CN117080335A - 微型发光二极管及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种微型发光二极管及显示面板，其中，所述微型发光二极管包括：P型半导体层；设置于所述P型半导体相对两侧的第一发光层和第二发光层；设置于所述第一发光层远离所述P型半导体层一侧的第一N型半导体层以及设置于所述第二发光层远离所述P型半导体层一侧的第二N型半导体层；与所述P型半导体层电连接的P电极；以及与所述第一N型半导体层连接的第一N电极和与所述第二N型半导体层连接的第二N电极。通过上述结构，提高了转移良率。

Description

微型发光二极管及显示面板
技术领域
本发明涉及显示领域，特别是涉及微型发光二极管及显示面板。
背景技术
微型发光二极管（Micro Light Emitting Diode，Micro-LED）具有高亮度、高对比、高色域、高解析度、反应时间快、节能、低功耗等优点，被认为是显示革命技术的新方向。
目前制约Micro-LED发展的主要是巨量转移难度。常用的巨量转移技术有精准拾取-释放转移技术、自组装技术、滚轴转印技术和激光剥离技术。其中的自组装技术可以大大提高转移效率，但是目前转移良率也很低。
图1为形状互补的流体自组装技术，Micro-LED在重力和流体推动作用下，自动形状识别、将梯形芯片沉积到目标基板与之匹配的梯形孔中完成组装。该方式存在的缺点是，Micro-LED可能不会完全恰好卡入到相应的梯形沟槽中，大大降低转移的良率。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种微型发光二极管及显示面板，能大大提高转移良率。
为解决上述问题，本申请第一方面提供了一种微型发光二极管，所述微型发光二极管包括：P型半导体层；设置于所述P型半导体相对两侧的第一发光层和第二发光层；设置于所述第一发光层远离所述P型半导体层一侧的第一N型半导体层以及设置于所述第二发光层远离所述P型半导体层一侧的第二N型半导体层；与所述P型半导体层电连接的P电极；以及与所述第一N型半导体层连接的第一N电极和与所述第二N型半导体层连接的第二N电极；其中，所述P型半导体层、所述第一发光层、所述第一N型半导体层、所述P电极和所述第一N电极形成第一发光结构；所述P型半导体层、所述第二发光层、所述第二N型半导体层、所述P电极和所述第二N电极形成第二发光结构。
其中，所述微型发光二极管为柱体结构，包括底面和顶面以及位于所述底面和所述顶面之间的柱体侧壁面；其中，所述底面和所述顶面在所述微型发光二极管的垂直投影面上重合。
其中，所述P电极包括第一P电极和第二P电极，所述第一P电极与所述第一N电极同侧且同一平面设置，所述第二P电极与所述第二N电极同侧且同一平面设置。
其中，所述第一P电极与所述P型半导体层通过与所述第一发光层和所述第一N型半导体层间隔设置的第一金属层连接，所述第二P电极与所述P型半导体层通过与所述第二发光层和所述第二N型半导体层间隔设置的第二金属层连接。
其中，所述第一金属层与所述第一发光层和所述第一N型半导体层通过绝缘层间隔，所述第二金属层与所述第二发光层和所述第二N型半导体层通过所述绝缘层间隔。
其中，所述第一金属层的厚度与所述第一发光层和所述第一N型半导体层厚度之和相同；所述第二金属层的厚度与所述第二发光层和所述第二N型半导体层厚度之和相同。
其中，所述第一N电极和所述第二N电极靠近所述微型发光二极管的垂直投影面上的柱芯位置设置，所述第一P电极在所述垂直投影面上环绕所述第一N电极设置，所述第二P电极在所述垂直投影面上环绕所述第二N电极设置。
其中，所述P电极设置于所述微型发光二极管的柱体侧壁上的所述P型半导体层表面。
其中，所述微型发光二极管的柱体侧壁上的所述第一发光层、第一N型半导体、第二发光层以及第二N型半导体层的表面设置有绝缘层，所述P电极设置于所述微型发光二极管的整个柱体侧壁面上。
其中，所述第一N电极设置于所述微型发光二极管的柱体侧壁上的所述第一N型半导体层的表面；所述第二N电极设置于所述微型发光二极管的柱体侧壁上的所述第二N型半导体层的表面。
