CN110117779A - 一种真空镀膜装置内部件的再生方法及装置 - Google Patents

一种真空镀膜装置内部件的再生方法及装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种真空镀膜装置内部件的再生方法，所述真空镀膜装置内部件在镀膜过程中会沉积镀膜层，所述再生方法包括以下步骤：在所述真空镀膜装置内部件会沉积镀膜层的表面制作可熔膜层；当所述真空镀膜装置内部件上沉积的镀膜层厚度超过厚度阈值时，烘烤所述真空镀膜装置内部件使得可熔膜层熔解带动沉积镀膜层脱落。本发明提供的真空镀膜装置内部件的再生方法在实现真空镀膜装置内部件的再生过程中，不需要进行酸洗，从而能够有效避免酸洗带来的环保问题；而是通过烘烤使得可熔膜层熔解带动沉积镀膜层脱落来实现再生的，再生工艺简单，能有效节省运输费用，提高再生速度，减少购置备用真空镀膜装置内部件的费用，有效实现了降低生产成本。

Description

一种真空镀膜装置内部件的再生方法及装置
技术领域
本发明涉及了真空镀膜技术领域，特别是涉及了一种真空镀膜装置内部件的再生方法及装置。
背景技术
真空镀膜装置在液晶显示器、触摸屏、AMOLED等产品的制作中应用广泛，其中，真空真空镀膜装置内部件在镀膜过程中会沉积镀膜层，例如真空挡板。当沉积的镀膜层厚度大于厚度阈值时就需要进行更换或者再生，否则会出现沉积的镀膜层脱落损伤产品。现有的真空镀膜装置内部件的再生方法一般是将真空镀膜装置内部件拆下后运输到外协厂进行酸洗、喷砂、清洗等工序之后，再包装运返回产品制造厂使用，这样会存在以下技术问题：1、酸洗存在严重的环保问题，酸洗用到的硫酸、盐酸，排放后严重污染环境，目前很多城市要求硫酸、盐酸零排放；2、周期太长，一般需要10天以上，使得再生过程中需要使用备用部件，购买费用大；3、需要在外协厂进行再生，运输费用大，年费用可达数十万元)。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种真空镀膜装置内部件的再生方法及装置，它可以有效实现真空镀膜装置内部件的再生利用，而且避免酸洗带来的环保问题，降低生产成本。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种真空镀膜装置内部件的再生方法，所述真空镀膜装置内部件在镀膜过程中会沉积镀膜层，所述再生方法包括以下步骤：
在所述真空镀膜装置内部件会沉积镀膜层的表面制作可熔膜层；
当所述真空镀膜装置内部件上沉积的镀膜层厚度超过厚度阈值时，烘烤所述真空镀膜装置内部件使得可熔膜层熔解带动沉积镀膜层脱落。
作为本发明的一种优选方案，所述可熔膜层的材料为熔点范围为130℃-350℃的金属。
作为本发明的一种优选方案，所述可熔膜层的材料为铟或铟合金。
作为本发明的一种优选方案，所述可熔膜层的材料为铟，且所述可熔膜层的厚度为 0.1-10mm。
作为本发明的一种优选方案，所述烘烤具体为预热3-15分钟后，烘烤5-60分钟。
作为本发明的一种优选方案，所述烘烤温度大于156.63℃。
作为本发明的一种优选方案，还包括对熔解的可熔膜层进行回收。
作为本发明的一种优选方案，所述对熔解的可熔膜层进行回收包括：使得熔解的可熔膜层流经滤网进入回收舱；冷却回收舱中的可熔膜层。
作为本发明的一种优选方案，所述真空镀膜装置内部件为真空挡板。
进一步地，提供一种真空镀膜装置内部件的再生装置，包括用于烘烤真空镀膜装置内部件的烤箱和设于所述烤箱下的回收舱；所述回收舱的入口设有滤网。
本发明具有如下技术效果：本发明提供的真空镀膜装置内部件的再生方法在实现真空镀膜装置内部件的再生过程中，不需要进行酸洗，从而能够有效避免酸洗带来的环保问题；而是通过烘烤使得可熔膜层熔解带动沉积镀膜层脱落来实现再生的，再生工艺简单，而烘烤工序不需要通过外协厂完成，因此也能有效节省运输费用，提高再生速度，减少购置备用真空镀膜装置内部件的费用，有效实现了降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为本发明实施例一提供的一种真空镀膜装置内部件的再生方法的流程框图；
图2为本发明实施例一提供的一种可熔膜层布置示意图；
图3为本发明实施例一提供的一种沉积的镀膜层示意图；
