CN110164947A - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可改善量子点发光器件成膜的均匀性。一种阵列基板，包括：衬底、设置在所述衬底上的像素界定层，所述像素界定层包括多个开口区，每个所述开口区一一对应的设置一个量子点发光器件；所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料为量子点材料；所述像素界定层的材料包括磁性粒子；所述像素界定层的厚度为20nm～50nm。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
量子点作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型发光材料的研究热点。其中，以量子点材料作为发光层的发光器件成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可改善量子点发光器件成膜的均匀性。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，包括：衬底、设置在所述衬底上的像素界定层，所述像素界定层包括多个开口区，每个所述开口区一一对应的设置一个量子点发光器件；所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料为量子点材料；所述像素界定层的材料包括磁性粒子；所述像素界定层的厚度为20nm～50nm。
可选的，所述磁性粒子包括磁性纳米粒子以及包裹所述磁性纳米粒子的无机绝缘层；所述磁性纳米粒子的表面具有交联基团。
可选的，所述量子点材料带有磁性。
可选的，所述量子点材料中的量子点包括量子点核、包裹所述量子点核的量子点壳、磁性纳米层以及配体；所述量子点壳被所述磁性纳米层包裹，所述磁性纳米层的厚度为磁性纳米粒子的粒径的1～3倍；所述配体位于所述磁性纳米层的外表面；所述配体包括交联基团。
可选的，所述交联基团至少包括烯丙基、巯基、烯烃、二烯烃、环氧中的一种。
第二方面，提供一种阵列基板，包括衬底、设置在所述衬底上的像素界定层，所述像素界定层包括多个开口区，每个所述开口区一一对应的设置一个量子点发光器件；所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料为量子点材料；所述量子点材料带有磁性。
可选的，所述量子点材料中的量子点包括量子点核、包裹所述量子点核的量子点壳、磁性纳米层以及配体；所述量子点壳被所述磁性纳米层包裹，所述磁性纳米层的厚度为磁性纳米粒子的粒径的1～3倍；所述配体位于所述磁性纳米层的外表面；所述配体包括交联基团。
第三方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板，所述显示面板还包括设置于所述量子点发光器件远离所述衬底一侧的封装层。
第四方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上形成包括多个开口区的像素界定层、以及与多个所述开口区一一对应且位于所述开口区的量子点发光器件；所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料为量子点材料；在衬底上形成包括多个开口区的像素界定层，包括：在所述衬底上涂覆包括磁性粒子的溶液，形成像素界定膜；并向所述衬底施加第一磁场，使所述第一磁场作用于待形成像素界定层的区域；去除所述像素界定膜中的无磁场作用的区域内的所述像素界定膜，并通过加热或光照使剩余的所述像素界定膜中的所述磁性粒子固化交联，形成包括多个开口区的所述像素界定层。
可选的，去除所述像素界定膜中的无磁场作用的区域内的所述像素界定膜，包括：在所述像素界定膜上涂覆第一溶液，对所述像素界定膜中的无磁场作用的区域内的所述像素界定膜中的磁性粒子进行洗涤，去除所述像素界定膜中的无磁场作用的区域内的所述像素界定膜；其中，所述像素界定膜的厚度为20nm～50nm。
可选的，向所述衬底施加第一磁场，包括：将图形化的第一磁性板置于所述衬底沿其厚度方向的一侧，沿所述衬底的厚度方向，图形化的所述第一磁性板的磁性区域与待形成的所述像素界定层的区域的投影完全重叠；对所述第一磁性板进行顺磁化，使所述第一磁性板向所述衬底施加的所述第一磁场的磁场方向与所述衬底的厚度方向平行。
第五方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上形成包括多个开口区的像素界定层、以及与多个所述开口区一一对应且位于所述开口区的量子点发光器件；所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料为量子点材料；所述量子点材料带有磁性；形成所述量子点发光层，包括：在所述衬底上涂覆包括量子点材料的溶液，形成量子点发光膜；并向所述衬底施加第二磁场，使所述第二磁场作用于待形成所述量子点发光层的区域；去除所述量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述量子点发光膜，并通过加热或光照使剩余的所述量子点发光膜中的所述量子点材料固化交联，形成所述量子点发光层。
