CN110174428B - 岩样成像方法、装置以及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种岩样成像方法、装置以及系统。该方法包括:获取待成像的岩样,采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,在对所述岩样的目标区域进行成像的过程中,通过使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,使目标区域与外界形成通路,提升了不导电岩样目标区域的导电性,增加了目标区域的电场稳定性,从而能够获得无畸变的系列切割图像,用于重构得到所述目标区域的三维数字岩心,有效还原了不导电岩样的表面特征。
Description
技术领域
本发明涉及地质勘探领域,尤其涉及一种岩样成像方法、装置以及系统。
背景技术
储集层岩石的微观结构特征是评价储集层资源潜力的关键参数之一,比如,页岩中的有机质的大小和分布,孔隙的大小、分布、几何形状及相互联通情况等,直接影响储集层油气资源的聚集、流动和产出。因此,获取真实有效的样品微观结构对油气的评价、勘探和开发至关重要。
现有技术中,采用聚焦离子束-扫描电镜(Focused Ion Beam-Scanning ElectronMicroscope,简称FIB-SEM)双束系统扫描方法,通过三维重构获得系列图像,以直接观察岩石样品的微观结构,FIB-SEM双束系统扫描方法获得获取图像的最小分辨率可达1nm。
然而,当样品导电性差或不导电时,采用现有技术的方法获取的图像质量差,甚至无法成像,不能真实有效表征样品三维结构。
发明内容
本发明提供一种岩样成像方法、装置以及系统,以解决现有技术对导电性差或者不导电样品进行微观成像时图像质量差的问题。
第一方面,本发明提供一种岩样成像方法,包括:
获取待成像的岩样;
采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像;
其中,在对所述目标区域进行成像的过程中,使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样表面产生的荷电导出;
根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心。
可选地,所述采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像,包括:
采用聚焦离子束-扫描电镜(Focused Ion Beam-Scanning ElectronMicroscope,简称FIB-SEM)双束系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像,所述电子显微镜成像系统包括所述FIB-SEM双束系统。
可选地,所述获取待成像的岩样,包括:
根据预设尺寸,对获取到的岩心样品进行切割,并进行抛光,得到光滑岩样;
对所述光滑岩样进行表面导电性优化处理,得到处理后的岩样;
对所述处理后的岩样沉积保护层并进行切割处理,将所述岩样的目标区域暴露。
可选地,所述根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心,包括:
根据所述目标区域的系列切割图像,采用图像重构软件进行重构得到所述目标区域的所述三维数字岩心。
第二方面,本发明提供一种岩样成像装置,包括:
岩样获取模块,用于获取待成像的岩样;
图像采集模块,用于采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像;其中,在对所述目标区域进行成像的过程中,使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样上产生的荷电导出;
三维重构模块,用于根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心。
可选地,所述图像采集模块,具体用于:
采用FIB-SEM双束系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像,所述电子显微镜成像系统包括所述FIB-SEM双束系统。
可选地,所述岩样获取模块,包括:
岩样制备模块,用于根据预设尺寸,对获取到的岩心样品进行切割,并进行抛光,得到光滑岩样;
第一预处理模块,用于对所述光滑岩样进行表面导电性优化处理,得到处理后的岩样;
第二预处理模块,用于对所述处理后的岩样沉积保护层并进行切割处理,将所述岩样的目标区域暴露。
可选地,所述三维重构模块,具体用于:
根据所述目标区域的系列切割图像,采用图像重构软件进行三维重构得到所述目标区域的所述三维数字岩心。
第三方面,本发明提供一种岩样成像系统,包括如上述所述的装置。
