CN110197854B - 氧化镓sbd终端结构及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓SBD终端结构，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N‑低浓度Ga2O3外延层和阳极金属层，其中所述N‑低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小。该结构能够改善氧化镓SBD终端器件的击穿特性，进一步提高其击穿电压。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种氧化镓SBD终端结构及制备方法。
背景技术
电力电子器件又称为功率半导体器件主要用于电力设备的电能变化和电路控制，是工业设施、家用电器等设备电能控制与转换的核心器件，可以进行典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等。硅基半导体功率器件是目前电力系统使用最普遍的功率器件，但其性能已接近由其材料决定的理论极限，使得其功率密度的增长呈饱和趋势。
超宽禁带氧化镓作为一种新的半导体材料，在击穿场强、巴利加优值和成本等方面优势突出，目前共发现α、β、γ、δ、ε五种氧化镓的结晶形态，其中，以β结构的氧化镓最为稳定，目前为止在半导体领域围绕氧化镓的研究都是在β结构的氧化镓上展开的；国际上通常采用巴利加优值来表征材料适合功率器件的程度，β-Ga2O3材料的巴利加优值是第一代半导体Si材料的3444倍，第三代宽禁带半导体GaN材料的4倍、SiC材料的10倍，β-Ga2O3功率器件与GaN和SiC器件相同耐压情况下，导通电阻更低，功耗更小，能够极大地降低器件工作时的电能损耗。
镜像力致势垒降低效应是限制氧化镓SBD(Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管)特性的瓶颈问题，利用等离子处理工艺降低漂移区浓度可以缓解镜像力致势垒降低效应和提高器件击穿电压，通过引入Ar离子注入，使阳极结以外区域变成高阻区，调节阳极电场，提高击穿电压。然而，Ar离子注入对材料损伤大且影响击穿电压的进一步提升。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种氧化镓SBD终端结构及制备方法，以解决现有技术中进一步提升氧化镓SBD击穿电压的问题。
为了实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种氧化镓SBD终端结构：自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N-低浓度Ga2O3外延层和阳极金属层，其中所述N-低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小。
进一步地，所述N-低浓度Ga2O3外延层掺杂浓度为1.0×1015cm-3至1.0×1020cm-3。
进一步地，所述N+高浓度衬底层材料为Ga2O3或SiC。
进一步地，所述阳极金属层为Ni/Au。
进一步地，所述阴极金属层为Ti/Au。
本发明实施例的第二方面提供了一种氧化镓SBD终端结构的制备方法，包括：
在N+高浓度衬底层的上表面形成N-低浓度Ga2O3外延层，得到氧化镓SBD终端样品；
对所述氧化镓SBD终端样品进行至少包括两种不同的温度的退火处理，使得所述N-低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小；
经过退火处理后，在N-低浓度Ga2O3外延层上表面形成阳极金属层，在N+高浓度衬底层的下表面形成阴极金属层。
进一步地，所述退火处理在氧气氛围中进行。
进一步地，所述退火处理的温度变化方式为线性或者阶梯状变化。
进一步地，所述退火温度为200℃至900℃中的任意值，退火处理的时间为10秒至100分钟。
进一步地，所述退火温度为400℃和450℃，每种温度下的退火时间均为10分钟。
本发明实施例通过退火处理工艺，使得N-低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小，形成纵向浓度变化，该结构能够改善氧化镓SBD终端器件的击穿特性，进一步提高其击穿电压。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的氧化镓SBD终端结构示意图；
图2是本发明实施例提供的氧化镓SBD终端结构制备方法的流程图。
图中：1、阴极金属层；2、N+高浓度衬底层；3、N-低浓度Ga2O3外延层；31、靠近阳极金属层一定范围内，掺杂浓度由下至上逐渐减小的N-低浓度Ga2O3外延层；4、阳极金属层。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
如图1所示，氧化镓SBD终端结构包括阴极金属层1、N+高浓度衬底层2、N-低浓度Ga2O3外延层3和阳极金属层4，其中N-低浓度Ga2O3外延层3包括靠近阳极金属层的一定范围内，掺杂浓度由下至上逐渐减小的N-低浓度Ga2O3外延层31。
其中，在靠近阳极金属层的一定范围内，N-低浓度Ga2O3外延层的掺杂浓度由下至上逐渐减小，可以形成一个纵向的浓度变化，而此种结构能够改善氧化镓SBD终端器件的击穿特性，进一步提高其击穿电压。
在上述实施例的基础上：
作为一种优选的实施例，N-低浓度Ga2O3外延层3掺杂浓度为1.0×1015cm-3至1.0×1020cm-3；
具体的，N-低浓度Ga2O3外延层3也可以叫漂移区，可以通过掺杂Si或Sn实现，外延层的初始掺杂浓度可以是上述范围中的一个固定值，在N-低浓度Ga2O3外延层3经过退火处理后得到靠近阳极金属层的一定范围内，掺杂浓度由下至上逐渐减小的N-低浓度Ga2O3外延层31；也可以通过控制掺杂物质的流量，形成掺杂浓度梯度变化的N-低浓度Ga2O3外延层；
其中，靠近阳极金属层的一定范围内，掺杂浓度由下至上逐渐减小的N-低浓度Ga2O3外延层比掺杂浓度梯度变化的N-低浓度Ga2O3外延层具有更小的导通电阻。
作为一种优选的实施例，N+高浓度衬底层2的材料为Ga2O3或SiC。
作为一种优选的实施例，阳极金属层4的材料为Ni/Au。
作为一种优选的实施例，阴极金属层1的材料为Ti/Au。
如图2所示，本发明中公开了一种氧化镓SBD终端结构的制备方法，包括
步骤S101，在N+高浓度衬底层的上表面形成N-低浓度Ga2O3外延层，得到氧化镓SBD终端样品；
步骤S102，对所述氧化镓SBD终端样品进行至少包括两种不同的温度的退火处理，使得所述N-低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小；
其中，两个不同温度的退火处理会导致N-低浓度Ga2O3外延层的表面区域掺杂浓度降低，越往内部，掺杂浓度降低的程度越小，从而实现掺杂浓度自下至上，从内部到表面逐渐减小。
步骤S103，经过退火处理后，在N-低浓度Ga2O3外延层上表面形成阳极金属层，在N+高浓度衬底层的下表面形成阴极金属层。
其中，在蒸发得到阳极金属层和阴极金属层后，氧化镓SBD终端结构还可以增加场板等结构。
作为一种优选的实施例，退火处理在氧气氛围中进行。
作为一种优选的实施例，退火处理的温度变化方式为线性或者阶梯状变化。
其中，温度变化可以是先高温后低温，也可以是先低温后高温。
作为一种优选的实施例，退火温度为200℃至900℃中的任意值，退火时间为10秒至100分钟。
作为一种优选的实施例，所述退火温度为400℃和450℃，每种温度下的退火时间均为10分钟。
应理解，以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种氧化镓SBD终端结构的制备方法，其特征在于，包括：
