CN110178446B - 使用半导体发光元件的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种使用半导体发光元件的显示装置，具体地，涉及一种使用半导体发光元件的显示装置。根据本发明的显示装置包括：基板，其包括驱动薄膜晶体管；半导体发光元件，其包括第一导电电极和第二导电电极；以及平坦化层，其形成为覆盖驱动薄膜晶体管并且包括接纳半导体发光元件的接纳孔，其中，高度调节层形成在基板和平坦化层之间以使第一导电电极和第二导电电极中的一个与平坦化层的一个表面在高度上彼此一致。

Description

使用半导体发光元件的显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置，更具体地，涉及一种使用半导体发光元件的显示装置。
背景技术
近年来，在显示技术领域中已开发出具有诸如外形薄、柔性等的优异特性的显示装置。相反，目前商业化的主要显示器由液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)代表。然而，在LCD的情况下存在诸如响应时间不那么快、难以实现柔性的问题，在AMOLED的情况下存在诸如寿命短、产率不那么好以及柔性低的缺点。
另一方面，发光二极管(LED)是用于将电流转换为光的熟知发光元件，并且自从使用GaAsP化合物半导体的红色LED与基于GaP:N的绿色LED一起在1962年得以市售，已在包括信息通信装置的电子装置中用作显示图像的光源。因此，半导体发光元件可用于实现显示器，从而提出用于解决所述问题的方案。
因此，近年来，已对使用微型半导体发光元件的显示装置进行了研究和开发，并且这种显示装置由于其高图像质量和高可靠性而作为下一代显示器引起了关注。然而，由于这种显示装置使用微型发光元件，所以存在当荧光体、布线等暴露于外部时发光效率和对比度劣化的问题。
因此，本公开提出了一种显示装置的新结构，其能够基于具有几微米至几十微米的尺寸的半导体发光元件来增强光学性能。此外，提出了在显示装置的新结构中能够改进布线工艺的面板结构。
发明内容
技术问题
本公开的一方面在于提供一种结构，其能够使用半导体发光元件来减少将发光元件连接到显示装置中的电路的工艺所需的时间周期。
本发明的另一方面在于提供一种具有能够确保制造可靠性并降低制造成本的结构的显示装置。
技术方案
根据本公开的显示装置可在半导体发光元件被容纳在杯形接纳孔中的杯中芯片(CIC)中应用能够调节半导体发光元件的高度的结构，从而进一步方便布线工艺。
对于特定示例，该显示装置可包括：基板，其具有驱动薄膜晶体管；半导体发光元件，其具有第一导电电极和第二导电电极；以及平坦化层，其形成为覆盖驱动薄膜晶体管，并设置有用于容纳半导体发光元件的接纳孔，其中，高度调节层形成在基板和平坦化层之间以使基板的一个表面的高度与第一导电电极和第二导电电极中的任一个匹配。
根据实施方式，半导体发光元件的高度可高于平坦化层的高度。高度调节层可形成在基板上以调节从基板到平坦化层的上表面的距离。
另外，高度调节层可起到反射光的作用。为此，高度调节层可设置有树脂以及混合到树脂中的反射颗粒。
根据实施方式，覆盖驱动薄膜晶体管的绝缘层可形成在基板上，并且平坦化层可包括被涂覆以覆盖绝缘层的光丙烯。接纳孔可分别穿过平坦化层、绝缘层和高度调节层，使得基板的上表面形成接纳孔的底部。平坦化层可通过多次涂覆光丙烯来形成具有相同材料的多个层。
根据实施方式，半导体发光元件的第一导电半导体层的厚度可小于第二导电半导体层的厚度。第二导电半导体层的厚度可大于平坦化层的厚度。
有益效果
在根据本公开的显示装置中，半导体发光元件可设置在平坦化层上的接纳孔中，从而通过间壁来分离像素。由于半导体发光元件电连接到接纳孔中的布线，所以可方便半导体发光元件的对准，从而允许显示装置的高精度制造。
另外，根据本公开，可通过高度调节层来去除转移的半导体发光元件与平坦化层之间的台阶，从而方便电极连接工艺，并改进面板产率。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施方式的使用半导体发光元件的显示装置的概念图。
图2是图1中的部分“A”的局部放大图，图3a和图3b是沿着图2中的线B-B和C-C截取的横截面图。
图4是示出图3中的倒装芯片型半导体发光元件的概念图。
图5a至图5c是示出结合倒装芯片型半导体发光元件实现颜色的各种形式的概念图。
图6是示出根据本公开的使用半导体发光元件的显示装置的制造方法的横截面图。
图7是示出根据本公开的另一实施方式的使用半导体发光元件的显示装置的立体图。
图8是沿着图7中的线D-D截取的横截面图。
图9是示出图8中的垂直型半导体发光元件的概念图。
图10是用于说明本公开的另一实施方式的局部立体图。
图11是沿着图10中的线E-E截取的横截面图。
图12是用于说明图10所示的像素的配置的电路图。
图13、图14和图15是示出本公开的其它实施方式的横截面图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细描述本文所公开的实施方式，并且不管附图中的标号，相同或相似的元件由相同的标号指代，将省略其冗余描述。用于以下描述中所公开的组成元件的后缀“模块”和“单元”仅旨在易于描述本说明书，后缀本身没有给出任何特殊含义或功能。此外，在描述本文所公开的实施方式时，当本发明所涉及的公知技术的具体描述被判断为模糊本公开的主旨时，将省略详细描述。另外，应该注意的是，仅示出附图以容易地说明本发明的概念，因此，不应解释为由附图限制本文所公开的技术概念。
此外，将理解，当诸如层、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，其可直接在另一元件上，或者二者间也可插入中间元件。
本文所公开的显示装置可包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、石板PC、平板PC、超级本、数字TV、台式计算机等。然而，本领域技术人员将容易地理解，本文所公开的配置可适用于任何可显示装置，即使其是将稍后开发的新产品类型。
图1是示出根据本公开的实施方式的使用半导体发光元件的显示装置的概念图。
根据附图，在显示装置100的控制器中处理的信息可使用柔性显示器来显示。
柔性显示器可包括柔性、可弯曲、可拧扭、可折叠和可卷曲显示器。例如，柔性显示器可以是在薄且柔性的基板上制造的显示器，其可像纸张一样翘曲、弯曲、折叠或卷起，同时维持现有技术的平板显示器的显示特性。
