CN110212887B - 一种射频有源移相器结构 - Google Patents

Abstract

一种射频有源移相器结构，涉及电子电路设计的技术领域，尤其涉及适用于相控阵系统中有源移相器设计的技术领域。本发明包括由正交混合网络构成的正交耦合器；由共栅极晶体管阵列构成的正交幅度控制模块；正交合成和输出匹配网络；由变压器和电容构成的级间匹配网络;由晶体管阵列构成的正交校准模块；由共源极晶体管构成的偏置模块。本发明适用于CMOS工艺，通过低耦合系数耦合器拓宽了正交信号的带宽，并通过共栅极差分晶体管对消除了晶体管开关状态不理想的影响，提高了幅度控制精度，实现了360度相位调节范围、6比特相移、宽带宽、高精度、低幅度偏差和低成本的目的。

Description

一种射频有源移相器结构

技术领域

本发明涉及电子电路设计的技术领域，尤其涉及适用于相控阵系统中有源移相器设计的技术领域。

背景技术

近年来，5G通信技术迅速发展，对信道容量和数据传输速率提出很高的要求。由于6 GHz以上的高频频段频谱资源丰富,大多数5G网络将部署在高频频段，或毫米波频段。为弥补高频传播损耗并实现灵活的信号覆盖，多天线阵列和波束赋形技术被引入，并发展为5G的关键技术之一——大规模多入多出技术（Massive MIMO）。除了通信领域的应用外，相控阵技术同样大规模应用于雷达技术领域，相比于机械扫描技术，其在波束赋形和波束扫描方面具有更高的精度和速度，且波束扫描宽度更宽、波束指向更灵活，有效提高了雷达的探测、多目标跟踪、抗干扰能力以及可靠性。

移相器是相控阵系统中最关键的模块之一，它通过控制天线阵列中每个独立天线单元接收或发射信号的相位来实现波束扫描。为了面向毫米波通信和高性能雷达应用，要求移相器具有更多的移相位数，更高的移相精度和更低的幅度偏差。有源移相器的关键结构包括正交信号发生器和幅度控制器，采用正交矢量合成方法实现移相，因此其性能受限于正交信号的精度和幅度控制的精度。在现有的CMOS工艺下，正交信号发生器主要结构有延迟线、多相滤波器、L-C谐振全通网络和耦合器。其中，延迟线损耗低，但会引入两路信号的幅度不平衡；多级级联的多相滤波器可以产生高精度的正交信号，但是会引入很大的损耗；L-C谐振全通网络和传统耦合器难以在较宽的频带实现高精度的正交信号。在现有的集成电路工艺下，幅度控制器的常见结构主要有尾电流控制的放大器和电流开关阵列。其中，尾电流控制的放大器通过改变尾电流调整晶体管的增益，然而，晶体管的寄生参数同时发生变化，导致附加相移和端口失配等问题，从而恶化合成矢量的精度；电流开关阵列通过按比例切换输出电流的大小来调整增益，然而，晶体管的开关特性不理想，尤其在毫米波频段，断开的晶体管存在明显的漏电流，也会导致幅度偏差、附加相移和端口失配等问题，限制了可实现的移相位数和精度。因此，现有的有源相控阵结构，难以满足未来5G通信和高性能雷达应用对移相位数和精度的更高要求。

射频集成电路，尤其是毫米波集成电路，一般采用高电子迁移率晶体管（high-electron mobility transistor, HEMT）单片微波集成电路（monolithic-microwave-integrated-circuit）工艺，例如氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）工艺，但它们相对昂贵；另外，它们与CMOS数字集成电路无法集成，导致采用这些工艺的移相器不能集成控制逻辑电路。在未来5G移动通信和汽车雷达等民用市场中，对小体积和低成本的要求更高。因此，面向毫米波相控阵系统应用，需要关注在集成度和成本等方面表现优异的硅器件的新型射频移相器结构。

发明内容

发明目的：针对上述现有技术的不足，本发明提供一种适用于CMOS工艺的，360度相位调节范围、6比特相移、宽带宽、高精度、低幅度偏差和低成本的射频有源移相器结构。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种射频有源移相器结构，包括由差分结构正交混合网络构成的正交耦合器、由分别控制同相和正交两路信号幅度的晶体管阵列构成的幅度控制模块、正交合成和输出匹配网络、由同相和正交两路匹配网络构成的级间匹配网络、由分别微调同相和正交两路信号幅度的晶体管阵列构成的正交校准模块、由共源极晶体管构成的偏置模块。

为将一路输入差分信号转换为两路正交的差分信号，本发明的正交耦合器包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第三电感、第四电感、第三电容、第四电容、第一电阻和第二电阻，第一电容和第二电容分别跨接在相互耦合的第一电感和第二电感的两组同名端，第三电容和第四电容分别跨接在相互耦合的第三电感和第四电感的两组同名端，第一电感和第四电感形成差分对，一端连接输入电压V_IN+和V_IN−，直通端输出同相信号V_I,IN+和V_I,IN−，所述的第二电感和第三电感形成差分对，与输入端口(V_IN+和V_IN−)同相耦合的端口输出正交信号V_Q,IN+和V_Q,IN−，另一端通过第一电阻和第二电阻接地。跨接电容增大了耦合器的电耦合，能够减小所需要的电感值，进而减小了所述的正交耦合器的面积。

进一步的，本发明的第一电感和第二电感磁耦合系数小，本发明的第三电感和第四电感磁耦合系数小,提高了正交输出信号的宽带特性。

进一步的，为实现幅度控制，本发明的第一幅度控制模块、第二幅度控制模块分别由20个共栅极晶体管阵列单元并联组成，共栅极晶体管阵列单元由第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一反相器和第二反相器组成，第一晶体管和第三晶体管的源极连接幅度控制模块输入信号的正端V_I,M+，第二晶体管和第四晶体管的源极连接幅度控制模块输入信号的负端V_I,M−，第二晶体管和第三晶体管的栅极连接第一反相器的输出端，第一晶体管和第四晶体管的栅极连接第二反相器的输出端，第一晶体管和第二晶体管的漏极连接幅度控制模块输出信号的正端V_I,OUT+，第三晶体管和第四晶体管的漏极连接幅度控制模块输出信号的负端V_I,OUT−。其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管尺寸相同。数字控制电路连接每一个阵列单元的第一反相器输入端，进而控制所述的幅度控制模块实现电流幅度的调节。晶体管连接方案，一方面通过将开、关两种状态下的晶体管输出电流做矢量合成，解决了逻辑关断的晶体管存在漏电流的问题，理论上能够完全实现宽带宽下的等步长线性幅度控制且不引入相位偏差；另一方面，能够保证在任意相位状态下，晶体管阵列中开、关状态的晶体管数量一致，总偏置电流一致，输入端和输出端看到的寄生参数一致，减小了不同相位状态下端口阻抗的变化。

其中，本发明的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管可以由N型晶体管或P型晶体管构成。

进一步的，本发明的第二幅度控制模块与第一幅度控制模块结构相同，第二幅度控制模块采用数字控制电路控制其实现电流幅度的调节。该部分数字控制逻辑与幅度控制模块数字控制逻辑不同，以达到正交幅度调节。

进一步的，本发明的正交合成和输出匹配网络包括第一传输线、第二传输线、第三传输线、第四传输线和第一变压器，第一传输线和第二传输线形成差分对，输入端连接幅度控制模块的输出信号V_I,OUT+和V_I,OUT−，第三传输线和第四传输线形成差分对，输入端连接第三部分电路的输出信号V_Q,OUT+和V_Q,OUT−，第一传输线和第三传输线的输出端连接合成信号的正端V_C,OUT+，第二传输线和第四传输线的输出端连接合成信号的负端V_C,OUT−，第一变压器输入合成信号V_C,OUT+和V_C,OUT−，输出射频有源移相器输出信号V_OUT+和V_OUT−，所述的第一变压器初级线圈中心抽头连接电源。正交合成和输出匹配网络首先通过第一、第二、第三和第四传输线实现正交合成，然后通过变压器实现输出匹配。

进一步的，本发明的第一级间匹配网络包括第二变压器、第五电容和第六电容，第二变压器输入端连接信号V_I,IN+和V_I,IN−，输出端连接信号V_I,M+和V_I,M−，第五电容和第六电容分别并联在第二变压器的输入端和输出端。第一级间匹配网络目的是实现所述的正交耦合器的同相输出端与第一幅度控制模块的宽带匹配。