可选的，去除所述量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述量子点发光膜，包括：在所述量子点发光膜上涂覆第二溶液，对所述量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述量子点发光膜中的量子点材料进行洗涤，去除所述量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述量子点发光膜。
可选的，多个所述量子点发光器件包括发第一颜色光的所述量子点发光器件、发第二颜色光的所述量子点发光器件以及发第三颜色光的所述量子点发光器件；发第一颜色光的所述量子点发光器件包括第一颜色量子点发光层；发第二颜色光的所述量子点发光器件包括第二颜色量子点发光层；发第三颜色光的所述量子点发光器件包括第三颜色量子点发光层；形成多个所述量子点发光器件中的所述量子点发光层，包括：在所述衬底上涂覆包括发第一颜色光的量子点材料的溶液，形成第一颜色量子点发光膜；并向所述衬底施加第二磁场，使所述第二磁场作用于待形成所述第一颜色量子点发光层的区域；去除所述第一颜色量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述第一颜色量子点发光膜，并通过加热或光照使剩余的所述第一颜色量子点发光膜中的量子点材料固化交联，形成所述第一颜色量子点发光层；在形成有所述第一颜色量子点发光层的所述衬底上，涂覆包括发第二颜色光的量子点材料的溶液，形成第二颜色量子点发光膜；并使所述第二磁场作用于待形成所述第二颜色量子点发光层的区域；去除所述第二颜色量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述第二颜色量子点发光膜，并通过加热或光照使剩余的所述第二颜色量子点发光膜中的量子点材料固化交联，形成所述第二颜色量子点发光层；在形成有所述第一颜色量子点发光层和所述第二颜色量子点发光层的所述衬底上，涂覆包括发第三颜色光的量子点材料的溶液，形成第三颜色量子点发光膜；并使所述第二磁场作用于待形成所述第三颜色量子点发光层的区域；去除所述第三颜色量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述第三颜色量子点发光膜，并通过加热或光照使剩余的所述第三颜色量子点发光膜中的量子点材料固化交联，形成所述第三颜色量子点发光层。
可选的，向所述衬底施加第二磁场，包括：将图形化的第二磁性板置于所述衬底沿其厚度方向的一侧，沿所述衬底的厚度方向，图形化的所述第二磁性板的磁性区域与待形成的所述量子点发光层的区域的投影完全重叠；对所述第二磁性板进行顺磁化，使所述第二磁性板向所述衬底施加的所述第二磁场的磁场方向与所述衬底的厚度方向平行。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，像素界定层的材料包括磁性粒子，这样，在制备像素界定层时，通过涂覆包括磁性粒子的溶液，并向衬底的待形成像素界定层的区域施加磁场，可使像素界定层的材料中的磁性粒子在磁场作用下，均匀沉积，得到厚度为20nm～50nm的像素界定层。相对于工艺上例如可以采用PECVD得到的厚度大于50nm的像素界定层，本发明可降低形成有像素界定层的衬底的段差，避免后续在形成量子点发光层时出现成膜不均匀的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板中的亚像素的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板中的亚像素的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；
图5为图4的阵列基板沿B-B’方向的剖视示意图；
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程图；
图7为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备过程示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制备过程示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的制备过程示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种阵列基板的制备过程示意图；
图11为本发明实施例提供的一种磁性板的制备方法的流程图；
图12为本发明实施例提供的一种磁性板的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制备方法的流程图；
图14为本发明实施例提供的又一种阵列基板的制备过程示意图；
图15为本发明实施例提供的又一种阵列基板的制备方法的流程图；
图16为本发明实施例提供的又一种阵列基板的制备过程示意图；
图17为本发明实施例提供的又一种阵列基板的制备过程示意图；
图18为本发明实施例提供的又一种阵列基板的制备过程示意图；
图19为本发明实施例提供的又一种阵列基板的制备过程示意图；
图20为本发明实施例提供的另一种磁性板的制备方法的流程图；
图21为本发明实施例提供的另一种磁性板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示面板，包括：阵列基板和封装层。
