CN110211950A - 一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，该发光器件包括：红光发光单元、蓝绿光发光单元、第一电极引线和第二电极引线；红光发光单元和蓝绿光发光单元堆叠设置且相互绝缘；第一电极引线与红光发光单元连接；第二电极引线与蓝绿光发光单元电连接；其中，第一电极引线和第二电极引线相互绝缘。本发明实施例提供的发光器件可以提高显示装置的分辨率，进而可以提高显示装置的显示效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置。
背景技术
LED显示屏是一种通过控制多个半导体发光二极管芯片发光来进行显示的显示屏幕，例如可以显示色彩丰富的文字、图像和视频等各种信息。随着LED 显示屏被越来越多的应用于各种重要场合，人们对LED显示屏颜色质量提出了更高的要求。
现有技术中，全彩色显示装置的制作是将红、蓝、绿三色的LED芯片同层且并排设置于驱动基板上，进而实现显示装置的彩色化。
然而，红、蓝、绿三色的LED芯片同层且并排设置降低单位面积的分辨率，从而降低显示装置的分辨率，影响显示效果。
发明内容
本发明提供一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，可以提高显示装置的分辨率，进而提高显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种发光器件，该发光器件包括：红光发光单元、蓝绿光发光单元、第一电极引线和第二电极引线；
所述红光发光单元和所述蓝绿光发光单元堆叠设置且相互绝缘；
所述第一电极引线与所述红光发光单元连接；
所述第二电极引线与所述蓝绿光发光单元电连接；
其中，所述第一电极引线和所述第二电极引线相互绝缘。
进一步地，所述红光发光单元包括：堆叠设置的第一P型半导体层、红色发光层和第一N型半导体层；所述第一P型半导体层包括P型磷化铝镓铟层，所述第一N型半导体层包括N型磷化铝镓铟层；
所述第一电极引线包括第一阳极电极引线和第一阴极电极引线；
所述第一阳极电极引线与所述第一P型半导体层电连接，所述第一阴极电极引线与所述第一N型半导体层电连接；
所述蓝绿光发光单元包括：堆叠设置的第二N型半导体层、蓝色发光层、第二P型半导体层、绿色发光层和第三N型半导体层；
所述第二N型半导体层包括第二N型氮化镓层，所述第二P型半导体层包括第二P型氮化镓层，所述第三N型半导体层包括第三N型氮化镓层；
所述第二电极引线包括第二阳极电极引线、第二阴极电极引线和第三阴极电极引线；
所述第二阴极电极引线与所述第二N型半导体层电连接，所述第二阳极电极引线与所述第二P型半导体层电连接，所述第三阴极电极引线与所述第三N 型半导体层电连接。
进一步地，所述红色发光层包括红色发光量子阱层；所述蓝色发光层包括蓝色发光量子阱层；所述绿色发光层包括绿色发光量子阱层。
进一步地，所述发光器件还包括透明基板；所述透明基板位于所述红光发光单元和所述蓝绿光发光单元之间；所述透明基板设置至少三个过孔结构，所述三个过孔结构包括第一过孔、第二过孔和第三过孔；
所述蓝绿光发光单元包括第一透明钝化层，所述第一透明钝化层位于第三 N型半导体层远离所述绿色发光层的一侧；
所述红光发光单元包括第二透明钝化层和第三钝化层，所述第二透明钝化层位于所述第一P型半导体层远离所述红色发光层的一侧，所述第三钝化层位于所述第一N型半导体远离所述红色发光层的一侧；
所述第一透明钝化层设置有第四过孔，所述第三阴极电极引线通过所述第四过孔和所述第一过孔与所述第三N型半导体层电连接；
所述第二阴极电极引线通过所述第二过孔与所述第二N型半导体层电连接；
所述第二阳极电极引线通过所述第三过孔与所述第二P型半导体层电连接；
所述第二透明钝化层设置有至少一个第五过孔，所述第一阳极电极引线通过所述第五过孔与所述第一P型半导体层电连接；
所述第三钝化层设置有第六过孔，所述第一电极阴极引线通过所述第六过孔与所述第一N型半导体层电连接。
