CN110223979B - 静电保护电路、显示面板和显示装置 - Google Patents

静电保护电路、显示面板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种静电保护电路、显示面板和显示装置，该静电保护电路包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块，静电保护模块连接在静电释放模块与信号线之间；静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管，且靠近信号线一侧的晶体管的栅极宽度小于远离信号线一侧的晶体管的栅极宽度。本发明的静电保护电路能够提高显示面板的静电保护能力，保证显示面板的正常驱动和显示过程，提高显示装置的显示效果。

Description

静电保护电路、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种静电保护电路、显示面板和显示装置。
背景技术
在目前的显示技术领域中，TFT-LCD(Thin Flim Transisitor-Liquid CrystalDisplay)薄膜晶体管液晶显示器和OLED(Organic Light Emitting Diode)有机发光二极管显示器具有不同的发光原理，是目前市场中较为主流的两种显示器。
上面两种显示器在制程中会产生高压静电，静电在显示器中积累容易造成静电击穿(Electro-Static Discharge，ESD)的现象，导致像素单元的驱动电路中信号传输受阻，影响像素单元的正常驱动及显示，降低显示器的显示效果。目前为避免显示器中形成静电积累，一般会在像素单元的驱动电路中设置ESD保护器件或者ESD保护电路，利用其对显示器中存在的静电进行释放或者消耗，避免静电电荷集中在驱动电路中，从而保证像素单元的正常驱动。
然而，目前ESD保护器件或者ESD保护电路常存在保护功能较弱，无法顺利或完全释放显示器中的静电，导致显示器的显示效果较差。
发明内容
为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本发明提供一种静电保护电路、显示面板和显示装置，能够提高显示面板和静电保护电路的静电保护能力，保证显示面板的正常驱动和显示过程，提高显示装置的显示效果。
为了实现上述目的，第一方面，本发明提供一种静电保护电路，包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块，静电保护模块连接在静电释放模块与信号线之间。
静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管，且靠近信号线一侧的晶体管的栅极宽度小于远离信号线一侧的晶体管的栅极宽度。
当信号线中的工作电压高于第一阈值或低于第二阈值时，静电保护模块中的至少两个晶体管导通，以使信号线与静电释放模块导通，静电保护电路处于静电保护状态。
本发明提供的静电保护电路，通过在静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性。
在上述的静电保护电路中，可选的是，静电保护模块中的至少两个晶体管串联。
通过将至少两个晶体管串联，利用栅极宽度较小的晶体管及时导通信号线与静电释放模块，利用栅极宽度较大的晶体管提高静电保护模块的防护力，从而维持静电保护电路工作的稳定性。
在上述的静电保护电路中，可选的是，静电释放模块包括第一静电释放线和第二静电释放线，第一静电释放线中的信号电压高于第二静电释放线中的信号电压。
这样的设置可以使得信号线中存在的不同电性的静电时，能够通过信号电压较高的第一静电释放线或信号电压较低的第二静电释放线完成静电释放。
在上述的静电保护电路中，可选的是，当静电保护模块连接在信号线和第一静电释放线，或信号线和第二静电释放线之间时，静电保护模块包括第一晶体管和第二晶体管。
第一晶体管的第一电极和栅极与信号线电连接，第一晶体管的第二电极与第二晶体管的第一电极和栅极连接，第二晶体管的第二电极与第一静电释放线或第二静电释放线电连接。
第二晶体管的栅极宽度大于第一晶体管的栅极宽度。
在上述的静电保护电路中，可选的是，当静电保护模块连接在信号线和第一静电释放线，以及信号线和第二静电释放线之间时，静电保护模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管。
第一晶体管的第一电极和栅极与信号线电连接，第一晶体管的第二电极与第二晶体管的第一电极和栅极连接，第二晶体管的第二电极与第一静电释放线连接。
第三晶体管的第一电极和栅极与第二静电释放线连接，第三晶体管的第二电极与第四晶体管的第一电极和栅极连接，第四晶体管的第二电极与信号线连接。
第二晶体管的栅极宽度大于第一晶体管的栅极宽度，第三晶体管的栅极宽度大于第四晶体管的栅极宽度。
在上述的静电保护电路中，可选的是，静电保护模块中的至少两个晶体管的类型相同。
这样的设置可以保证信号线上存在静电时，静电可以同时导通至少两个类型相同的晶体管，从而使得信号线与静电释放模块顺利导通，完成静电释放。
