CN110133059B - 一种室温检测低浓度硫化氢气体的Pt-SnO2气敏传感器的制备方法 - Google Patents

一种室温检测低浓度硫化氢气体的Pt-SnO2气敏传感器的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种能够在室温环境下对低浓度（100 ppb）硫化氢气体具有选择性能的Pt‑SnO2复合纳米材料的制备以及气敏传感应用。该制备方法包括：首先采用双模板技术制备具有大比表面积和多孔结构的分级花状SnO2纳米材料；进而以氯铂酸为原料，甲醇为还原剂，PVP为保护剂，制备具有较好分散性能的小尺寸Pt纳米颗粒；然后通过简单的物理混合方法将制得的Pt纳米颗粒修饰在介孔SnO2纳米花表面；最终将制得的Pt‑SnO2复合材料涂覆到电极片表面形成气敏传感膜。本方法生产工艺新颖，在室温环境下对H2S表现出优异的气敏性能，能够检测浓度低至100 ppb的H2S，且灵敏度高，响应和恢复速度快，稳定性高。本发明为室温环境下监控低浓度H2S气体提供了一种切实可行的方法。

Description

一种室温检测低浓度硫化氢气体的Pt-SnO2气敏传感器的制备 方法
技术领域
本发明涉及一种能够在室温环境下对低浓度硫化氢具有灵敏响应的负载小尺寸铂纳米颗粒的介孔二氧化锡纳米花气敏材料的制备方法，属于半导体纳米材料和气敏传感器技术领域。
背景技术
硫化氢（H2S）是大气中存在的毒性最大，最有害的气体之一。研究表明H2S是强烈的神经毒物，在极低的浓度下（ppb级）可引起头痛和头晕，而吸入高浓度H2S（ppm级）后，可使意识突然丧失，昏迷窒息而死。因此，及时检测H2S的产生源、泄漏源及浓度，对工业安全生产以及环境保护都显得尤为重要。
二氧化锡（SnO2）作为目前最具有吸引力的气敏传感器材料，具有灵敏度高、稳定性好、使用寿命长等优点，但纯相SnO2材料对H2S气体的传感性能不够理想，通常表现出较差的选择性和较高的工作温度（150℃以上）。较差的选择性会影响气体检测的可靠性和准确性，而较高的工作温度会增加传感器的功耗，导致热安全问题等负面效应。为了进一步提升SnO2材料的气敏传感性能，传感材料三维纳米结构的设计成为发展的重要方向，其中花状介孔SnO2纳米材料具有较大的比表面积、较多的活性位点和较快的气体扩散速度，在H2S气体检测方面受到了研究者的广泛关注。
花状介孔SnO2纳米材料的微观结构和介孔尺寸会直接影响其气敏传感性能，寻求最优的微观结构和介孔尺寸，从而制备出具有高灵敏度和高选择性能的传感材料成为提高气敏传感性能的关键。对于花状介孔SnO2纳米材料的合成，基于SiO2为模板剂的硬模板技术和采用高聚物模板的软模板技术是目前最受欢迎的制备方法。相对而言，硬模板技术比较成熟，文献报道较多，但使用硬模板技术制备的SnO2材料具有结晶性能差、纯度低、微观尺寸大等缺点，这不利于气敏性能的提升。虽然使用软模板技术制备的SnO2材料具有较好的结晶形态以及微观形貌，但是其有序性较差，难以在基底上形成连续的、有微观取向性的介孔结构。我们研究发现，通过使用双模板方法，利用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和三嵌段共聚物P123的协同效应可以制备出具有大比表面积（31.6 m2g-1），且孔径为30-35 nm的有序介孔SnO2纳米花。这种新颖的双模板技术有效地改善了气体分子的吸附位点，从而提高SnO2传感器对H2S的气敏传感性能。
铂（Pt）纳米颗粒是一种具有高催化活性的贵金属材料，可以有效促进检测气体在其表面的活化、解离以及随后的溢出效应，从而对气敏传感性能具有很好的催化作用。将Pt纳米颗粒修饰在介孔SnO2纳米花材料的表面，不仅可以提高SnO2传感器的灵敏度，而且可以降低传感器的工作温度。