进一步地，所述蓝色发光层与所述第二N型半导体层之间形成第一台阶结构，所述第一台阶结构用于设置所述第二阴极电极引线；
所述绿色发光层与所述第二P型半导体层之间形成第二台阶结构，所述第二台阶结构用于设置所述第二阳极电极引线。
进一步地，所述发光器件还包括：第四透明钝化层，所述第四透明钝化层位于所述蓝绿光发光单元远离所述红光发光单元的一侧；
所述蓝绿光发光单元靠近所述发光器件的发光侧；所述红光发光单元位于所述蓝绿光发光单元远离所述发光侧的一侧。
进一步地，所述红光发光单元还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第一P型半导体层远离所述红色发光层的一侧；
由非发光侧指向发光侧的方向，所述第一N型半导体层、所述红色发光层、所述第一P型半导体层和所述透明导电层依次堆叠设置；由非发光侧指向发光侧的方向，所述第三N型半导体层、所述绿色发光层、所述第二P型半导体层、蓝色发光层和所述第二N型半导体层依次堆叠设置。
第二方面，本发明实施例还提供了一种发光器件的制备方法，该发光器件的制备方法包括：
提供一红光发光单元和一蓝绿光发光单元；其中，所述红光发光单元和所述蓝绿光发光单元堆叠设置且相互绝缘；
制备第一电极引线，所述第一电极引线与所述红光发光单元电连接；
制备第二电极引线，所述第二电极引线与所述蓝绿光发光单元电连接；
其中，所述第一电极引线和所述第二电极引线相互绝缘。
进一步地，所述红光发光单元包括：堆叠设置的第一P型半导体层、红色发光层和第一N型半导体层；
制备第一电极引线，所述第一电极引线与所述红光发光单元电连接，包括：
制备第一阳极电极引线，所述第一阳极电极引线与所述第一P型半导体层电连接；
制备第一阴极电极引线，所述第一阴极电极引线与所述第一N型半导体层电连接；
所述蓝绿光发光单元包括：堆叠设置的第二N型半导体层、蓝色发光层、第二P型半导体层、绿色发光层和第三N型半导体层；
制备第二电极引线，所述第二电极引线与所述蓝绿光发光单元电连接，包括：
制备第二阴极电极引线，所述第二阴极电极引线与所述第二N型半导体层电连接；
制备第二阳极电极引线，所述第二阳极电极引线与所述第二P型半导体层电连接；
制备第三阴极电极引线，所述第三阴极电极引线与所述第三N型半导体层电连接。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，其特征在于，包括多个第一方面所述的发光器件以及与多个所述发光器件电连接的驱动基板。
本发明实施例通过将红光发光单元和蓝绿光发光单元堆叠设置，然后通过相互绝缘的第一电极引线与红光发光单元电连接，以及第二电极引线与蓝绿光发光单元电连接，实现和蓝绿发光单元的发光，因为红光发光单元和蓝绿光发光单元堆叠设置，相比于现有技术中的红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元同层并排设置，本申请中堆叠设置的红光发光单元和蓝绿发光单元仅占据现有技术中一个发光单元的区域，增加了单位面积上发光单元的个数，从而增加了单位面积的分辨率，解决现有技术中，红、蓝、绿三色的LED芯片同层且并排设置降低单位面积的分辨率，从而降低显示装置的分辨率的问题，提高显示装置分辨率，进而提供显示装置的显示效果。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种发光器件的平面示意图；
图3是图2沿Q-Q，方向的剖面示意图；
图4是本发明实施例提供的一种发光器件的平面示意图；
图5是图4沿W-W，方向的剖面示意图；
图6是本发明实施例提供的一种发光器件的制备方法的流程图；
图7A-7M是本发明实施例提供的一种发光器件的制备方法中各步骤的结构剖面示意图；
图8是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图，如图1所示，该发光器件包括：红光发光单元20、蓝绿光发光单元10、第一电极引线30和第二电极引线40；红光发光单元20和蓝绿光发光单元10堆叠设置且相互绝缘；第一电极引线30与红光发光单元20连接；第二电极引线40与蓝绿光发光单元 10电连接；其中，第一电极引线30和第二电极引线40相互绝缘。
