CN110112177A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
显示面板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110112177A CN110112177A CN201910268015.9A CN201910268015A CN110112177A CN 110112177 A CN110112177 A CN 110112177A CN 201910268015 A CN201910268015 A CN 201910268015A CN 110112177 A CN110112177 A CN 110112177A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- isolation structure
- electrode
- display panel
- opening
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 217
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 72
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 230000010148 water-pollination Effects 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 172
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 5
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVIMHTIMVIIXBQ-UHFFFAOYSA-N [SnH3][Al] Chemical compound [SnH3][Al] YVIMHTIMVIIXBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- TWHBEKGYWPPYQL-UHFFFAOYSA-N aluminium carbide Chemical compound [C-4].[C-4].[C-4].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3] TWHBEKGYWPPYQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Chemical class 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Chemical class 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示面板及其制造方法，显示面板包括主动元件阵列基板、第一电极、第一隔离结构、第二隔离结构以及金属隔离结构。第一电极配置于主动元件阵列基板上。第一隔离结构覆盖第一电极，且具有第一开口。第一电极所占区域重叠第一开口所占区域。第二隔离结构配置于第一隔离结构上，且具有第二开口。第一隔离结构的第一开口所占区域位于第二隔离结构的第二开口所占区域以内。金属隔离结构配置于第一隔离结构与第一电极之间，且具有第三开口。金属隔离结构的第三开口所占区域位于第二隔离结构的第二开口所占区域以内。一种显示面板的制造方法亦被提出。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示面板及其制造方法，且特别涉及一种合格率高的显示面板及其制造方法。
背景技术
近年来，相较于目前主流的液晶显示面板，有机发光二极管(Organic light-emitting diode，OLED)显示面板因具有高色彩饱和度、应答速度快及高对比的性能表现，逐渐吸引各科技大厂的投资目光。然而，在其制造成本偏高及使用寿命无法与现行的主流显示器相抗衡的情况下，即使OLED显示面板具有上述优异的显示品质，在消费端的市占率仍无法明显提升。
为了寻求较低成本的制造方法，生产设备及相关材料的开发是许多制造商的努力方向之一，其中与喷墨印刷(Inkjet printing，IJP)技术相关的像素隔离结构对于发光材料层的涂布均匀性的影响更是研究重点之一。然而，目前用于制作像素隔离结构的材料层，在蚀刻的过程中易造成其他膜层(例如电极层)的损伤，进而影响发光结构的出光均匀性。因此，如何克服上述技术瓶颈是目前科技厂所亟欲解决的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板，发光均匀性佳。
本发明提供一种显示面板的制造方法，合格率高。
本发明的显示面板，包括主动元件阵列基板、第一电极、第一隔离结构、第二隔离结构以及金属隔离结构。第一电极配置于主动元件阵列基板上。第一隔离结构覆盖第一电极，且具有第一开口。第一电极所占区域重叠第一开口所占区域。第二隔离结构配置于第一隔离结构上，且具有第二开口。第一隔离结构的第一开口所占区域位于第二隔离结构的第二开口所占区域以内。金属隔离结构配置于第一隔离结构与第一电极之间，且具有第三开口。金属隔离结构的第三开口所占区域位于第二隔离结构的第二开口所占区域以内。