经检索，未发现有关应用于H2S气体室温低浓度（100 ppb）气敏选择性检测的Pt纳米颗粒修饰的SnO2传感器的报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种在室温环境下对低浓度（100 ppb）H2S气体具有选择性能的Pt-SnO2传感器的制备方法。其技术原理是先采用双模板方法制备具有大比表面积和孔径的介孔花状SnO2纳米材料，提高其表面吸附位点和气体扩散速度，然后再通过贵金属Pt纳米颗粒对其进行修饰，降低传感器的工作温度，增加传感器的灵敏度，促进传感器在室温环境下对低浓度H2S气体检测的实用化。为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种基于Pt修饰介孔SnO2纳米花的气敏传感器的制备方法，其具体步骤如下：
（1）介孔SnO2纳米花的制备：前驱物为聚乙烯吡咯烷酮、聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、柠檬酸三钠和二水合氯化亚锡，将氢氧化钠溶解到无水乙醇和去离子水的混合溶液中，搅拌均匀，依次将双模板剂、Na3C6H5O7·2H2O和SnCl2·2H2O加入到上述溶液中并持续搅拌1 h。将混合溶液转移到聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，在180℃保持12 h，离心收集所得沉淀物，用去离子水和无水乙醇洗涤数次，并在60℃下干燥6 h。最后在马弗炉中煅烧沉淀物2 h（500℃，5℃/min）后得到介孔SnO2纳米花；
（2）Pt纳米颗粒的制备：小尺寸Pt纳米颗粒采用甲醇还原法制备。将氯铂酸的水溶液加入到150 mL甲醇溶液中，得到溶液A，将133 mg PVP溶解到30 mL的甲醇溶液中，得到溶液B，在搅拌中将溶液B缓慢滴加到A中，在80℃加热回流3 h，得到Pt纳米颗粒；
（3）Pt修饰SnO2复合材料的制备：采用简单的物理混合方法制备Pt修饰的SnO2纳米复合材料。将100 mg步骤（1）所得的介孔SnO2纳米花超声分散到20 mL的乙醇中，然后将步骤（2）制得的一定量的Pt纳米颗粒滴加到上述悬浮液中，搅拌6 h，离心收集沉淀物并在60℃的恒温干燥箱中干燥6 h；
（4）H2S气敏传感器元件的制备：将步骤（3）所得样品放置在玛瑙研钵中充分研磨，然后添加少量的无水乙醇溶液并继续研磨形成浆料悬浮液。将研磨好的悬浮液均匀涂覆在有两个Au电极和四条Pt导线支撑的氧化铝基底表面，待悬浮液覆盖到整个氧化铝基片表面30 min后将基片制品在60℃下烘干，再置于马弗炉中进行老化处理，即得Pt修饰介孔SnO2纳米花气敏传感器元件。
本发明的优点如下：
（1）本发明所提供的双模板技术为制备大比表面积和高孔隙率的SnO2纳米材料提供了一种新思路；
（2）本发明使用甲醇还原法制备的Pt纳米颗粒平均粒径约为3 nm，且分散均匀，无Pt的氧化态存在，具有较强的催化活性；
（3）本发明采用简单的物理混合方法制备Pt-SnO2复合纳米材料，制备工艺简单，且Pt纳米颗粒良好的负载在SnO2纳米片边缘以及介孔周围，为贵金属修饰介孔SnO2纳米材料提供了一种新思路；
（4）本发明制备的一种自组装三维Pt-SnO2分级纳米结构气敏传感器在H2S气敏性能检测中，本发明表现出优异的气敏性能，能够在室温环境下检测100 ppb浓度的H2S气体，并且具有灵敏度高，响应和恢复速度快，稳定性高，选择性能好等特点；
（5）本发明为降低气敏传感器的工作温度提供了一种新思路。
附图说明
图1为本发明实施例一所制备的Pt纳米颗粒修饰介孔SnO2纳米花的SEM图。
图2为本发明实施例一所制备的Pt纳米颗粒的TEM图。
图3为本发明实施例一所制备的Pt纳米颗粒修饰介孔SnO2纳米花的TEM图。