其中，红光发光单元20例如可以包括红光LED芯片，可以发红光。蓝绿光发光单元10例如可以包括蓝绿光LED芯片，可以发蓝绿光的混合光。这三种颜色的光按不同的比例混合可以形成可见光谱中的大部分颜色。通过第一电极引线30接收的电信号来控制红光发光单元20的发光强度，当第一电极引线10接收的电信号不同时，红光发光单元20发出光的强度不同。通过第二电极引线 40接收的电信号来控制蓝绿光发光单元10的发光强度，当第二电极引线40接收的电信号不同时，蓝绿光发光单元10发出光的强度不同。第一电极引线30和第二电极引线40之间例如可以设置绝缘层50实现第一电极引线30和第二电极引线40的相互绝缘，防止第一电极引线30和第二电极引线40之间的信号干扰。
示例性的，参见图1，红光发光单元20和蓝绿光发光单元10堆叠设置，红光发光单元20和蓝绿光发光单元10形成台阶结构，在此台阶结构上设置第一电极引线30，实现第一电极引线30与红光发光单元20的电连接。在蓝绿光发光单元10上设置第二电极引线40，实现第二电极引线40与蓝绿光发光单元 10的电连接。例如，第一电极引线30和第二电极引线40与驱动基板200电连接，驱动基板200通过第一电极引线30和第二电极引线40分别驱动红光发光单元20和蓝绿光发光单元10发光，红光发光单元20和蓝绿光发光单元10分别发出的光混合后得到相应颜色的光。
需要说明的是，本实施例不对红光发光单元20和蓝绿光发光单元10的形状进行具体限定，也不对第一电极引线30和第二电极引线40具体的位置进行限定，只要满足红光发光单元20和蓝绿光发光单元10堆叠设置，第一电极引线30与红光发光单元20连接，第二电极引线40与蓝绿光发光单元10电连接即可。
本发明实施例通过将红光发光单元和蓝绿光发光单元堆叠设置，然后通过相互绝缘的第一电极引线和第二电极引线分别与红光发光单元和蓝绿光发光单元连接实现红光发光单元和蓝绿发光单元的发光，因为红光发光单元和蓝绿光发光单元堆叠设置，相比于现有技术中的红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元同层并排设置，本申请中堆叠设置的红光发光单元和蓝绿发光单元仅占据现有技术中一个发光单元的区域，增加了单位面积上发光单元的个数，从而增加了单位面积的分辨率，解决现有技术中，红、蓝、绿三色的LED芯片同层且并排设置降低单位面积的分辨率，从而降低显示装置的分辨率的问题，提高显示装置的显示效果和分辨率。
在上述技术方案的基础上，可选的，图2是本发明实施例提供的一种发光器件的平面示意图，如3是图2沿Q-Q，方向的剖面示意图，如图2和图3所示，红光发光单元20包括：堆叠设置的第一P型半导体层24、红色发光层23和第一N型半导体层22；第一P型半导体层24包括P型磷化铝镓铟层，第一N型半导体层22包括N型磷化铝镓铟层；第一电极引线30包括第一阳极电极引线 31和第一阴极电极引线32；第一阳极电极引线31与第一P型半导体层24电连接，第一阴极电极引线32与第一N型半导体层22电连接；蓝绿光发光单元10 包括：堆叠设置的第二N型半导体层12、蓝色发光层13、第二P型半导体层 14、绿色发光层15和第三N型半导体层16；第二N型半导体层12包括第二N 型氮化镓层，第二P型半导体层14包括第二P型氮化镓层，第三N型半导体层 16包括第三N型氮化镓层；第二电极引线40包括第二阳极电极引线42、第二阴极电极引线41和第三阴极电极引线43；第二阴极电极引线41与第二N型半导体层12电连接，第二阳极电极引线42与第二P型半导体层14电连接，第三阴极电极引线43与第三N型半导体层16电连接。