如图1所示，该显示面板可划分为显示区(active area，简称AA区)和周边区S，周边区S例如围绕AA区一圈设置。上述AA区中包括多种颜色的亚像素(sub pixel)P；该多种颜色的亚像素至少包括第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素，第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色(例如红色、绿色和蓝色)。任意亚像素P的区域可通过像素界定层进行限定。
为了方便说明，本申请中上述多个亚像素P是以矩阵形式排列为例进行的说明。在此情况下，沿水平方向X排列成一排的亚像素P称为同一行亚像素，沿竖直方向Y排列成一排的亚像素P称为同一列亚像素。同一行亚像素可以与一根栅线连接，同一列亚像素可以与一根数据线连接。
对于单个亚像素P而言，如图2所示，在亚像素P中设置量子点发光器件。
在此基础上，可选的，每个亚像素P中还设置控制量子点发光器件发光的像素驱动电路。该像素驱动电路一般由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)、电容(Capacitance，简称C)等电子器件组成。例如，像素驱动电路可以是由两个薄膜晶体管(一个开关TFT和一个驱动TFT)和一个电容构成的2T1C结构的像素驱动电路；当然，像素驱动电路还可以是由两个以上的薄膜晶体管(多个开关TFT和一个驱动TFT)和至少一个电容构成的像素驱动电路。其中，不管像素驱动电路是何种结构，都必须包括驱动TFT。
封装层用于对量子点发光器件进行封装，该封装层可以是薄膜封装层，也可以是封装基板。
如图4-图5所示，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：衬底10、设置在衬底10上的像素界定层11，像素界定层11包括多个开口区111，每个开口区111一一对应的设置一个量子点发光器件；量子点发光器件包括量子点发光层12，量子点发光层12的材料为量子点材料；像素界定层11的材料包括磁性粒子；像素界定层11的厚度为20nm～50nm。
其中，开口区111与上述的子像素P区一一对应。
可以理解的是，如图2和图3所示，量子点发光器件还包括分别位于量子点发光层12两侧的阴极和阳极、位于量子点发光层12和阳极之间的空穴传输层、以及位于量子点发光层12和阴极之间的电子传输层。当然，根据需要在一些实施例中，还可以在空穴传输层和阳极之间设置空穴注入层，可以在电子传输层和阴极之间设置电子注入层。
上述量子点发光器件可以为正置量子点发光器件，也可以为倒置量子点发光器件。
如图2所示，在上述量子点发光器件为正置量子点发光器件的情况下，驱动TFT可以与正置量子点发光器件的阳极连接。需要说明的是，图2仅为示意图，并未示出像素驱动电路与正置量子点发光器件的连接关系(实际中可以根据需要选择合适的像素驱动电路)，本领域的技术人员可以理解的，像素驱动电路中的驱动TFT通过位于其上方的绝缘层上的通孔与正置量子点发光器件的阳极连接。
相应的，如图3所示，在上述量子点发光器件为倒置量子点发光器件的情况下，驱动TFT可以与倒置量子点发光器件的阴极连接。需要说明的是，虽然不管是正置量子点发光器件，还是倒置量子点发光器件，都是与驱动TFT连接，但是驱动电路是不同的。
量子点发光层12的材料为量子点材料。当电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入量子点发光层12时，量子点材料会受到激子能量的激发而发光。另外，由于量子点存在量子限域效应，电子空穴复合所发出的光的波长会随量子点的尺寸变化，不同尺寸的量子点材料会发出不同颜色的光。
由于量子点的尺寸决定其发光颜色，因此，第一颜色亚像素中量子点发光层12的量子点的尺寸、第二颜色亚像素中量子点发光层12的量子点的尺寸、第三颜色亚像素中量子点发光层12的量子点的尺寸互不相同。在第一颜色亚像素、第二颜色亚像素和第三颜色亚像素分别为红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素的情况下，红色亚像素中量子点发光层12的量子点尺寸例如为2.4nm，绿色亚像素中量子点发光层12的量子点尺寸例如为1.7nm，蓝色亚像素中量子点发光层12的量子点尺寸例如为1.0nm。
在上述基础上，对于像素界定层11而言，示例的，磁性粒子为铁磁性粒子。
由于像素界定层的厚度过小，使得正置量子点发光器件中的阳极或者倒置量子点发光器件中的阴极的部分区域无法被像素界定层覆盖而容易漏电，并且，后续会在不应该发光的地方形成量子点发光层等膜层，从而导致图形错乱，因此，像素界定层11的厚度不能太小。基于此，工艺上例如可以采用PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法，PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition)，来制备像素界定层11。但是，当通过PECVD形成的像素界定层时，其厚度大于50nm，导致段差较大。这样，在后续通过旋涂工艺形成量子点发光层时，会出现成膜不均匀的问题。
本申请实施例提供的阵列基板中，像素界定层11的材料包括磁性粒子，这样，在制备像素界定层11时，通过涂覆包括磁性粒子的溶液，并向衬底10的待形成像素界定层11的区域施加磁场，可使像素界定层11的材料中的磁性粒子在磁场作用下，均匀沉积，可以通过控制例如溶液浓度、涂覆速度等条件来控制成膜的厚度，得到厚度为20nm～50nm的像素界定层11。相对于工艺上例如可以采用PECVD得到的厚度大于50nm的像素界定层，本发明可降低形成有像素界定层11的衬底10的段差，避免后续在形成量子点发光层12时出现成膜不均匀的问题。