在上述的静电保护电路中，可选的是，信号线为栅极线、数据线、发光信号线、电源线、触控线或测试信号线中的任意一者或多者。
在上述的静电保护电路中，可选的是，第一静电释放线为高电平电源线VDD，第二静电释放线为低电平电源线VSS。
或，第一静电释放线为高电平信号线VGH，第二静电释放线为低电平信号线VGL。
第二方面，本发明提供一种显示面板，包括上述的静电保护电路。
本发明提供的显示面板，通过在静电保护电路的静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性，保证显示面板的正常驱动和显示过程。
第三方面，本发明提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明提供的显示装置，通过在显示面板的静电保护电路中，在静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性，保证显示面板的正常驱动和显示过程，提高显示装置的显示效果。
本发明的构造以及它的其他发明目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一提供的静电保护电路的结构示意图；
图2为本发明实施例一提供的静电保护电路的连接示意图；
图3为本发明实施例二提供的静电保护电路的结构示意图；
图4为本发明实施例二提供的静电保护电路的连接示意图。
附图标记说明：
10-信号线；
20-第一静电释放线；
30-第二静电释放线；
40-静电保护模块；
M1-第一晶体管；
M2-第二晶体管；
M3-第三晶体管；
M4-第四晶体管。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的优选实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以使固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的静电保护电路的结构示意图。图2为本发明实施例一提供的静电保护电路的连接示意图。
本发明的发明人在实际研究过程中发现，目前显示器的静电保护电路或者静电保护器件中，会通常设置两个或两个以上的晶体管，利用晶体管连接被静电保护的信号线以及静电释放线。不同的晶体管之间的栅极沟道(即，栅极宽度)设置为一样大小，在使用过程中，如果栅极宽度较大，导致静电无法顺利导通晶体管，信号线与静电释放线之间的连通受阻，信号线上的静电则无法通过静电释放线释放，引起显示器的静电击穿现象，影响显示器的正常显示过程。而当栅极宽度过小时，晶体管会发生漏电流现象，降低了静电保护能力，同样会影响显示器的显示过程。
基于上述的发现以及存在的技术问题，本发明实施例提供以下解决方案：参照图1和图2所示，本发明实施例提供一种静电保护电路，包括信号线10、静电释放模块以及至少一个静电保护模块40，静电保护模块40连接在静电释放模块与信号线10之间。静电保护模块40包括至少两个栅极宽度不等的晶体管，且靠近信号线10一侧的晶体管的栅极宽度小于远离信号线10一侧的晶体管的栅极宽度。
当信号线10中的工作电压高于第一阈值或低于第二阈值时，静电保护模块40中的至少两个晶体管导通，以使信号线10与静电释放模块导通，静电保护电路处于静电保护状态。
需要说明的是，本实施例提供的静电保护电路用于保护信号线10，将该信号线10通过静电保护模块40与静电释放模块连接，在使用过程中，如果信号线10上存在积累的静电，该静电可以通过静电保护模块40传输到静电释放模块上，从而利用静电释放模块将信号线10上的静电进行释放，避免信号线10上的静电积累，防止发生静电积累后的静电击穿现象，保证信号线10中信号的正常传输。
其中，该信号线10可以为栅极线、数据线、发光信号线、电源线、触控线或测试信号线中的任意一者或多者。在实际使用中，需要静电保护的信号线10可以是用户在显示器中选定的任意一条或多条，本实施例对此并不加以限制，也不局限于上述示例。
具体的，该静电保护模块40可以包括至少两个晶体管，不同晶体管之间的栅极宽度不等，即至少两个晶体管中包括了至少一个栅极宽度较大的晶体管以及至少一个栅极宽度较小的晶体管。基于不同晶体管的栅极长度设置为相同，因此栅极宽度的不同也可以通过晶体管的栅极宽长比(W/L，W表示栅极宽度，L表示栅极长度)表示。
其中，栅极宽度较小的晶体管靠近信号线10一侧设置，当信号线10上积累静电电荷量较大时，基于靠近信号线10的晶体管的栅极宽度较小，该晶体管极易在静电的作用下导通，从而与信号线10连通并将信号线10上的静电进行转移，避免信号线10中静电电荷积累量过高。
进一步地，栅极宽度较大的晶体管远离信号线10一侧，即靠近静电释放模块一侧设置。当信号线10上的静电通过靠近信号线10的晶体管转移，并且通过靠近该静电释放模块一侧的晶体管时，基于该晶体管的栅极宽长比较高，因此其中的漏电流较小，这样能够避免该静电保护电路的漏电流过高时，损坏显示器中其余电子元件的正常使用，并且降低静电保护电路的漏电流还能保护用户的使用安全。因此本实施例中利用栅极宽度不同的至少两个晶体管作为静电保护电路的静电保护模块40，可以在降低静电保护电路的漏电流的同时提高其静电保护能力。