图4为本发明实施例一所制备的Pt-SnO2复合纳米材料的X射线光电子能谱图，插图为Pt的4f峰。
图5为本发明实施例一所制备的气敏传感元件在室温条件（30℃）下其响应值与H2S浓度的工作曲线图。
图6为本发明实施例一所制备的气敏传感元件的选择性（a）和稳定性（b）。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
对比例
（1）介孔SnO2纳米花的制备：在本实验中我们借助PVP和P123两种表面活性剂采用双模板法制备具有介孔结构的分级SnO2纳米花。首先，在磁力搅拌下将5 mmol NaOH加入到80 mL无水乙醇和去离子水（1:1）的混合溶液中。其次，分别将1.0 g PVP和0.5 g P123引入到上述溶液中。待溶液完全混合后依次将20 mmol Na3C6H5O7·2H2O和10 mmol SnCl2·2H2O溶解到上述溶液中并持续搅拌1 h。将制备的混合溶液转移到100 mL聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，在180℃保持12 h，待反应结束后自然冷却至室温。离心收集所得沉淀物，用去离子水和无水乙醇洗涤数次，并在60℃下干燥6 h。最后在马弗炉中煅烧沉淀物2 h（500℃，5℃/min）后得到介孔SnO2纳米花；
（2）气敏传感元件的制备：将步骤（1）所得样品放置在玛瑙研钵中充分研磨，然后添加少量的无水乙醇溶液并继续研磨形成浆料悬浮液。将研磨好的悬浮液均匀涂覆在有两个Au电极和四条Pt导线支撑的氧化铝基底表面，待悬浮液覆盖到整个氧化铝基片表面30min后将基片制品在60℃下烘干，再置于马弗炉中进行老化处理，即得SnO2气敏传感元件。
通过测试我们知道，在100 ppb的H2S气氛下，SnO2材料在30℃没有响应变化。
实施例一
（1）介孔SnO2纳米花的制备：在本实验中我们借助PVP和P123两种表面活性剂采用双模板法制备具有介孔结构的分级SnO2纳米花。首先，在磁力搅拌下将5 mmol NaOH加入到80 mL无水乙醇和去离子水（1:1）的混合溶液中。其次，分别将1.0 g PVP和0.5 g P123引入到上述溶液中。待溶液完全混合后依次将20 mmol Na3C6H5O7·2H2O和10 mmol SnCl2·2H2O溶解到上述溶液中并持续搅拌1 h。将制备的混合溶液转移到100 mL聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，在180℃保持12 h，待反应结束后自然冷却至室温。离心收集所得沉淀物，用去离子水和无水乙醇洗涤数次，并在60℃下干燥6 h。最后在马弗炉中煅烧沉淀物2 h（500℃，5℃/min）后得到介孔SnO2纳米花；
（2）Pt纳米颗粒的制备：采用甲醇还原法制备小尺寸Pt纳米颗粒。首先将150 mL甲醇放置在500 mL三口烧杯中从室温加热至80℃，然后用注射器以恒定速率将六水合氯铂酸（5 mL，10 g/L）的水溶液加入到上述溶液中并搅拌形成均一溶液。同时，将133 mg PVP（Mw= 1300000 g/mol）溶解在另一个30 mL的甲醇溶液中，混合均匀后加入到上述含氯铂酸的溶液中，在80℃加热回流3 h。待反应结束后，通过蒸发器去除甲醇溶剂，并将合成的Pt纳米颗粒在丙酮和去离子水中洗涤数次。最后，以10000 rpm的离心速度收集所制备的Pt纳米颗粒，并将获得的Pt纳米颗粒分散在100 mL的乙醇溶液中形成188 mg/L的Pt纳米溶液，供后续制备Pt-SnO2复合材料所用；