图4为本发明实施例二提供的一种真空镀膜装置内部件的再生装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明实施方式作进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。在本发明的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
实施例一
如图1-3所示，其显示了本发明提供的一种真空镀膜装置内部件100的再生方法，所述真空镀膜装置内部件100在镀膜过程中会沉积镀膜层300，其特征在于，所述再生方法包括以下步骤：
在所述真空镀膜装置内部件100会沉积镀膜层300的表面制作可熔膜层200；
当所述真空镀膜装置内部件100上沉积的镀膜层300厚度超过厚度阈值时，烘烤所述真空镀膜装置内部件100使得可熔膜层200熔解带动沉积镀膜层300脱落。
这样，本发明提供的真空镀膜装置内部件100的再生方法在实现真空镀膜装置内部件100 的再生过程中，不需要进行酸洗，从而能够有效避免酸洗带来的环保问题；而是通过烘烤使得可熔膜层200熔解带动沉积镀膜层300脱落来实现再生的，再生工艺简单，而烘烤工序不需要通过外协厂完成，因此也能有效节省运输费用，提高再生速度，减少购置备用真空镀膜装置内部件100的费用，有效实现了降低生产成本。
具体地，所述可熔膜层200的材料为熔点范围为130℃-350℃的金属，例如可以为铟或铟合金，能够有效适用于烘烤熔解，其中，烘烤可以包括预热3-15分钟和烘烤5-60分钟。
进一步地，在烘烤时，由于可熔膜层200熔接成液体，还可以包括对熔解的可熔膜层200 进行回收，从而能够使得可熔膜层200循环利用，有效节约了生产成本。具体地，对熔解的可熔膜层200进行回收包括：使得熔解的可熔膜层200流经滤网进入回收舱；冷却回收舱中的可熔膜层200。
下面，以真空挡板为例对本实施例提供的真空镀膜装置内部件100的再生方法进行说明，真空装置是真空镀膜装置内的常用部件，在镀膜过程中会沉积镀膜层300，如果沉积的镀膜层300厚度过大，就会脱落导致损伤镀膜产品。
因此对真空挡板进行再生首先在真空挡板表面制作可熔膜层200，具体地是在真空挡板上镀上铟，铟层的厚度可以控制为0.1-10mm；继而将制作完成铟层的真空挡板装配至真空镀膜装置内进行镀膜作业，在镀膜过程中，沉积的镀膜层300就会沉积在铟层表面而不会直接沉积于真空挡板上；当沉积的镀膜层300厚度大于厚度阈值，存在脱落风险时，如大于1mm，将真空挡板拆下并且置于烤箱中进行烘烤，烘烤温度大于156.63℃，烘烤至铟层熔解继而带动带动附着在铟层上的沉积镀膜层300脱落，从而实现真空挡板的再生；之后可以重复以上工序，继续在真空挡板表面上制作铟层后用于真空镀膜作业，然后再烘烤熔解铟层，有效实现了真空挡板的循环利用；且过程中需要使用酸洗，能够有效实现环保要求，同时再生工艺简单快速，能够有效降低运输成本和设备的购置成本，有效实现降低生产成本。
进一步地，在烘烤过程中，还可以实现对熔解的铟层进行回收，具体地，可以是使得熔解的铟层流经滤网进入回收舱，从而收集过滤掉杂质的铟层；之后冷却回收舱中的铟层实现铟层的回收。
实施例二
如图4所示，本实施例提供了一种真空镀膜装置内部件的再生装置包括用于烘烤真空镀膜装置内部件的烤箱1和设于所述烤箱1下的回收舱2；所述回收舱2的入口设有滤网3。这样，本实施例中提供的真空镀膜装置内部件的再生装置可以用于真空镀膜装置内部件的再生，当表面制作了可熔膜层的真空镀膜装置内部件在沉积的镀膜层厚度大于厚度阈值时，就可以将真空镀膜装置内部件100拆下后放置于本实施例提供的真空镀膜装置内部件的再生装置的烤箱1内；烤箱1可以进行烘烤使得可熔膜层200熔解带动沉积镀膜层300脱落，从而实现真空镀膜装置内部件的再生；而且由于设有位于所述烤箱1下的回收舱2，熔解的可熔膜层可以流入回收舱2内实现有效回收，而由于回收舱2的入口设有滤网3因此可以有效过滤杂质，有助于可熔膜层200的回收。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种真空镀膜装置内部件的再生方法，所述真空镀膜装置内部件在镀膜过程中会沉积镀膜层，其特征在于，所述再生方法包括以下步骤：
在所述真空镀膜装置内部件会沉积镀膜层的表面制作可熔膜层；
当所述真空镀膜装置内部件上沉积的镀膜层厚度超过厚度阈值时，烘烤所述真空镀膜装置内部件使得可熔膜层熔解带动沉积镀膜层脱落。
