06-21 | 2004-03-16 | Infinera Corporation | Optical modulator driver circuit with low power dissipation |
US7266302B2 (en) * | 2003-01-28 | 2007-09-04 | Intel Corporation | Asymetric optical network traffic flow control |
US7132894B2 (en) * | 2003-12-30 | 2006-11-07 | Intel Corporation | Differential traveling wave driver amplifier |
JP2007194365A (ja) | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信回路 |
JP5768551B2 (ja) * | 2011-07-13 | 2015-08-26 | 住友電気工業株式会社 | 外部変調型レーザ素子の駆動回路 |
JP2014160176A (ja) | 2013-02-20 | 2014-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 駆動回路 |
DE102013218859B3 (de) | 2013-09-19 | 2015-02-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung mit einer Abschlussimpedanzschaltung und einem Elektroabsorptionsmodulator sowie Verfahren zum elektrischen Abschließen eines Elektroabsorptionsmodulators |
-
2017
- 2017-01-26 DE DE102017201285.4A patent/DE102017201285B4/de active Active
- 2017-12-07 EP EP17825139.3A patent/EP3552280B1/de active Active
- 2017-12-07 WO PCT/EP2017/081836 patent/WO2018104456A1/de unknown
- 2017-12-07 CN CN201780076140.9A patent/CN110235322B/zh active Active
- 2017-12-07 US US16/467,958 patent/US10958037B2/en active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6002699A (en) * | 1998-02-27 | 1999-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor laser drive circuit |
US20020141679A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-03 | Masaharu Dol | Optical modulator |
US20040028099A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-02-12 | Fujitsu Limited | Drive circuit and drive method of semiconductor laser module provided with electro-absorption type optical modulator |
US20050232319A1 (en) * | 2004-04-05 | 2005-10-20 | Mason T G B | Laser driver circuit for externally modulated lasers |
CN201061080Y (zh) * | 2007-06-29 | 2008-05-14 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 级联式电吸收调制激光器 |
CN101702489A (zh) * | 2009-11-05 | 2010-05-05 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种电吸收调制激光器的偏置电路及其调试方法 |
JP2011044753A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-03-03 | Opnext Japan Inc | 変調器集積レーザ |
CN102593712A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-18 | 三菱电机株式会社 | 非冷却光半导体装置 |
JP5666415B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2015-02-12 | アンリツ株式会社 | 電界吸収型光変調器の駆動回路 |
JP2014041878A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光送受信システム |
CN103050887A (zh) * | 2012-12-26 | 2013-04-17 | 华为技术有限公司 | 电吸收方式调制激光器系统 |
CN103094835A (zh) * | 2013-01-14 | 2013-05-08 | 武汉电信器件有限公司 | 一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法 |
CN103888190A (zh) * | 2014-03-18 | 2014-06-25 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
CN104865714A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-08-26 | 南京邮电大学 | 一种超宽光学频率梳的产生方法 |
CN106059673A (zh) * | 2016-05-18 | 2016-10-26 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块及光线路终端设备 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
FU, E.等: "Monolithic ultra-low-power 6 Gbit/s inductorless PRBS generator for silicon HBT-based carrier-injection electro-absorption modulator", 《ELECTRONICS LETTERS》 * |
朱龙德等: "GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制", 《半导体学报》 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021196040A1 (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 华为技术有限公司 | 一种电吸收调制激光器和光模块 |
CN117374726A (zh) * | 2023-12-07 | 2024-01-09 | 合肥玉卓光电科技有限公司 | 一种高集成度、大功率的智能化半导体激光电源系统 |
CN117374726B (zh) * | 2023-12-07 | 2024-03-19 | 合肥玉卓光电科技有限公司 | 一种高集成度、大功率的智能化半导体激光电源及系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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