CN102709391B - 一种选择性发射极太阳电池的制备方法 - Google Patents
一种选择性发射极太阳电池的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102709391B CN102709391B CN201210171390.XA CN201210171390A CN102709391B CN 102709391 B CN102709391 B CN 102709391B CN 201210171390 A CN201210171390 A CN 201210171390A CN 102709391 B CN102709391 B CN 102709391B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- texturing
- metal electrode
- diffusion
- crystal silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 71
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 19
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 18
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种选择性发射极太阳电池的制备方法，含以下步骤：选取预处理的晶体硅片，在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构，即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域不进行织构化或少量织构化，在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域进行深度织构化，接着采用限定源扩散在金属电极区域沉积有更多杂质，而在非金属电极区域沉积有较少的杂质，形成选择性发射极结构，最后经后续工序处理制备形成选择性发射极太阳电池。该方法工艺简单，材料成本低，易于工业化。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种选择性发射极太阳电池的制备方法。
背景技术
随着化石能源的日益减少和由此带来的生态环境恶化，人们将目光从传统的化石能源转向新型的绿色能源。而人类获得能源的最直接的方式就是利用太阳能，太阳电池是将太阳能转换为电能的最有效地方式之一。晶体硅太阳电池的发展方向仍然是降低成本和提高效率。目前中国已经成为光伏领域内晶硅太阳电池的大国，在如何提高太阳电池转换效率方面，各太阳电池制造厂商展开了一场效率竞赛，为的是进一步提高本公司的市场竞争力和促进光伏发电成本的降低。
传统电池片的基本工艺流程包括制绒、扩散、等离子刻蚀、磷硅玻璃清洗、氮化硅沉积、丝网印刷、烧结。常规丝网印刷工艺，尤其是对大面积的电池片而言，金属电极栅线往往有很多条，由两到三条主栅线连接在一起，这样设计的电池能够收集到电池各处产生的电流。为了保障丝网印刷的正面金属栅电极（包括主栅和细栅）与发射极之间具有良好的电极接触性能，发射极需要较高的表面掺杂浓度，然而较高掺杂浓度的磷扩散层会造成蓝光吸收损耗与光生载流子表面再复合损耗，不利于实现转换效率的提高。选择性发射极（SelectiveEmitter，简称SE）结构即为克服上述困难的有效技术。
选择性发射极太阳电池的基本结构和常规太阳电池类似，但是需要对正面金属栅电极与硅片接触部位形成高掺杂深扩散区，而在金属栅电极之间的其他区域形成低掺杂浅扩散区。这样的结构可降低正面金属栅电极之间区域的扩散层复合，提高太阳电池的短波响应，同时减少正面金属栅电极与硅表面发射极的接触电阻，使得短路电流、开路电压、填充因子都得到改善，从而提高转换效率。
实现选择性发射极结构的关键在于如何制作两个不同掺杂浓度的区域。现有的技术主要有两次扩散法和一次扩散法。两次扩散法需要进行两次热扩散以分别形成选择性发射极结构的两个不同区域，工艺步骤比较复杂而且两次高温热过程热损耗很大，给硅片带来的热损伤较大，尤其对多晶硅影响更为严重；一次扩散法是在一次热扩散中形成该结构，一般采用的方法是首先在硅片表面的不同区域得到不同量的扩散杂质源，由于扩散杂质源的不同将会得到不同的扩散结果，进行热扩散后就形成高低浓度的掺杂。采用一次扩散法制备选择性发射极结构太阳电池的主要方案包括：氧化层掩膜扩散印刷法，印刷扩散杂质源单步扩散法，印刷硅墨单步扩散法，激光涂源掺杂电镀法等。氧化层掩膜扩散印刷法设计的技术过于复杂，影响工艺效率，增加了生产成本；印刷扩散杂质源单步扩散法掌控杂质源扩散深度的准确率不高；印刷硅墨单步扩散法需要购买昂贵的硅墨，在生产材料上受制于人；激光涂源掺杂电镀法采用激光热效应进行掺杂的均匀性和后续电镀法制作电极的可控性还没有完全解决。所以，非常有必要解决一次扩散法的难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种选择性发射极太阳电池的制备方法，该方法工艺简单，材料成本低，易于工业化。