本发明的显示面板的制造方法，包括提供主动元件阵列基板、在主动元件阵列基板上形成第一电极、依序在主动元件阵列基板上形成金属材料层及第一隔离结构材料层，覆盖第一电极、进行干式蚀刻步骤，移除第一隔离结构材料层重叠于第一电极的一部分，以形成暴露出金属隔离结构的部分表面的第一隔离结构、以及进行湿式蚀刻步骤，移除第一隔离结构所暴露的金属材料层的部分，以形成暴露出第一电极的部分表面的金属隔离结构。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的第一隔离结构定义第一开口的边缘于主动元件阵列基板上的垂直投影与第二隔离结构定义第二开口的边缘于主动元件阵列基板上的垂直投影相距1.5微米至10微米。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的第一电极包括透明电极层及反射电极层，透明电极层配置于金属隔离结构与反射电极层之间。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的透明电极层的厚度介于50埃至300埃之间。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的金属隔离结构的第三开口与第一隔离结构的第一开口切齐。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的金属隔离结构环绕第一电极的周边，且覆盖第一电极的侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的金属隔离结构的材料包括钼、铝、铜或其组合。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的第一隔离结构的材质包括具亲水性的材料。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的第二隔离结构的材质包括含氟的高分子材料。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板更包括发光结构及第二电极。发光结构配置于第一隔离结构的第一开口、第二隔离结构的第二开口及金属隔离结构的第三开口中，且位于第一电极与第二电极之间。第二电极配置于发光结构上。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的发光结构包括依序堆叠在第一电极上的电洞注入层、电洞传输层及发光层。发光层具有重叠于第一开口的底部表面及连接于第二隔离结构的端部。发光层的底部表面与第一电极之间具有第一高度H1，发光层的端部与第一隔离结构之间具有第二高度H2，且满足下列关系式：H1≤H2≤20H1。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板更包括辅助电极，配置于主动元件阵列基板上，且电性连接第二电极。辅助电极与金属隔离结构属于同一膜层，且辅助电极与金属隔离结构彼此间隔开来。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的第一隔离结构覆盖辅助电极。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的主动元件阵列基板包括基板及配置于基板上的主动元件。主动元件配置于金属隔离结构与基板之间，且主动元件位于金属隔离结构所占区域内。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的第二隔离结构覆盖第一隔离结构的侧壁及金属隔离结构的侧壁。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的制造方法的湿式蚀刻步骤的蚀刻剂对第一电极的部分表面的材料与对金属材料层的材料的蚀刻选择比介于3至30之间。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的制造方法更包括在该第一隔离结构上形成一第二隔离结构及进行一喷墨印刷工艺。第一隔离结构具有第一开口，而第二隔离结构具有第二开口，第一开口所占区域落在第二开口所占区域内。在第一开口及第二开口中，依序形成电洞注入层、电洞传输层及发光层。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板的制造方法的形成该第二隔离结构的方法包括使得第一隔离结构定义第一开口的边缘于主动元件阵列基板上的垂直投影与第二隔离结构定义第二开口的边缘于主动元件阵列基板上的垂直投影相距1.5微米至10微米。
基于上述，在本发明的实施例的显示面板中，通过金属材料层设置在第一隔离结构材料层与第一电极之间，且利用湿式蚀刻的方式移除金属材料层重叠于第一电极的一部分，使第一电极的表面在蚀刻过程中受损的风险明显降低，以提升工艺合格率。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明的第一实施例的显示面板的俯视示意图；
图2A至图2I为图1的显示面板的制造流程的剖面示意图；
图3为本发明的第二实施例的显示面板的剖面示意图；
图4为本发明的第三实施例的显示面板的俯视示意图；
图5为图4的显示面板的剖面示意图；
图6为本发明的第四实施例的显示面板的剖面示意图。
其中，附图标记
10、20、30、40：显示面板
100：主动元件阵列基板
110：基板
120：栅绝缘层
130：层间绝缘层
140：平坦层
160：第一电极
160a、201b、202a、202b、301b：侧壁
161：第一导电材料层
162：第二导电材料层
163：第三导电材料层
170：第二电极
180：发光结构
181：电洞注入层
181s、183s：表面
182：电洞传输层
183：发光层
184：电子传输层
200：金属材料层
201：金属隔离结构
201a、301a、321a、321b：开口
202：辅助电极
300：第一隔离结构材料层
301：第一隔离结构
302：辅助图案