可选的，磁性粒子包括磁性纳米粒子以及包裹磁性纳米粒子的无机绝缘层；磁性纳米粒子的表面具有交联基团。
其中，磁性纳米粒子包括铁磁性纳米粒子，例如四氧化三铁(Fe3O4)、氧化铁(Fe2O3)等。
示例的，无机绝缘层的材料包括氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)等。
磁性纳米粒子的表面具有交联基团，在工艺上，通过加热或光照，磁性纳米粒子可以发生固化交联。从而使磁性纳米粒子之间结合紧密，避免像素界定层11的内部发生分离。
可选的，量子点材料带有磁性。
可选的，量子点材料中的量子点包括量子点核、包裹量子点核的量子点壳、磁性纳米层以及配体；量子点壳被磁性纳米层包裹，磁性纳米层的厚度为磁性纳米粒子的粒径的1～3倍；配体位于磁性纳米层的外表面；配体包括交联基团。
示例的，量子点核为磷化铟(InP)，量子点壳为硫化锌(ZnS)，磁性纳米层中的磁性纳米粒子为四氧化三铁(Fe3O4)或氧化铁(Fe2O3)。量子点壳中的ZnS可以例如在加热条件下发生氧化反应，硫原子被氧化成气体排出，氧原子填补后得到氧化锌(ZnO)，ZnO是离子型化合物，可以在有铁离子存在的情况下发生离子交换，从而得到InP/ZnS@Fe3O4结构的量子点。
在工艺上，可以通过加热或光照，使量子点发生固化交联。从而使量子点之间结合紧密，避免量子点发光层12的内部发生分离。
可选的，交联基团至少包括烯丙基、巯基、烯烃、二烯烃、环氧中的一种。
其中，具有烯丙基、烯烃、二烯烃、环氧的量子点或磁性纳米粒子可以通过光照或加热，发生固化交联，具有巯基的量子点或磁性纳米粒子可以通过光照发生固化交联。
参考图4-图5，本发明实施例提供另一种阵列基板，包括衬底10、设置在衬底10上的像素界定层11，像素界定层11包括多个开口区111，每个开口区111一一对应的设置一个量子点发光器件；量子点发光器件包括量子点发光层12，量子点发光层12的材料为量子点材料；量子点材料带有磁性。
可选的，像素界定层11的材料可以为磁性粒子，该磁性粒子包括磁性纳米粒子以及包裹磁性纳米粒子的无机绝缘层。当然，像素界定层11的材料可以是不带磁性的材料，例如树脂材料。
示例的，磁性纳米粒子可以为四氧化三铁(Fe3O4)或氧化铁(Fe2O3)，无机绝缘层的材料可以为氧化硅(SiO)或二氧化硅(SiO2)。
本发明实施例提供的阵列基板中，量子点发光层12的材料为带有磁性的量子点材料，这样，在制备量子点发光层12时，可向衬底10的待形成像素界定层11的区域施加磁场，以使量子点材料可以在磁场的作用下，均匀沉积，得到成膜均匀的量子点发光层12。相比于工艺上采用旋涂法在有段差的衬底上得到量子点发光层，本发明可提高量子点发光层12的成膜均匀性，并且简化了生产工艺。
可选的，量子点材料中的量子点包括量子点核、包裹量子点核的量子点壳、磁性纳米层以及配体；量子点壳被磁性纳米层包裹，磁性纳米层的厚度为磁性纳米粒子的粒径的1～3倍；配体位于磁性纳米层的外表面；配体包括交联基团。
示例的，量子点核为磷化铟(InP)，量子点壳为硫化锌(ZnS)，磁性纳米层中的磁性纳米粒子为四氧化三铁(Fe3O4)或氧化铁(Fe2O3)。量子点壳中的ZnS可以例如在加热条件下发生氧化反应，硫原子被氧化成气体排出，氧原子填补后得到氧化锌(ZnO)，ZnO是离子型化合物，可以在有铁离子存在的情况下发生离子交换，从而得到InP/ZnS@Fe3O4结构的量子点。
在工艺上，可以通过加热或光照，使量子点发生固化交联。从而使量子点之间结合紧密，避免量子点发光层12的内部发生分离。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括：参考图4-图5，在衬底10上形成包括多个开口区111的像素界定层11、以及与多个开口区111一一对应且位于开口区111的量子点发光器件；量子点发光器件包括量子点发光层12，量子点发光层12的材料为量子点材料。
其中，如图6所示，在衬底10上形成包括多个开口区111的像素界定层11，包括如下步骤：
S20、如图7所示，在衬底10上涂覆包括磁性粒子的溶液，形成像素界定膜1101；并向衬底10施加第一磁场，使第一磁场作用于待形成像素界定层11的区域。
S21、如图7所示，去除像素界定膜1101中的无磁场作用的区域内的像素界定膜1101，并通过加热或光照使剩余的像素界定膜1101中的磁性粒子固化交联，形成包括多个开口区111的像素界定层11。
其中，磁性粒子包括磁性纳米粒子以及包裹磁性纳米粒子的无机绝缘层；磁性纳米粒子的表面具有交联基团。
示例的，磁性纳米粒子包括铁磁性纳米粒子，例如四氧化三铁(Fe3O4)、氧化铁(Fe2O3)等。无机绝缘层的材料包括氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)等。交联基团至少包括烯丙基、巯基、烯烃、二烯烃、环氧中的一种。
磁性粒子的表面具有交联基团，可以通过加热或者光照，磁性粒子可以进行固化交联。例如，磁性粒子加热至80℃～200℃进行固化交联，或者，磁性粒子在紫外光光照下进行固化交联。从而使磁性粒子之间结合紧密，避免像素界定层11的内部发生分离。