（3）Pt修饰SnO2复合材料的制备：通过简单的物理混合方法制备Pt修饰的SnO2纳米复合材料。首先，通过超声处理将步骤（1）所得的介孔100 mg SnO2纳米花分散到20 mL的乙醇中并超声10 min。然后，将1 mL步骤（2）制得的Pt纳米颗粒溶液添加到上述悬浮液中，在室温条件下磁力搅拌6 h，待样品完全反应后离心收集沉淀物，最后将所制备的样品在60℃的恒温干燥箱中干燥6 h，最终获得具有0.3wt.％Pt纳米颗粒修饰的SnO2复合材料；
（4）气敏传感元件的制备：将步骤（3）所得样品放置在玛瑙研钵中充分研磨，然后添加少量的无水乙醇溶液并继续研磨形成浆料悬浮液。将研磨好的悬浮液均匀涂覆在有两个Au电极和四条Pt导线支撑的氧化铝基底表面，待悬浮液覆盖到整个氧化铝基片表面30min后将基片制品在60℃下烘干，再置于马弗炉中进行老化处理，即得0.3wt.％Pt修饰的介孔SnO2纳米花气敏传感元件。
图1为本发明实施例一制备的Pt纳米颗粒修饰介孔SnO2纳米花的扫描电镜图，该复合材料呈现近似球形的分级花状结构，这些分级结构是由厚度约为20 nm的超薄纳米片组装而成，粒径分布在3-4 μm，并且在超薄纳米片的边缘可以观察到大量介孔结构的存在。
图2为本发明实施例一制备的Pt纳米颗粒的透射电镜图，可以看出，Pt纳米颗粒在乙醇溶液中具有很高的分散性，且尺寸分布在2-4 nm范围内，其平均直径约为3 nm。
图3为本发明实施例一制备的Pt纳米颗粒修饰介孔SnO2纳米花的透射电镜图，可以看出，小黑点状的Pt纳米颗粒成功修饰在介孔SnO2纳米花表面上，且绝大多数的Pt纳米颗粒都被锚定在SnO2纳米片的介孔和边缘上，说明SnO2纳米片上的介孔结构对Pt纳米颗粒具有较强的吸附作用，这有利于SnO2纳米材料表面活性的提高以及气敏性能的改善。
图4为本发明实施例一制备的Pt-SnO2复合纳米材料的X射线光电子能谱图，可以看出该材料主要由Sn、O、Pt元素组成。插图显示了Pt元素的X射线光电子能谱，发现Pt 4f的XPS谱可以分解为分别处于70.5 eV和73.85 eV处的Pt 4f7/2和Pt 4f5/2的光谱峰，没有观察到其它形态的Pt（如氧化铂）对应的谱峰，可以说明Pt纳米颗粒在物理混合过程中并没有参与化学反应。此外，与固体Pt相比，Pt0的XPS峰值向低结合能方向移动，这表明SnO2与Pt纳米颗粒之间存在着电子转移。
图5为本发明实施例一制备的气敏传感元件在室温条件（30℃）下其响应值与H2S浓度的工作曲线图，可以看出，实施例一制备的0.3% Pt-SnO2传感器对100-5000 ppb浓度范围的H2S具有较好的气敏传感响应，即使H2S气体浓度低至100 ppb，其响应值也可高达21。响应值S定义为S=Ra/Rg，其中Ra和Rg分别为在空气和H2S中测得的传感器的稳定电阻值。
图6为本发明实施例一制备的气敏传感元件的选择性和稳定性。从图6(a)看出，0.3% Pt-SnO2传感器对干扰气体的响应较小，说明对H2S气体具有良好的选择性。从图6(b)看出，在储存一个月后，0.3% Pt-SnO2传感器在每次重复测试中仍能表现出良好的重复性和相似的响应恢复过程。
实施例二
（1）介孔SnO2纳米花的制备：在本实验中我们借助PVP和P123两种表面活性剂采用双模板法制备具有介孔结构的分级SnO2纳米花。首先，在磁力搅拌下将5 mmol NaOH加入到80 mL无水乙醇和去离子水（1:1）的混合溶液中。其次，分别将1.0 g PVP和0.5 g P123引入到上述溶液中。待溶液完全混合后依次将20 mmol Na3C6H5O7·2H2O和10 mmol SnCl2·2H2O溶解到上述溶液中并持续搅拌1 h。将制备的混合溶液转移到100 mL聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，在180℃保持12 h，待反应结束后自然冷却至室温。离心收集所得沉淀物，用去离子水和无水乙醇洗涤数次，并在60℃下干燥6 h。最后在马弗炉中煅烧沉淀物2 h（500℃，5℃/min）后得到介孔SnO2纳米花；