在柔性显示器没有翘曲的配置(例如，具有无限曲率半径的配置，以下称为“第一配置”)下，柔性显示器的显示区域变为平面。在柔性显示器在第一配置下通过外力而翘曲的配置(例如，具有有限曲率半径的配置，以下称为“第二配置”)下，其显示区域变为曲面。如图所示，在第二配置下显示的信息可以是在曲面上显示的视觉信息。可按照独立地控制以矩阵配置布置的各个单元像素(子像素)的光发射的方式来实现视觉信息。单元像素表示用于表示一种颜色的基本单元。
柔性显示器的子像素可由半导体发光元件实现。根据本公开，示出发光二极管(LED)作为一种半导体发光元件。发光二极管可形成为小尺寸以由此即使在第二配置下也起到子像素的作用。
以下，将参照附图更详细地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。
图2是图1中的部分“A”的局部放大图，图3a和图3b是沿着图2中的线B-B和C-C截取的横截面图，图4是示出图3a中的倒装芯片型半导体发光元件的概念图，图5a至图5c是示出结合倒装芯片型半导体发光元件实现颜色的各种形式的概念图。
根据图2、图3a和图3b中的附图，示出使用无源矩阵(PM)型半导体发光元件的显示装置100作为使用半导体发光元件的显示装置100。然而，下面所描述的示例也可适用于有源矩阵(AM)型半导体发光元件。
显示装置100可包括基板110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极140和多个半导体发光元件150。
基板110可以是柔性基板。基板110可包含玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果是柔性材料，则可使用诸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的任一种。此外，基板110可以是透明材料和非透明材料中的任一种。
基板110可以是设置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可被放置在基板110上。
根据附图，绝缘层160可设置在放置有第一电极120的基板110上，并且辅助电极170可被放置在绝缘层160上。在这种情况下，绝缘层160沉积在基板110上的配置可以是单个布线基板。更具体地，可利用诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘且柔性的材料将绝缘层160并入基板110中以形成单个布线基板。
作为用于将第一电极120电连接到半导体发光元件150的电极，辅助电极170被放置在绝缘层160上，并被设置为与第一电极120的位置对应。例如，辅助电极170具有点形状，并且可通过穿过绝缘层160的电极孔171电连接到第一电极120。电极孔171可通过在通孔中填充导电材料来形成。
参照附图，导电粘合层130可形成在绝缘层160的一个表面上，但本公开可未必限于此。例如，还可具有这样的结构：导电粘合层130被设置在基板110上而没有绝缘层160。在导电粘合层130设置在基板110上的结构中，导电粘合层130可起到绝缘层的作用。
导电粘合层130可以是具有粘合性和导电性的层，为此，导电材料和粘合材料可在导电粘合层130上混合。此外，导电粘合层130可具有柔性，从而允许显示装置中的柔性功能。
对于这样的示例，导电粘合层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。导电粘合层130可允许穿过其厚度的z方向上的电互连，但可被配置成在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合层130可被称为z轴导电层(然而，以下称为“导电粘合层”)。
各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基础构件混合的形式的膜，因此当对其施加热和压力时，仅其特定部分可通过各向异性导电介质而具有导电性。以下，对各向异性导电膜施加热和压力，但其它方法也可用于使各向异性导电膜部分地具有导电性。所述方法可包括仅对其施加热和压力中的任一个、UV固化等。
此外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据附图，在本示例中，各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基础构件混合的形式的膜，因此当对其施加热和压力时，仅其特定部分可通过导电球而具有导电性。各向异性导电膜可处于导电材料的芯包含由聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒的状态，并且在这种情况下，其可在使施加有热和压力的部分上的绝缘层破裂的同时通过芯而具有导电性。这里，芯可变形以实现在膜的厚度方向上具有物体接触的两个表面的层。对于更具体的示例，作为整体对各向异性导电膜施加热和压力，并且通过与利用各向异性导电膜粘附的配对物体的高度差来部分地形成z轴方向上的电连接。
又如，各向异性导电膜可处于包含导电材料涂覆在绝缘芯上的多个颗粒的状态。在这种情况下，施加有热和压力的部分可被转换(按压并粘附)到导电材料以在膜的厚度方向上具有导电性。又如，可形成为在膜的厚度方向上具有导电性，其中导电材料在z方向上穿过绝缘基础构件。在这种情况下，导电材料可具有尖端部分。
根据附图，各向异性导电膜可以是以导电球被插入到绝缘基础构件的一个表面中的形式配置的固定阵列各向异性导电膜(ACF)。更具体地，绝缘基础构件由粘合材料形成，并且导电球集中地设置在绝缘基础构件的底部，并且当对其施加热和压力时，基础构件连同导电球一起改性，从而在其垂直方向上具有导电性。
然而，本公开可未必限于此，各向异性导电膜可被全部允许具有导电球与绝缘基础构件随机地混合的形式或者配置有导电球设置在任一个层的多个层的形式(双ACF)等。
作为耦合到糊剂和导电球的形式的各向异性导电糊剂可以是导电球与绝缘和粘合基材混合的糊剂。此外，包含导电颗粒的溶液可以是包含导电颗粒或纳米颗粒的形式的溶液。
再参照附图，第二电极140被设置在绝缘层160处以与辅助电极170分离。换言之，导电粘合层130被设置在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。
当在设置有辅助电极170和第二电极140的状态下形成导电粘合层130，然后在施加热和压力的情况下以倒装芯片形式将半导体发光元件150连接时，半导体发光元件150电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4，半导体发光元件可以是倒装芯片型半导体发光元件。