在N+高浓度衬底层的上表面形成N-低浓度Ga2O3外延层，得到氧化镓SBD终端样品；
对所述氧化镓SBD终端样品进行至少包括两种不同的温度的退火处理，使得所述N-低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小；
经过退火处理后，在N-低浓度Ga2O3外延层上表面形成阳极金属层，在N+高浓度衬底层的下表面形成阴极金属层。
2.如权利要求1所述的氧化镓SBD终端结构的制备方法，其特征在于，所述退火处理在氧气氛围中进行。
3.如权利要求1所述的氧化镓SBD终端结构的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度变化方式为线性或者阶梯状变化。
4.如权利要求1至3任一项所述的氧化镓SBD终端结构的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为200℃至900℃中的任意值，退火时间为10秒至100分钟。
5.如权利要求4所述的氧化镓SBD终端结构的制备方法，其特征在于，所述退火温度为400℃和450℃，每种温度下的退火时间均为10分钟。
6.一种氧化镓SBD终端结构，其特征在于，根据如权利要求1至5任一项所述的氧化镓SBD终端结构的制备方法制备得到，自下至上包括阴极金属层、N+高浓度衬底层、N-低浓度Ga2O3外延层和阳极金属层，其中所述N-低浓度Ga2O3外延层在靠近阳极金属层的一定厚度范围内，掺杂浓度自下至上逐渐减小。
7.如权利要求6所述的氧化镓SBD终端结构，其特征在于，所述N-低浓度Ga2O3外延层掺杂浓度为1.0×1015cm-3至1.0×1020cm-3。
8.如权利要求6所述的氧化镓SBD终端结构，其特征在于，所述N+高浓度衬底层材料为Ga2O3或SiC。
9.如权利要求6至8任一项所述的氧化镓SBD终端结构，其特征在于，所述阳极金属层为Ni/Au。
10.如权利要求6至8任一项所述的氧化镓SBD终端结构，其特征在于，所述阴极金属层为Ti/Au。
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111063724A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-24 | 西安电子科技大学 | 基于漂移区多层渐变掺杂的垂直AlN肖特基二极管及制作方法 |
| CN113257924B (zh) * | 2021-05-14 | 2023-04-21 | 中国科学技术大学 | 带高阻层的肖特基二极管及其制备方法、功率二极管模块 |
| US12074195B1 (en) * | 2023-09-22 | 2024-08-27 | Silanna UV Technologies Pte Ltd | Semiconductor device |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016151704A1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 株式会社日立製作所 | 窒化物半導体素子及び電力変換装置 |
| CN106876484A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-06-20 | 西安电子科技大学 | 高击穿电压氧化镓肖特基二极管及其制作方法 |
| CN106876483A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-06-20 | 西安电子科技大学 | 高击穿电压肖特基二极管及制作方法 |
| CN108231911A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-06-29 | 西安电子科技大学 | 基于渐变漂移区的耐高压GaN基JBS二极管及其制作方法 |
| CN207624707U (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-17 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 金刚石肖特基二极管 |
| CN109148586A (zh) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氧化镓场效应晶体管 |
| CN109659353A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-04-19 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 低寄生电阻的肖特基二极管 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085705A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Fuji Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
| US20090309181A1 (en) * | 2008-06-12 | 2009-12-17 | Force Mos Technology Co. Ltd. | Trench schottky with multiple epi structure |
| WO2016035531A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6758569B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2020-09-23 | 株式会社タムラ製作所 | 高耐圧ショットキーバリアダイオード |
| EP3180799B1 (en) * | 2015-06-09 | 2018-12-26 | ABB Schweiz AG | Silicon carbide power semiconductor device comprising an edge termination and method for manufacturing said edge termination |
| US10651317B2 (en) * | 2016-04-15 | 2020-05-12 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High-voltage lateral GaN-on-silicon Schottky diode |
| CN106298976B (zh) * | 2016-08-08 | 2019-03-01 | 电子科技大学 | 一种沟槽型肖特基二极管 |
-
2019
- 2019-06-20 CN CN201910537186.7A patent/CN110197854B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016151704A1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 株式会社日立製作所 | 窒化物半導体素子及び電力変換装置 |
| CN106876484A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-06-20 | 西安电子科技大学 | 高击穿电压氧化镓肖特基二极管及其制作方法 |
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