（2）Pt纳米颗粒的制备：采用甲醇还原法制备小尺寸Pt纳米颗粒。首先将150 mL甲醇放置在500 mL三口烧杯中从室温加热至80℃，然后用注射器以恒定速率将六水合氯铂酸（5 mL，10 g/L）的水溶液加入到上述溶液中并搅拌形成均一溶液。同时，将133 mg PVP（Mw= 1300000 g/mol）溶解在另一个30 mL的甲醇溶液中，混合均匀后加入到上述含氯铂酸的溶液中，在80℃加热回流3 h。待反应结束后，通过蒸发器去除甲醇溶剂，并将合成的Pt纳米颗粒在丙酮和去离子水中洗涤数次。最后，以10000 rpm的离心速度收集所制备的Pt纳米颗粒，并将获得的Pt纳米颗粒分散在100 mL的乙醇溶液中形成188 mg/L的Pt纳米溶液，供后续制备Pt-SnO2复合材料所用；
（3）Pt修饰SnO2复合材料的制备：通过简单的物理混合方法制备Pt修饰的SnO2纳米复合材料。首先，通过超声处理将步骤（1）所得的介孔100 mg SnO2纳米花分散到20 mL的乙醇中并超声10 min。然后，将0.5 mL步骤（2）制得的Pt纳米颗粒溶液添加到上述悬浮液中，在室温条件下磁力搅拌6 h，待样品完全反应后离心收集沉淀物，最后将所制备的样品在60℃的恒温干燥箱中干燥6 h，最终获得具有0.1wt.%Pt纳米颗粒修饰的SnO2复合材料；
（4）气敏传感元件的制备：将步骤（3）所得样品放置在玛瑙研钵中充分研磨，然后添加少量的无水乙醇溶液并继续研磨形成浆料悬浮液。将研磨好的悬浮液均匀涂覆在有两个Au电极和四条Pt导线支撑的氧化铝基底表面，待悬浮液覆盖到整个氧化铝基片表面30min后将基片制品在60℃下烘干，再置于马弗炉中进行老化处理，即得0.1wt.%Pt修饰介孔SnO2纳米花气敏传感元件。
通过测试我们知道，在100 ppb的H2S气氛下，0.1% Pt-SnO2复合响应材料在30℃时的灵敏度为7。
实施例三
（1）介孔SnO2纳米花的制备：在本实验中我们借助PVP和P123两种表面活性剂采用双模板法制备具有介孔结构的分级SnO2纳米花。首先，在磁力搅拌下将5 mmol NaOH加入到80 mL无水乙醇和去离子水（1:1）的混合溶液中。其次，分别将1.0 g PVP和0.5 g P123引入到上述溶液中。待溶液完全混合后依次将20 mmol Na3C6H5O7·2H2O和10 mmol SnCl2·2H2O溶解到上述溶液中并持续搅拌1 h。将制备的混合溶液转移到100 mL聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，在180℃保持12 h，待反应结束后自然冷却至室温。离心收集所得沉淀物，用去离子水和无水乙醇洗涤数次，并在60℃下干燥6 h。最后在马弗炉中煅烧沉淀物2 h（500℃，5℃/min）后得到介孔SnO2纳米花；
（2）Pt纳米颗粒的制备：采用甲醇还原法制备小尺寸Pt纳米颗粒。首先将150 mL甲醇放置在500 mL三口烧杯中从室温加热至80℃，然后用注射器以恒定速率将六水合氯铂酸（5 mL，10 g/L）的水溶液加入到上述溶液中并搅拌形成均一溶液。同时，将133 mg PVP（Mw= 1300000 g/mol）溶解在另一个30 mL的甲醇溶液中，混合均匀后加入到上述含氯铂酸的溶液中，在80℃加热回流3 h。待反应结束后，通过蒸发器去除甲醇溶剂，并将合成的Pt纳米颗粒在丙酮和去离子水中洗涤数次。最后，以10000 rpm的离心速度收集所制备的Pt纳米颗粒，并将获得的Pt纳米颗粒分散在100 mL的乙醇溶液中形成188 mg/L的Pt纳米溶液，供后续制备Pt-SnO2复合材料所用；