示例性的，第一P型半导体层24、红色发光层23和第一N型半导体层22 堆叠设置，通过第一阳极电极引线31与第一P型半导体层24电连接，第一阴极电极引线32与第一N型半导体层22电连接，使红色发光单元20发红光。第二N型半导体层12、蓝色发光层13、第二P型半导体层14、绿色发光层15和第三N型半导体层16堆叠设置，通过第二阴极电极引线41与第二N型半导体层12电连接，第二阳极电极引线42与第二P型半导体层14电连接，第三阴极电极引线43与第三N型半导体层16电连接，使蓝绿光发光单元10发蓝绿光。例如，第一阳极电极引线31、第一阴极电极引线32、第二阴极电极引线41、第二阳极电极引线42和第三阴极电极引线43与驱动基板200电连接，驱动基板200通过第一阳极电极引线31、第一阴极电极引线32、第二阴极电极引线 41、第二阳极电极引线42和第三阴极电极引线43分别驱动红光发光单元20和蓝绿光发光单元10发光，红光发光单元20和蓝绿光发光单元10分别发出的光混合后得到相应颜色的光。
需要说明的是，本发明中的第一P型半导体层24、第一N型半导体层22、第二N型半导体层12、第二P型半导体层14和第三N型半导体层16的材料并不限于上述示例，只要可以实现红光发光单元20发红光，蓝绿光发光单元10 发蓝绿光即可。
本技术方案，因为第一P型半导体层、红色发光层和第一N型半导体层堆叠设置，第二N型半导体层、蓝色发光层、第二P型半导体层、绿色发光层和第三N型半导体层堆叠设置，相比于现有技术中的红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元同层并排设置，本申请中堆叠设置的红光发光单元和蓝绿发光单元仅占据现有技术中一个发光单元的区域，增加了单位面积上发光单元的个数，从而增加了单位面积的分辨率，提高显示装置的显示效果和分辨率。
在上述方案的基础上，可选的，图4是本发明实施例提供的一种发光器件的平面示意图，如5是图4沿W-W，方向的剖面示意图，如图2、图3、图4和图5所示，发光器件还包括透明基板60；透明基板60位于红光发光单元20和蓝绿光发光单元10之间；透明基板60设置至少三个过孔结构，该三个过孔结构包括第一过孔A1、第二过孔A2和第三过孔A3；蓝绿光发光单元10包括第一透明钝化层17，第一透明钝化层17位于第三N型半导体层16远离绿色发光层15的一侧；红光发光单元20包括第二透明钝化层25和第三钝化层26，第二透明钝化层25位于第一P型半导体层24远离红色发光层23的一侧，第三钝化层 26位于第一N型半导体22远离红色发光层23的一侧；第一透明钝化层17设置有第四过孔A4，第三阴极电极引线43通过第四过孔A4和第一过孔A1与第三N型半导体层16电连接；第二阴极电极引线41通过第二过孔A2与第二N型半导体层12电连接；第二阳极电极引线42通过第三过孔A3与第二P型半导体层14电连接；第二透明钝化层25设置有至少一个第五过孔A5，第一阳极电极引线31通过第五过孔A5与第一P型半导体层24电连接；第三钝化层26设置有第六过孔A6，第一电极阴极引线32通过第六过孔A6与第一N型半导体层22 电连接。
其中，透明基板60用于支撑整个发光器件，具体的，在透明基板60的一侧表面上设置红光发光单元20，在透明基板60的另一侧表面设置蓝绿光发光单元10。透明基板60设置过孔结构，过孔结构内填充导电材料，以使电极引线通过过孔结构例如与驱动基板200连接。可选的，发光器件还包括多个焊球 90，通过焊球90实现各个电极引线和导电材料的键合。在位于第三N型半导体层16远离绿色发光层15的一侧设置第一透明钝化层17，保护第三阴极电极引线43，防止其他信号对第三阴极电极引线43的干扰。在位于第一P型半导体层24远离红色发光层23的一侧设置第二透明钝化层25，保护第一阳极电极引线31，防止其他信号对第一阳极电极引线31的干扰。在位于第一N型半导体 22远离红色发光层23的一侧设置第三钝化层26，保护第一阴极电极引线32，防止其他信号对第一阴极电极引线32的干扰。在红光发光单元20和蓝绿光发光单元10的四周设置绝缘层50，以防止其他信号对红光发光单元20和蓝绿光发光单元10的干扰。