本发明提供的岩样成像方法、装置以及系统。该方法包括:获取待成像的岩样,采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,在对所述岩样的目标区域进行成像的过程中,通过使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样上产生的荷电导出,得到所述目标区域的系列切割图像,提升了不导电岩样表面的导电性,增加了岩样表面电场的稳定性,从而能够获得无畸变的图像,有效还原了不导电岩样的表面特征。再根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心,真实展现了不导电岩样的三维结构。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种应用场景示意图;
图2为本发明实施例提供的一种岩样成像方法的流程示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种岩样成像方法的流程示意图;
图4为本发明实施例的提供的又一种岩样成像方法的流程示意图;
图5为本发明实施例提供的一种岩样成像装置的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的另一种岩样成像装置的结构示意图;
图7为现有技术的效果示意图;
图8为本发明实施例的效果示意图;
图9为本发明实施例得到的三维数字岩心的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,简称SEM)成像系统的成像原理是通过探测器获得二次电子和背散射电子的信号,而当待成像样品不导电时,会导致样品表面累积的多余电子或游离粒子不能及时导走,这些多余电子或游离粒子积累到一定程度后就会反复出现充电放电现象,最终影响电子信号的传递,从而造成图像扭曲、变形、晃动等等一些现象。
本发明实施例中的电子显微镜成像系统是指,利用扫描电子显微进行扫描成像的装置、仪器或者系统等,其可以包括普通扫描电子显微镜,也可以包括聚焦离子束-扫描电镜(Focused Ion Beam-Scanning Electron Microscope,简称FIB-SEM)双束系统,以及其他使用SEM进行扫描成像的装置、仪器或者系统等。
图1为本发明实施例提供的一种应用场景示意图。以FIB-SEM双束系统为例,如图1所示,在图1所示的应用场景中,聚焦离子束(Focused Ion Beam,简称FIB)系统与不导电样品表面垂直,FIB系统由离子束镜筒、离子源、信号采集系统等部分构成,离子束镜筒的顶端是离子源,在离子源上加较强的电场来抽取出带正电荷的离子。SEM与FIB成一定的角度安装。通过操作压电陶瓷马达控制纳米机械探针的移动,触压岩样目标区域附近位置,使不导电样品的目标区域与外界形成导电通路,纳米机械探针接触不导电样品后,在FIB系统产生的高能离子束逐层切割岩样目标区域的同时,采用电子束对离子束切割暴露出的新鲜面进行扫描成像,聚焦离子束对岩样目标区域每切割一次,电子束就进行一次扫描成像,最终获得一系列优质扫描图像。
离子源是FIB-SEM双束系统中产生离子束的装置,离子源可以包括液态金属离子源、气体场离子源和液态金属合金离子源,其中应用最为广泛的是液态金属镓离子源。
本发明提供的岩样成像方法、装置以及系统,获取待成像的岩样之后,在采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像的过程中,通过使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样上产生的荷电导出,提升了不导电岩样表面的导电性,增加了岩样表面电场的稳定性,从而能够获得无畸变的系列图像,有效还原了不导电岩样的表面特征。再根据所述目标区域的系列图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心,获得的三维数字岩心能够真实展现不导电岩样的三维结构。
本发明提供的岩样成像方法、装置以及系统,可以应用于石油和天然气的评价、勘探和开发,也可以应用于地质勘探中。
图2为本发明实施例提供的一种岩样成像方法的流程示意图。如图2所示,本实施例的方法包括:
S201、获取待成像的岩样。
其中,待成像岩样为岩心样品,通常岩心样品本身为不导电样品。
S202、采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像。
其中,在对所述目标区域进行成像的过程中,使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样表面产生的荷电导出。
所述岩样的目标区域是指在岩样上的选定的具的一定尺寸的待成像区域,目标区域的大小可以根据实际情况进行设定,例如可以根据三维重构区域的尺寸需求进行设定等,发明人对此不作限制。
所述目标区域的系列切割图像,对于FIB-SEM双束系统是指使用离子束切割暴露出来的系列图像,所述目标区域的系列切割图像用于表征岩样的表面特征。
所述纳米机械探针通常采用低电阻率材料制成,例如可以采用单质金属钨、银、铜、铝、锌、钼、铱、铁、锡、铬等,也可以采用不锈钢、钛合金、铝合金等,发明人对此不作限制。