例如，半导体发光元件可包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153以及在n型半导体层153上设置为在水平方向上与p型电极156分离的n型电极152。在这种情况下，p型电极156可通过导电粘合层130电连接到焊接部分179，并且n型电极152可电连接到第二电极140。
再参照图2、图3a和图3b，辅助电极170可在一个方向上以细长方式形成以电连接到多个半导体发光元件150。例如，辅助电极周围的半导体发光元件的左右p型电极可电连接到一个辅助电极。
更具体地，半导体发光元件150被按压到导电粘合层130中，由此，仅半导体发光元件150的p型电极156和辅助电极170之间的部分以及半导体发光元件150的n型电极152和第二电极140之间的部分具有导电性，剩余部分由于不存在半导体发光元件的下推而不具有导电性。如上所述，导电粘合层130可在半导体发光元件150和辅助电极170之间以及半导体发光元件150和第二电极140之间形成电连接以及允许互耦合。
此外，多个半导体发光元件150构成发光阵列，并且荧光体层180形成在发光阵列上。
发光元件阵列可包括具有不同的自亮度值的多个半导体发光元件。各个半导体发光元件150构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可存在多个第一电极120，例如，半导体发光元件布置成多行，各行的半导体发光元件可电连接到多个第一电极中的任一个。
此外，半导体发光元件可按照倒装芯片形式连接，因此半导体发光元件在透明介电基板上生长。此外，例如，半导体发光元件可以是氮化物半导体发光元件。半导体发光元件150具有优异的亮度特性，因此即使以其小尺寸也可配置各个子像素。
根据附图，间壁190可形成在半导体发光元件150之间。在这种情况下，间壁190可起到将各个子像素彼此划分的作用，并且与导电粘合层130形成为一体。例如，当半导体发光元件150被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基础构件可形成间壁。
此外，当各向异性导电膜的基础构件为黑色时，间壁190可具有反射特性，同时增加对比度而没有附加黑色绝缘体。
又如，可与间壁190分开提供反射间壁。在这种情况下，根据显示装置的目的，间壁190可包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的间壁时可具有增强反射率的效果，并且增加对比度，同时具有反射特性。
荧光体层180可被设置在半导体发光元件150的外表面处。例如，半导体发光元件150是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光元件，并且荧光体层180起到将蓝(B)光转换为子像素的颜色的作用。荧光体层180可以是构成各个像素的红色荧光体层181或绿色荧光体层182。
换言之，能够将蓝光转换为红(R)光的红色荧光体181可在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光元件151上，能够将蓝光转换为绿(G)光的绿色荧光体182可在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光元件151上。此外，在实现蓝色子像素的位置处可仅使用蓝色半导体发光元件151。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。更具体地，可沿着第一电极120的每条线沉积一种颜色的荧光体。因此，第一电极120上的一条线可以是控制一种颜色的电极。换言之，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)可延伸第二电极140依次设置，从而实现子像素。
然而，本公开可未必限于此，代替荧光体，半导体发光元件150可与量子点(QD)组合，以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
此外，可在各个荧光体层之间设置黑色基底191以增强对比度。换言之，黑色基底191可增强亮度的对比度。
然而，本公开可未必限于此，用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构也可适用。
参照图5a，各个半导体发光元件150可利用发射各种光(包括蓝色)的高功率发光元件来实现，其中主要使用氮化镓(GaN)，并且添加铟(In)和或铝(Al)。
在这种情况下，半导体发光元件150可分别是红色、绿色和蓝色半导体发光元件，以实现各个子像素。例如，红色、绿色和蓝色半导体发光元件(R、G、B)交替地设置，并且红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光元件来实现一个像素，从而实现全彩色显示器。
参照图5b，半导体发光元件可具有白色发光元件(W)，针对各个元件设置有黄色荧光体层。在这种情况下，红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可设置在白色发光元件(W)上以实现子像素。此外，在白色发光元件(W)上以红色、绿色和蓝色重复的滤色器可用于实现子像素。
参照图5c，还可具有红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可设置在紫外发光元件(UV)上的结构。这样，半导体发光元件可在直至紫外光(UV)以及可见光的整个区域上使用，并且可扩展至紫外光(UV)可用作激发源的半导体发光元件的形式。
再次考虑本示例，半导体发光元件150被放置在导电粘合层130上以配置显示装置中的子像素。半导体发光元件150具有优异的亮度特性，因此即使以其小尺寸也可配置各个子像素。各个半导体发光元件150的尺寸在其一侧的长度可小于80μm，并且形成为矩形或正方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可小于20×80μm。
此外，即使当边长为10μm的正方形半导体发光元件150用于子像素时，也将表现出足够的亮度以用于实现显示装置。因此，例如，在子像素的一侧的尺寸为600μm，其剩余一侧为300μm的矩形像素的情况下，半导体发光元件之间的相对距离变得足够大。因此，在这种情况下，可实现具有HD图像质量的柔性显示装置。