2.根据权利要求1所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述可熔膜层的材料为熔点范围为130℃-350℃的金属。
3.根据权利要求1所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述可熔膜层的材料为铟或铟合金。
4.根据权利要求3所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述可熔膜层的材料为铟，且所述可熔膜层的厚度为0.1-10mm。
5.根据权利要求4所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述烘烤具体为预热3-15分钟后，烘烤5-60分钟。
6.根据权利要求5所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述烘烤温度大于156.63℃。
7.根据权利要求1所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，还包括对熔解的可熔膜层进行回收。
8.根据权利要求7所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述对熔解的可熔膜层进行回收包括：使得熔解的可熔膜层流经滤网进入回收舱；冷却回收舱中的可熔膜层。
9.根据权利要求1所述的真空镀膜装置内部件的再生方法，其特征在于，所述真空镀膜装置内部件为真空挡板。
10.一种真空镀膜装置内部件的再生装置，其特征在于，包括用于烘烤真空镀膜装置内部件的烤箱和设于所述烤箱下的回收舱；所述回收舱的入口设有滤网。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101154559A (zh) * 2006-09-30 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 减少反应室颗粒的工艺方法
CN101170050A (zh) * 2006-10-24 2008-04-30 联华电子股份有限公司 反应腔室的清洁方法及保护膜的形成方法及保护用晶片
CN102414801A (zh) * 2009-08-27 2012-04-11 应用材料公司 在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法
CN104576305A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 中微半导体设备(上海)有限公司 自清洁真空处理腔室
CN107946164A (zh) * 2017-11-20 2018-04-20 深圳市华星光电技术有限公司 一种防着板及其制备方法和应用
CN109182976A (zh) * 2018-10-23 2019-01-11 黄建宁 一种蒸镀系统及相应的蒸镀及掩膜板清洗方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101154559A (zh) * 2006-09-30 2008-04-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 减少反应室颗粒的工艺方法
CN101170050A (zh) * 2006-10-24 2008-04-30 联华电子股份有限公司 反应腔室的清洁方法及保护膜的形成方法及保护用晶片
CN102414801A (zh) * 2009-08-27 2012-04-11 应用材料公司 在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法
CN104576305A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 中微半导体设备(上海)有限公司 自清洁真空处理腔室
CN107946164A (zh) * 2017-11-20 2018-04-20 深圳市华星光电技术有限公司 一种防着板及其制备方法和应用
CN109182976A (zh) * 2018-10-23 2019-01-11 黄建宁 一种蒸镀系统及相应的蒸镀及掩膜板清洗方法

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