示例性的，在透明基板60设置第一过孔A1、第二过孔A2和第三过孔A3 和两个第七过孔A7。优选的，第二透明钝化层25设置有两个第五过孔A5，两个第五过孔A5内分别设置第一阳极电极引线31。通过对红光发光单元20四周的绝缘层50刻蚀，形成通孔结构C1，在通孔结构C1内填充导电材料，使第一阳极电极引线31通过焊球90与通孔结构C1中的导电结构连接，从而实现与驱动基板200的连接。第一电极阴极引线32通过第六过孔A6与第一N型半导体层22电连接。第三阴极电极引线43通过第四过孔A4和第一过孔A1与第三N 型半导体层16电连接，第二阴极电极引线41通过第二过孔A2与第二N型半导体层12电连接，第二阳极电极引线42通过第三过孔A3与第二P型半导体层 14电连接。驱动基板200通过通孔结构C1以及第四透明钝化层设置过孔结构内的内填充的导电材料以及焊球90实现与第一阳极电极引线31、第一阴极电极引线32、第二阴极电极引线41、第二阳极电极引线42和第三阴极电极引线 43的电连接，然后分别驱动红光发光单元20和蓝绿光发光单元10发光，红光发光单元20和蓝绿光发光单元10分别发出的光混合后得到相应颜色的光。
在上述方案的基础上，可选的，继续参见图3,蓝色发光层13与第二N型半导体层12之间形成第一台阶结构B1，第一台阶结构B1用于设置第二阴极电极引线41；绿色发光层15与第二P型半导体层14之间形成第二台阶结构B2，第二台阶结构B2用于设置第二阳极电极引线42。
需要说明的是，本实施例不对蓝色发光层13、第二N型半导体层12、绿色发光层15和第二P型半导体层14的形状进行具体限定，也不对第二阴极电极引线41和第二阳极电极引线42具体的位置进行限定，只要满足蓝色发光层13、第二N型半导体层12、绿色发光层15和第二P型半导体层14堆叠设置，第二阴极电极引线41与第二N型半导体层12电连接，第二阳极电极引线42与第二 P型半导体层14电连接即可。
在上述方案的基础上，可选的，继续参见图3和图5，发光器件还包括：第四透明钝化层80，第四透明钝化层80位于蓝绿光发光单元10远离红光发光单元20的一侧；蓝绿光发光单元10靠近发光器件的发光侧；红光发光单元20 位于蓝绿光发光单元10远离发光侧的一侧。
其中，红光发光单元20发出的光与蓝绿光发光单元10发出的光混合后得到的光束通过第四透明钝化层80的区域BB发出。红光发光层会吸收蓝绿光谱，所以当蓝绿光发光单元10靠近发光器件的发光侧，红光发光单元20位于蓝绿光发光单元10远离发光侧的一侧设置时，可以提高发光器件的发光强度，从而提高显示效果。
在上述方案的基础上，可选的，红光发光单元20还包括透明导电层27，透明导电层27位于第一P型半导体层24远离红色发光层23的一侧；由非发光侧指向发光侧的方向，第一N型半导体层22、红色发光层23、第一P型半导体层24和透明导电层27依次堆叠设置；由非发光侧指向发光侧的方向，第三N 型半导体层16、绿色发光层15、第二P型半导体层14、蓝色发光层13和第二 N型半导体层12依次堆叠设置。
其中，透明导电层27例如可以包括氧化铟锡、氟化镁等，需要说明的是，本实施例不对透明导电层27的材料进行具体限定，只要满足透明且具有良好的导电性能即可。透明导电层27可以提高第一阳极电极引线31与第一P型半导体层24导电性。本技术方案，因为红光发光层会吸收蓝光和绿光光谱，绿光发光层会吸收蓝色光谱，所以由非发光侧指向发光侧的方向，红色发光层23、绿色发光层15和蓝色发光层13堆叠设置时，可以提高发光器件的发光强度，从而提高显示效果。
可选的，红色发光层23包括红色发光量子阱层；蓝色发光层13包括蓝色发光量子阱层；绿色发光层15包括绿色发光量子阱层。
本发明实施例还提供了一种发光器件的制备方法，图6是本发明实施例提供的一种发光器件的制备方法，如图6所示，该发光器件的制备方法包括：
S110、提供一红光发光单元和一蓝绿光发光单元；其中，红光发光单元和蓝绿光发光单元堆叠设置且相互绝缘。
S120、制备第一电极引线，第一电极引线与红光发光单元电连接。