本申请第二方面提供了一种显示面板，其中，所述显示面板包括第一方面中任一实施例所述的微型发光二极管以及基板，所述基板上形成有凹槽，所述凹槽内设置有与所述P电极相对应的第一磁性电极，以及与所述第一N电极和/或所述第二N电极相对应的第二磁性电极。
本申请的有益效果是：通过在微型发光二极管上形成对称的两个发光结构以及凸出于发光结构表面的P电极和N电极，增加了任一组发光结构上的P电极或N电极与基板上的磁性电极的接触概率，同时增加P电极和N电极与基板上的磁性电极的接触面积，相比于单电极定位的批量转移方法，本申请中的微型发光二极管提高了将微型发光二极管转移至基板上的批量转移率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中形状互补的流体自组装技术；
图2为本申请微型发光二极管一实施例的结构示意图；
图3为本申请微型发光二极管第一实施例的结构示意图；
图4为本申请微型发光二极管第二实施例的俯视结构示意图；
图5为本申请微型发光二极管第三实施例的俯视结构示意图；
图6为现有技术中常见微型发光二极管的结构示意图；
图7为本申请显示面板第一实施例的结构示意图；
图8为本申请微型发光二极管第四实施例的结构示意图；
图9为本申请微型发光二极管第五实施例的结构示意图；
图10为本申请显示面板第二实施例的结构示意图；
图11为本申请微型发光二极管第六实施例的结构示意图；
图12为本申请显示面板第三实施例的结构示意图。
11P型半导体层；12发光层；13N型半导体层；121第一发光层；122第二发光层；131第一N型半导体层；132第二N型半导体层；14P电极；141第一P电极；142第二P电极；151第一N电极；152第二N电极；161第一金属层；162第二金属层；17绝缘层；102顶面；101底面；103柱体侧壁面；20基板；21第一磁性电极；22第二磁性电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种，但是不排除包含至少一种的情况。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
应当理解，本文中使用的术语“包括”、“包含”或者其他任何变化意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
需要说明，若本申请实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的每一个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本申请提供一种微型发光二极管，具体请参阅图2，图2为本申请微型发光二极管一实施例的结构示意图。如图2所示，微型发光二极管包括：P型半导体层11，第一发光层121和第二发光层122，第一N型半导体层131和第二N型半导体层132以及P电极和N电极。
其中，第一发光层121和第二发光层122分别设置于P型半导体层11的两侧表面。
第一N型半导体层131和第二N型半导体层132设置于发光层（包括第一发光层和第二发光层）远离P型半导体层11的一侧表面。
P电极14凸出于微型发光二极管表面且与P型半导体层11连接，N电极凸出于微型发光二极管表面且与N型半导体层连接。N电极包括第一N电极151和第二N电极152，第一N电极151与第一N型半导体层131连接，第二N电极152与第二N型半导体层132连接。
其中，P型半导体层11、第一发光层121、第一N型半导体层131以及P电极14和第一N电极151形成第一发光结构。P型半导体层11、第二发光层122、第二N型半导体层132以及P电极14和第二N电极152形成第二发光结构。第一发光结构和第二发光结构至少共用一层P型半导体层11，在具体实施例中还可共用一个P电极14。该发光结构可以为二极管，也可以为MOS管，该发光层可以包括空穴注入层、空穴传输层及有机发光层等，在此不作限定。