在本实施例中,应保证纳米机械探针与样品表面的接触面积较小,以不遮挡电子束成像为宜,例如,纳米机械探针针尖尺寸应小于2微米,锥角应保持在7-10°。此外,为使纳米机械探针与岩样表面精准地接触且针尖不产生过大的应力,采用压电陶瓷马达驱动纳米机械探针在X、Y、Z三个方向上移动,纳米机械探针的移动速度可以根据实际需求设定,例如,可选择1000微米/秒到0.5微米/秒之间的不同速度进行移动,保证探针与岩样表面接触良好,产生导通电路。
S203、根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心。
其中,所述三维重构是指对岩样的目标区域建立适合计算机表示和处理的数学模型(三维数字岩心),并在计算机环境下对三维数字岩心进行处理、操作和分析,从而得出岩样的一些物理化学性质的技术,例如,分析岩样中所含有的有机质、孔隙和无机矿物质的含量和空间位置等。
本实施例提供的岩样成像方法,获取待成像的岩样之后,在采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像的过程中,通过使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样上产生的荷电导出,提升了不导电岩样表面的导电性,增加了岩样表面电场的稳定性,从而能够获得无畸变的系列图像,有效还原了不导电岩样的表面特征。再根据所述目标区域的系列图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心,获得的三维数字岩心能够真实展现不导电岩样的三维结构。
可选地,采用FIB-SEM双束系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像,所述电子显微镜成像系统包括所述FIB-SEM双束系统。
FIB-SEM双束系统可以简单理解为单束FIB系统与SEM的耦合。使用FIB-SEM双束系统对岩样的目标区域进行成像时,FIB-SEM双束系统中的聚焦离子束以固定步长沿平行于岩样目标区域的方向移动,对岩样目标区域进行逐层切割,以暴露出目标区域的新的横截面,电子束主要用于对暴露出目标区域的新的横截面进行高分辨成像,电子束可以配合二次电子探测器、散射电子探测器和X射线能谱模块等多种探测器进行使用。
示例性地,固定步长可以根据具体的岩样类型进行设定,例如,陆相页岩的固定步长通常设置为5nm,海相页岩的固定步长通常设置为10nm,砂岩的固定步长通常设置为20nm,选定岩样目标区域后,根据预先设定的固定步长对所述目标区域进行切片和扫描成像,切片的数量可以选择在500-2000片之间。在离子束切割的同时,采用低电压电子束(如0.8-2kV)对离子束切割暴露出的新鲜面进行扫描成像,对所述暴露出的新鲜面的扫描成像面积可达10*10μm2,通过压电陶瓷马达驱动纳米机械探针移动,最终获得一系列优质扫描电子图像,扫描总体积相应地可达10*10*10μm3。
本实施例中,采用FIB-SEM双束系统对所述岩样的目标区域进行成像,通过FIB逐层切割和SEM扫描成像交替进行,可以获得具有一定层次关系的系列切割图像,从而在使用该系列切割图像进行三维重构时,获得的三维数字岩样的精确度更高。
图3本发明实施例提供的另一种岩样成像方法的流程示意图。在图2所示实施例的基础上,如图3所示,本实施例的方法,S201包括:
S2011、根据预设尺寸,对获取到的岩心样品进行切割,并进行抛光,得到光滑岩样。
针对步骤S2011,在具体实施过程中可以分两个阶段进行:阶段一、对获取到的岩心样品进行切割,得到粗切岩样;阶段二、对粗切岩样进行抛光,获得纳米级别的光滑岩样。
所述预设尺寸是指期望获得的粗切岩样的尺寸,该尺寸可以根据实际分析需求进行设定,通常,对于圆柱体粗切岩样,其直径在3-10mm之间,高度不超过10mm;针对四方体粗切岩样,其底面长边的尺寸在3-10mm之间,高度不超过10mm。
在阶段一中,获取到的岩心样品通常有两种:一种是厘米级的非规则岩块或者柱状岩心,另一种是毫米级的岩屑。
针对不同的岩心样品,制备粗切岩样可以包括以下两种不同的实现方式:
针对厘米级的非规则岩块或者柱状岩心,采用金刚石钻锯直接切割得到具有上下两个平行平面的粗切岩样;
针对毫米级的岩屑,需要先采用树脂包埋方法,获取圆柱状岩屑铸体,再用金刚石钻锯对其切割以获得粗切岩样。
在阶段二中,获取粗切同样之后,将粗切岩样固定在电子显微镜成像系统的样品台上,利用机械抛光和氩离子抛光逐步对粗切岩样进行研磨抛光,最后获得表面平整度在纳米级别的光滑岩样。
S2012、对所述光滑岩样进行表面导电性优化处理,得到处理后的岩样。
示例性地,对所述光滑岩样进行表面导电性优化处理的过程可以为:首先,在光滑岩样侧面刷导电银胶,保证导电银胶与样品顶部表征区域有部分接触,有利于顶部表征区域的电荷流走,减少顶部表征区域的电荷积累;再用溅射仪喷镀碳或者金在光滑岩样表面,在光滑岩样表面形成一层导电膜,导电膜的厚度控制在5-10nm,导电膜的作用也是加快电荷流走,减少岩样表面的电荷积累。
S2013、对所述处理后的岩样沉积保护层并进行切割处理,将所述岩样的目标区域暴露。