321：第二隔离结构
330：隔离结构图案
350：封装层
CH：通道区
D：漏极
DR：漏极区
G：栅极
H1：第一高度
H2：第二高度
LDR：轻掺杂漏极区
LSR：轻掺杂源极区
S：源极
SC：半导体图案
SR：源极区
S1：间距
T：主动元件
A-A’、B-B’：剖线
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±30％、±20％、±15％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」、「近似」、「本质上」、或「实质上」可依量测性质、切割性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理及/或电性连接。再者，「电性连接」可为二元件间存在其它元件。
现将详细地参考本发明的示范性实施方式，示范性实施方式的实例说明于所附图式中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本发明的第一实施例的显示面板10的俯视示意图。图2A至图2I为图1的显示面板10的制造流程的剖面示意图。图2A至图2I对应图1的剖线A-A’。需说明的是，为清楚呈现起见，图1仅绘示出图2I中的第一电极160、金属隔离结构201、第一隔离结构301以及第二隔离结构321。以下将针对图1所示的显示面板10的制造流程进行示范性地说明。
请参照图2A，首先，提供一主动元件阵列基板100，其中主动元件阵列基板100包括基板110、主动元件T以及栅绝缘层120。主动元件T配置于基板110上，且具有栅极G、源极S、漏极D以及半导体图案SC。栅绝缘层120配置在半导体图案SC与栅极G之间。举例而言，在本实施例中，主动元件T的栅极G可选择性地配置在半导体图案SC的上方，以形成顶部栅极型薄膜晶体管(top-gate TFT)，但本发明并不以此为限。根据其他的实施例，主动元件T的栅极G也可配置在半导体图案SC的下方，即栅极G位于半导体图案SC与基板110之间，以形成底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gate TFT)。
在本实施例中，半导体图案SC可包括源极区SR、轻掺杂源极区LSR、通道区CH、轻掺杂漏极区LDR以及漏极区DR，轻掺杂源极区LSR位于源极区SR与通道区CH之间，轻掺杂漏极区LDR位于通道区CH与漏极区DR之间，且栅极G重叠于半导体图案SC的通道区CH，但本发明并不以此为限。根据其他的实施例，半导体图案SC可仅包括源极区SR、通道区CH及漏极区DR。
承接上述，主动元件阵列基板100更包括层间绝缘层130，配置于栅绝缘层120上，且覆盖主动元件T的栅极G。主动元件T的源极S与漏极D配置在层间绝缘层130上，且分别重叠于半导体图案SC的不同两区。详细而言，主动元件T的源极S与漏极D都贯穿层间绝缘层130以及栅绝缘层120，以分别电性连接半导体图案SC的源极区SR与漏极区DR。主动元件阵列基板100更包括平坦层140，覆盖主动元件T的源极S、漏极D以及层间绝缘层130的部分表面。
在本实施例中，半导体图案SC的材质例如是低温多晶硅(low temperature poly-silicon，LTPS)半导体，也就是说，主动元件T可以是低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，主动元件T也可以是非晶硅薄膜晶体管(AmorphousSilicon TFT，a-Si TFT)、微晶硅薄膜晶体管(micro-Si TFT)或金属氧化物晶体管(MetalOxide Transistor)。
需说明的是，栅极G、源极S、漏极D、栅绝缘层120、层间绝缘层130及平坦层140分别可由任何所属技术领域中具有通常知识者所周知的用于显示面板的任一栅极、任一源极、任一漏极、任一栅绝缘层、任一层间绝缘层及任一平坦层来实现，且栅极G、源极S、漏极D、栅绝缘层120、层间绝缘层130及平坦层140分别可藉由任何所属技术领域中具有通常知识者所周知的任一方法来形成，故于此不加以赘述。
请参照图2B，接着，在主动元件阵列基板100上形成第一电极160，其中第一电极160与主动元件T的源极S电性连接。详细而言，第一电极160例如是依序堆叠于平坦层140上的第一导电材料层161、第二导电材料层162以及第三导电材料层163所形成的堆叠结构，且第一导电材料层161贯穿平坦层140，以电性连接主动元件T的源极S。在一些实施例中，第一导电材料层161及第三导电材料层163的厚度介于50埃至300埃之间。
举例而言，在本实施例中，第一导电材料层161及第三导电材料层163例如是透明电极层，而透明电极层的材质包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少两者的堆叠层；第二导电材料层162例如是反射电极层，而反射电极层的材质包括金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层，但本发明并不以此为限。第一导电材料层161、第二导电材料层162以及第三导电材料层163可依据不同的设计需求而选用适当的材料。举例而言，在部分实施例中，应用于有机发光显示面板时，第一导电材料层161、第二导电材料层162以及第三导电材料层163可分别为铟锡氧化物、银与铟锡氧化物。