本实施例中，通过在微型发光二极管结构上形成对称的两个发光结构，且，P电极和N电极均凸出于发光结构表面，也就是凸出于微型发光二极管的表面，从而增加了任一组发光结构上的P电极或N电极与基板上的磁性电极的接触概率，同时增加P电极和N电极与基板上的磁性电极的接触面积，相比于单电极定位的批量转移方法，本实施例中的微型发光二极管提高了将微型发光二极管转移至基板上的批量转移率。
需要说明的是，在一具体实施例中，P型半导体层11为P-GaN材料，N型半导体层13（包括第一N型半导体层131和第二N型半导体层132）为N-GaN材料，P电极为P型电极，N电极为N型电极。在另一具体实施例中，P型半导体层11和N型半导体层13的材料可以互换，P型半导体层11也可以为N-GaN材料，N型半导体层13为P-GaN材料，此时，P电极为N型电极，N电极为P型电极，在此不作限定。其中，发光结构可以是NMOS管，也可以是PMOS管，具体与P型半导体层11和N型半导体层13的设置顺序相关，在此不作限定。
在本实施例中，形成的微型发光二极管为柱体状结构，包括底面101和顶面102以及位于底面101和顶面102之间的柱体侧壁面103。其中，底面101和顶面102在微型发光二极管的垂直投影面上重合。具体地，当P型半导体层11在垂直投影面上为圆形时，形成的微型发光二极管为圆柱体；当P型半导体层11在垂直投影面上为多边形（四边形、五边形等）时，形成的微型发光二极管为多边形柱体。因此，在此不对微型发光二极管的柱体形状进行限定。
下面以圆柱体型微型发光二极管进行具体说明。
在一具体实施例中，P电极包括第一P电极和第二P电极。具体请进一步参阅图3，图3为本申请微型发光二极管第一实施例的结构示意图。其中，图3中a为微型发光二极管的侧视图或截面图，b为微型发光二极管的俯视结构示意图。如图3所示，P电极包括第一P电极141和第二P电极142，第一P电极141设置于第一N电极151所在的平面上。第二P电极142设置于第二N电极152所在的平面上，也就是说，第一P电极141与第一N电极151同侧且同一平面设置，第二P电极142与第二N电极152同侧且同一平面设置，从而能使第一N电极151与基板上的磁性电极相接触时，第一P电极141也与基板上的磁性电极相接触，使第二N电极152与基板上的磁性电极相接触时，第二P电极142也能与基板上的磁性电极相接触，也就是使第一P电极141和第二P电极142以及第一N电极151和第二N电极152能凸出于微型发光二极管的表面，进而增大了微型发光二极管一侧的电极（包括P电极和N电极）与基板上的磁性电极的接触面积。具体地，第一P电极141和第一N电极151设置于柱体结构微型发光二极管的顶面，第二P电极142和第二N电极152设置于柱体结构微型发光二极管的底面。
进一步地，为了使第一P电极141与第一N电极151位于同一平面，在第一P电极141与P型半导体层11之间设置第一金属层161，通过第一金属层161连接第一P电极141与P型半导体层11。同样，在第二P电极142与P型半导体层11之间设置第二金属层162，通过第二金属层162连接第二P电极142与P型半导体层11。在本实施例中，第一金属层161与第一发光层121以及第一N型半导体层131间隔设置，第二金属层162与第二发光层122以及第二N型半导体层132间隔设置，以使第一P电极141与第一N电极151间隔设置，使第二P电极142和第二N电极152间隔设置，避免P电极和N电极发生短路。在一具体实施例中，还可以通过绝缘层17来间隔金属层与发光层和N型半导体层，具体地，绝缘层17设置于第一金属层161与第一发光层121和第一N型半导体层131之间，以间隔第一金属层161与第一发光层121和第一N型半导体层131；还设置于第二金属层162与第二发光层122和第二N型半导体层132之间，以间隔第二金属层162与第二发光层122和第二N型半导体层132。在其它实施例中，也可以通过其它材质或空气间隔，在此不作限定。
在本实施例中，第一金属层161的厚度与第一发光层121和第一N型半导体层131厚度之和相同，以使第一P电极141与第一N电极151位于同一平面。第二金属层162的厚度与第二发光层122和第二N型半导体层132的厚度之和相同，以使第二P电极142与第二N电极152位于同一平面。其中，第一金属层161和第二金属层162的厚度可以不同，也就是第一发光结构和第二发光结构可以不完全相同，在此不作限定。