在磁场的作用下，磁性粒子可以在待形成像素界定层11的区域内均匀沉积，可以得到例如厚度小于50nm的像素界定层11。从而降低形成有像素界定层11的衬底10的段差，避免后续在衬底10上形成量子点发光层12时出现成膜不均匀的问题。
需要说明的是，本领域技术人员可以通过控制例如溶液的浓度、涂覆的速度等条件来控制成膜的厚度。
本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中，像素界定层11的材料包括磁性粒子，向衬底10施加第一磁场，以使磁性粒子在第一磁场作用下，均匀沉积，可以得到例如厚度小于50nm的像素界定层11。相对于采用PECVD得到的厚度大于50nm的像素界定层，本发明可降低形成有像素界定层11的衬底10的段差，避免后续在衬底10上形成量子点发光层12时出现成膜不均匀的问题。
可选的，去除像素界定膜1101中的无磁场作用的区域内的像素界定膜1101，包括：
在像素界定膜1101上涂覆第一溶液，对像素界定膜1101中的无磁场作用的区域内的像素界定膜1101的磁性粒子进行洗涤，去除像素界定膜1101中的无磁场作用的区域内的像素界定膜1101；其中，像素界定膜1101的厚度为20nm～50nm。
相应的，像素界定层11的厚度为20nm～50nm。
需要说明的是，可以根据像素界定膜1101中的磁性粒子，选用相应的第一溶液对该磁性粒子进行洗涤，从而去除像素界定膜1101中的无磁场作用的区域内的像素界定膜1101。
在此过程中，由于待形成像素界定层11的区域的像素界定膜1101中的磁性粒子受到第一磁场的作用力大于第一溶液对磁性粒子进行洗涤时该磁性粒子受到的作用力，因此像素界定膜1101中的有磁场作用的区域内的磁性粒子可以保持位置固定，不会被第一溶液洗涤去除。
需要说明的是，本发明实施例对在已形成厚度为20nm～50nm的像素界定层11的衬底10上，形成用于每个量子点发光器件的量子点发光层12采取何种工艺不做限定。
例如，可以采用蒸镀工艺在已形成像素界定层11的衬底10上形成量子点发光层12。或者，采用涂覆工艺在已形成像素界定层11的衬底10上形成量子点发光层12。
示例的，参考图5，在已形成像素界定层11的衬底10上涂覆包括带有磁性的量子点材料的溶液，形成量子点发光膜，并向衬底10施加作用于待形成量子点发光层12的区域的磁场，去除量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的量子点发光膜，通过加热或光照使剩余的量子点发光膜中的量子点材料发生固化交联，形成量子点发光层12。
可以理解的是，在形成量子点发光层12之前，对于正置量子点发光器件，在衬底10上已经依次形成阳极、空穴注入层和空穴传输层。对于倒置量子点发光器件，在衬底10上已经依次形成阴极、电子注入层和电子传输层。
需要说明的是，位于不同颜色亚像素中的量子点发光层12分次形成。
为下述描述方便，将位于第一颜色亚像素中的量子点发光层12称为第一颜色量子点发光层121，将位于第二颜色亚像素中的量子点发光层12称为第二颜色量子点发光层122，将位于第三颜色亚像素中的量子点发光层12称为第三颜色量子点发光层123。其中，本领域技术人员应该明白，第一颜色量子点发光层121、第二颜色量子点发光层122、第三颜色量子点发光层123，并不是相应量子点发光层的颜色是第一颜色、第二颜色和第三颜色，而是，基于第一颜色量子点发光层121、第二颜色量子点发光层122、第三颜色量子点发光层123中量子点尺寸的不同，在发光是分别发出第一颜色、第二颜色和第三颜色光。
示例的，如图8所示，在已形成像素界定层11的衬底10上涂覆包括带有磁性的发第一颜色光的量子点材料的溶液，形成第一颜色量子点发光膜1211，并向衬底10施加作用于第一颜色亚像素中待形成第一颜色量子点发光层121的区域的磁场，去除用于第一颜色量子点发光膜1211中的无磁场作用的区域内的第一颜色量子点发光膜1211，通过加热或光照使剩余的第一颜色量子点发光膜1211中的量子点材料发生固化交联，形成红色量子点发光层121。
之后，如图9所示，在已形成像素界定层11和第一颜色量子点发光层121的衬底10上，涂覆包括带有磁性的发第二颜色光的量子点材料的溶液，形成第二颜色量子点发光膜1221，并向衬底10施加作用于第二颜色亚像素中待形成第二颜色量子点发光层122的区域的磁场，去除第二颜色量子点发光膜1221中的无磁场作用的区域内的第二颜色量子点发光膜1221，通过加热或光照使剩余的第二颜色量子点发光膜1221中的量子点材料发生固化交联，形成第二颜色量子点发光层122。
之后，如图10所示，在已形成像素界定层11、第一颜色量子点发光层121和第二颜色量子点发光层122的衬底10上，涂覆包括带有磁性的发第三颜色光的量子点材料的溶液，形成第三颜色量子点发光膜1231，并向衬底10施加作用于第三颜色亚像素中待形成第三颜色量子点发光层123的区域的磁场，去除第三颜色量子点发光膜1231中的无磁场作用的区域内的第三颜色量子点发光膜1231，通过加热或光照使剩余的第三颜色量子点发光膜1231中的量子点材料发生固化交联，形成第三颜色量子点发光层123。
其中，由于先前形成的量子点发光层已完成固化交联，因此在后续形成其他颜色的量子点发光层的过程中，不会影响已形成的量子点发光层的结构。
可选的，如图11所示，向衬底10施加第一磁场，包括：
S30、参考图7，将图形化的第一磁性板30置于衬底10沿其厚度方向的一侧，沿衬底10的厚度方向，图形化的第一磁性板30的磁性区域与待形成的像素界定层11的区域的投影完全重叠。