使用上述半导体发光元件的显示装置将通过新型制造方法来制造。以下，该制造方法将参照图6来描述。
图6是示出根据本公开的使用半导体发光元件的显示装置的制造方法的横截面图。
参照附图，首先，在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上形成导电粘合层130。在第一基板110上沉积绝缘层160以形成一个基板(或布线基板)，并且在布线基板处设置第一电极120、辅助电极170和第二电极140。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可设置在彼此垂直的方向上。此外，第一基板110和绝缘层160可分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。
例如，导电粘合层130可由各向异性导电膜实现，为此，可在设置有绝缘层160的基板上涂覆各向异性导电膜。
接下来，设置有与辅助电极170和第二电极140的位置对应并构成各个像素的多个半导体发光元件150的第二基板112被设置为使得半导体发光元件150面向辅助电极170和第二电极140。
在这种情况下，作为用于生长半导体发光元件150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。
半导体发光元件可具有当以晶圆为单位形成时能够实现显示装置的间隙和尺寸，因此有效地用于显示装置。
接下来，将布线基板热压缩到第二基板112。例如，布线基板和第二基板112可通过施加ACF压头来彼此热压缩。布线基板和第二基板112使用热压缩来彼此结合。由于通过热压缩而具有导电性的各向异性导电膜的特性，仅半导体发光元件150与辅助电极170和第二电极140之间的部分可具有导电性，从而允许电极和半导体发光元件150彼此电连接。此时，半导体发光元件150可被插入到各向异性导电膜中，从而在半导体发光元件150之间形成间壁。
接下来，去除第二基板112。例如，可使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法来去除第二基板112。
最后，去除第二基板112以将半导体发光元件150暴露于外。可在联接到半导体发光元件150的布线基板上涂覆氧化硅(SiOx)等以形成透明绝缘层(未示出)。
此外，还可包括在半导体发光元件150的一个表面上形成荧光体层的工艺。例如，半导体发光元件150可以是用于发射蓝(B)光的蓝色半导体发光元件，并且用于将蓝(B)光转换为子像素的颜色的红色或绿色荧光体可在蓝色半导体发光元件的一个表面上形成层。
使用上述半导体发光元件的显示装置的制造方法或结构可按照各种形式修改。对于这样的示例，上述显示装置可适用于垂直半导体发光元件。以下，该垂直结构将参照图5和图6来描述。
此外，根据以下修改的示例或实施方式，相同或相似的标号被指定给与上述示例相同或相似的配置，其描述将由早前的描述代替。
图7是示出根据本公开的另一实施方式的使用半导体发光元件的显示装置的立体图。图8是沿着图7中的线D-D截取的横截面图，图9是示出图8中的垂直型半导体发光元件的概念图。
根据附图，显示装置可以是使用无源矩阵(PM)型的垂直半导体发光元件的显示装置。
显示装置可包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240和多个半导体发光元件250。
作为设置有第一电极220的布线基板的基板210可包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果是绝缘且柔性的材料，可使用任一种。
第一电极220可设置在基板210上，并且以在一个方向上伸长的条形电极形成。第一电极220可形成为起到数据电极的作用。
导电粘合层230形成在设置有第一电极220的基板210上。类似于应用倒装芯片型发光元件的显示装置，导电粘合层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。然而，本实施方式示出导电粘合层230由各向异性导电膜实现的情况。
当各向异性导电膜被设置在第一电极220设置在基板210上的状态下，然后施加热和压力以将半导体发光元件250连接时，半导体发光元件250电连接到第一电极220。此时，半导体发光元件250可优选设置在第一电极220上。
当如上所述施加热和压力时，由于各向异性导电膜在厚度方向上部分地具有导电性，所以生成电连接。因此，各向异性导电膜在其厚度方向上被分割成具有导电性的部分231和不具有导电性的部分232。
此外，各向异性导电膜包含粘合组分，因此导电粘合层230实现半导体发光元件250和第一电极220之间的机械耦合以及电耦合。
这样，半导体发光元件250被放置在导电粘合层230上，从而在显示装置中配置单独的子像素。半导体发光元件250具有优异的亮度特性，因此即使以其小尺寸也可配置各个子像素。各个半导体发光元件250的尺寸在其一侧的长度可小于80μm，并且形成为矩形或正方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可小于20×80μm。
半导体发光元件250可以是垂直结构。
设置在与第一电极220的长度方向交叉的方向上并电连接到垂直半导体发光元件250的多个第二电极240可设置在垂直半导体发光元件之间。
参照图9，垂直半导体发光元件可包括p型电极256、形成有p型电极256的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下，位于其底部的p型电极256可通过导电粘合层230电连接到第一电极220，并且位于其顶部的n型电极252可电连接到第二电极240(将稍后描述)。电极可在向上/向下方向上设置在垂直半导体发光元件250中，从而提供能够减小芯片尺寸的巨大优点。
再参照图8，荧光体层280可形成在半导体发光元件250的一个表面上。例如，半导体发光元件250是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光元件251，并且用于将蓝(B)光转换为子像素的颜色的荧光体层280可设置在其上。在这种情况下，荧光体层280可以是构成各个像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。