在本实施例中，P型半导体层11凸出于发光层12和N型半导体层13。具体地，P型半导体层11在垂直投影面上的长度或半径大于发光层12及N型半导体层13的长度或半径，以使P型半导体层11凸出于发光层12和N型半导体层13，进而在P型半导体层11的凸出部分的相对两面上设置第一金属层161和第二金属层162以及第一P电极141和第二P电极142。
在本实施例中，第一N电极151和第二N电极152靠近微型发光二极管的柱芯位置设置，第一P电极141和第二P电极142分别环绕第一N电极151和第二N电极152四周设置。具体请参阅图3中b所示。具体地，第一N电极151和第二N电极152分别靠近于微型发光二极管的垂直投影面的中心位置设置，具体地当微型发光二极管为圆柱体时，第一N电极151和第二N电极152靠近微型发光二极管的垂直投影面的圆心位置设置。其中，第一N电极151和第二N电极152在垂直投影面上可以不重合。其中，垂直投影面包括微型发光二极管的顶面和底面，第一N电极151设置于顶面的圆心位置处，第二N电极152设置于底面的圆心位置处。其中，第一N电极151和第二N电极152在垂直投影面上可以为圆形，也可以为方形或其它多边形，在此不作限定。其中，第一P电极141环绕第一N电极151周围设置、且与第一N电极151相间隔；第二P电极142环绕第二N电极152设置。具体地，第一P电极141和第二P电极142在垂直投影面上为圆环形。
在其它实施例中，第一P电极141和第二P电极142也可以为方形环，具体请参阅图4和图5，图4为本申请微型发光二极管第二实施例的俯视结构示意图，图5为本申请微型发光二极管第三实施例的俯视结构示意图。微型发光二极管可以为圆柱体，如图4所示，微型发光二极管也可以为四边形柱体（包括正方体和长方体等），如图5所示，在其它实施例中，微型发光二极管还可以为五边形柱体或六边形柱体，在此不作一一列举。其中，第二实施例和第三实施例中微型发光二极管的截面图与第一实施例中的相同，请参阅图3中a所示。
本申请还提供现有技术中微型发光二极管的结构示意图。具体请参阅图6，图6为现有技术中常见微型发光二极管的结构示意图。其中，图6中左边为现有技术中微型发光二极管的截面结构示意图，图6中右边为现有技术中微型发光二极管的俯视结构示意图。在现有技术中，微型发光二极管上的P电极和N电极不位于同一平面，因此，只能有一个电极参与对位。其次，P电极未环绕N电极设置。
本申请中，P电极和N电极均可参与对位，且P电极环绕N电极设置，形成环形对位面积，P电极的对位面积远大于现有技术中P电极的对位面积。
本申请还提供一种显示面板，具体请参阅图7，图7为本申请显示面板第一实施例的结构示意图。如图7所示，显示面板包括基板20，基板20上形成有多个凹槽，每个凹槽内设置有第一磁性电极21和第二磁性电极22。其中，第一磁性电极21与P电极相对应设置，也就是第一磁性电极21在凹槽底面也为圆环形设置。第二磁性电极22与第一N电极或第二N电极相对应设置，也就是第二磁性电极22设置于凹槽底面的圆心位置，与第一N电极和第二N电极中的一个形成对位。其中，凹槽用于放置上述实施例中的微型发光二极管，当多个微型发光二极管分别进入到对应的凹槽中时，与凹槽中的第一磁性电极21和第二磁性电极22形成电连接，从而形成由背板驱动多个微型发光二极管发光的显示面板。其中，第一磁性电极21和第二磁性电极22为金属电极，与P电极和N电极形成对位。其中，图中还示意了微型发光二极管在流体流动方向带动下依次进入到凹槽中的动态过程。当在载流体的推动下，微型发光二极管随机落到基板20的凹槽内，由于微型发光二极管有两个发光结构，两个发光结构中的任一个都可以与金属电极进行接触，从而可以大大提高微型发光二极管的电极与基板20上的电极接触的可能性，也就是增加了电极接触面积，进而提高了转移良率。