进一步的，本发明的第二级间匹配网络包括第三变压器、第七电容和第八电容，第三变压器输入端连接信号V_Q,IN+和V_Q,IN−，输出端连接信号V_Q,M+和V_Q,M−，第七电容和第八电容分别并联在第三变压器的输入端和输出端。第二级间匹配网络目的是实现所述的正交耦合器的正交输出端与第二幅度控制模块的宽带匹配。

进一步的，为校准正交合成移相方案的理论偏差，本发明的第一正交校准模块、第二正交校准模块分别由7个开关管阵列单元并联组成，每个开关管阵列单元由第五晶体管、第六晶体管、第三反相器和第四反相器组成，第五晶体管和第六晶体管的源极分别连接输入信号的正负两端V_I,M+和V_I,M−，第五晶体管和第六晶体管的栅极连接第四反相器的输出端，第五晶体管和第六晶体管的漏极连接电源。其中，所述的第五晶体管和第六晶体管尺寸相同。数字控制电路连接每一个阵列单元的第三反相器输入端，进而控制所述的正交校准模块实现对同相信号通路的小幅度的电流分流，实现对同相通路的小幅度电流调节。

其中，本发明的第五晶体管和第六晶体管可以由N型晶体管或P型晶体管构成。

进一步的，本发明的第二正交校准模块与第一正交校准模块结构相同。第二正交校准模块采用数字控制电路控制其实实现对正交信号通路的小幅度的电流分流，实现对正交通路的小幅度电流调节。该部分数字控制逻辑与正交校准模块数字控制逻辑不同，以达到正交校准，修正正交合成移相方案的理论偏差。

进一步的，本发明的偏置模块包括第七晶体管、第八晶体管、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻，第七晶体管和第八晶体管的源极接地，第七晶体管和第八晶体管的栅极分别串联第五电阻和第六电阻后连接偏置电压V_B，第七晶体管和第八晶体管的漏极分别串联第三电阻和第四电阻后连接第二变压器次级线圈和第三变压器次级线圈的中心抽头。本发明偏置模块实现了对正交和同相两路通路的直流偏置。

通过本发明设计的新型移相器结构，有效提高了移相精度，减小了幅度偏差，同时拓宽了工作带宽，并具有良好的线性度。在25–35 GHz频段内，该移相器结构可以实现宽带6比特移相，移相精度优于3°，幅度偏差小于0.6dB。

附图说明

图1A是射频有源移相器电路结构示意图。

图1B是幅度控制阵列单元中包括寄生电容的共栅极晶体管的电路结构示意图。

图2A是25−35GHz频段移相器的相移图。

图2B是25−35GHz频段移相器的移相精度。

图2C是25−35GHz频段移相器的幅度偏差。

具体实施方式

为了进一步的说明本发明公开的技术方案，下面结合说明书附图和具体实施例作详细的阐述。本领域的技术人员应得知，在不违背本发明精神前提下所做出的优选和改进均落入本发明的保护范围，对于本领域的惯用技术在本具体实施例中不做详细记载和说明。

本发明的射频有源移相器涉及的应用领域包括：发射机/接收机系统、相控阵系统等。

实施例1

如图1A所示，本发明提供的射频有源移相器结构，包括正交耦合器100、第一幅度控制模块200、第二幅度控制模块300、正交合成和输出匹配网络400、第一级间匹配网络500、第二级间匹配网络600、第一正交校准模块700、第二正交校准模块800和偏置模块900。除偏置模块外，其余模块均为差分电路结构。

本发明中的正交耦合器100为差分结构，第一电感101和第二电感102形成耦合，第一电容103和第二电容104分别跨接在相互耦合的第一电感101和第二电感102的两组同名端，第三电感105和第四电感106形成耦合，第三电容107和第四电容108分别跨接在相互耦合的第三电感105和第四电感106的两组同名端，第一电感101和第四电感106形成差分对，一端连接输入电压V_IN+和V_IN−，直通端输出同相信号V_I,IN+和V_I,IN−，第二电感102和第三电感105形成差分对，与输入端口(V_IN+和V_IN−)同相耦合的端口输出正交信号V_Q,IN+和V_Q,IN−，另一端通过第一电阻109和第二电阻110接地。耦合器设计为电感磁耦合较弱，而通过同名端的跨接电容使得电耦合较强，扩展了正交输出信号的带宽。需要说明的是，为应对输入单端信号的情况，正交耦合器也可以采用单端结构，但需要在其单端输出端后使用巴伦将单端信号转为差分信号。

如图1A所示，本发明中的第一幅度控制模块200和第二幅度控制模块300为正交两路信号的幅度控制模块，分别由20个相同的共栅极晶体管阵列单元并联组成，一个阵列单元包括第一晶体管201、第二晶体管202、第三晶体管203、第四晶体管204、第一反相器205和第二反相器206。第一晶体管201、第四晶体管204互为差分对，栅极相互连接为交流地，并连接反相器206的输出端；第二晶体管202、第三晶体管203互为差分对，栅极相互连接为交流地，并连接反相器205的输出端。第一晶体管201和第二晶体管202的开关逻辑相反，漏极相互连接，合成一个导通晶体管的输出电流和另一个关断晶体管的漏电流，并连接到幅度控制模块输出信号的正端V_I,OUT+，第三晶体管203和第四晶体管204的开关逻辑相反，漏极相互连接，合成一个导通晶体管的输出电流和另一个关断晶体管的漏电流，并连接幅度控制模块输出信号的负端V_I,OUT−。

图1B为本发明采用的共栅极晶体管阵列中任意一个单元的主要电路结构和寄生参数，用以解释幅度控制的工作原理。第一晶体管201、第四晶体管204组成第一个差分对，第二晶体管202、第三晶体管203组成第二个差分对，两个差分对开关逻辑相反，总有一对工作在共栅极放大状态，输出差分电流I_ON;另一对差分对处于关断状态，但是，由于高频晶体管版图的寄生参数C_ds、C_gs、C_gd等的影响，其漏极仍然输出漏电流I_OFF。经过电流合成，阵列单元的输出端输出的差分电流为I_ON−I_OFF。同理，如果阵列单元的控制逻辑与图中所示相反，则输出差分电流−(I_ON−I_OFF)。两个控制逻辑相反的阵列单元能够合成零电流，且完全抵消了漏电流的影响。通过对20个单元的阵列进行逻辑控制，能够实现对输出电流幅度步长为2(I_ON−I_OFF)、范围从−20(I_ON−I_OFF)到20(I_ON−I_OFF)的线性控制，且不引入附加相移，满足6比特移相的要求。作为对比，传统的电流开关阵列控制逻辑建立在假设关断的晶体管输出零电流这一基础上，因此受到漏电流影响，幅度控制精度较差，且附加相移明显。另外，如图1B所示，阵列单元中的两组共栅极差分对总是一对导通、另一对断开，因此图1A所示的第一幅度控制模块200和第二幅度控制模块300的直流偏置和输入输出阻抗恒定，与控制逻辑无关。

需要说明的是，如图1A和图1B所示，幅度控制模块优选了CMOS工艺的N型晶体管，但是采用P型晶体管同样可行。本发明的幅度控制原理同样适用于其他半导体工艺，如BiCMOS（Bipolar-CMOS）工艺、SOI（Silicon-on-Insulator）工艺、III-IV族元素化合物半导体工艺（氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等）等。

如图1A所示，本发明中的正交合成和输出匹配网络400实现正交合成和输出匹配功能，由第一传输线401、第二传输线402、第三传输线403、第四传输线404和第一变压器405组成。差分第一传输线401、第二传输线402的输入端连接第一幅度控制模块200的输出信号V_I,OUT+和V_I,OUT−，差分第三传输线403、第四传输线404的输入端连接第二幅度控制模块300的输出信号V_Q,OUT+和V_Q,OUT−，两路传输线输出端相互连接，输出合成信号V_C,OUT+和V_C,OUT−。第一变压器405完成电路的输出匹配，其初级线圈中心抽头连接电源，为移相器提供电源电压V_DD。

本发明设定63个数字控制状态，分别控制第一幅度控制模块200和第二幅度控制模块300实现对两路正交信号的幅度调节，经过正交合成和输出匹配网络400合成后，实现0°到360°以5.625°为步长的相位步进和最小的幅度偏差。

如图1A所示，本发明中的第一级间匹配网络500和第二级间匹配网络600为由变压器和并联电容组成的级间匹配网络，分别将第一幅度控制模块200和第二幅度控制模块300的输入端宽带匹配到正交耦合器100的两个输出端，保证它们的输入信号V_I,M+、V_I,M−和V_Q,M+、V_Q,M−在宽带宽下的正交性。由于第一幅度控制模块200和第二幅度控制模块300的输入阻抗恒定相同，第一级间匹配网络500和第二级间匹配网络600相同。

数字控制的正交矢量合成移相器存在理论误差，例如，当同相信号和正交信号的幅度比为7/8时，合成矢量幅度偏差6.3%，相位误差1.8°。因此当精度要求极高时，需要对理论误差进行修正。如图1A所示，本发明中的第一正交校准模块700和第二正交校准模块800为正交校准模块，通过分别小幅度调节两路信号的幅度实现。以正交校准模块为例，其由7个阵列单元并联组成，阵列单元中第五晶体管701和第六晶体管702的源极分别连接输入信号的正负两端V_I,M+和V_I,M−，漏极连接电源，栅极相互连接并由数字信号控制其开关。当晶体管导通时，部分交流电流从输入端流向电源，减小了流进第一幅度控制模块200的电流；当晶体管断开时，仅有非常小的漏电流分流。相比第一幅度控制模块200，第一正交校准模块700的晶体管总尺寸很小，因此对电流幅度和相位的影响也较小。通过数字控制，第一正交校准模块700能够实现对电流的微调，减小合成矢量的理论误差。需要说明的是，尽管本设计根据需求优选了7阵列的校准模块，根据实际应用场景，只要不对主信号产生过大影响，采用不同数目的阵列单元，或者不同尺寸的晶体管同样可行。即使不使用幅度校准模块，本发明的有源移相器结构所能实现的精度仍然明显超过其他传统结构。

如图1A所示，本发明中的偏置模块900为偏置电路，由第七晶体管901、第八晶体管902、第三电阻903、第四电阻904、第五电阻905和第六电阻906组成。第七晶体管901和第八晶体管902的源极接地，栅极分别串联第五电阻905和第六电阻906后连接偏置电压V_B，漏极分别串联第三电阻903和第四电阻904后连接变压器501和601的中心抽头。偏置第三电阻903和第四电阻904的大小、第七晶体管901和第八晶体管902的尺寸和偏置电压V_B共同决定了移相器的偏置电流大小。

图2A为本发明的移相器结构在未经校准情况下的移相测试结果，中心工作频率为30 GHz,在超过33%的相对带宽下，移相器可实现360°范围的移相，相位状态无重叠。

图2B为本发明的移相器结构在未经校准情况下的移相精度测试结果，在接近33%的相对带宽下，移相精度优于3°，在23%的相对带宽下，移相精度优于2°，约为1.8°。

图2C为本发明的移相器结构在未经校准情况下的幅度偏差测试结果，在33%的相对带宽下，幅度偏差小于0.6dB，在23%的相对带宽下，幅度偏差小于0.4 dB，约为0.35dB。

Claims (4)

1.一种射频有源移相器结构，其特征在于：所述射频有源移相器结构包括由差分结构正交混合网络构成的正交耦合器（100）、由分别控制同相和正交两路信号幅度的晶体管阵列构成的第一幅度控制模块（200）、第二幅度控制模块(300)、正交合成和输出匹配网络（400）、由同相和正交两路匹配网络构成的第一级间匹配网络（500）、第二级间匹配网络（600）；由分别微调同相和正交两路信号幅度的晶体管阵列构成的第一正交校准模块（700）、第二正交校准模块（800）,由共源极晶体管构成的偏置模块(900)；

所述正交耦合器（100）包括第一电感（101）、第二电感（102）、第一电容（103）、第二电容（104）、第三电感（105）、第四电感（106）、第三电容（107）、第四电容（108）、第一电阻（109）和第二电阻（110），所述第一电容（103）和第二电容（104）分别跨接在相互耦合的第一电感（101）和第二电感（102）的两组同名端，所述第三电容（107）和第四电容（108）分别跨接在相互耦合的第三电感（105）和第四电感（106）的两组同名端，所述第一电感（101）和第四电感（106）形成差分对，一端连接输入电压V_IN+和V_IN−，直通端输出同相信号V_I,IN+和V_I,IN−，所述第二电感（102）和第三电感（105）形成差分对，与输入端口(V_IN+和V_IN−)同相耦合的端口输出正交信号V_Q,IN+和V_Q,IN−，另一端通过第一电阻（109）和第二电阻（110）接地；