其中,沉积保护层的作用是对岩样表面进行保护。
示例性地,进行保护层沉积时,采用高能镓离子束(如能量为30keV)进行作用,在高能镓离子束轰击下,气源注射系统提供的铂有机物(系统气压~5*10-6mbar)被分解成为铂金属并沉积在岩样目标区域表面上,在岩样目标区域形成保护层,再在保护层上采用镓离子束刻蚀追踪标记和调焦标记(深度~0.8μm),并采用气源注射系统提供的碳源(系统气压~2*10-6mbar)沉积一层碳在岩样目标区域表面上。
随后根据进行三维重构的尺寸需求,采用镓离子束在保护层周围切割出几微米至几十微米深的凹槽,若目标区域为方形,则只在其中三条边的周围切割出凹槽即可,从而,将进行三维重构的区域即目标区域暴露出来,以供电子束成像。
本实施例中,在获取待成像的岩样时,首先,根据预设尺寸,对获取到的岩心样品进行切割,并进行抛光,得到光滑岩样,再对所述光滑岩样进行表面导电性优化处理,初步增强岩样顶部表征区域的导电性,最后通过对所述处理后的岩样沉积保护层并进行切割处理,以便所述岩样的目标区域暴露出来,以供电子束成像。得到待成像的岩样之后,在采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像的过程中,再通过使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,使目标区域与外界形成导电通路,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样上产生的荷电导出,进一步提升了不导电岩样表面的导电性,使岩样表面的电场稳定,从而能够获得无畸变的系列图像,有效还原了不导电岩样的表面特征。再根据所述目标区域的系列图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心,获得的三维数字岩心能够真实展现不导电岩样的三维结构。
图4本发明实施例提供的又一种岩样成像方法的流程示意图。如图4所示,在图2或图3所示实施例的基础上,本实施例的方法,S203包括:
S2031、根据所述目标区域的系列切割图像,采用图像重构软件进行三维重构得到所述目标区域的所述三维数字岩心。
其中,可用于获取三维数字岩心的图像重构软件包括但不限于:ORS Visual、Avizo、ImageJ等。
本实施例中,通过采用图像重构软件如ORS Visual、Avizo、ImageJ等,根据已获得的目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的所述三维数字岩心,可以更为方便地分析岩样中所含有的有机质、孔隙和无机矿物质等的含量和空间位置,为分析储集层岩石的微观结构特征提供依据,进一步可以提高对石油和天然气等地下资源的评价的准确性。
图5本发明实施例提供的一种岩样成像装置的结构示意图。如图5所示,本实施例的装置,包括:
岩样获取模块501、图像采集模块502和三维重构模块503。
其中,所述岩样获取模块501,用于获取待成像的岩样;
所述图像采集模块502,用于采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像;其中,在对所述目标区域进行成像的过程中,使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样上产生的荷电导出;
所述三维重构模块503,用于根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心。
可选地,所述图像采集模块502,具体用于:
采用聚焦离子束-扫描电镜双束系统FIB-SEM对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像,所述电子显微镜成像系统包括所述FIB-SEM。
可选地,所述三维重构模块503,具体用于:
根据所述目标区域的系列切割图像,采用图像重构软件进行重构得到所述目标区域的所述三维数字岩心。
其中,可用于获取三维数字岩心的图像重构软件包括但不限于:ORS Visual、Avizo、ImageJ等。
本实施例的装置可用于执行图2所示方法实施例的技术方案,其实现原理类似,此处不再赘述。
本实施例中,通过岩样获取模块501获取待成像的岩样,图像采集模块502,采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像,其中,在采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像过程中,使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样上产生的荷电导出,提升了不导电岩样表面的导电性,增加了岩样表面电场的稳定性,从而能够获得无畸变的系列图像,有效还原了不导电岩样的表面特征。再通过三维重构模块503根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心,获得的三维数字岩心能够真实展现不导电岩样的三维结构。