S31、对第一磁性板30进行顺磁化，使第一磁性板30向衬底10施加的第一磁场的磁场方向与衬底10的厚度方向平行。
其中，如图12所示，可以在玻璃基板上，通过铁磁性材料进行图形化，形成图形化的第一磁性板30。
参考图4-图5，本发明实施例提供另一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底10上形成包括多个开口区111的像素界定层11、以及与多个开口区111一一对应且位于开口区111的量子点发光器件；量子点发光器件包括量子点发光层12，量子点发光层12的材料为量子点材料；量子点材料带有磁性。
其中，如图13所示，形成量子点发光层12，包括：
S50、如图14所示，在衬底10上涂覆包括量子点材料的溶液，形成量子点发光膜1201；并向衬底10施加第二磁场，使第二磁场作用于待形成量子点发光层12的区域。
S51、如图14所示，去除量子点发光膜1201中的无磁场作用的区域内的量子点发光膜1201，并通过加热或光照使剩余的量子点发光膜1201中的量子点材料固化交联，形成量子点发光层12。
可以理解的是，在形成量子点发光层12之前，对于正置量子点发光器件，在衬底10上已经依次形成阳极、空穴注入层和空穴传输层。对于倒置量子点发光器件，在衬底10上已经依次形成阴极、电子注入层和电子传输层。
此外，本领域技术人员应该明白，对于同一颜色亚像素中的量子点发光层12，同步形成。以红色亚像素、绿色亚像素和蓝色亚像素为例，红色亚像素中的量子点发光层12同步形成，绿色亚像素中的量子点发光层12同步形成，蓝色亚像素中的量子点发光层12同步形成，但不同颜色亚像素中的量子点发光层12分次形成。
可选的，量子点材料中的量子点包括量子点核、包裹量子点核的量子点壳、磁性纳米层以及配体；量子点壳被磁性纳米层包裹，磁性纳米层的厚度为磁性纳米粒子的粒径的1～3倍；配体位于磁性纳米层的外表面；配体包括交联基团，配体位于该磁性纳米层的外表面。
示例的，量子点核为磷化铟(InP)，量子点壳为硫化锌(ZnS)，磁性纳米层中的磁性纳米粒子为四氧化三铁(Fe3O4)或氧化铁(Fe2O3)。量子点壳中的ZnS可以例如在加热条件下发生氧化反应，硫原子被氧化成气体排出，氧原子填补后得到氧化锌(ZnO)，ZnO是离子型化合物，可以在有铁离子存在的情况下发生离子交换，从而得到InP/ZnS@Fe3O4结构的量子点。
可以理解的是，量子点材料中的量子点具有交联基团，可以通过加热或者光照，量子点材料中的量子点可以进行固化交联。例如，量子点材料中的量子点加热至80℃～200℃进行固化交联，或者，量子点材料中的量子点在紫外光光照下进行固化交联。从而使量子点材料中的量子点之间结合紧密，避免量子点发光层12的内部发生分离。
示例的，交联基团至少包括烯丙基、巯基、烯烃、二烯烃、环氧中的一种。
可选的，去除量子点发光膜1201中的无磁场作用的区域内的量子点发光膜1201，包括：
在量子点发光膜1201上涂覆第二溶液，对量子点发光膜1201中的无磁场作用的区域内的量子点发光膜1201中的量子点材料进行洗涤，去除量子点发光膜1201中的无磁场作用的区域内的量子点发光膜1201。
需要说明的是，可以根据量子点发光膜1201中的量子点材料，选用相应的第二溶液对该量子点材料进行洗涤，从而去除量子点发光膜1201中的无磁场作用的区域内的量子点发光膜1201。
在此过程中，由于待形成量子点发光层12的区域的量子点发光膜1201中的量子点材料受到第二磁场的作用力大于第二溶液对量子点材料进行洗涤时该量子点材料受到的作用力，因此量子点发光膜1201中的有磁场作用的区域内的量子点材料可以保持位置固定，不会被第二溶液去除。
可以理解的是，位于不同颜色亚像素中的量子点发光器件中的量子点发光层12分次形成。
可选的，多个量子点发光器件包括发第一颜色光的量子点发光器件、发第二颜色光的量子点发光器件以及发第三颜色光的量子点发光器件；发第一颜色光的量子点发光器件包括第一颜色量子点发光层121；发第二颜色光的量子点发光器件包括第二颜色量子点发光层122；发第三颜色光的量子点发光器件包括第三颜色量子点发光层123。如图15所示，形成多个量子点发光器件中的量子点发光层，包括：
S501、如图16所示，在衬底10上涂覆包括发第一颜色光的量子点材料的溶液，形成第一颜色量子点发光膜1211；并向衬底10施加第二磁场，使第二磁场作用于待形成第一颜色量子点发光层121的区域；去除第一颜色量子点发光膜1211中的无磁场作用的区域内的第一颜色量子点发光膜1211，并通过加热或光照使剩余的第一颜色量子点发光膜1211中的量子点材料固化交联，形成第一颜色量子点发光层121。
S502、如图17所示，在形成有第一颜色量子点发光层121的衬底10上，涂覆包括发第二颜色光的量子点材料的溶液，形成第二颜色量子点发光膜1221；并使第二磁场作用于待形成第二颜色量子点发光层122的区域；去除第二颜色量子点发光膜1221中的无磁场作用的区域内的第二颜色量子点发光膜1221，并通过加热或光照使剩余的第二颜色量子点发光膜1221中的量子点材料固化交联，形成第二颜色量子点发光层122。
S503、如图18所示，在形成有第一颜色量子点发光层121和第二颜色量子点发光层122的衬底10上，涂覆包括发第三颜色光的量子点材料的溶液，形成第三颜色量子点发光膜1231；并使第二磁场作用于待形成第三颜色量子点发光层123的区域；去除第三颜色量子点发光膜1231中的无磁场作用的区域内的第三颜色量子点发光膜1231，并通过加热或光照使剩余的第三颜色量子点发光膜1231中的量子点材料固化交联，形成第三颜色量子点发光层123。