具体的，在该静电保护电路工作时，当信号线10中的工作电压高于第一阈值或低于第二阈值时，静电保护模块40中的至少两个晶体管导通，以使静电保护电路处于静电保护状态。基于信号线10中积累的静电电荷的电性有所不同，静电积累后会导致信号线10中的工作电压增加或降低，即信号线10中积累正电荷时，信号线10中的工作电压增加，信号线10中积累负电荷时，信号线10中的工作电压降低。因此，当信号线10中的工作电压高于第一阈值时，静电保护模块40的晶体管导通，此时信号线10中积累的大量正电荷可以通过静电释放模块释放。当信号线10中的工作电压低于第二阈值时，静电保护模块40的晶体管导通，此时信号线10中积累大量的负电荷可以通过通过静电释放模块释放。通过上述两种方式中的任意一种均可以保证静电保护电路的正常工作。
该第一阈值和第二阈值的具体数值可以根据用户对于静电保护能力的需要选定，本实施例对此并不加以限制。
其中，静电保护模块40中的至少两个晶体管串联，静电保护模块40中的至少两个晶体管的类型相同。这样设置可以使得信号线10上如果存在静电积累时，该静电可以同时导通至少两个类型相同的晶体管，并且串联的设置可以保证信号线10通过已经导通的至少两个晶体管连通至静电释放模块。该晶体管的类型可以根据需要设置为P型晶体管或N型晶体管，本实施例对此并不加以限制。基于至少两个晶体管的栅极驱动信号均来自于信号线10，因此两者会接收到相同电平的驱动信号，例如，至少两个晶体管均为N型晶体管时，信号线10上的静电电压为高电平电压时，该静电可以使得至少两个晶体管可以同时导通，从而连接静电保护模块40和静电释放模块，完成静电的转移和释放。当至少两个晶体管均为P型时，导通过程与上述类似，此处不再赘述。
具体的，静电释放模块包括第一静电释放线20和第二静电释放线30，第一静电释放线20中的信号电压高于第二静电释放线30中的信号电压。需要说明的是，在静电保护电路工作时，当信号线10中积累正电荷时，可以通过将信号电压较高的第一静电释放线20与信号线10导通，利用第一静电释放线20释放正电荷的静电。当然，当信号线10中积累负电荷时，可以通过将信号电压较低的第二静电释放线30与信号线10导通，利用第二静电释放线30释放负电荷的静电。
作为一种可实现的实施方式，第一静电释放线20为高电平电源线VDD，第二静电释放线30为低电平电源线VSS。或，第一静电释放线20为高电平信号线VGH，第二静电释放线30为低电平信号线VGL。
需要说明的是，该高电平电源线VDD、低电平电源线VSS、高电平信号线VGH以及低电平信号线VGL是显示器驱动电路中较为常见的信号线，利用上述的信号线作为静电释放模块，可以减少静电保护电路中引入的信号线种类，提高上述信号线的利用率。在实际使用中，第一静电释放线20和第二静电释放线30还可以根据用户的需要设置为其他类型的信号线，本实施例对此并不加以限制。
参照图1和图2所示，本实施例的静电保护模块40包括两个晶体管，具体的连接方式可以是：静电保护模块40连接在信号线10和第一静电释放线20，或信号线10和第二静电释放线30之间，静电保护模块40包括第一晶体管M1和第二晶体管M2。
第一晶体管M1的第一电极和栅极与信号线10电连接，第一晶体管M1的第二电极与第二晶体管M2的第一电极和栅极连接，第二晶体管M2的第二电极与第一静电释放线20或第二静电释放线30电连接。第二晶体管M2的栅极宽度大于第一晶体管M1的栅极宽度。
需要说明的是，本实施例的附图中示出第二晶体管M2的第二电极与第一静电释放线20电连接，在实际使用中，第二晶体管M2的第二电极还可以与第二静电释放线30电连接，并不局限于附图所示。
在该静电保护电路工作过程中，信号线10上积累一定电荷量的静电时，静电电压大于(或小于)第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极的导通电压，第一晶体管M1和第二晶体管M2同时导通，信号线10上的静电通过第一晶体管M1的第一电极流通至第一晶体管M1的第二电极，再由第二晶体管M2的第一电极和第二电极流通至第一静电释放线20(或第二静电释放线30)，从而将信号线10与第一静电释放线20(或第二静电释放线30)导通，完成信号线10上的静电释放过程。
基于第二晶体管M2的栅极宽度大于第一晶体管M1的栅极宽度，可以利用第一晶体管M1及时转移信号线10上的静电，利用第二晶体管M2降低静电保护电路的漏电流，从而保证静电保护电路正常工作的同时提高静电保护能力。
本发明实施例一提供的静电保护电路，通过在静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性。
实施例二
图3为本发明实施例二提供的静电保护电路的结构示意图。图4为本发明实施例二提供的静电保护电路的连接示意图。参照图3和图4所示，在上述实施例一的基础上，本发明实施例二提供另一种结构的静电保护电路，实施例一与实施例二相比，两者的区别之处在于：静电保护模块40的结构有所不同。