所述第一幅度控制模块（200）、第二幅度控制模块(300)分别包括并联组合的20个共栅极晶体管阵列单元，每个共栅极晶体管阵列单元包括第一晶体管（201）、第二晶体管（202）、第三晶体管（203）、第四晶体管（204）、第一反相器（205）和第二反相器（206），所述第一晶体管（201）和第三晶体管（203）的源极连接幅度控制模块（200）输入信号的正端V_I,M+，所述第二晶体管（202）和第四晶体管（204）的源极连接幅度控制模块（200）输入信号的负端V_I,M−，所述第二晶体管（202）和第三晶体管（203）的栅极连接第一反相器（205）的输出端，所述第一晶体管（201）和第四晶体管（204）的栅极连接第二反相器（206）的输出端，所述第一晶体管（201）和第二晶体管（202）的漏极连接幅度控制模块（200）输出信号的正端V_I,OUT+，所述第三晶体管（203）和第四晶体管（204）的漏极连接幅度控制模块（200）输出信号的负端V_I,OUT−；

所述正交合成和输出匹配网络（400）包括第一传输线（401）、第二传输线（402）、第三传输线（403）、第四传输线（404）和第一变压器（405），所述第一传输线（401）和第二传输线（402）形成差分对，输入端连接第一幅度控制模块（200）的输出信号V_I,OUT+和V_I,OUT−，所述第三传输线（403）和第四传输线（404）形成差分对，输入端连接第二幅度控制模块（300）的输出信号V_Q,OUT+和V_Q,OUT−，所述的第一传输线（401）和第三传输线（403）的输出端连接合成信号的正端V_C,OUT+，所述第二传输线（402）和第四传输线（404）的输出端连接合成信号的负端V_C,OUT−，所述第一变压器（405）输入合成信号V_C,OUT+和V_C,OUT−，输出射频有源移相器输出信号V_OUT+和V_OUT−，所述第一变压器（405）初级线圈中心抽头连接电源；

所述第一级间匹配网络（500）包括第二变压器（501）、第五电容（502）和第六电容（503），所述第二变压器（501）输入端连接信号V_I,IN+和V_I,IN−，输出端连接信号V_I,M+和V_I,M−，所述的第五电容（502）和第六电容（503）分别并联在第二变压器（501）的输入端和输出端；

所述第二级间匹配网络（600）包括第三变压器（601）、第七电容（602）和第八电容（603），所述第三变压器（601）输入端连接信号V_Q,IN+和V_Q,IN−，输出端连接信号V_Q,M+和V_Q,M−，所述第七电容（602）和第八电容（603）分别并联在第三变压器（601）的输入端和输出端；

所述第一正交校准模块（700）、第二正交校准模块（800）分别包括并联组合的7个开关管阵列，每个开关管阵列由第五晶体管（701）、第六晶体管（702）、第三反相器（703）和第四反相器（704）组成，第五晶体管（701）和第六晶体管（702）的源极分别连接输入信号的正负两端V_I,M+和V_I,M−，第五晶体管（701）和第六晶体管（702）的栅极连接第四反相器（704）的输出端，第五晶体管（701）和第六晶体管（702）的漏极连接电源；

偏置模块（900）包括第七晶体管（901）、第八晶体管（902）、第三电阻（903）、第四电阻（904）、第五电阻（905）和第六电阻（906），所述第七晶体管（901）和第八晶体管（902）的源极接地，所述第七晶体管（901）和第八晶体管（902）的栅极分别串联第五电阻（905）和第六电阻（906）后连接偏置电压V_B，所述第七晶体管（901）和第八晶体管（902）的漏极分别串联第三电阻（903）和第四电阻（904）后连接所述的第二变压器（501）次级线圈和第三变压器（601）次级线圈的中心抽头。

2.根据权利要求1所述的射频有源移相器结构，其特征在于：上述第一电感（101）和第二电感（102）磁耦合系数小，所述第三电感（105）和第四电感（106）磁耦合系数小。

3.根据权利要求1所述的射频有源移相器结构，其特征在于：上述第一晶体管（201）、第二晶体管（202）、第三晶体管（203）和第四晶体管（204）分别由N型晶体管或P型晶体管构成。

4.根据权利要求1所述的射频有源移相器结构，其特征在于：上述第五晶体管（701）和第六晶体管（702）分别由N型晶体管或P型晶体管构成。

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