本领域技术人员应该明白，第一颜色量子点发光层121、第二颜色量子点发光层122、第三颜色量子点发光层123，并不是相应量子点发光层的颜色是第一颜色、第二颜色和第三颜色，而是基于第一颜色量子点发光层121、第二颜色量子点发光层122、第三颜色量子点发光层123中量子点尺寸的不同，使得发光是分别发出第一颜色、第二颜色和第三颜色光。
其中，第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色。
需要说明的是由于先前形成的量子点发光层已完成固化交联，因此在后续形成其他颜色的量子点发光层的过程中，不会影响已形成的量子点发光层的结构。
由于在衬底10上先形成量子点发光层12，因此在涂覆量子点材料时不会受到像素界定层11厚度的影响，从而避免量子点发光层12出现成膜不均匀的问题。
需要说明的是，本发明实施例对在已形成量子点发光层12的衬底10上，形成像素界定层11采取何种工艺不做限定。
例如，可以采用蒸镀工艺在已形成量子点发光层12的衬底10上形成像素界定层11。或者，采用旋涂工艺在已形成量子点发光层12的衬底10上形成像素界定层11。或者，如图19所示，在已形成量子点发光层12的衬底10上涂覆包括磁性粒子的溶液，形成像素界定膜1101，并向衬底10上待形成像素界定层11的区域施加磁场，去除像素界定膜1101中的无磁场作用的区域内的像素界定膜1101，并通过加热或光照使剩余的像素界定膜1101中的磁性粒子固化交联，形成像素界定层11。
对于正置量子点发光器件，可以采用蒸镀工艺，在已形成量子点发光层12和像素界定层11远离衬底10的一侧形成电子传输层、电子注入层、阴极，且电子传输层、电子注入层、阴极的厚度可以不在50nm以下。对于倒置量子点发光器件，可以采用旋涂工艺，在已形成像素界定层11和量子点发光层12远离衬底10的一侧形成空穴传输层、空穴注入层、阳极，且像素界定层11的厚度为20nm～50nm，空穴传输层、空穴注入层、阳极的厚度可以不超过50nm。
可选的，如图20所示，向衬底10施加第二磁场，包括：
S60、参考图14、图16-图18，将图形化的第二磁性板40置于衬底10沿其厚度方向的一侧，沿衬底10的厚度方向，图形化的第二磁性板40的磁性区域与待形成的量子点发光层12的区域的投影完全重叠。
S61、对第二磁性板40进行顺磁化，使第二磁性板40向衬底10施加的第二磁场的磁场方向与衬底10的厚度方向平行。
其中，如图21所示，可以在玻璃基板上，通过铁磁性材料进行图形化，形成图形化的第二磁性板40。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底、设置在所述衬底上的像素界定层，所述像素界定层包括多个开口区，每个所述开口区一一对应的设置一个量子点发光器件；
所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料为量子点材料；
所述像素界定层的材料包括磁性粒子；
所述像素界定层的厚度为20nm～50nm。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述磁性粒子包括磁性纳米粒子以及包裹所述磁性纳米粒子的无机绝缘层；
所述磁性纳米粒子的表面具有交联基团。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述量子点材料带有磁性。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述量子点材料中的量子点包括量子点核、包裹所述量子点核的量子点壳、磁性纳米层以及配体；
所述量子点壳被所述磁性纳米层包裹，所述磁性纳米层的厚度为磁性纳米粒子的粒径的1～3倍；
所述配体位于所述磁性纳米层的外表面；所述配体包括交联基团。
5.根据权利要求2或4所述的阵列基板，其特征在于，所述交联基团至少包括烯丙基、巯基、烯烃、二烯烃、环氧中的一种。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、设置在所述衬底上的像素界定层，所述像素界定层包括多个开口区，每个所述开口区一一对应的设置一个量子点发光器件；
所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料为量子点材料；所述量子点材料带有磁性。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，
所述量子点材料中的量子点包括量子点核、包裹所述量子点核的量子点壳、磁性纳米层以及配体；所述量子点壳被所述磁性纳米层包裹，所述磁性纳米层的厚度为磁性纳米粒子的粒径的1～3倍；
所述配体位于所述磁性纳米层的外表面；所述配体包括交联基团。
8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项或者权利要求6-7任一项所述的阵列基板，所述显示面板还包括设置于所述量子点发光器件远离所述衬底一侧的封装层。
9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成包括多个开口区的像素界定层、以及与多个所述开口区一一对应且位于所述开口区的量子点发光器件；所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料为量子点材料；
