CN110137309A - 一种提升双面电池背面抗pid性能的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种提升双面电池背面抗PID性能的方法，属于晶硅太阳能电池制造生产技术领域，目的在于解决现有技术中双面电池背面抗PID性能较差的问题。其包括以下步骤：(1)双面PERC电池经制绒工艺、扩散工艺、刻蚀工艺后，进行退火工艺时，确保恒温范围处于680‑800℃，氧气流量500‑3000SCCM，退火时间为10‑100min；(2)使用原子层沉积法进行氧化铝镀膜工艺时，确保双面PERC电池背面氧化铝厚度为2‑10nm；(3)进行背面氮化硅镀膜工艺，确保双面PERC电池背面氮化硅镀膜厚度80‑110nm，折射率2.12‑2.3；(4)双面PRRC电池经背面氮化硅镀膜工艺后，进行后续工艺，即可检测分选，完成制备。本发明适用于提升双面电池背面抗PID性能。

Description

一种提升双面电池背面抗PID性能的方法
技术领域
本发明属于晶硅太阳能电池制造生产技术领域，具体涉及一种提升双面电池背面抗PID性能的方法。
背景技术
单晶双面PERC高效电池通过改变背面铝背场印刷为铝栅线印刷，并结合刻蚀工艺优化、背钝化和背镀膜工艺优化，在P型单晶上实现双面发电能力。匹配双玻组件封装技术安装于不同应用场景，可相比单面PERC产品增加10％-30％的系统发电增益。同时随着光伏行业发展，对电池片和组件可靠性的技术检测手段日趋完善，也越严格。其中PID的检测条件最严苛，主要是因为PID问题一直会伴随组件的使用寿命一直存在，如果不能在封装组件之前完全解决PID问题，严重影响组件质量。因此解决双面电池正背面PID问题是很重要的工作。电池正面PID目前已经成功解决，满足国家质检标准，但是目前由于单晶双面PERC电池在太阳能电池制造行业算是新产品、前端产品，对电池背面性能检测没有完善的检测标准，只能基于正面电池要求或者客户要求进行检测和把控。但是电池背面的确存在PID问题，给后期组件使用中增加风险。因此，如何解决双面PERC电池背面PID问题具有重要的研究意义。
本专利设计的背面抗PID性能制作方法，基于常规PERC电池生产线，完全兼容常规PERC电池生产线，在不增加新设备的前提下实现PERC双面电池背面抗PID性能，满足质检要求、客户要求。具有一定创新性和实用性。
发明内容
本发明的目的在于：提供一种提升双面电池背面抗PID性能的方法，解决现有技术中双面电池背面抗PID性能较差的问题。
本发明采用的技术方案如下：
一种提升双面电池背面抗PID性能的方法，包括以下步骤：
(1)双面PERC电池经制绒工艺、扩散工艺、刻蚀工艺后，在进行退火工艺时，确保恒温范围处于680-800℃，氧气流量500-3000SCCM，退火时间为10-100min；
(2)双面PERC电池经退火工艺后，使用原子层沉积法进行氧化铝镀膜工艺时，确保双面PERC电池背面氧化铝厚度为2-10nm；
(3)双面PERC电池氧化铝镀膜工艺后，进行背面氮化硅镀膜工艺，确保双面PERC电池背面氮化硅镀膜厚度80-110nm，折射率2.12-2.3；
(4)双面PRRC电池经背面氮化硅镀膜工艺后，进行正面氮化硅镀膜工艺、背面激光开槽工艺、丝网印刷工艺，即可检测分选，完成制备。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明中，设计的双面PERC电池背面抗PID性能制作方法，基于常规PERC电池生产线，完全兼容常规PERC电池生产线，在不增加新设备的前提下，通过精确控制退火工艺、ALD工艺、背面氮化硅镀膜工艺中的各项参数，实现了PERC双面电池背面抗PID性能提升，满足了质检要求、客户要求。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种提升双面电池背面抗PID性能的方法，包括以下步骤：
(1)双面PERC电池经制绒工艺、扩散工艺、刻蚀工艺后，在进行退火工艺时，确保恒温范围处于680-800℃，氧气流量500-3000SCCM，退火时间为10-100min；
(2)双面PERC电池经退火工艺后，使用原子层沉积法进行氧化铝镀膜工艺时，确保双面PERC电池背面氧化铝厚度为2-10nm；
(3)双面PERC电池氧化铝镀膜工艺后，进行背面氮化硅镀膜工艺，确保双面PERC电池背面氮化硅镀膜厚度80-110nm，折射率2.12-2.3；
(4)双面PRRC电池经背面氮化硅镀膜工艺后，进行正面氮化硅镀膜工艺、背面激光开槽工艺、丝网印刷工艺，即可检测分选，完成制备。
本发明在实施过程中，设计的双面PERC电池背面抗PID性能制作方法，基于常规PERC电池生产线，完全兼容常规PERC电池生产线，在不增加新设备的前提下，通过精确控制退火工艺、ALD工艺、背面氮化硅镀膜工艺中的各项参数，实现了PERC双面电池背面抗PID性能提升，满足了质检要求、客户要求。
实施例1
一种提升双面电池背面抗PID性能的方法，包括以下步骤：
(1)双面PERC电池经制绒工艺、扩散工艺、刻蚀工艺后，在进行退火工艺时，确保恒温范围处于680-800℃，氧气流量500-3000SCCM，退火时间为10-100min；
(2)双面PERC电池经退火工艺后，使用原子层沉积法进行氧化铝镀膜工艺时，确保双面PERC电池背面氧化铝厚度为2-10nm；
(3)双面PERC电池氧化铝镀膜工艺后，进行背面氮化硅镀膜工艺，确保双面PERC电池背面氮化硅镀膜厚度80-110nm，折射率2.12-2.3；
(4)双面PRRC电池经背面氮化硅镀膜工艺后，进行正面氮化硅镀膜工艺、背面激光开槽工艺、丝网印刷工艺，即可检测分选，完成制备。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种提升双面电池背面抗PID性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)双面PERC电池经制绒工艺、扩散工艺、刻蚀工艺后，在进行退火工艺时，确保恒温范围处于680-800℃，氧气流量500-3000SCCM，退火时间为10-100min；
(2)双面PERC电池经退火工艺后，使用原子层沉积法进行氧化铝镀膜工艺时，确保双面PERC电池背面氧化铝厚度为2-10nm；
(3)双面PERC电池氧化铝镀膜工艺后，进行背面氮化硅镀膜工艺，确保双面PERC电池背面氮化硅镀膜厚度80-110nm，折射率2.12-2.3；
(4)双面PRRC电池经背面氮化硅镀膜工艺后，进行正面氮化硅镀膜工艺、背面激光开槽工艺、丝网印刷工艺，即可检测分选，完成制备。
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