本发明的上述目的是通过如下技术方案来实现的：一种选择性发射极太阳电池的制备方法，含以下步骤：选取预处理的晶体硅片，在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构，即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域不进行织构化或少量织构化，在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域进行深度织构化，接着采用限定源扩散在金属电极区域沉积有更多杂质，而在非金属电极区域沉积有较少的杂质，形成选择性发射极结构，最后经后续工序处理制备形成选择性发射极太阳电池。
本发明所述的晶体硅片优选为p型或n型单晶或多晶硅片，其电阻率为0.1~10Ω·cm，厚度为150~500μm。
本发明晶体硅片的预处理优选含以下工序：选取晶体硅片，去除硅片表面损伤层，形成抛光表面，并进行化学清洗。
本发明优选采用激光、机械法、掩膜加化学腐蚀的方法在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构。
本发明优选采用限定源扩散，采用该种方式，杂质源在单位时间和单位面积上挥发的量一定，限定源扩散的方式优选为固定源扩散，在形成表面织构化程度不一致的晶体硅片的表面上，必须保证恒定的杂质源在垂直于扩散面的方向上有很好的均匀性。
在限定源扩散过程中，由于杂质源在单位时间和单位面积上挥发的量一定，在平行于源片的硅片表面上有更小的有效表面积，所以在无织构化或者少量织构化的金属电极区有更多的杂质沉积，而在深度织构化的非金属电极区由于有效表面积的增加，有更少的杂质沉积，这样就形成了选择性发射极结构。
本发明优选采用限定源扩散在金属电极区域沉积有更多杂质，而在非金属电极区域沉积有较少的杂质，对于p型硅片，所述的杂质为磷，砷，锑或铋等Ⅴ族元素；对于n型硅片，所述的杂质为硼、铝、镓、铟或铊等Ⅲ族元素，其在晶体硅片中的导电类型与晶体硅片的导电类型相反。
本发明所述的后续工艺优选含有去除背面p-n结，或去除周边p-n结，在晶体硅片前表面沉积减反射层，丝网印刷正电极、背电极和背电场以及烧结等工序。
具体可以通过如在硅片背面丝网印刷铝层作为背电场，丝网印刷银浆或银铝浆作为背电极，在硅片前表面印刷银浆作为正电极，印刷正电极的区域即为需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域，经过烧结后即形成具有选择性发射极结构的太阳电池。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：
(1)本发明利用硅片表面不同位置的织构化程度不一致性和限定源扩散方法实现选择性发射极结构，从而在不更改后续工艺步骤的条件下制备选择性发射极太阳电池；
(2)本发明提供了一种采用一次扩散法形成选择性发射极结构的途径，使选择性发射极太阳电池的制备变得简单易行，满足工业化生产的目的；
(3)采用本发明方法可以改善太阳电池的短波相应，提高太阳电池的短路电流和开路电压。
附图说明
图1是本发明实施例1中制备形成的表面织构化程度不一致的硅表面待扩散结构；
图2是本发明实施例1中限定源扩散过程；
图3是本发明实施例1中选择性发射极太阳电池制备流程图，采用激光的方法对晶体硅片表面进行织构化，其中a是去除硅片表面损伤层，形成抛光表面，并进行化学清洗，b是采用激光对非金属电极区进行表面织构化，并进行化学清洗，形成待扩散结构，c是采用限定源扩散法进行磷扩散，d是去除背面p-n结，e是采用PECVD技术在硅片前表面沉积SiNx作为减反射层，f是丝网印刷正、背面电极，背电场，烧结形成欧姆接触；
图4是本发明实施例2中选择性发射极太阳电池制备流程图，采用掩膜加化学腐蚀的方法对晶体硅片表面进行织构化，a是去除硅片表面损伤层，形成抛光表面，并进行化学清洗，b是采用PECVD技术在硅片前表面沉积SiNx作为掩膜层，c是在非金属电极区采用激光穿透SiNx掩膜层，d是采用热的NaOH溶液对非印刷图形的区域进行表面织构化，e是采用HF溶液清洗SiNx掩膜层，形成待扩散结构，f是采用限定源扩散法进行磷扩散，g是去除背面p-n结，h是采用PECVD技术在硅片前表面沉积SiNx作为减反射层，i是丝网印刷正、背面电极，背电场，烧结形成欧姆接触；
附图说明：1、p型硅片；2、硅片表面深度织构化区；3、硅片表面无织构化或者少量织构化区；4、磷低掺杂浅扩散区n+；5、磷高掺杂深扩散区n++；61、携磷源片；62、携磷源片含磷区；7、SiNx减发射层；8、正电极；9、背电极；10、背电场。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步的说明。
实施例1
本实施例提供的一种选择性发射极太阳电池的制备方法，采用激光的办法织构化，其工艺过程如下：
(1)选取p型多晶硅片，在10℃下的硝酸、氢氟酸和去离子水体积比为4∶1∶1的混合溶液中抛光，形成抛光表面，采用质量百分含量为5%的HF溶液清洗，获得如图3中a所示，也可采用常规的其它方法进行抛光或者清洗；
(2)采用激光对非金属电极区进行表面织构化，在晶体硅片表面不同位置处形成织构化程度不一致的表面结构，即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域无织构化，而在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域深度织构化，采用质量百分含量为5%的HF溶液清洗，也可采用本领域的常规手段清洗后，形成待扩散结构，如图3中b所示；