换言之，能够将蓝光转换为红(R)光的红色荧光体281可在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光元件251上，并且能够将蓝光转换为绿(G)光的绿色荧光体282可在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光元件251上。此外，在实现蓝色子像素的位置处可仅使用蓝色半导体发光元件251。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。
然而，本公开可未必限于此，如上所述在应用倒装芯片型发光元件的显示装置中，用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构也可适用。
再次考虑本实施方式，第二电极240被设置在半导体发光元件250之间，并电连接到半导体发光元件250。例如，半导体发光元件250可设置成多行，并且第二电极240可设置在半导体发光元件250的行之间。
由于构成各个像素的半导体发光元件250之间的距离足够大，所以第二电极240可被设置在半导体发光元件250之间。
第二电极240可利用在一个方向上伸长的条形电极形成，并设置在与第一电极垂直的方向上。
此外，第二电极240可通过从第二电极240突出的连接电极电连接到半导体发光元件250。更具体地，连接电极可以是半导体发光元件250的n型电极。例如，n型电极利用欧姆电极形成以用于欧姆接触，并且第二电极通过印刷或沉积来覆盖欧姆电极的至少一部分。由此，第二电极240可电连接到半导体发光元件250的n型电极。
根据附图，第二电极240可设置在导电粘合层230上。根据情况，包含氧化硅(SiOx)的透明绝缘层(未示出)可形成在形成有半导体发光元件250的基板210上。当形成透明绝缘层，然后将第二电极240放置在其上时，第二电极240可设置在透明绝缘层上。此外，第二电极240可形成为与导电粘合层230或透明绝缘层分离。
如果使用诸如铟锡氧化物(ITO)的透明电极来将第二电极240设置在半导体发光元件250上，则ITO材料具有与n型半导体的粘附性差的问题。因此，第二电极240可被放置在半导体发光元件250之间，从而获得不需要透明电极的优点。因此，n型半导体层和具有良好粘附性的导电材料可用作水平电极而不受透明材料的选择限制，从而增强光提取效率。
根据附图，间壁290可形成在半导体发光元件250之间。换言之，间壁290可设置在垂直半导体发光元件250之间以将构成各个像素的半导体发光元件250隔离。在这种情况下，间壁290可起到将各个子像素彼此划分的作用，并与导电粘合层230形成为一体。例如，当半导体发光元件250被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基础构件可形成间壁。
此外，当各向异性导电膜的基础构件为黑色时，间壁290可具有反射特性，同时增加对比度而没有附加黑色绝缘体。
又如，可与间壁290分开提供反射间壁。在这种情况下，根据显示装置的目的，间壁290可包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240被精确地设置在半导体发光元件250之间的导电粘合层230上，则间壁290可被设置在半导体发光元件250和第二电极240之间。因此，可使用半导体发光元件250甚至以小尺寸配置各个子像素，并且半导体发光元件250之间的距离可相对足够大以将第二电极240放置在半导体发光元件250之间，从而具有实现具有HD图像质量的柔性显示装置的效果。
此外，根据附图，黑色基底291可被设置在各个荧光体层之间以增强对比度。换言之，黑色基底291可增强亮度的对比度。
这样，半导体发光元件250被放置在导电粘合层230上，从而在显示装置中配置单独的子像素。半导体发光元件250具有优异的亮度特性，因此即使以其小尺寸也可配置各个子像素。结果，可实现红色(R)，绿色(G)和蓝色(B)的子像素通过半导体发光元件实现一个像素的全彩色显示器。
在使用本公开的上述半导体发光元件的显示器中，使用各向异性导电膜(ACF)将在生长基板上生长的半导体发光元件转移到布线基板。然而，这种方法具有这样的缺点：难以确保制造可靠性并且其制造成本高。具体地，在数字标牌的情况下，可能不需要柔性性质，因此对于使用半导体发光元件的显示器可能需要不同的方法。
以下，为了克服上述技术困难并基于超小微型发光二极管实现高分辨率显示器，本公开提出了一种基于超小蓝色发光二极管的显示器的像素结构。
更具体地，提出了一种显示装置，其中由于半导体发光元件被设置在平坦化层上的接纳孔中，所以方便了半导体发光元件的对准以允许显示装置的高精度制造以及通过高度调节层简化布线工艺。
以下，将参照附图详细描述根据本公开的另一实施方式的能够方便对准并简化布线工艺的显示装置。
图10是用于说明本公开的另一实施方式的局部立体图，图11是沿着图10中的线E-E截取的横截面图，图12是用于说明图10所示的像素的配置的电路图。
根据图10、图11和图12中的例示，示出了使用有源矩阵(AM)型半导体发光元件的显示装置1000作为使用半导体发光元件的显示装置1000。然而，下面所描述的示例也可适用于无源矩阵(PM)型半导体发光元件。
根据例示，示出使用有源矩阵半导体发光元件的显示装置1000作为使用半导体发光元件的显示装置1000。
显示装置1000包括基板1010和多个半导体发光元件1050。
基板1010是薄膜晶体管阵列基板，并且可由玻璃或塑性材料制成。
基板可包括显示区域和非显示区域。在这种情况下，显示区域可被定义为除了基板1010的边缘部分之外的部分以及设置有用于显示图像的像素阵列的区域。非显示区域可设置在基板1010上除了显示区域之外的剩余部分中，并且可被定义为围绕显示区域的基板1010的边缘部分。
此外，基板1010可包括多条选通线(GL)、多条数据线(DL)、多条驱动电源线(PL)、多条公共电源线(CL)以及多个像素(SP)。
多条选通线(GL)中的每一条设置在基板1010上，并且沿着基板1010的一个方向延伸，并在与这一个方向交叉的另一方向间隔开。多条数据线(DL)设置在基板1010上以与多条选通线(GL)交叉，并且沿着所述另一方向延伸，并沿着所述一个方向以规则的间隔间隔开。
多条驱动电源线(PL)可与多条数据线(DL)中的每一条平行设置，并与多条数据线(DL)中的每一条一起形成。多条驱动电源线(PL)中的每一条将从外部提供的像素驱动电源供应给相邻像素(SP)。
多条公共电源线(CL)可设置在基板1010上以平行于多条选通线(GL)中的每一条，并且可与多条选通线(GL)中的每一条一起形成。多条公共电源线(CL)中的每一条将从外部提供的公共电源供应给相邻像素(SP)。