S130、制备第二电极引线，第二电极引线与蓝绿光发光单元电连接；其中，第一电极引线和第二电极引线相互绝缘。
示例性的，提供一红光外延片，对红光外延片进行刻蚀，以露出红光外延片的半导体层，在半导体层上制备第一电极引线，实现第一电极引线与红光外延片的半导体层电连接。提供一蓝绿光外延片，对蓝绿光外延片进行刻蚀，以露出蓝绿光外延片的半导体层，在半导体层上制备第二电极引线，实现第二电极引线与蓝绿光外延片的半导体层电连接。剥离红光外延片的衬底，以形成红光发光单元。剥离蓝绿光外延片的衬底，以形成蓝绿光发光单元。其中，红光发光单元和蓝绿光发光单元堆叠设置且相互绝缘。
本发明实施例通过将红光发光单元和蓝绿光发光单元堆叠设置，然后通过相互绝缘的第一电极引线和第二电极引线分别与红光发光单元和蓝绿光发光单元连接实现红光发光单元和蓝绿发光单元的发光，因为红光发光单元和蓝绿光发光单元堆叠设置，相比于现有技术中的红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元同层并排设置，本申请中堆叠设置的红光发光单元和蓝绿发光单元仅占据现有技术中一个发光单元的区域，增加了单位面积上发光单元的个数，从而增加了单位面积的分辨率，解决现有技术中，红、蓝、绿三色的LED芯片同层且并排设置降低单位面积的分辨率，从而降低显示装置的分辨率的问题，提高显示装置的显示效果和分辨率。
在上述方案的基础上，可选的，红光发光单元包括：堆叠设置的第一P型半导体层、红色发光层和第一N型半导体层；
制备第一电极引线，第一电极引线与红光发光单元电连接，包括：
制备第一阳极电极引线，第一阳极电极引线与第一P型半导体层电连接；
制备第一阴极电极引线，第一阴极电极引线与第一N型半导体层电连接；
所述蓝绿光发光单元包括：堆叠设置的第二N型半导体层、蓝色发光层、第二P型半导体层、绿色发光层和第三N型半导体层；
制备第二电极引线，第二电极引线与蓝绿光发光单元电连接，包括：
制备第二阴极电极引线，第二阴极电极引线与第二N型半导体层电连接；
制备第二阳极电极引线，第二阳极电极引线与第二P型半导体层电连接；
制备第三阴极电极引线，第三阴极电极引线与第三N型半导体层电连接。
示例性的，对红光外延片进行刻蚀，以露出红光外延片的第一P型半导体层，在第一P型半导体层上制备第一阳极电极引线，实现第一阳极电极引线与第一P型半导体层的电连接。剥离红光外延片的衬底后，露出第一N型半导体层，在第一N型半导体层上制备第一阴极电极引线。对蓝绿光外延片进行刻蚀，以露出蓝绿光外延片的第三N型半导体层，继续对蓝绿光外延片进行刻蚀以露出蓝绿光外延片的第二P型半导体层，继续对蓝绿光外延片进行刻蚀以露出蓝绿光外延片的第二N型半导体层。在第三N型半导体层上制备第三阴极电极引线，实现第三阴极电极引线与第三N型半导体层的电连接；在第二P型半导体层上制备第二阳极电极引线，实现第二阳极电极引线与第二P型半导体层的电连接；在第二N型半导体层上制备第二阴极电极引线，实现第二阴极电极引线与第二N型半导体层的电连接。
以便理解，以下内容示例性的展示了发光器件的整个制备过程。
参考图7A，提供一蓝绿光外延片，蓝绿光外延片包括：堆叠设置的衬底 11，例如可以为蓝宝石；第二N型半导体层12，例如可以为蓝光N型氮化镓层；蓝色发光层13，例如可以为蓝色发光量子阱层；第二P型半导体层14，例如可以为P型氮化镓层；绿色发光层15，例如可以为绿色发光量子阱层；第三N型半导体层16，例如可以为绿光N型氮化镓层，其中，绿光N型氮化镓层和蓝光 N型氮化镓层的掺杂浓度不同。参考图7B，对蓝绿光外延片进行刻蚀。具体的，先对第三N型半导体层16和绿色发光层15的一个边缘进行刻蚀，以露出第二 P型半导体层14，然后再对第三N型半导体层16、绿色发光层15、第二P型半导体层14以及蓝色发光层13的相对的一个边缘进行刻蚀，以露出第二N型半导体层12。参考图7C，对刻蚀完的蓝绿光外延片进行电极的制备、绝缘层和钝化层的制备，以形成第二阳极电极引线42、第二阴极电极引线41和第三阴极电极引线43、绝缘层50和第一钝化层17，然后形成蓝绿光芯片。