（3）Pt修饰SnO2复合材料的制备：通过简单的物理混合方法制备Pt修饰的SnO2纳米复合材料。首先，通过超声处理将步骤（1）所得的介孔100 mg SnO2纳米花分散到20 mL的乙醇中并超声10 min。然后，将1.5 mL步骤（2）制得的Pt纳米颗粒溶液添加到上述悬浮液中，在室温条件下磁力搅拌6 h，待样品完全反应后离心收集沉淀物，最后将所制备的样品在60℃的恒温干燥箱中干燥6 h，最终获得具有0.5wt.％Pt纳米颗粒修饰的SnO2复合材料；
（4）气敏传感元件的制备：将步骤（3）所得样品放置在玛瑙研钵中充分研磨，然后添加少量的无水乙醇溶液并继续研磨形成浆料悬浮液。将研磨好的悬浮液均匀涂覆在有两个Au电极和四条Pt导线支撑的氧化铝基底表面，待悬浮液覆盖到整个氧化铝基片表面30min后将基片制品在60℃下烘干，再置于马弗炉中进行老化处理，即得0.5wt.％Pt修饰介孔SnO2纳米花气敏传感元件。
通过测试我们知道，在100 ppb的H2S气氛下，0.5% Pt-SnO2复合响应材料在30℃时的灵敏度为5。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (5)

1.一种室温检测低浓度硫化氢气体的Pt-SnO2气敏传感器的制备方法，所述的低浓度为100ppb，平均粒径在2-4nm的Pt纳米颗粒均匀修饰在介孔SnO2纳米花表面，Pt纳米颗粒与SnO2纳米材料的质量比为0.001-0.005，其特征在于所述的制备方法包括如下步骤：
(1)介孔SnO2纳米花的制备：在室温条件下依次将双模板剂、Na3C6H5O7·2H2O和SnCl2·2H2O加入到无水乙醇和去离子水的混合溶液中，搅拌1h后在180℃水热反应12h，然后离心干燥，进行退火处理即可得到具有多孔结构的SnO2纳米花材料；
(2)Pt纳米颗粒的制备：将氯铂酸的水溶液加入到150mL甲醇溶液中，得到溶液A，将133mgPVP溶解到30mL的甲醇溶液中，得到溶液B，然后将溶液B滴加到A中，在80℃加热回流3h，得到Pt纳米颗粒；
(3)Pt修饰SnO2复合材料的制备：将100mg步骤(1)所得的介孔SnO2纳米花超声分散到20mL的乙醇中，得到悬浮液，然后将步骤(2)制得的Pt纳米颗粒滴加到上述悬浮液中搅拌6h，离心收集并在60℃干燥6h；
(4)H2S气敏传感器元件的制备：将步骤(3)所得样品放置在玛瑙研钵中充分研磨，然后添加少量的无水乙醇溶液并继续研磨形成浆料悬浮液,将研磨好的悬浮液均匀涂覆在有两个Au电极和四条Pt导线支撑的氧化铝基底表面，待悬浮液覆盖到整个氧化铝基片表面30min后将基片制品在60℃下烘干，再置于马弗炉中进行老化处理，即得Pt修饰的介孔SnO2纳米花气敏传感元件；
所述步骤(1)中制备介孔花状SnO2纳米材料的双模板剂为PVP和P123表面活性剂；
所述步骤(4)中的老化处理温度为80℃，时间为12h。
2.根据权利要求1所述的Pt-SnO2气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中无水乙醇与水的混合溶液 中，无水乙醇与去离子水的质量比为1:1。
3.根据权利要求1所述的Pt-SnO2气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中SnO2纳米花的干燥温度为60℃，时间为6h。
4.根据权利要求1所述的Pt-SnO2气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中SnO2纳米花的退火温度为500℃，退火速率为5℃/min，时间为2h。
5.根据权利要求1所述的Pt-SnO2气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中小尺寸Pt纳米颗粒为直径范围在2-4nm之间的颗粒。
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