多个像素(SP)中的每一个设置在由选通线(GL)和数据线(DL)限定的像素区域中。多个像素(SP)中的每一个可被定义为子像素，其是发射实际光的最小单位面积。子像素包括单个半导体发光元件作为发射实际光的最小单位面积。至少三个相邻像素可构成用于颜色显示的单个单元像素。例如，单个单元像素包括彼此相邻的红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且还可包括用于改进亮度的白色像素。
多个半导体发光元件1050可具有参照图4的上述结构，并且可主要由氮化镓(GaN)形成，并且可添加铟(In)和/或铝(Al)以实现发射蓝光的高功率发光元件。对于这样的示例，多个半导体发光元件1050可以是以各种层形成的氮化镓薄层，例如n-Gan、p-Gan、AlGaN、InGan等。然而，本公开可未必限于此，多个半导体发光元件可被实现为发射绿光的发光元件。另外，半导体发光元件可以是微型发光二极管芯片。这里，微型发光二极管芯片可具有小于子像素中的发光区域的横截面积，并且对于这样的示例，可具有1至100微米的比例。
更具体地，半导体发光元件包括第一导电电极1156、形成有第一导电电极1156的第一导电半导体层1155、形成在第一导电半导体层1155上的有源层1154、形成在有源层1154上的第二导电半导体层1153以及设置为在第二导电半导体层1153上在水平方向上与第一导电电极1156间隔开的第二导电电极1152。在这种情况下，第二导电电极设置在第二导电半导体层1153的一个表面上，并且未掺杂半导体层1153a形成在第二导电半导体层1153的另一表面上。
此外，第一导电电极1156和第一导电半导体层1155可分别是p型电极和p型半导体层，并且第二导电电极1152和第二导电半导体层1153可分别是n型电极和n型半导体层。然而，本公开不限于此，第一导电类型可为n型，第二导电类型可为p型。
另外，根据本公开的另一实施方式，杂质可被注入到本征或掺杂半导体基板中以形成第一导电半导体层和第二导电半导体层。此外，通过杂质注入形成p-n结的区域可用作有源层。下面将描述的第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层的所列项仅是示例性的，本公开不限于此。
参照这些图，形成为覆盖基板并设置有形成为容纳半导体发光元件的接纳孔1061的平坦化层1060可形成在基板1010的一个表面上。
例如，平坦化层1060起到覆盖基板的保护膜的作用以及覆盖布线电极以形成平坦表面的功能，并且由绝缘材料制成。对于这样的示例，此外，平坦化层1060可包括光致抗蚀剂、光学聚合物材料以及其它工业塑性材料等。
根据例示，接纳孔1061可设置在多个像素中的每一个中。接纳孔1061设置在子像素中所限定的发光区域中，以容纳半导体发光元件1050。多个半导体发光元件1050中的每一个连接到对应像素(SP)的像素电路(PC)，以按照与从像素电路(PC)(即，驱动薄膜晶体管(T2))流到公共电源线(CL)的电流成比例的亮度发射光。
在这种情况下，平坦化层1060形成为覆盖驱动薄膜晶体管(T2)，并且接纳孔1061从平坦化层1060凹陷。接纳孔1061从平坦化层1060的上表面朝着基板凹陷。例如，接纳孔1061可具有尺寸大于半导体发光元件1050的杯形状。这里，接纳孔1061可在平坦化层1060上凹陷以具有大于半导体发光元件1050的厚度(或总高度)的深度。
根据例示，多个半导体发光元件1050的第一导电电极通过第一接触孔(CH1)连接到驱动薄膜晶体管(T2)的源电极，并通过第二接触孔(CH2)连接到公共电源线(CL)。
在如上所述的此示例中，半导体发光元件1050可被容纳在像素的发光区域中凹陷的接纳孔1061中，并且半导体发光元件1050的电极可通过接触孔(CH1、CH2)连接到像素电路中的驱动薄膜晶体管，从而简化半导体发光元件1050的连接工艺。
根据例示，驱动薄膜晶体管(T2)包括栅电极(GE)、半导体层(SCL)、欧姆接触层(OCL)、源电极(SE)和漏电极(DE)。
栅电极(GE)与选通线(GL)一起形成在基板2010上。栅电极(GE)由栅极绝缘层1112覆盖。
栅极绝缘层1112可由无机材料所制成的单个层或多个层形成，并且可由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等制成。
半导体层(SCL)以预设图案(或岛状物)的形式设置在栅极绝缘层2112上以与栅电极(GE)交叠。半导体层(SCL)可由非晶硅、多晶硅、氧化物和有机材料中的任一种所制成的半导体材料形成，但不限于此。
欧姆接触层(OCL)以预设图案(或岛状物)的形式设置在半导体层(SCL)上。这里，欧姆接触层(OCL)用于半导体层(SCL)与源电极/漏电极(SE、DE)之间的欧姆接触，并且可被省略。
源电极(SE)形成在欧姆接触层(OCL)的另一侧以与半导体层(SCL)的一侧交叠。源电极(SE)与数据线(未示出)一起形成，并从相邻数据线分支或突出。
漏电极(DE)形成在欧姆接触层(OCL)的另一侧以在与半导体层(SCL)的另一侧交叠的同时与源电极(SE)间隔开。漏电极(DE)与数据线和源电极(SE)一起形成。
层间绝缘层1114形成在基板1010的上表面上以覆盖包括驱动薄膜晶体管(T2)的像素电路。层间绝缘层1114可由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)的无机材料或者诸如苯并环丁烯或光丙烯(photo acryl)的有机材料形成。
平坦化层1060形成在基板1010的上表面上以覆盖层间绝缘层1114。该平坦化层1060在层间绝缘层1114上提供平坦表面的同时保护包括驱动薄膜晶体管(T2)的像素电路。根据示例的平坦化层1060可由诸如苯并环丁烯或光丙烯的有机材料形成。
在光丙烯的情况下，一次涂覆的厚度为约3微米，并且半导体发光元件的高度为约5至10微米，因此第二导电半导体层1153的厚度可形成为大于平坦化层1060。此外，在这种情况下，半导体发光元件中的第一导电半导体层1155的厚度可小于第二导电半导体层1153的厚度。
这里，根据半导体发光元件1050的厚度，接纳孔1061的底表面可被设置在平坦化层1060、层间绝缘层1114或栅极绝缘层1112中。此外，可通过将与子像素的发光区域交叠的栅极绝缘层1112、层间绝缘层1114和平坦化层1060全部去除来形成接纳孔2061。接纳孔1061可具有尺寸大于半导体发光元件1050的杯形状。