具体的，静电保护模块40连接在信号线10和第一静电释放线20，以及信号线10和第二静电释放线30之间，静电保护模块40包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和第四晶体管M4。
第一晶体管M1的第一电极和栅极与信号线10电连接，第一晶体管M1的第二电极与第二晶体管M2的第一电极和栅极连接，第二晶体管M2的第二电极与第一静电释放线20连接。
第三晶体管M3的第一电极和栅极与第二静电释放线30连接，第三晶体管M3的第二电极与第四晶体管M4的第一电极和栅极连接，第四晶体管M4的第二电极与信号线10连接。
第二晶体管M2的栅极宽度大于第一晶体管M1的栅极宽度，第三晶体管M3的栅极宽度大于第四晶体管M4的栅极宽度。
在该静电保护电路工作过程中，信号线10上积累一定电荷量的静电时，静电电压大于(或小于)第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和第四晶体管M4的栅极的导通电压，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和第四晶体管M4同时导通。信号线10上的静电通过第一晶体管M1的第一电极流通至第一晶体管M1的第二电极，再由第二晶体管M2的第一电极和第二电极流通至第一静电释放线20，以及信号线10上的静电通过第四晶体管M4的第一电极流通至第四晶体管M4的第二电极，再由第三晶体管M3的第一电极和第二电极流通至第二静电释放线30，从而将信号线10与第二静电释放线30导通。利用第一静电释放线20和第二静电释放线30同时对信号线10中的静电进行释放，保护信号线10的正常信号传输。
基于第二晶体管M2的栅极宽度大于第一晶体管M1的栅极宽度，第三晶体管M3的栅极宽度大于第四晶体管M4的栅极宽度，可以利用第一晶体管M1和第四晶体管M4及时转移信号线10上的静电，利用第二晶体管M2和第三晶体管M3降低静电保护电路的漏电流，从而保证静电保护电路正常工作的同时提高静电保护能力。
其他技术特征与实施例一相同，并能达到相同的技术效果，在此不再一一赘述。
本发明实施例二提供的静电保护电路，通过在静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性。
实施例三
在上述实施例一和实施例二的基础上，本发明实施例三提供一种显示面板，包括上述的静电保护电路。
具体的，该显示面板可以包括多个发光的像素单元以及用于控制像素单元发光过程的驱动电路，该静电保护电路连接在该驱动电路上，静电保护电路中的信号线10即为驱动电路中需要进行静电保护的信号线。
其他技术特征与实施例一和实施例二相同，并能达到相同的技术效果，在此不再一一赘述。
本发明实施例三提供的显示面板，通过在静电保护电路的静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性，保证显示面板的正常驱动和显示过程。
实施例四
在上述实施例一至实施例三的基础上，本发明实施例四提供一种显示装置。本实施例提供的显示装置可以为包括上述显示面板的电视、数码相机、手机、平板电脑、智能手表、电子书、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。
其他技术特征与实施例一至实施例三相同，并能达到相同的技术效果，在此不再一一赘述。
本发明实施例四提供的显示装置，通过在显示面板的静电保护电路中，在静电释放模块与信号线之间设置静电保护模块，利用静电保护模块对信号线进行静电保护，以使信号线上积累的静电通过静电释放模块进行释放，避免静电积累影响信号线上的正常信号传输。通过在静电保护模块中设置至少两个栅极宽度不等的晶体管，利用栅极宽度较小且靠近信号线一侧晶体管快速导通，从而将信号线中积累的静电及时转移，利用栅极宽度较大且远离信号线一侧的晶体管减少漏电流，避免静电保护模块被静电击穿。从而在保证信号线中静电顺利释放的同时提高静电保护模块的防护力，提高静电保护电路的静电保护效果和工作稳定性，保证显示面板的正常驱动和显示过程，提高显示装置的显示效果。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非是另有精确具体地规定。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种静电保护电路，其特征在于，包括信号线、静电释放模块以及至少一个静电保护模块，所述静电保护模块连接在所述静电释放模块与所述信号线之间；
所述静电保护模块包括至少两个栅极宽度不等的晶体管，且靠近所述信号线一侧的所述晶体管的栅极宽度小于远离所述信号线一侧的所述晶体管的栅极宽度；
当所述信号线中的工作电压高于第一阈值或低于第二阈值时，所述静电保护模块中的至少两个所述晶体管导通，以使所述信号线与所述静电释放模块导通，所述静电保护电路处于静电保护状态；
所述静电保护模块中的至少两个所述晶体管串联；
所述静电释放模块包括第一静电释放线和第二静电释放线，且所述第一静电释放线中的信号电压高于所述第二静电释放线中的信号电压；