(3)采用限定源扩散的方式进行磷扩散，本实施例中采用固定源扩散的方式，在无织构化的金属电极区有更多的磷沉积，而在深度织构化的非金属电极区由于有效表面积的增加，有更少的磷沉积，这样就形成了选择性发射极结构，如图3中c所示；
(4)去除背面p-n结，如图3中d所示；
(5)采用PECVD技术在硅片前表面沉积SiNx作为减反射层，如图3中e所示；
(6)在硅片上丝网印刷电极，经烧结使金属与硅基体形成欧姆接触；
在硅片背面丝网印刷铝层作为背电场，丝网印刷银浆或银铝浆作为背电极，在硅片前表面印刷银浆作为正电极，印刷正电极银浆的区域即为在第(3)步中形成的高掺杂深扩散的金属电极区域，如图3f所示。
实施例2
本实施例提供的一种选择性发射极太阳电池的制备方法，采用掩膜加化学腐蚀的方法织构化，其工艺过程如下：
(1)选取p型单晶硅片，将其置于80℃的质量百分含量为20%的NaOH溶液中抛光10分钟，形成抛光表面，然后采用质量百分含量为5%的HF溶液清洗，也可采用本领域的其它常规技术手段进行抛光和清洗，如图4中a所示；
(2)采用采用PECVD技术在硅片前表面沉积SiNx作为掩膜层，也可以采用本领域采用的其它常规掩膜层，如图4中b所示；
(3)在非金属电极区采用激光穿透SiNx掩膜层，如图4中c所示；
(4)可以采用温度为80℃的质量百分含量为2.5%的NaOH溶液对非金属电极区进行表面织构化25min，也可采用其它常规的碱液对非金属电极区进行织构化，在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构：即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域无织构化，而在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域深度织构化，如图4中d所示；
(5)采用质量百分含量为5%的HF溶液清洗SiNx掩膜层，也可采用本领域其它常规溶液进行清洗除去SiNx掩膜层，形成待扩散结构，如图4中e所示；
(6)采用限定源扩散的方式即固定源扩散的方式进行磷扩散，在无织构化的金属电极区有更多的磷沉积，而在深度织构化的非金属电极区由于有效表面积的增加，有更少的磷沉积，这样就形成了选择性发射极结构，如图4中f所示；
(7)去除背面p-n结，如图4中g所示；
(8)采用PECVD技术在硅片前表面沉积SiNx作为减反射层，如图4中h所示；
(9)在硅片上丝网印刷电极，经烧结使金属与硅基体形成欧姆接触；
在硅片背面丝网印刷铝层作为背电场，丝网印刷银浆或银铝浆作为背电极；在硅片前表面印刷银浆作为正电极，印刷正电极银浆的区域为在第（6）步中形成的高掺杂深扩散的金属电极区域，如图4中i所示。
实施例3
本实施例提供的一种选择性发射极太阳电池的制备方法，采用机械法的办法织构化，其工艺过程如下：
(1)选取n型晶体硅片，对于n型单晶硅片，可以在80℃的质量百分含量为20%的NaOH溶液中抛光10分钟，并采用质量百分含量为5%的HF溶液清洗，也可采用本领域的其它常规手段进行抛光和清洗，形成抛光表面；
(2)采用机械刻槽的办法对非金属电极区进行表面织构化，在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构：即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域无织构化，而在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域深度织构化，采用质量百分含量为5%的HF溶液清洗，清洗也可以采用其它本领域常规采用的溶液进行清洗，形成待扩散结构；
(3)采用限定源扩散的方式即固定源的方式进行硼扩散，在无织构化的金属电极区有更多的硼沉积，而在深度织构化的非金属电极区由于有效表面积的增加，有更少的硼沉积，这样就形成了选择性发射极结构；
(4)去除背面p-n结；
(5)采用PECVD技术在硅片前表面沉积SiNx作为减反射层；
(6)在硅片上丝网印刷电极，经烧结使金属与硅基体形成欧姆接触。
在硅片背面丝网印刷磷浆作为背电场，丝网印刷银浆作为背电极，在硅片前表面印刷银浆作为正电极，印刷正电极银浆的区域即为在第(3)步中形成的高掺杂深扩散的金属电极区域。
以上列举具体实施例对本发明进行说明。需要指出的是，以上实施例只用于对本发明作进一步说明，不代表本发明的保护范围，其他人根据本发明的提示做出的非本质的修改和调整，仍属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是含以下步骤：选取预处理的晶体硅片，在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构，即在需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域不进行织构化或少量织构化，在需要进行低掺杂浅扩散的非金属电极区域进行深度织构化，接着采用限定源扩散在金属电极区域沉积有更多杂质，而在非金属电极区域沉积有较少的杂质，形成选择性发射极结构，最后经后续工序处理制备形成选择性发射极太阳电池；
采用激光、机械法或掩膜加化学腐蚀的方法在晶体硅片表面不同位置形成织构化程度不一致的表面结构；
晶体硅片的预处理含以下工序：选取晶体硅片，去除硅片表面损伤层，形成抛光表面，并进行化学清洗。
2.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：所述的晶体硅片为p型或n型单晶或多晶硅片，其电阻率为0.1~10Ω·cm，厚度为150~500μm。