图6本发明实施例提供的另一种岩样成像装置的结构示意图。如图6所示,在图5所示实施例的基础上,本实施例中,岩样获取模块501,包括:
岩样制备模块5011、第一预处理模块5012和第二预处理模块5013。
其中,岩样制备模块5011,用于根据预设尺寸,对获取到的岩心样品进行切割,并进行抛光,得到光滑岩样;
第一预处理模块5012,用于对所述光滑岩样进行表面导电性优化处理,得到处理后的岩样;
第二预处理模块5013,用于对所述处理后的岩样沉积保护层并进行切割处理,将所述岩样的目标区域暴露。
本实施例的装置可用于执行图3所示方法实施例的技术方案,其实现原理类似,此处不再赘述。
本实施例中,通过岩样制备模块5011,根据预设尺寸,对获取到的岩心样品进行切割,并进行抛光,得到光滑岩样,第一预处理模块5012,对所述光滑岩样进行表面导电性优化处理,得到处理后的岩样,初步增强岩样顶部表征区域的导电性。再通过第二预处理模块5013,对所述处理后的岩样沉积保护层并进行切割处理,将所述岩样的目标区域暴露,以供电子束成像。
本发明实施例提供一种岩样成像系统,该岩样成像系统包括图5或者图6所示实施例的装置。
图7和图8为现有技术和本发明实施例分别使用FIB-SEM双束系统获取的待成像岩样目标区域的扫描电子图像的效果示意图。图7为现有技术的效果示意图,如图7所示,放大后,图像畸变明显,竖直边缘开始倾斜,并且出现锯齿状区域。图8为采用本发明实施例的效果示意图,如图8所示,目标区域无明显畸变,能够真实还原不导电样品的表面特征。
图9为采用本发明实施例重构得到的三维数字岩心的结构示意图。如图9所示,采用本发明实施例重构得到的三维数字岩心的精度高,能够真实展现岩心样品的三维结构。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种岩样成像方法,其特征在于,包括:
获取待成像的岩样;
采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像;其中,在对所述目标区域进行成像的过程中,使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样表面产生的荷电导出;所述纳米机械探针用于使所述岩样的目标区域与外界形成导电通路;
根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像,包括:
采用聚焦离子束-扫描电镜FIB-SEM双束系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像,所述电子显微镜成像系统包括所述FIB-SEM双束系统。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取待成像的岩样,包括:
根据预设尺寸,对获取到的岩心样品进行切割,并进行抛光,得到光滑岩样;
对所述光滑岩样进行表面导电性优化处理,得到处理后的岩样;
对所述处理后的岩样沉积保护层并进行切割处理,将所述岩样的目标区域暴露。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心,包括:
根据所述目标区域的系列切割图像,采用图像重构软件进行三维重构得到所述目标区域的所述三维数字岩心。
5.一种岩样成像装置,其特征在于,包括:
岩样获取模块,用于获取待成像的岩样;
图像采集模块,用于采用电子显微镜成像系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像;其中,在对所述目标区域进行成像的过程中,使用纳米机械探针触压所述岩样的目标区域附近位置,将所述电子显微镜成像系统在所述岩样上产生的荷电导出;所述纳米机械探针用于使所述岩样的目标区域与外界形成导电通路;
三维重构模块,用于根据所述目标区域的系列切割图像,进行三维重构得到所述目标区域的三维数字岩心。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述图像采集模块,具体用于:
采用聚焦离子束-扫描电镜FIB-SEM双束系统对所述岩样的目标区域进行成像,得到所述目标区域的系列切割图像,所述电子显微镜成像系统包括所述FIB-SEM双束系统。
7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述岩样获取模块,包括:
岩样制备模块,用于根据预设尺寸,对获取到的岩心样品进行切割,并进行抛光,得到光滑岩样;
第一预处理模块,用于对所述光滑岩样进行表面导电性优化处理,得到处理后的岩样;
第二预处理模块,用于对所述处理后的岩样沉积保护层并进行切割处理,将所述岩样的目标区域暴露。
8.根据权利要求5至7任一项所述的装置,其特征在于,所述三维重构模块,具体用于:
根据所述目标区域的系列切割图像,采用图像重构软件进行重构得到所述目标区域的所述三维数字岩心。
9.一种岩样成像系统,其特征在于,包括:如权利要求5至8任一项所述的装置。
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