这里，半导体发光元件1050的第一导电电极1156和第二导电电极1152与接纳孔1061的底部分离。根据例示，第一导电电极1156连接到驱动薄膜晶体管(T2)的源电极(SE)，并且第二导电电极1152连接到公共电源线(CL)。
在这种情况下，半导体发光元件形成为具有高于平坦化层1060的高度。此外，第一导电电极1156和第二导电电极1152可相对于第二导电半导体层1153具有高度差。
高度调节层1070形成在基板1010和平坦化层1060之间以使平坦化层1060的一个表面的高度与第一导电电极1156和第二导电电极1152中的任一个匹配。高度调节层1070可由聚合物和氧化物或氮氧化物形成。
更具体地，相对于第一导电电极1156和第二导电电极1152处于相对较低的位置处的导电电极可被定位在与平坦化层1060的上表面相同的水平线上。对于这样的示例，高度调节层1070可形成在基板上以调节从基板到平坦化层1060的上表面的距离。如上所述，在本公开中，通过高度调节层来去除转移的半导体发光元件与平坦化层之间的台阶，从而方便电极连接工艺。
根据例示，除了平坦化层1060和绝缘层1112之外，接纳孔1061还穿过高度调节层1070，使得基板的上表面形成接纳孔1061的底部。因此，接纳孔1061可以是闭孔。半导体发光元件在接纳孔1061中附接到基板1010的上表面。
根据例示，多个子像素中的每一个可包括像素电极图案(AE)和公共电极图案(CE)。
像素电极图案(AE)将驱动薄膜晶体管(T2)的源电极(SE)电连接到半导体发光元件1050的第一导电电极1156。根据示例的像素电极图案(AE)通过设置在平坦化层1060中的第一接触孔(CH1)延伸到驱动薄膜晶体管(T2)，并在连接到源电极(SE)的同时连接到半导体发光元件1050的第一导电电极1156。
公共电极图案(CE)将公共电源线(CL)电连接到半导体发光元件1050的第二导电电极1152。根据示例的像素电极图案(AE)通过设置在平坦化层1060中的第二接触孔(CH2)延伸至薄膜晶体管(T2)，并在连接到公共电源线(CL)的同时连接到半导体发光元件1050的第二导电电极1152。
像素电极图案(AE)和公共电极图案(CE)中的每一个可由透明导电材料形成。透明导电材料可由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的材料制成，但不限于此。
在此示例中，基板1010还包括将半导体发光元件2050固定到接纳孔1061的粘合层1120。
粘合层1120被插置在半导体发光元件1050与接纳孔1061的底表面之间以将半导体发光元件1050附接到接纳孔1061的底表面。在这种情况下，粘合层1120可由具有透光性和粘附性的材料形成。由于粘合层是透光的，所以从半导体发光元件发射的光可被发射到半导体发光元件的下部。
基板1010还可包括填充在设置在接纳孔1061中的半导体发光元件1050周围的填料1117。
填料1117被填充到附接有半导体发光元件1050的接纳孔1061的周围空间中。填料1117可由热固性树脂或光固化树脂制成。填料1117被填充到接纳孔1061的周围空间中，然后被固化以在去除接纳孔1061中的气隙的同时使接纳孔1061的周围空间的上表面平坦化。此外，填料1117可在支撑像素电极图案(AE)和公共电极图案(CE)的同时用作半导体发光元件的钝化层。
参照这些图，在根据本示例的显示装置中可提供覆盖基板1010的上表面的密封层1080。
密封层1080涂覆在基板1010的上表面上以覆盖像素(SP)和发光元件1050以保护设置在基板1010中的像素(SP)和发光元件1050。密封层1080可由热固性和/或光固化树脂形成，因此以液相涂覆在基板1010的上表面上，然后使用热和/或光通过固化工艺固化。
此外，可由荧光体层代替密封层1080。荧光体层可包括设置在与红色像素对应的位置处的第一荧光体部分以及设置在与绿色像素对应的位置处的第二荧光体部分。在这种情况下，第一荧光体部分和第二荧光体部分中的每一个设置有能够将蓝色半导体发光元件的蓝光转换为红光或绿光的红色荧光体和绿色荧光体。这里，不转换颜色的透光材料可设置在形成蓝色像素的位置处。透光材料是在可见光区域中具有高透射率的材料，并且例如，可使用基于环氧树脂的PR(光致抗蚀剂)、PDMS(聚二甲基硅氧烷)、树脂等。
又如，第一荧光体部分和第二荧光体部分可设置有能够将蓝色半导体发光元件的蓝光转换为黄光或白光的黄色荧光体。在这种情况下，黄光或白光可在通过滤色器的同时被转换为红色、绿色和蓝色。
此外，根据例示，黑色基底(BM)和滤色器层(CF)可设置在密封层1080(或荧光体层)上。
黑色基底(BM)限定与设置在基板1010上的各个像素(SP)的发光区域交叠的开口区域。换言之，黑色基底(BM)设置在除了与各个像素(SP)的发光区域交叠的开口区域之外的剩余区域中，从而防止相邻开口区域之间的颜色混合。
滤色器层(CF)可设置在开口区域中。例如，当设置在各个像素(SP)中的发光元件1050发射蓝光以被黄色荧光体层转换为白光时，可在滤色器层(CF)上实现红色或绿色。在这种情况下，滤色器层(CF)可具有用于过滤红色波长、绿色波长和蓝色波长的光的部分依次布置在各个子像素中的结构。另外，滤色器层(CF)可设置在开口区域中以改进输出光的色纯度，而不管所发射的光的颜色如何。
又如，滤色器层(CF)可由光提取层代替。光提取层由透明材料制成以起到将从发光元件1050发射的光提取到外部的作用。光提取层的面向发光元件1050的相对表面可具有透镜形状以用于增加从发光元件1050发射的光的线性度。
根据上述根据本公开的显示装置，由于半导体发光元件电连接到接纳孔中的布线，所以可通过高度调节层来方便半导体发光元件的对准以消除或减小半导体发光元件和平坦化层之间的高度差，从而实现简单的电极连接。
此外，上述显示装置可被修改为各种形式。以下，将参照附图更详细地描述这些修改示例。
图13、图14和图15是示出本公开的其它实施方式的横截面图。
在图13的示例中，相同的标号被指定给与上面参照图10至图12描述的示例相同的组件，并且其描述将由早前的描述代替。具体地，除了高度调节部分之外的剩余配置与图10至图12中所描述的示例相同。
参照本图，高度调节层可包括具有不同材料的多个层2071、2072。另外，层2071、2072中的任一个可被实现为反射光的反射镜层。
例如，高度调节层可包括沉积在基板上的第一层2071和沉积在第一层2071上的第二层2072。在这种情况下，第一层2071和第二层2072可由不同的材料形成。