在衬底上形成包括多个开口区的像素界定层，包括：
在所述衬底上涂覆包括磁性粒子的溶液，形成像素界定膜；并向所述衬底施加第一磁场，使所述第一磁场作用于待形成像素界定层的区域；
去除所述像素界定膜中的无磁场作用的区域内的所述像素界定膜，并通过加热或光照使剩余的所述像素界定膜中的所述磁性粒子固化交联，形成包括多个开口区的所述像素界定层。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，去除所述像素界定膜中的无磁场作用的区域内的所述像素界定膜，包括：
在所述像素界定膜上涂覆第一溶液，对所述像素界定膜中的无磁场作用的区域内的所述像素界定膜中的磁性粒子进行洗涤，去除所述像素界定膜中的无磁场作用的区域内的所述像素界定膜；
其中，所述像素界定膜的厚度为20nm～50nm。
11.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
向所述衬底施加第一磁场，包括：
将图形化的第一磁性板置于所述衬底沿其厚度方向的一侧，沿所述衬底的厚度方向，图形化的所述第一磁性板的磁性区域与待形成的所述像素界定层的区域的投影完全重叠；
对所述第一磁性板进行顺磁化，使所述第一磁性板向所述衬底施加的所述第一磁场的磁场方向与所述衬底的厚度方向平行。
12.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成包括多个开口区的像素界定层、以及与多个所述开口区一一对应且位于所述开口区的量子点发光器件；所述量子点发光器件包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料为量子点材料；所述量子点材料带有磁性；
形成所述量子点发光层，包括：
在所述衬底上涂覆包括量子点材料的溶液，形成量子点发光膜；并向所述衬底施加第二磁场，使所述第二磁场作用于待形成所述量子点发光层的区域；
去除所述量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述量子点发光膜，并通过加热或光照使剩余的所述量子点发光膜中的所述量子点材料固化交联，形成所述量子点发光层。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，去除所述量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述量子点发光膜，包括：
在所述量子点发光膜上涂覆第二溶液，对所述量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述量子点发光膜中的量子点材料进行洗涤，去除所述量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述量子点发光膜。
14.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，多个所述量子点发光器件包括发第一颜色光的所述量子点发光器件、发第二颜色光的所述量子点发光器件以及发第三颜色光的所述量子点发光器件；
发第一颜色光的所述量子点发光器件包括第一颜色量子点发光层；发第二颜色光的所述量子点发光器件包括第二颜色量子点发光层；发第三颜色光的所述量子点发光器件包括第三颜色量子点发光层；
形成多个所述量子点发光器件中的所述量子点发光层，包括：
在所述衬底上涂覆包括发第一颜色光的量子点材料的溶液，形成第一颜色量子点发光膜；并向所述衬底施加第二磁场，使所述第二磁场作用于待形成所述第一颜色量子点发光层的区域；去除所述第一颜色量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述第一颜色量子点发光膜，并通过加热或光照使剩余的所述第一颜色量子点发光膜中的量子点材料固化交联，形成所述第一颜色量子点发光层；
在形成有所述第一颜色量子点发光层的所述衬底上，涂覆包括发第二颜色光的量子点材料的溶液，形成第二颜色量子点发光膜；并使所述第二磁场作用于待形成所述第二颜色量子点发光层的区域；去除所述第二颜色量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述第二颜色量子点发光膜，并通过加热或光照使剩余的所述第二颜色量子点发光膜中的量子点材料固化交联，形成所述第二颜色量子点发光层；
在形成有所述第一颜色量子点发光层和所述第二颜色量子点发光层的所述衬底上，涂覆包括发第三颜色光的量子点材料的溶液，形成第三颜色量子点发光膜；并使所述第二磁场作用于待形成所述第三颜色量子点发光层的区域；去除所述第三颜色量子点发光膜中的无磁场作用的区域内的所述第三颜色量子点发光膜，并通过加热或光照使剩余的所述第三颜色量子点发光膜中的量子点材料固化交联，形成所述第三颜色量子点发光层。
15.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
向所述衬底施加第二磁场，包括：
将图形化的第二磁性板置于所述衬底沿其厚度方向的一侧，沿所述衬底的厚度方向，图形化的所述第二磁性板的磁性区域与待形成的所述量子点发光层的区域的投影完全重叠；
对所述第二磁性板进行顺磁化，使所述第二磁性板向所述衬底施加的所述第二磁场的磁场方向与所述衬底的厚度方向平行。
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