在上述实施例中，P电极设置于P型半导体层的相对两侧表面，也就是微型发光二极管的底面和顶面。在其它实施例中，P电极还可设置于微型发光二极管的柱体侧壁上，请参阅图8，图8为本申请微型发光二极管第四实施例的结构示意图，如图8所示，P电极14设置于微型发光二极管的柱体侧壁上的P型半导体层11表面。图8中左边为微型发光二极管的截面图，右边为微型发光二极管的俯视图。在本实施例中，第一N电极151设置在第一N型半导体层131远离P型半导体层11的表面，也就是设置在微型发光二极管的顶面上；第二N电极152设置在第二N型半导体层132远离P型半导体层11的表面，也就是设置在微型发光二极管的底面上。其中，P电极14只设置在P型半导体层11的侧表面，与发光层12以及N型半导体层13间隔设置，从而与N电极间隔，避免短路连接。其中，N电极（包括第一N电极和第二N电极）可以整面设置，也就是设置N型半导体层13的整个表面，在此不作限定。
进一步地，请参阅图9，图9为本申请微型发光二极管第五实施例的结构示意图。其中，左边为微型发光二极管第五实施例的截面图，右边为微型发光二极管第五实施例的俯视图。如图9所示，微型发光二极管的柱体侧壁上的第一发光层121、第一N型半导体层131、第二发光层122以及第二N型半导体层132的表面设置有绝缘层17，使P电极14能设置于微型发光二极管的整个柱体侧壁面上。在本实施例中，P型半导体层11在垂直投影面上的半径大于发光层12以及N型半导体层13的半径，从而使P型半导体层11部分凸出于发光层和N型半导体层，在凸出的部分设置绝缘层17，保证柱体侧壁面整齐。在其它实施例中，也可以设置成相同半径，只需使P电极设置在P型半导体层11的厚度大于设置在发光层和N型半导体层处的厚度即可，这样也可保证柱体侧壁面的整齐。在本实施例中，通过绝缘层17间隔了P电极14与发光层和N型半导体层，同时增大了P电极14的接触面积，大大减小了转移过程中的阻力，提高了转移效率。
在第四和第五实施例中，P电极设置在微型发光二极管的柱体侧壁面上，N电极设置在微型发光二极管的顶面和底面上。本申请还提供一种显示面板，具体请参阅图10，图10为本申请显示面板第二实施例的结构示意图。如图10所示，显示面板包括基板20，基板20上形成有多个凹槽，每个凹槽的侧壁上形成有第一磁性电极21，底壁上形成有第二磁性电极22。其中，第一磁性电极21与P电极相对应设置，第二磁性电极22与第一N电极或第二N电极相对应设置。其中，第一磁性电极21可以与P电极的形状设置成相同，也可以不同，具体地可以为连续的圆环形，也可以是间断的圆环形，还可以是对称设置的两个点形或线段形，在此不作限定。
本申请还提供微型发光二极管第六实施例，具体请参阅图11，图11为本申请微型发光二极管第六实施例的结构示意图。如图11所示，P电极14设置于微型发光二极管的柱体侧壁上的P型半导体层11表面。第一N电极151设置在微型发光二极管的柱体侧壁面上的第一N型半导体层131的表面，第二N电极152设置在微型发光二极管的柱体侧壁面上的第二N型半导体层132的表面。其中，P电极14和第一N电极151以及第二N电极152均为环形，其环形的内半径相同，外半径可以相同，也可以不相同。具体地，第一发光层121和第二发光层122的半径等于P型半导体层11的半径与P电极14的厚度之和，从而使柱体侧壁面平整，也可以与P型半导体层11和N型半导体层的半径相同，使P电极和N电极突出于柱体侧壁面，在此不作限定。
本申请还提供第三种显示面板，具体请参阅图12，图12为本申请显示面板第三实施例的结构示意图。显示面板包括基板20，基板20上形成有多个凹槽，每个凹槽内设置有第一磁性电极21和第二磁性电极22。具体地，第一磁性电极21与P电极相对应设置，第二磁性电极22与第一N电极或第二N电极相对应设置。具体如图11所示，凹槽侧壁上设置第一磁性电极21和第二磁性电极22。在一具体实施例中，凹槽侧壁上还可以设置第三磁性电极，第三磁性电极与第一N电极和第二N电极中的另一个相对应设置，在此不作限定。其中，凹槽用于放置上述实施例中所述的微型发光二极管。基板可以为驱动基板，与微型发光二极管形成显示面板，以用于发光显示。