更具体地，第一层2071是设置在基板2010上的层，并且被配置为具有附接基板2010的粘合力。此外，第一层2071不是与薄膜晶体管(T2)直接接触的部分，因此可设置有树脂2071a以及混合到树脂2071a中的反射颗粒2071b。第一层2071包括反射颗粒2071b以反射从半导体发光元件2050发射的光。
在这种情况下，反射颗粒可包括氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氧化锆和二氧化硅中的至少一种作为白色颜料。此外，树脂2071a可由具有良好粘度、粘附性和流动性的材料形成。
此外，作为沉积在第一层2071上的层，第二层可以是未设置反射颗粒的层。第二层2072的最重要的功能是由于布线板上的电极的不规则性而改进其填充和粘合性质，而非反射效果，因此没有添加反射颗粒。
然而，本公开未必限于此，第二层2070还可包括少量的白色颜料。在这种情况下，添加到第二层2072的白色颜料的重量比可小于添加到第一层2071的白色颜料的重量比。
在图14的示例中，相同的标号被指定给与上面参照图10至图12描述的示例相同的组件，并且其描述将由早前的描述代替。具体地，除了平坦化层和高度调节层之外的剩余配置与图10至图12中所描述的示例相同。
参照本图，平坦化层3060形成在基板3010的上表面上以覆盖层间绝缘层3114。该平坦化层3060在层间绝缘层3114上提供平坦表面的同时保护包括驱动薄膜晶体管(T2)的像素电路。根据示例的平坦化层1060可由诸如苯并环丁烯或光丙烯的有机材料形成。
在光丙烯的情况下，一次涂覆的厚度可为约3微米，并且半导体发光元件的高度可为约5至10微米。根据此示例，由于光丙烯被涂覆多次，所以平坦化层可形成具有相同材料的多个层3061、3062。例如，第一层3061沉积在基板上，第二层3062沉积在第一层3061上，并且它们可由相同的材料形成。
由于平坦化层3060由相同材料的多个层形成，所以平坦化层可具有使得第一导电电极3156和第二导电电极3152中的任一个导电电极被设置在与平坦化层3060的上表面相同的平面上的高度。在这种情况下，上述高度调节层可被省略。
又如，平坦化层3060可形成具有不同材料的多个层。例如，苯并环丁烯可沉积在基板上以形成第一层，并且光丙烯可沉积在第一层上以形成第二层。
在图15的示例中，相同的标号被指定给与上面参照图10至图12描述的示例相同的组件，并且其描述将由早前的描述代替。具体地，除了半导体发光元件和高度调节部分之外的剩余配置与图10至图12中所描述的示例相同。
即使在此示例中，作为参照图14描述的示例，高度调节部分可被省略，并且半导体发光元件的高度可被调节，使得平坦化层的上表面被设置在与第一导电电极4156和第二导电电极4152中的任一个导电电极相同的平面上。
更具体地，半导体发光元件包括第一导电电极4156、形成有第一导电电极4156的第一导电半导体层4155、形成在第一导电半导体层4155上的有源层4154、形成在有源层4154上的第二导电半导体层4153以及设置为在第二导电半导体层4153上在水平方向上与第一导电电极4156间隔开的第二导电电极4152。在这种情况下，在第二导电半导体层4153的另一表面上不沉积未掺杂半导体层。
可在用于分离发光元件的激光剥离(LLO)工艺中在保护半导体发光元件之后通过蚀刻等去除未掺杂半导体层。此外，在此示例中，可形成高度比上面参照图10至图12描述的示例中的高度调节部分低的高度调节部分4070。
在这种情况下，第二导电半导体层4153的厚度可减小，并且半导体发光元件的效率可增加，从而减小高度调节部分4070的高度。此外，没有高度调节部分的结构也是可能。
根据上述实施方式的配置和方法将不会以限制的方式应用于使用上述半导体发光元件的显示装置，各个实施方式的全部或部分可被选择性地组合并配置以进行各种修改。

Claims (10)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，该基板具有驱动薄膜晶体管；
半导体发光元件，该半导体发光元件具有第一导电电极和第二导电电极；以及
平坦化层，该平坦化层形成为覆盖所述驱动薄膜晶体管，并且设置有用于容纳所述半导体发光元件的接纳孔，
其中，高度调节层形成在所述基板和所述平坦化层之间以使所述基板的一个表面的高度与所述第一导电电极和所述第二导电电极中的任一个匹配，
其中，覆盖所述驱动薄膜晶体管的绝缘层形成在所述基板上，
其中，所述接纳孔分别穿过所述平坦化层、所述绝缘层和所述高度调节层，使得所述基板的上表面形成所述接纳孔的底部，并且
其中，所述半导体发光元件在所述接纳孔中附接到所述基板的所述上表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体发光元件的高度高于所述平坦化层的高度。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述高度调节层形成在所述基板上以调节从所述基板到所述平坦化层的上表面的距离。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述高度调节层包括具有不同材料的多个层。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述高度调节层包括树脂以及混合到所述树脂中的反射颗粒。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述平坦化层包括被涂覆以覆盖所述绝缘层的光丙烯。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述平坦化层通过多次涂覆所述光丙烯来形成具有相同材料的多个层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述半导体发光元件的第一导电半导体层的厚度小于第二导电半导体层的厚度。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二导电半导体层的厚度大于所述平坦化层的厚度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
像素电极图案，该像素电极图案连接到所述第一导电电极，并且通过所述平坦化层的第一孔延伸到所述驱动薄膜晶体管；以及
公共电极图案，该公共电极图案连接到所述第二导电电极，并且通过所述平坦化层的第二孔延伸到所述驱动薄膜晶体管。
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