请参照图2C，在形成第一电极160后，依序于主动元件阵列基板100上形成金属材料层200及第一隔离结构材料层300，其中金属材料层200及第一隔离结构材料层300覆盖第一电极160及平坦层140的部分表面，且金属材料层200配置于第一电极160与第一隔离结构材料层300之间。金属材料层200的材质包括钼、铝、铜、或其他适于湿式蚀刻(wet etching)的金属或合金材料、或上述的组合；第一隔离结构材料层300的材质包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)。特别是，在一些实施例中，第一隔离结构材料层300的材质例如是具亲水性(hydrophilic)的材料。
此外，为了将金属材料层200及第一隔离结构材料层300图案化，可进一步在第一隔离结构材料层300上形成光阻图案PR。光阻图案PR实质上环绕于第一电极160所占区域的周边，部分地重叠于第一电极160所占区域，并且露出第一隔离结构材料层300的一部分。第一隔离结构材料层300被露出的部分大致对应于第一电极160所占区域的中央部分。
请参照图2D，在形成金属材料层200及第一隔离结构材料层300后，以光阻图案PR为罩幕，进行一干式蚀刻步骤，移除第一隔离结构材料层300重叠于第一电极160的中央部分的一部分，以形成暴露出金属材料层200的部分表面的第一隔离结构301。
请参照图2E，接着，可继续以光阻图案PR为罩幕，进行一湿式蚀刻步骤，移除第一隔离结构301所暴露出的金属材料层200的部分，以形成暴露出第一电极160的部分表面的金属隔离结构201。在湿式蚀刻步骤中，金属材料层200被移除后，湿式蚀刻步骤的蚀刻剂可能会接触到第一电极160最接近于金属材料层200的部分(即第三导电材料层163)。在一些实施例中，湿式蚀刻步骤的蚀刻剂对第三导电材料层163的材料与对金属材料层200的材料的蚀刻选择比可介于3至30之间。换言之，第三导电材料层163的材料并不容易受湿式蚀刻步骤的蚀刻剂所蚀刻。如此，通过湿式蚀刻的方式移除部分金属材料层200时，暴露出的第一电极160的部分表面在蚀刻过程中受损的风险明显降低，而可提升工艺合格率。由于本实施例在蚀刻金属材料层200的过程中也不容易损坏第三导电材料层163，可避免第二导电材料层162露出。如此，第二导电材料层162即使采用较容易氧化或变质的金属材料制作，也不容易发生变质。
在本实施例中，图2D所示的干式蚀刻步骤与图2E的湿式蚀刻步骤可以共用光阻图案PR作为罩幕。在其他的实施例中，在进行湿式蚀刻步骤之前可先移除光阻图案PR，而以第一隔离结构301作为罩幕，换言之，金属材料层200及第一隔离结构材料层300虽采用不同的蚀刻方式图案化，可仅使用单个光阻图案PR而不需要额外的罩幕及对应的工艺工序(例如曝光、显影)。也因为使用同一个光阻图案PR，金属材料层200及第一隔离结构材料层300经图案化之后所获得的第一隔离结构301与金属隔离结构201可以具有大致相同的轮廓。因此，图1的俯视图中，第一隔离结构301与金属隔离结构201大致上彼此重合，而由图2E可知，金属隔离结构201的开口201a与第一隔离结构301的开口301a实质上可切齐。举例而言，在本实施例中，金属隔离结构201可环绕第一电极160的周边，且覆盖第一电极160的侧壁160a，但本发明并不以此为限。
另外，金属隔离结构201可设置在主动元件T的上方，且主动元件T于基板110上的垂直投影位于金属隔离结构201于基板110上的垂直投影以内，如此一来，可避免半导体图案SC在发光结构180所发出的光线长时间照射下产生劣化(degradation)，而有助于提升主动元件T的信赖性(reliability)。
请参照图2F，接着，在第一隔离结构301上形成第二隔离结构321，其中第二隔离结构321具有重叠于第一电极160的开口321a。请同时参照图1，举例而言，在本实施例中，第一隔离结构301的开口301a(或金属隔离结构201的开口201a)所占区域于基板110上的垂直投影位于第二隔离结构321的开口321a所占区域于基板110上的垂直投影以内，但本发明并不以此为限。
承接上述，在本实施例中，第二隔离结构321环绕第一电极160、金属隔离结构201及第一隔离结构301，且可选择性地覆盖金属隔离结构201的侧壁201b及第一隔离结构301的侧壁301b，但本发明并不以此为限。特别一提的是，形成第二隔离结构321的方法包括：使得第一隔离结构301定义开口301a的边缘于基板110上的垂直投影与第二隔离结构321定义开口321a的边缘于基板110上的垂直投影之间具有间距S1，且在一些实施例中，间距S1可介于1.5微米至10微米之间，但本发明并不以此为限。
在本实施例中，第二隔离结构321的材质包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其他合适的材料、或上述的组合。在一些实施例中，第二隔离结构321的材质例如是含氟的高分子材料，且第二隔离结构321可具疏水性(hydrophobic)。举例而言，第二隔离结构321的远离基板110的部分可以相对其他部分含有较高比例的氟含量，因此第二隔离结构321的顶表面可相对于侧壁可具有较明显的疏水性，但本发明并不以此为限。
请参照图2G，金属隔离结构201的开口201a、第一隔离结构301的开口301a及第二隔离结构321的开口321a构成一容纳空间。在形成第二隔离结构321后，采用喷墨印刷(ink-jet printing)工艺，在金属隔离结构201的开口201a、第一隔离结构301的开口301a及第二隔离结构321的开口321a所构成的容纳空间中依序形成电洞注入层181、电洞传输层182及发光层183于第一电极160上。电洞注入层181、电洞传输层182及发光层183的形成方式各自包括先将对应的材料以喷墨方式滴入或注入金属隔离结构201的开口201a、第一隔离结构301的开口301a及第二隔离结构321的开口321a所构成的容纳空间内，再将滴入或注入的材料固化而形成对应的膜层。
此外，电洞注入层181固化后才进行电洞传输层182的喷墨印刷步骤，且在电洞传输层182固化后才进行发光层183的喷墨印刷步骤。如此，电洞注入层181、电洞传输层182及发光层183各自的厚度可藉由喷墨印刷的步骤中控制，且电洞注入层181、电洞传输层182及发光层183的材料彼此不会在喷墨印刷的过程中发生混染。电洞注入层181、电洞传输层182及发光层183的堆叠在此仅是举例说明之用，在其他的实施例中，电洞注入层181、电洞传输层182及发光层183的任相邻两层之间可选择性地包含有一或多层其他的膜层。
在本实施例中，发光层183远离第一电极160的表面183s到电洞注入层181接近于第一电极160的表面181s之间的距离可反映出藉由喷墨工艺制作的电洞注入层181、电洞传输层182及发光层183的堆叠结构的厚度。电洞注入层181、电洞传输层182及发光层183的堆叠结构在中央部分具有第一厚度H1，而电洞注入层181、电洞传输层182及发光层183的堆叠结构在接近或接触于第二隔离结构321的边缘部分具有第二厚度H2。在本实施例中，第一厚度H1可小于第二厚度H2。在一些实施例中，第一高度H1及第二高度H2可满足下列关系式：H1≤H2≤20H1。
另一方面，在喷墨印刷工艺后，还可利用例如热蒸镀(thermal evaporation)的方式于发光层183上形成电子传输层184，以完成多层堆叠的发光结构180。需说明的是，本发明并不加以限定通过喷墨印刷工艺所形成的发光材料层的种类及数量，任何所属技术领域中具有通常知识者可依据发光材料的工艺特性及需求，调整适于采用喷墨印刷方式进行成膜的发光材料层的数量，例如在一些实施例中，电子传输层184也可通过喷墨印刷的方式形成于发光层183上。
在本实施例中，第一电极160的第二导电材料层162例如是反射电极层，且电洞注入层181、电洞传输层182、发光层183及电子传输层184依序堆叠于第一电极160上，也就是说，本实施例的发光结构180例如是顶发光(top emission)型态的电激发光层。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，发光结构180也可以是底发光(bottom emission)型态的电激发光层。
请参照图2H，接着，于第二隔离结构321及发光结构180上形成第二电极170，第二电极170覆盖第二隔离结构321及发光结构180。在本实施例中，第二电极170可连续地由第二隔离结构321上方，顺应于第二隔离结构321的侧壁延伸至发光结构180上方并且覆盖发光结构180。在一些实施例中，第二电极170可与发光结构180上的电子传输层184采用相同的制作方式制作，例如热蒸镀。第二电极170可具有大致均匀的膜层厚度。举例而言，第二电极170自身膜层厚度的差异小于前述第一厚度H1与第二厚度H2的差异。由图2I可知，在形成第二电极170后，还可形成封装层350，覆盖第二电极170。在本实施例中，封装层350的材料可包括氮化硅、氧化铝、氮碳化铝、氮氧化硅、压克力树脂、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)或玻璃。于此，便完成本实施例的显示面板10。
由图1与图2I可知，显示面板10包括主动元件阵列基板100、第一电极160、第一隔离结构301、第二隔离结构321以及金属隔离结构201。此外，显示面板10还包括发光结构180、第二电极170以及封装层350，其中发光结构180夹于第一电极160与第二电极170之间以做为显示元件之用，而显示元件则夹于封装层350与主动元件阵列基板100的基板110之间。由于发光结构180中的发光层183可采有机发光材料制作，显示面板10实质上为有机发光显示面板。
第一电极160配置于主动元件阵列基板100上。第一隔离结构301覆盖第一电极160，且具有开口301a。第一电极160所占区域重叠开口301a所占区域。第二隔离结构321配置于第一隔离结构301上，且具有开口321a。第一隔离结构301的开口301a所占区域位于第二隔离结构321的开口321a所占区域以内。金属隔离结构201配置于第一隔离结构301与第一电极160之间，且具有开口201a。金属隔离结构201的开口201a所占区域位于第二隔离结构301的开口301a所占区域以内。
在本实施例中，金属隔离结构201的开口201a与第一隔离结构301的开口301a在俯视图中的轮廓可大致上重合，但不以此为限。另外，第一电极160、第一隔离结构201与第二隔离结构301于基板110上的垂直投影大致上如图1所示。由图1可知，第一隔离结构301定义开口301a的边缘于基板110上的垂直投影与第二隔离结构321定义开口321a的边缘于基板110上的垂直投影相距1.5微米至10微米，也就是之间所具有的间距S1大致为1.5微米至10微米。
图3为本发明的第二实施例的显示面板20的剖面示意图。请参照图3，本实施例的显示面板20与图2I的显示面板10的差异在于：显示面板20的金属隔离结构201及第一隔离结构301未覆盖第一电极160的侧壁160a。举例而言，在本实施例中，第一隔离结构301的侧壁301a、金属隔离结构201的侧壁201a及第一电极160的侧壁160a实质上可切齐，而第二隔离结构321可直接地覆盖第一电极160的侧壁160a，但本发明并不以此为限。
图4为本发明的第三实施例的显示面板30的俯视示意图。图5为图4的显示面板30的剖面示意图。图5对应图4的剖线B-B’。需说明的是，为清楚呈现起见，图4仅绘示出图5中的基板110、第一电极160、金属隔离结构201、辅助电极202、第一隔离结构301以及第二隔离结构321。
请参照图4及图5，本实施例的显示面板30与第一实施例的显示面板10的差异在于：显示面板30更包括辅助电极202，且第二隔离结构321还具有露出辅助电极202的开口321b。第二电极170还填入第二隔离结构321的开口321b，且覆盖平坦层140的部分表面及辅助电极202的两侧壁202a、202b，以电性连接辅助电极202。
另一方面，由图4可知，在本实施例中，第二隔离结构321可包括多个隔离结构图案330，阵列排列于基板110上。多个隔离结构图案330彼此藉由开口321b间隔开来，且辅助电极202配置在任两相邻的隔离结构图案330之间。举例而言，在本实施例中，辅助电极202以网格(mesh)的形式配置在多个隔离结构图案330之间，且电性连接于第二电极170，如此一来，可降低第二电极170的等效阻值，而有助于提升驱动电路的电性表现，但本发明并不以此为限。
显示面板30的制作方式大致相同于显示面板10的制作方式，因此可参照图2A至图2I及对应的描述。不过，在显示面板30的制造流程中，形成第一隔离结构301的干式蚀刻步骤(如图2D所示)还可包括移除第一隔离结构材料层300位于第一电极160所占区域以外的另一部分，以形成图5中的辅助图案302，且在图2E所示的图案化金属隔离结构201的湿式蚀刻时，进一步形成图5中被辅助图案302覆盖的辅助电极202。接着，在制作第二隔离结构321时，可进一步形成开口321b，以制作彼此分离的隔离结构图案330并将辅助电极202的两侧壁202a、202b曝露出来，使得后续形成的第二电极170填入开口321b并且接触辅助电极202的两侧壁202a、202b。
由图4可知，辅助图案302与辅助电极202大致上彼此重合。换句话说，辅助电极202与金属隔离结构201可选择性地属于同一膜层，且辅助电极202与金属隔离结构201彼此间隔开来，如此一来，辅助电极202的制作不需要额外的罩幕及对应的工艺工序(例如曝光、显影)。在其他的实施例中，可以额外移除辅助图案302，使得辅助电极202不被辅助图案302覆盖，而增加第二电极170与辅助电极202的接触面积。
图6为本发明的第四实施例的显示面板40的剖面示意图。请参照图6，本实施例的显示面板40与图5的显示面板30的差异在于：显示面板40的金属隔离结构201及第一隔离结构301未覆盖第一电极160的侧壁160a。举例而言，在本实施例中，第一隔离结构301的侧壁301a、金属隔离结构201的侧壁201a及第一电极160的侧壁160a实质上可切齐，而第二隔离结构321的隔离结构图案330可直接地覆盖第一电极160的侧壁160a，但本发明并不以此为限。
综上所述，在本发明的实施例的显示面板中，通过金属材料层设置在第一隔离结构材料层与第一电极之间，且利用湿式蚀刻的方式移除金属材料层重叠于第一电极的一部分，使第一电极的表面在蚀刻过程中受损的风险明显降低，以提升工艺合格率。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (19)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
一主动元件阵列基板；
一第一电极，配置于该主动元件阵列基板上；
一第一隔离结构，覆盖该第一电极，且具有一第一开口，该第一电极所占区域重叠于该第一开口所占区域；
一第二隔离结构，配置于该第一隔离结构上，且具有一第二开口，其中该第一隔离结构的该第一开口所占区域位于该第二隔离结构的该第二开口所占区域以内；以及
一金属隔离结构，配置于该第一隔离结构与该第一电极之间，且具有一第三开口，该金属隔离结构的该第三开口所占区域位于该第二隔离结构的该第二开口所占区域以内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一隔离结构定义该第一开口的边缘于该主动元件阵列基板上的垂直投影与该第二隔离结构定义该第二开口的边缘于该主动元件阵列基板上的垂直投影相距1.5微米至10微米。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一电极包括一透明电极层及一反射电极层，该透明电极层配置于该金属隔离结构与该反射电极层之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该透明电极层的厚度介于50埃至300埃之间。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该金属隔离结构的该第三开口与该第一隔离结构的该第一开口切齐。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，该金属隔离结构环绕该第一电极的周边，且覆盖该第一电极的一侧壁。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该金属隔离结构的材料包括钼、铝、铜或其组合。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一隔离结构的材质包括具亲水性的材料。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第二隔离结构的材质包括含氟的高分子材料。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：
一发光结构，配置于该第一隔离结构的该第一开口、该第二隔离结构的该第二开口及该金属隔离结构的该第三开口中；以及
一第二电极，配置于该发光结构上，其中该发光结构夹于该第一电极与该第二电极之间。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该发光结构包括依序堆叠在该第一电极上的一电洞注入层、一电洞传输层及一发光层，
其中该发光层具有重叠于该第一开口的一底部表面及连接于该第二隔离结构的一端部，该发光层的该底部表面与该第一电极之间具有一第一高度H1，该发光层的该端部与该第一隔离结构之间具有一第二高度H2，且满足下列关系式：H1≤H2≤20H1。
12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，更包括：
一辅助电极，配置于该主动元件阵列基板上，且电性连接该第二电极，其中该辅助电极与该金属隔离结构属于同一膜层，且该辅助电极与该金属隔离结构彼此间隔开来。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，该第一隔离结构覆盖该辅助电极。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该主动元件阵列基板包括一基板及配置于该基板上的一主动元件，该主动元件配置于该金属隔离结构与该基板之间，且该主动元件位于该金属隔离结构所占区域内。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第二隔离结构覆盖该第一隔离结构的一侧壁及该金属隔离结构的一侧壁。
16.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一主动元件阵列基板；
在该主动元件阵列基板上形成一第一电极；
依序在该主动元件阵列基板上形成一金属材料层及一第一隔离结构材料层，覆盖该第一电极；
进行一干式蚀刻步骤，移除该第一隔离结构材料层重叠于该第一电极的一部分，以形成暴露出该金属隔离结构的部分表面的一第一隔离结构；以及
进行一湿式蚀刻步骤，移除该第一隔离结构所暴露的该金属材料层的部分，以形成暴露出该第一电极的部分表面的一金属隔离结构。
17.根据权利要求16所述的显示面板的制造方法，其特征在于，该湿式蚀刻步骤的蚀刻剂对该第一电极的该部分表面的材料与对该金属材料层的材料的蚀刻选择比介于3至30之间。
18.根据权利要求16所述的显示面板的制造方法，其特征在于，更包括：
在该第一隔离结构上形成一第二隔离结构，其中该第一隔离结构具有一第一开口，而该第二隔离结构具有一第二开口，该第一开口所占区域落在该第二开口所占区域内；以及
进行一喷墨印刷工艺，在该第一开口及该第二开口中，依序形成一电洞注入层、一电洞传输层及一发光层。
19.根据权利要求18所述的显示面板的制造方法，其特征在于，形成该第二隔离结构的方法包括使得该第一隔离结构定义该第一开口的边缘于该主动元件阵列基板上的垂直投影与该第二隔离结构定义该第二开口的边缘于该主动元件阵列基板上的垂直投影相距1.5微米至10微米。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862688635P | 2018-06-22 | 2018-06-22 | |
| US62/688,635 | 2018-06-22 | ||
| TW107142955 | 2018-11-30 | ||
| TW107142955A TWI684815B (zh) | 2018-06-22 | 2018-11-30 | 顯示面板及其製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110112177A true CN110112177A (zh) | 2019-08-09 |
Family
ID=67485075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910268015.9A Pending CN110112177A (zh) | 2018-06-22 | 2019-04-03 | 显示面板及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110112177A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114122236A (zh) * | 2021-08-27 | 2022-03-01 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140014913A1 (en) * | 2012-07-10 | 2014-01-16 | Yul-Kyu Lee | Method of repairing short circuit defect, and display apparatus and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US20160181334A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof |
| CN106601774A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-04-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种印刷型像素bank结构及其制备方法 |
-
2019
- 2019-04-03 CN CN201910268015.9A patent/CN110112177A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140014913A1 (en) * | 2012-07-10 | 2014-01-16 | Yul-Kyu Lee | Method of repairing short circuit defect, and display apparatus and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US20160181334A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof |
| CN106601774A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-04-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种印刷型像素bank结构及其制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114122236A (zh) * | 2021-08-27 | 2022-03-01 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| CN114122236B (zh) * | 2021-08-27 | 2023-05-26 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI684815B (zh) | 顯示面板及其製造方法 | |
| US11489006B2 (en) | Display panel, preparation method thereof and display device | |
| US11282980B2 (en) | Method of fabricating a micro light emitting diode display substrate, and micro light emitting diode display substrate | |
| US10797124B2 (en) | Organic light emitting display substrate and manufacturing method thereof | |
| US10325892B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| US20160126300A1 (en) | Display panel and system for displaying images utilizing the same | |
| US11804496B2 (en) | Transistor device, manufacturing method thereof, display substrate and display device | |
| KR102356843B1 (ko) | 디스플레이 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| CN112420782A (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法 | |
| CN115377117A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| US20080048191A1 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
| US20210125549A1 (en) | Driving backplane and method for manufacturing the same, and display panel | |
| CN110112177A (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
| CN111627933B (zh) | 主动元件基板及其制造方法 | |
| CN111933671A (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 | |
| US20240014216A1 (en) | Array substrate and manufacturing method and display panel | |
| WO2022041022A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| CN112018264B (zh) | 一种发光基板及其制备方法 | |
| CN114883370A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示终端 | |
| CN114883345A (zh) | 驱动背板及其制备方法、显示面板 | |
| CN113488512A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| KR100590253B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| US11527428B2 (en) | Semiconductor device and method of fabrication the same | |
| US11956991B2 (en) | Display panel, method for manufacturing the same and display device | |
| CN110112174B (zh) | 像素结构及其制备方法、显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190809 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |