CN110137099A - 晶圆测试设备以及测试方法 - Google Patents

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Abstract

本发明一种提供晶圆测试设备以及测试方法，晶圆测试设备包括：探测装置，用于承载晶圆并对所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；测试装置，接收探测信号，判断所述待探测部位的性能；激光退火装置，位于所述测试装置内或位于所述探测装置内，加热所述晶圆的待探测部位；利用本发明的晶圆测试设备能够实现对晶圆的待探测部位的加热，避免在晶圆测试过程中对整个晶圆进行加热，保证不需要测量的芯片的性能，从而提高不需要加热的芯片或者器件的出货率，提高生产效率。

Description

晶圆测试设备以及测试方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆测试设备以及测试方法。
背景技术
在半导体工艺中，于晶圆上加工制作各种电路元件结构，而使晶圆成为有特定电性功能之IC产品。对于计算机产品而言，晶圆的品质影响着整个计算机的性能。
目前，在半导体产品制造过程中，晶圆是当前集成电路的基础半成品，晶圆的好坏直接影响半导体成品的质量，所以需要对晶圆进行测试。晶圆测试的目的是将坏的管芯挑出来，以节约废芯片封装成本。当需要在一定的温度条件下对晶圆进行性能测试的时候，就需要对晶圆进行加热。
如何避免在晶圆测试过程中对整个晶圆进行加热，保证不需要测量的芯片的性能，这是目前急需解决的问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种晶圆测试设备，避免在晶圆测试过程中对整个晶圆进行加热，保证不需要测量的芯片的性能，从而提高不需要加热的芯片或者器件的出货率，提高生产效率。
为解决上述问题，本发明一种提供晶圆测试设备，包括：探测装置，用于承载晶圆并对所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；测试装置，接收探测信号，判断所述晶圆的待探测部位的性能；激光退火装置，位于所述测试装置的内部或位于所述探测装置的内部，加热所述晶圆的待探测部位。
可选的，所述探测装置包括测试平台和装载平台，所述晶圆放置于所述测试平台。
可选的，所述测试平台的内部还安装有温度卡盘和探针卡，所述晶圆安装于所述温度卡盘，所述温度卡盘活动连接在所述测试平台的内部，所述探针卡固定连接在所述测试平台的内部。
可选的，所述探针卡内设置有通孔，用于所述激光退火装置发射的激光穿过。
可选的，所述通孔为圆形或椭圆形或方形或长条形。
可选的，所述激光退火装置连接于所述测试平台的内部，所述激光退火装置、所述探针卡以及所述温度卡盘依次排布于所述测试平台内部。
可选的，还包括连接孔，设置于所述测试平台。
可选的，所述测试装置包括测试仪和测试头，所述测试仪和所述测试头之间活动连接，所述测试头通过所述连接孔与所述探针卡之间连接。
可选的，所述激光退火装置位于所述测试头的内部，受控于所述测试仪。
可选的，还包括移动装置，位于所述测试仪内，用于所述激光退火装置的定位与校准。
可选的，还包括通讯装置，连接在所述探测装置和所述测试装置之间，用于所述探测信号的传输。
本发明还提供利用上述晶圆测试设备进行测试的方法，包括步骤：将晶圆放置于探测装置上；采用激光退火装置对所述晶圆的待探测部位进行加热；所述探测装置对加热后的所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；测试装置接收所述探测信号，判断所述晶圆的待探测部位的性能。
可选的，所述激光退火装置对所述晶圆的待探测部位进行加热的时间小于1秒钟。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
利用激光退火装置对晶圆的待探测部位进行加热，探测装置对晶圆的待探测部分进行探测，形成探测信号；测试装置，接受到探测信号便可判断待探测部位的性能，这种晶圆测试设备即实现了对晶圆的待探测部位的性能探测，又利用激光的加热方式保证了只对晶圆的待探测部位进行加热，而不是对整个晶圆进行加热，从而保证了不需要被加热或者不能加热的芯片或者器件的性能良好，提高正常的芯片或者器件的出货率，使得生产效率得到提高，能源得到节约。
附图说明
图1至图2是本发明第一实施例中晶圆测试设备的结构示意图；
图3是利用第一实施例的晶圆测试设备在测试过程中激光束的路径示意图；
图4是本发明第二实施例中晶圆测试设备的结构示意图。
具体实施方式
目前，需要在一定的温度条件下测试晶圆性能时，通常采用温度卡盘对整个晶圆进行加热，从而使得整个晶圆达到测试温度，在此温度条件下对需要测试的晶圆的部位进行性能的测试；但是这种测试过程中对整个晶圆都进行了加热，一方面导致不需要被加热的芯片或者器件也被加热，造成不需要被加热的芯片或者器件的损坏，导致正常的芯片或者器件不能出货而浪费；另一方面，由于给整个晶圆都进行加热，导致能源的浪费。
发明人研究发现，采用激光退火装置实现只针对待探测部位进行热，不会对整个晶圆进行加热，这样既能实现在特定的温度条件下对晶圆的待探测部分进行性能测试，同时能够保证不需要进行加热的芯片或者器件性能的良好，从而保证未经加热的芯片或者器件的出货率，提高生产率并且节约能源。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
第一实施例
图1至图2为本发明第一实施例中晶圆测试设备的结构示意图。
参考图1至图2，提供晶圆测试设备100，包括探测装置110、测试装置120、激光退火装置130以及通讯装置140。
所述探测装置110，用于承载晶圆，并且对晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；
所述测试装置120，接受到由所述探测装置110发出的探测信号，通过对探测信号的判断，从而判断所述待探测部位的性能。
所述激光退火装置130，位于所述探测装置110内，对晶圆的待探测部位进行加热使其温度达到探测需要的温度条件。
本实施例中，所述探测装置110具体为一个全自动的探针台(prober)；其他实施例中，所述探测装置110还可为半自动的探针台或者手动的探针台或者具有类似功能的探测装置等。
本实施例中，所述测试装置120具体为一个测试机，比如型号为Keysight(aglient)4080and TSK UF3000EX-e的测试机，该测试机能够接受到探测装置110的探测信号，并且能够对其进行信号分析；其他实施例中，所述测试装置120为一个起到测试作用的机器，具有能够分析探测信号的能力即可。