当所述静电保护模块连接在所述信号线和所述第一静电释放线，或所述信号线和所述第二静电释放线之间时，所述静电保护模块包括第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管的第一电极和栅极与所述信号线电连接，所述第一晶体管的第二电极与所述第二晶体管的第一电极和栅极连接，所述第二晶体管的第二电极与所述第一静电释放线或所述第二静电释放线电连接。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述第二晶体管的栅极宽度大于所述第一晶体管的栅极宽度。
3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，当所述静电保护模块连接在所述信号线和所述第一静电释放线，以及所述信号线和所述第二静电释放线之间时，所述静电保护模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；
所述第一晶体管的第一电极和栅极与所述信号线电连接，所述第一晶体管的第二电极与所述第二晶体管的第一电极和栅极连接，所述第二晶体管的第二电极与所述第一静电释放线连接；
所述第三晶体管的第一电极和栅极与所述第二静电释放线连接，所述第三晶体管的第二电极与所述第四晶体管的第一电极和栅极连接，所述第四晶体管的第二电极与所述信号线连接；
所述第二晶体管的栅极宽度大于所述第一晶体管的栅极宽度，所述第三晶体管的栅极宽度大于所述第四晶体管的栅极宽度。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护模块中的至少两个所述晶体管的类型相同。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的静电保护电路，其特征在于，所述信号线为栅极线、数据线、发光信号线、电源线、触控线或测试信号线中的任意一者或多者。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一静电释放线为高电平电源线VDD，所述第二静电释放线为低电平电源线VSS；
或，所述第一静电释放线为高电平信号线VGH，所述第二静电释放线为低电平信号线VGL。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的静电保护电路。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110989221B (zh) * 2019-12-20 2022-09-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和修复方法、显示装置
CN116799002B (zh) * 2023-08-03 2024-01-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0444686A1 (en) * 1990-03-02 1991-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having increased elctrostatic breakdown voltage
CN104269399A (zh) * 2014-08-12 2015-01-07 无锡市晶源微电子有限公司 一种防静电保护电路
CN108281420A (zh) * 2018-01-25 2018-07-13 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Esd器件结构
CN108987387A (zh) * 2017-06-01 2018-12-11 立积电子股份有限公司 静电放电保护装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6383325B2 (ja) * 2014-06-27 2018-08-29 株式会社東芝 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0444686A1 (en) * 1990-03-02 1991-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having increased elctrostatic breakdown voltage
CN104269399A (zh) * 2014-08-12 2015-01-07 无锡市晶源微电子有限公司 一种防静电保护电路
CN108987387A (zh) * 2017-06-01 2018-12-11 立积电子股份有限公司 静电放电保护装置
CN108281420A (zh) * 2018-01-25 2018-07-13 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Esd器件结构

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