3.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：采用限定源扩散。
4.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：采用限定源扩散在金属电极区域沉积有更多杂质，而在非金属电极区域沉积有较少的杂质，对于p型硅片，所述的杂质为磷，砷，锑或铋元素；对于n型硅片，所述的杂质为硼、铝、镓、铟或铊元素，其在晶体硅片中的导电类型与晶体硅片的导电类型相反。
5.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：所述的后续工艺含有去除背面p-n结，或去除周边p-n结，在晶体硅片前表面沉积减反射层，丝网印刷正电极、背电极和背电场以及烧结工序。
6.根据权利要求5所述的选择性发射极太阳电池的制备方法，其特征是：丝网印刷正电极的区域即为需要进行高掺杂深扩散的金属电极区域。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210171390.XA CN102709391B (zh) | 2012-05-29 | 2012-05-29 | 一种选择性发射极太阳电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210171390.XA CN102709391B (zh) | 2012-05-29 | 2012-05-29 | 一种选择性发射极太阳电池的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102709391A CN102709391A (zh) | 2012-10-03 |
| CN102709391B true CN102709391B (zh) | 2016-04-27 |
Family
ID=46902035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210171390.XA Active CN102709391B (zh) | 2012-05-29 | 2012-05-29 | 一种选择性发射极太阳电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102709391B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103094371A (zh) * | 2013-01-21 | 2013-05-08 | 西安交通大学苏州研究院 | 一种多晶硅绒面结构及其制绒方法 |
| CN109411565B (zh) * | 2018-09-29 | 2021-02-26 | 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 | 太阳能电池片及其制备方法、光伏组件 |
| CN110880543A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-03-13 | 遵义师范学院 | 一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101800266A (zh) * | 2010-03-12 | 2010-08-11 | 上海太阳能电池研究与发展中心 | 一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8420435B2 (en) * | 2009-05-05 | 2013-04-16 | Solexel, Inc. | Ion implantation fabrication process for thin-film crystalline silicon solar cells |
-
2012
- 2012-05-29 CN CN201210171390.XA patent/CN102709391B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101800266A (zh) * | 2010-03-12 | 2010-08-11 | 上海太阳能电池研究与发展中心 | 一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102709391A (zh) | 2012-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102222726B (zh) | 采用离子注入法制作交错背接触ibc晶体硅太阳能电池的工艺 | |
| CN103904164B (zh) | 一种n型背结太阳能电池的制备方法 | |
| CN103489934A (zh) | 一种双面透光的局部铝背场太阳能电池及其制备方法 | |
| CN110880541A (zh) | 一种新结构n型晶硅PERT双面电池及其制备方法 | |
| CN104269457B (zh) | 一种基于离子注入工艺的n型ibc硅太阳能电池制作方法 | |
| CN107507872A (zh) | 一种双面掺杂的高效太阳能电池及其制作方法 | |
| CN104752562A (zh) | 一种局部硼背场背钝化太阳能电池的制备方法 | |