本实施例中，所述激光退火装置130采用传统的激光退火装置，是一种能够实现在很短的时间内在晶圆的待探测的部位内产生热量，使得温度刚好低于硅的熔点，在冷却的过程中，也能够很快的将热量散发出去的工艺的装置，具体型号可以采用Ultratech laseranneal。
本实施例中，还包括通讯装置140，连接在所述探测装置110和所述测试装置120之间，用于所述探测信号的传输，所述通讯设备140可以为通讯协议GPIB。
本实施例中，利用所述激光退火装置给晶圆的待探测部位进行的加热方式改变了传统的利用探测台中的温度卡盘对整个晶圆进行加热的方式，这种针对待探测部位进行加热的加热方式只对晶圆的待探测部位进行加热使其达到测试需要的温度条件，保证了其余不需要加热的芯片或者器件性能的良好，提高了不需要加热的芯片或者器件的出货率；同时仅仅是针对晶圆的待探测部位进行加热，大大节约了加热需要消耗的能源。
参考图1，所述探测装置110包括测试平台111和装载平台112。
其中：所述测试平台111用于承载晶圆并对晶圆进行冷却处理，所述探测装置110用于晶圆(wafer)的传输、定位、扎针。
本实施例中，所述测试平台111(Stage)和所述装载平台112(Load port)之间采用固定连接的方式连接在一起，具体的所述测试平台111(Stage)和所述装载平台112(Loadport)之间可以采用螺丝固定连接。
其他实施例中，所述测试平台111(Stage)和所述装载平台112(Load port)还可采用活动连接的方式连接在一起，所述测试平台111(Stage)和所述装载平台112(Load port)之间可以相对转动。
参考图2，所述测试平台111的内部还安装有温度卡盘1111、探测卡1112以及连接孔1113。
本实施例中，所述晶圆安装在所述温度卡盘1111(thermal chuck)上，所述温度卡盘1111具有冷却降温的功能，实现对晶圆的冷却处理；所述温度卡盘1111活动连接在所述测试平台111的内部，所述温度卡盘1111可以上下左右移动从而实现所述晶圆的待测部位的定位。
本实施例中，所述探针卡1112(probe card)固定连接在所述测试平台111内，且位于所述温度卡盘1111的上方，所述探针卡1112实现对所述晶圆的探测部位的扎针。
本实施例中，所述激光退火装置130连接于所述测试平台111的内部，所述激光退火装置130、所述探针卡1112以及所述温度卡盘1111依次排布于所述测试平台111内部。
本实施例中，所述连接孔1113开设在所述测试平台111的接近所述测试装置120的一侧；其他实施例中，所述连接孔1113开设在远离所述测试平台111的接近所述测试装置120的一侧。
继续参考图2，所述探针卡1112内设置有通孔150，用于所述激光退火装置130发射的激光穿过。
本实施例中，所述激光退火装置130发射的激光穿过所述通孔150实现对所述晶圆的待探测部位的准确加热，既能够实现对待探测部位的快速加热，又能够快速准确定位到探测部位，方便快捷，探测的效率得到提高。
本实施例中，所述通孔150采用的是圆形；其他实施例中，所述通孔150还可为椭圆形或者方形或者长方形。
本实施例中，所述通孔150的形状没有特定的限制，需要根据实际采用的激光束的大小设定即可。
继续参考图1，所述测试装置120包括测试仪121和测试头122。
本实施例中，所述测试仪121和所述测试头122之间活动连接，所述测试头122可以上下翻转通过所述连接孔1113与所述探针卡1112之间连接。
利用上述晶圆测试设备进行测试的方法，包括步骤：将所述晶圆放置在所述探测装置110内的安装在所述测试平台111内的所述温度卡盘1111(thermal chuck)上；通过所述温度卡盘1111的上下左右移动实现对所述晶圆的待测部位的定位；所述激光退火装置130发射出激光穿过所述探针卡1112上的所述通孔150对所述晶圆的待探测部位进行加热；所述探测装置110内的所述探针卡1112对所述晶圆的探测部位的扎针形成探测信号，所述通讯装置140将探测信号传输给所述测试装置120，所述测试头122上下翻转通过所述连接孔1113与所述探针卡1112之间连接，所述测试头122接收所述探测信号，利用所述测试仪121判断所述晶圆的性能。
参考图3，图3表示晶圆测试设备在测试过程中激光束的路径示意图。
图中带箭头的直线所述激光退火装置130发射的激光的路径。
本实施例中，所述激光退火装置130对所述晶圆的待探测部位进行加热的时间小于1秒钟，这是由于所述激光退火装置130发射出的激光瞬间产生的热量很大，加热时间过长会导致过热，造成待探测部位的损坏。
本实施例中，通过所述通孔150将所述激光退火装置130发散出来的激光准确的定位到所述晶圆的待探测部位上，实现对所述晶圆的局部加热，并且利用激光退火技术具有瞬间加热快、瞬间冷却也快的特点，保证在冷却的过程中也不会出现由于热量的扩散导致周边的芯片或者器件因为温度的升高而造成损坏的现象，从而保证未被加热的芯片或者器件的出货率，提高生产率。
第二实施例
本实施例与第一实施例的差别仅仅在于所述激光退火装置的位置不同。
参考图4，所述激光退火装置130位于所述测试头122的内部，受控于所述测试仪121。
继续参考图4，还包括移动装置1211，位于所述测试仪121内，用于所述激光退火装置130的定位与校准。
本实施例中，所述移动装置1211具有定位的功能，保证所述激光退火装置130发散出的激光准确的穿透到所述通孔150内，从而实现对所述晶圆的待探测部位的准确加热。
利用上述晶圆测试设备进行测试的方法，包括步骤：将所述晶圆放置在所述探测装置110内的安装在所述测试平台111内的所述温度卡盘1111(thermal chuck)上；通过所述温度卡盘1111的上下左右移动实现对所述晶圆的待测部位的定位；所述移动装置1211对所述激光退火装置130的位置进行定位与校准，保证所述激光退火装置130发射出激光穿过所述探针卡1112上的所述通孔150对所述晶圆的待探测部位进行加热；所述探测装置110内的所述探针卡1112对所述晶圆的待探测部位的扎针形成探测信号，所述通讯装置140将探测信号传输给所述测试装置120，所述测试头122上下翻转通过所述连接孔1113与所述探针卡1112之间连接，所述测试头122接收所述探测信号，利用所述测试仪121判断所述晶圆的待探测部位的性能。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (13)

1.一种晶圆测试设备，其特征在于，包括：
探测装置，用于承载晶圆并对所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；
测试装置，接收探测信号，判断所述晶圆的待探测部位的性能；
激光退火装置，位于所述测试装置的内部或位于所述探测装置的内部，加热所述晶圆的待探测部位。
2.如权利要求1所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述探测装置包括测试平台和装载平台，所述晶圆放置于所述测试平台。
3.如权利要求2所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述测试平台的内部还安装有温度卡盘和探针卡，所述晶圆安装于所述温度卡盘，所述温度卡盘活动连接在所述测试平台的内部，所述探针卡固定连接在所述测试平台的内部。
4.如权利要求3所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述探针卡内设置有通孔，用于所述激光退火装置发射的激光穿过。
5.如权利要求4所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述通孔为圆形或椭圆形或方形或长条形。
6.如权利要求3所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述激光退火装置连接于所述测试平台的内部，所述激光退火装置、所述探针卡以及所述温度卡盘依次排布于所述测试平台的内部。
7.如权利要求3所述的晶圆测试设备，其特征在于，还包括连接孔，设置于所述测试平台。
8.如权利要求7所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述测试装置包括测试仪和测试头，所述测试仪和所述测试头之间活动连接，所述测试头通过所述连接孔与所述探针卡之间连接。
9.如权利要求8所述的晶圆测试设备，其特征在于，所述激光退火装置位于所述测试头的内部，受控于所述测试仪。
10.如权利要求9所述的晶圆测试设备，其特征在于，还包括移动装置，位于所述测试仪的内部，用于所述激光退火装置的定位与校准。
11.如权利要求1所述的晶圆测试设备，其特征在于，还包括通讯装置，连接在所述探测装置和所述测试装置之间，用于所述探测信号的传输。
12.采用权利要求1-11任一项所述的晶圆测试设备的测试方法，其特征在于，包括步骤：
将晶圆放置于探测装置上；
采用激光退火装置对所述晶圆的待探测部位进行加热；
所述探测装置对加热后的所述晶圆的待探测部位进行探测，形成探测信号；
测试装置接收所述探测信号，判断所述晶圆的待探测部位的性能。
13.如权利要求12所述的测试方法，其特征在于，所述激光退火装置对所述晶圆的待探测部位进行加热的时间小于1秒钟。
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