本申请的有益效果是：通过在微型发光二极管上形成对称的两个发光结构，增加了任一组发光结构上的P电极或N电极与基板上的磁性电极的接触概率，同时至少一组P电极为圆环形设计，增加P电极与基板上的磁性电极的接触面积，相比于单电极定位的批量转移方法，本申请中的微型发光二极管的对称双发光结构设计提高了将微型发光二极管转移至基板上的批量转移率。
以上仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管包括：
P型半导体层；
设置于所述P型半导体相对两侧的第一发光层和第二发光层；
设置于所述第一发光层远离所述P型半导体层一侧的第一N型半导体层以及设置于所述第二发光层远离所述P型半导体层一侧的第二N型半导体层；
与所述P型半导体层电连接的P电极；
以及与所述第一N型半导体层连接的第一N电极和与所述第二N型半导体层连接的第二N电极；
其中，所述P型半导体层、所述第一发光层、所述第一N型半导体层、所述P电极和所述第一N电极形成第一发光结构；所述P型半导体层、所述第二发光层、所述第二N型半导体层、所述P电极和所述第二N电极形成第二发光结构。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管为柱体结构，包括底面和顶面以及位于所述底面和所述顶面之间的柱体侧壁面；其中，所述底面和所述顶面在所述微型发光二极管的垂直投影面上重合。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述P电极包括第一P电极和第二P电极，所述第一P电极与所述第一N电极同侧且同一平面设置，所述第二P电极与所述第二N电极同侧且同一平面设置。
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一P电极与所述P型半导体层通过与所述第一发光层和所述第一N型半导体层间隔设置的第一金属层连接，所述第二P电极与所述P型半导体层通过与所述第二发光层和所述第二N型半导体层间隔设置的第二金属层连接。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一金属层与所述第一发光层和所述第一N型半导体层通过绝缘层间隔，所述第二金属层与所述第二发光层和所述第二N型半导体层通过所述绝缘层间隔。
6.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一金属层的厚度与所述第一发光层和所述第一N型半导体层厚度之和相同；所述第二金属层的厚度与所述第二发光层和所述第二N型半导体层厚度之和相同。
7.根据权利要求3所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一N电极和所述第二N电极靠近所述微型发光二极管的垂直投影面上的柱芯位置设置，所述第一P电极在所述垂直投影面上环绕所述第一N电极设置，所述第二P电极在所述垂直投影面上环绕所述第二N电极设置。
8.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述P电极设置于所述微型发光二极管的柱体侧壁上的所述P型半导体层表面。
9.根据权利要求8所述微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管的柱体侧壁上的所述第一发光层、第一N型半导体、第二发光层以及第二N型半导体层的表面设置有绝缘层，所述P电极设置于所述微型发光二极管的整个柱体侧壁面上。
10.根据权利要求8所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一N电极设置于所述微型发光二极管的柱体侧壁上的所述第一N型半导体层的表面；所述第二N电极设置于所述微型发光二极管的柱体侧壁上的所述第二N型半导体层的表面。
11.一种显示面板，其特征在于，包括多个如权利要求1~10任一项所述的微型发光二极管以及基板，所述基板上形成有凹槽，所述凹槽内设置有与所述P电极相对应的第一磁性电极，以及与所述第一N电极和/或所述第二N电极相对应的第二磁性电极。
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