参考图7E，提供一红光外延片，红光外延片包括：堆叠设置的衬底21，例如可以为砷化镓衬底；第一N型半导体层22，例如可以为N型磷化铝镓铟层；红色发光层23，例如可以为红色发光量子阱层；第一P型半导体层24，例如可以为P型磷化铝镓铟层。参考图7F，在红光外延片上制备透明导电层27，在透明导电层27远离红光外延片的一侧制备第二透明钝化层25，对第二透明钝化层25进行刻蚀，以露出透明导电层27，然后制备第一阳极电极引线31，以实现第一阳极电极引线31与第一P型半导体层24电连接，然后形成红光芯片。参考图7G，提供一透明的基板，即透明基板60。参考图7H，对透明基板60进行刻蚀，以形成第一过孔A1、第二过孔A2和第三过孔A3，以及两个第七过孔A7。参考图7I，在第一过孔A1、第二过孔A2和第三过孔A3，以及两个第七过孔A7中填充导电材料。参考图7J，在透明基板60表面布线。参考图7K，蓝绿光芯片、透明基板 60和红光芯片进行堆叠通过焊球进行键合。参考图7L，剥离衬底21，然后制备第三钝化层26以及绝缘层50，以实现平坦化和绝缘处理。参考图7M，对绝缘层50和第三钝化层26进行刻蚀，形成通孔结构C1和第六过孔A6，在通孔结构C1和第六过孔A6填充导电材料，然后制备焊盘引线300，与驱动基板200 键合后，激光剥离衬底11，再从蓝绿光发光单元10远离红光发光单元20的一侧贴合第四透明钝化层80，从而形成图3所示的发光器件的剖面示意图。
本发明实施例还提供了一种显示装置，图8是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图8所示,显示装置包括上述实施例中的多个发光器件100以及与多个发光器件100电连接的驱动基板200。因此本发明实施例提供的显示装置也具备上述实施例所描述的有益效果，此处不再赘述。
其中，多个发光器件100通过焊盘300和焊球90与驱动基板200电连接。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种发光器件，其特征在于，包括：红光发光单元、蓝绿光发光单元、第一电极引线和第二电极引线；
所述红光发光单元和所述蓝绿光发光单元堆叠设置且相互绝缘；
所述第一电极引线与所述红光发光单元连接；
所述第二电极引线与所述蓝绿光发光单元电连接；
其中，所述第一电极引线和所述第二电极引线相互绝缘。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述红光发光单元包括：堆叠设置的第一P型半导体层、红色发光层和第一N型半导体层；所述第一P型半导体层包括P型磷化铝镓铟层，所述第一N型半导体层包括N型磷化铝镓铟层；
所述第一电极引线包括第一阳极电极引线和第一阴极电极引线；
所述第一阳极电极引线与所述第一P型半导体层电连接，所述第一阴极电极引线与所述第一N型半导体层电连接；
所述蓝绿光发光单元包括：堆叠设置的第二N型半导体层、蓝色发光层、第二P型半导体层、绿色发光层和第三N型半导体层；
所述第二N型半导体层包括第二N型氮化镓层，所述第二P型半导体层包括第二P型氮化镓层，所述第三N型半导体层包括第三N型氮化镓层；
所述第二电极引线包括第二阳极电极引线、第二阴极电极引线和第三阴极电极引线；
所述第二阴极电极引线与所述第二N型半导体层电连接，所述第二阳极电极引线与所述第二P型半导体层电连接，所述第三阴极电极引线与所述第三N型半导体层电连接。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述红色发光层包括红色发光量子阱层；所述蓝色发光层包括蓝色发光量子阱层；所述绿色发光层包括绿色发光量子阱层。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括透明基板；所述透明基板位于所述红光发光单元和所述蓝绿光发光单元之间；所述透明基板设置至少三个过孔结构，所述三个过孔结构包括第一过孔、第二过孔和第三过孔；
所述蓝绿光发光单元包括第一透明钝化层，所述第一透明钝化层位于第三N型半导体层远离所述绿色发光层的一侧；
所述红光发光单元包括第二透明钝化层和第三钝化层，所述第二透明钝化层位于所述第一P型半导体层远离所述红色发光层的一侧，所述第三钝化层位于所述第一N型半导体远离所述红色发光层的一侧；
所述第一透明钝化层设置有第四过孔，所述第三阴极电极引线通过所述第四过孔和所述第一过孔与所述第三N型半导体层电连接；
所述第二阴极电极引线通过所述第二过孔与所述第二N型半导体层电连接；
所述第二阳极电极引线通过所述第三过孔与所述第二P型半导体层电连接；
所述第二透明钝化层设置有至少一个第五过孔，所述第一阳极电极引线通过所述第五过孔与所述第一P型半导体层电连接；
所述第三钝化层设置有第六过孔，所述第一电极阴极引线通过所述第六过孔与所述第一N型半导体层电连接。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述蓝色发光层与所述第二N型半导体层之间形成第一台阶结构，所述第一台阶结构用于设置所述第二阴极电极引线；
所述绿色发光层与所述第二P型半导体层之间形成第二台阶结构，所述第二台阶结构用于设置所述第二阳极电极引线。
6.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括：第四透明钝化层，所述第四透明钝化层位于所述蓝绿光发光单元远离所述红光发光单元的一侧；
所述蓝绿光发光单元靠近所述发光器件的发光侧；所述红光发光单元位于所述蓝绿光发光单元远离所述发光侧的一侧。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述红光发光单元还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第一P型半导体层远离所述红色发光层的一侧；
由非发光侧指向发光侧的方向，所述第一N型半导体层、所述红色发光层、所述第一P型半导体层和所述透明导电层依次堆叠设置；由非发光侧指向发光侧的方向，所述第三N型半导体层、所述绿色发光层、所述第二P型半导体层、蓝色发光层和所述第二N型半导体层依次堆叠设置。
8.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一红光发光单元和一蓝绿光发光单元；其中，所述红光发光单元和所述蓝绿光发光单元堆叠设置且相互绝缘；
制备第一电极引线，所述第一电极引线与所述红光发光单元电连接；
制备第二电极引线，所述第二电极引线与所述蓝绿光发光单元电连接；
其中，所述第一电极引线和所述第二电极引线相互绝缘。
9.根据权利要求8所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述红光发光单元包括：堆叠设置的第一P型半导体层、红色发光层和第一N型半导体层；
制备第一电极引线，所述第一电极引线与所述红光发光单元电连接，包括：
制备第一阳极电极引线，所述第一阳极电极引线与所述第一P型半导体层电连接；
制备第一阴极电极引线，所述第一阴极电极引线与所述第一N型半导体层电连接；
所述蓝绿光发光单元包括：堆叠设置的第二N型半导体层、蓝色发光层、第二P型半导体层、绿色发光层和第三N型半导体层；
制备第二电极引线，所述第二电极引线与所述蓝绿光发光单元电连接，包括：
制备第二阴极电极引线，所述第二阴极电极引线与所述第二N型半导体层电连接；
制备第二阳极电极引线，所述第二阳极电极引线与所述第二P型半导体层电连接；
制备第三阴极电极引线，所述第三阴极电极引线与所述第三N型半导体层电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括多个权利要求1-7任一项所述的发光器件以及与多个所述发光器件电连接的驱动基板。
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