| CN108922938B (zh) | 一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN105826409B (zh) | 一种局部背场n型太阳能电池的制备方法 | |
| WO2017020690A1 (zh) | 基于p型硅衬底的背接触式太阳能电池 | |
| CN102623517A (zh) | 一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102683493A (zh) | N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法 | |
| CN110265497A (zh) | 一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
| CN108172658B (zh) | 一种n型异质结双面太阳能电池的制备方法 | |
| CN102376789A (zh) | 选择性发射极太阳能电池及制备方法 | |
| CN110459638A (zh) | 一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法 | |
| KR101612133B1 (ko) | Ｍｗｔ형 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN111477720A (zh) | 一种钝化接触的n型背结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102709389B (zh) | 一种双面背接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN102800757A (zh) | N型太阳能电池及其制造工艺 | |
| CN108461554A (zh) | 全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102709391B (zh) | 一种选择性发射极太阳电池的制备方法 | |
| CN104134706B (zh) | 一种石墨烯硅太阳电池及其制作方法 | |
| CN103618025B (zh) | 一种晶体硅背结太阳能电池制备方法 | |
| CN115274913A (zh) | 一种带有钝化接触结构的ibc太阳电池的制备方法及电池、组件和系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 334000 Shangrao Economic Development Zone, Jiangxi Road, No. 8 Patentee after: JIANGXI ZHANYU NEW ENERGY CO., LTD. Address before: 334000 Shangrao Economic Development Zone, Jiangxi Road, No. 8 Patentee before: SRPV High-tech Co.,Ltd. |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Preparation method of selective emitter solar cell Effective date of registration: 20190822 Granted publication date: 20160427 Pledgee: Shangrao Branch of Jiujiang Bank Co., Ltd. Pledgor: JIANGXI ZHANYU NEW ENERGY CO., LTD. Registration number: Y2019360000006 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20200724 Granted publication date: 20160427 Pledgee: Shangrao Branch of Jiujiang Bank Co.,Ltd. Pledgor: JIANGXI UNIEX NEW ENERGY Co.,Ltd. Registration number: Y2019360000006 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210112 Address after: No.8 Xingye Avenue, Shangrao economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100 Patentee after: Shangrao Jietai New Energy Technology Co., Ltd Address before: No.8 Jinguang Avenue, Shangrao Economic Development Zone, Jiangxi Province Patentee before: JIANGXI UNIEX NEW ENERGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |