CN110112103B - 一种有效提高抗冲击性能的集成电路板 - Google Patents
一种有效提高抗冲击性能的集成电路板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110112103B CN110112103B CN201910417594.9A CN201910417594A CN110112103B CN 110112103 B CN110112103 B CN 110112103B CN 201910417594 A CN201910417594 A CN 201910417594A CN 110112103 B CN110112103 B CN 110112103B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- elastic component
- colloid
- cavity
- heat dissipation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及集成电路板制备技术领域，且公开了一种有效提高抗冲击性能的集成电路板，在基岛的一侧表面上黏贴有芯片，芯片的一侧表面通过粘合剂与基岛的一侧表面呈相互粘结设置；芯片、粘合剂与基岛粘结成的一体式结构填充在胶体的腔体内；芯片通过封装在胶体内的引线与焊接在PCB板一侧表面上的外引脚呈相互导通设置；在胶体与芯片的直接接触面之间填充有弹性构件，弹性构件的内部具有空腔且一端具有开口，弹性构件的内壁与芯片的外壁呈相互直接接触设置。本发明解决了现有集成电路板中塑封用的胶体，由于受压变形能力比较差，所以无法有效缓冲与吸收来自外部的冲击作用力，所导致的无法有效保护芯片不受外界机械震动影响的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路板制备技术领域，具体为一种有效提高抗冲击性能的集成电路板。
背景技术
现有技术中的集成电路板，如图1所示，在基岛1的一侧表面上黏贴有芯片3，芯片3的一侧表面通过粘合剂2与基岛1的一侧表面呈相互粘结设置，此时，芯片3、粘合剂2与基岛1粘结成为一体式结构，该一体式结构填充在胶体7的腔体内，芯片3通过封装在胶体7内的引线4与外引脚5呈相互导通设置，外引脚5焊接在PCB板6的一侧表面上。
其中，胶体7主要的功能是保护芯片不受外界环境的影响，抵抗外部湿气、溶剂、以及冲击，使芯片和外界环境绝缘。目前胶体7主要由基体树脂，如有机硅、环氧树脂和聚氨酯树脂等热固性树脂，与硬化剂、充填剂、阻燃剂、脱模剂、催化剂、偶联剂以及其他助剂组分，在一定的温度下，发生交联固化反应制作而成的。
但是由热固性树脂制作而成的胶体7在固化之后，由于热固性树脂本身受压不易变形，且其他添加组分本身也不具备受压变形功能，所以胶体7无法有效缓冲与吸收来自外部的冲击作用力，从而无法实现有效保护芯片3不受外界机械震动影响的技术目的。
本发明提供一种有效提高抗冲击性能的集成电路板，旨在解决现有集成电路板中塑封用的胶体，由于受压变形能力比较差，所以无法有效缓冲与吸收来自外部的冲击作用力，所导致的无法有效保护芯片不受外界机械震动影响的技术问题。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种有效提高抗冲击性能的集成电路板，解决了现有集成电路板中塑封用的胶体，由于受压变形能力比较差，所以无法有效缓冲与吸收来自外部的冲击作用力，所导致的无法有效保护芯片不受外界机械震动影响的技术问题。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种有效提高抗冲击性能的集成电路板，包括基岛、粘合剂、芯片、引线、外引脚、PCB板、胶体，在基岛的一侧表面上黏贴有芯片，芯片的一侧表面通过粘合剂与基岛的一侧表面呈相互粘结设置；
芯片、粘合剂与基岛粘结成为一体式结构，该一体式结构填充在胶体的腔体内；
芯片通过封装在胶体内的引线与焊接在PCB板一侧表面上的外引脚呈相互导通设置；
在胶体与芯片的直接接触面之间填充有弹性构件，弹性构件的内部具有空腔且一端具有开口，弹性构件的内壁与芯片的外壁呈相互直接接触设置。
进一步的，所述弹性构件的顶端上均匀开设有散热孔Ⅰ，散热孔Ⅰ的进口端与弹性构件的腔体呈相互连通设置，散热孔Ⅰ的出口端与胶体的腔体呈相互连通设置。
进一步的，所述弹性构件的侧壁上均匀开设有散热孔Ⅱ，散热孔Ⅱ的进口端与弹性构件的腔体呈相互连通设置，散热孔Ⅱ的出口端与胶体的腔体呈相互连通设置。
进一步的，所述弹性构件的原料组分中包括：由铁粉与不饱和聚酯树脂按照9:1的质量比配制成的吸振剂。
(三)有益的技术效果
与现有技术相比，本发明具备以下有益的技术效果：
1.在胶体与芯片的直接接触面之间填充有弹性构件，弹性构件包裹在芯片的周围，芯片在受到外界压力的状态下，弹性构件能够通过自身的形变作用来缓冲与吸收来自外部的冲击力作用，达到对芯片的保护作用，从而取得了有效保护芯片不受外界机械震动影响的技术效果。
2.在弹性构件的顶端开设散热孔Ⅰ，散热孔Ⅰ能够将芯片在使用过程中产生的热量及时有效地散发掉，以保证芯片在正常的使用温度下进行工作，从而取得了有效防止芯片在温度过高的环境下进行工作的技术效果。
3.在弹性构件的顶端开设散热孔Ⅱ，散热孔Ⅱ能够将芯片在使用过程中产生的热量进一步的加速散发掉，以保证芯片在正常的使用温度下进行工作，从而取得了有效防止芯片在温度过高的环境下进行工作的技术效果。
4.在弹性构件的原料组分中添加有吸振剂组分，吸振剂组分能够有效提高弹性构件本身对外界振动作用的吸收能力，使弹性构件能够更好的阻隔外界振动作用力对芯片的冲击作用，从而取得了进一步保护芯片不受外界机械震动影响的技术效果。
附图说明
图1为现有技术中集成电路板的结构示意图；
图2为本发明有效提高抗冲击性能的集成电路板的结构示意图；
图3为本发明的弹性结构的结构示意图。
图中标示：1-基岛，2-粘合剂，3-芯片，4-引线，5-外引脚，6-PCB板，7-胶体，8-弹性构件，801-散热孔Ⅰ，802-散热孔Ⅱ。
具体实施方式
一种有效提高抗冲击性能的集成电路板，如图2所示，包括基岛1，在基岛1的顶侧表面上黏贴有芯片3，芯片3的底侧表面通过粘合剂2与基岛1的顶侧表面呈相互粘结设置，此时，芯片3、粘合剂2与基岛1粘结成为一体式结构，该一体式结构填充在胶体7的腔体内，在胶体7与芯片3的直接接触面之间填充有弹性构件8，弹性构件8呈矩形体形状，该矩形体的内部具有空腔且底端具有开口，弹性构件8的内侧面和内侧顶面分别与芯片3的外侧壁和顶侧面呈相互直接接触设置，弹性构件8的外侧面和外侧顶面分别与胶体7腔体内的顶端侧面和顶面呈相互直接接触设置；芯片3通过封装在胶体7内的引线4与外引脚5呈相互导通设置，外引脚5焊接在PCB板6的一侧表面上；
其中，在胶体7与芯片3的直接接触面之间填充有弹性构件8，弹性构件8包裹在芯片3的周围，芯片3在受到外界压力的状态下，弹性构件8能够通过自身的形变作用来缓冲与吸收来自外部的冲击力作用，达到对芯片3的保护作用，从而取得了有效保护芯片3不受外界机械震动影响的技术效果；
进一步的，如图3所示，弹性构件8的顶端上均匀开设有径向剖面呈圆形形状设置且轴向剖面呈矩形形状设置的散热孔Ⅰ801，散热孔Ⅰ801的进口端与弹性构件8的腔体呈相互连通设置，散热孔Ⅰ801的出口端与胶体7的腔体呈相互连通设置；
其中，在弹性构件8的顶端开设散热孔Ⅰ801，散热孔Ⅰ801能够将芯片3在使用过程中产生的热量及时有效地散发掉，以保证芯片3在正常的使用温度下进行工作，从而取得了有效防止芯片3在温度过高的环境下进行工作的技术效果；
更进一步的，弹性构件8的四个侧壁上均匀开设有径向剖面呈圆形形状设置且轴向剖面呈矩形形状设置的散热孔Ⅱ802，散热孔Ⅱ802的进口端与弹性构件8的腔体呈相互连通设置，散热孔Ⅱ802的出口端与胶体7的腔体呈相互连通设置；
其中，在弹性构件8的顶端开设散热孔Ⅱ802，散热孔Ⅱ802能够将芯片3在使用过程中产生的热量进一步的加速散发掉，以保证芯片3在正常的使用温度下进行工作，从而取得了有效防止芯片3在温度过高的环境下进行工作的技术效果；
优选的，弹性构件8包括以下重量份数配比的原料：100kg乙烯基硅油(乙烯基含量0.2％)、5kg甲基硅油、10kg含氢硅油(活泼氢含量0.30％)、5kg气相二氧化硅、5kg硅橡胶与2kgΥ-胺丙基三乙氧基硅烷偶联剂、9kg平均粒径≤10um的铁粉、1kg不饱和聚酯树脂、0.5kg钴催化剂；
弹性构件8的制备方法包括以下步骤：
(1)将100kg乙烯基硅油(乙烯基含量0.2％)、5kg甲基硅油、10kg含氢硅油(活泼氢含量0.30％)加入到搅拌釜中，在60～80℃下搅拌2h，转速为300～500rpm，搅拌均匀以后加入5kg气相二氧化硅、5kg硅橡胶与2kgΥ-胺丙基三乙氧基硅烷偶联剂，搅拌30min；
(2)将9kg平均粒径≤10um的铁粉与1kg不饱和聚酯树脂混合均匀制成吸振剂后，加入反应釜中，搅拌1h；
(3)冷却到室温，加入0.5kg钴催化剂搅拌30min，转速为150～180rpm，抽真空脱去气泡，得到膏状料；
(4)将膏状料在PET膜中间压延成型为3.0～5.0mm厚度的片状，裁切成250mm×300mm的大小，在150℃固化1h，得到弹性构件8；
其中，在弹性构件8的原料组分中添加有吸振剂组分，吸振剂组分能够有效提高弹性构件8本身对外界振动作用的吸收能力，使弹性构件8能够更好的阻隔外界振动作用力对芯片3的冲击作用，从而取得了进一步保护芯片3不受外界机械震动影响的技术效果。
Claims (1)
1.一种提高抗冲击性能的集成电路板，包括基岛(1)、粘合剂(2)、芯片(3)、引线(4)、外引脚(5)、PCB板(6)、胶体(7)，在基岛(1)的一侧表面上黏贴有芯片(3)，芯片(3)的一侧表面通过粘合剂(2)与基岛(1)的一侧表面呈相互粘结设置；
芯片(3)、粘合剂(2)与基岛(1)粘结成为一体式结构，该一体式结构填充在胶体(7)的腔体内；
芯片(3)通过封装在胶体(7)内的引线(4)与焊接在PCB板(6)一侧表面上的外引脚(5)呈相互导通设置；
其特征在于：在胶体(7)与芯片(3)的直接接触面之间填充有弹性构件(8)，弹性构件(8)的内部具有空腔且一端具有开口，弹性构件(8)的内壁与芯片(3)的外壁呈相互直接接触设置；
所述弹性构件(8)的顶端上均匀开设有散热孔Ⅰ(801)，散热孔Ⅰ(801)的进口端与弹性构件(8)的腔体呈相互连通设置，散热孔Ⅰ(801)的出口端与胶体(7)的腔体呈相互连通设置；
所述弹性构件(8)的侧壁上均匀开设有散热孔Ⅱ(802)，散热孔Ⅱ(802)的进口端与弹性构件(8)的腔体呈相互连通设置，散热孔Ⅱ(802)的出口端与胶体(7)的腔体呈相互连通设置；
所述弹性构件(8)的原料组分中包括：由铁粉与不饱和聚酯树脂按照9:1的质量比配制成的吸振剂；
弹性构件(8)包括以下重量份数配比的原料：100kg乙烯基硅油、5kg甲基硅油、10kg含氢硅油、5kg气相二氧化硅、5kg硅橡胶与2kgΥ-胺丙基三乙氧基硅烷偶联剂、9kg平均粒径≤10um的铁粉、1kg不饱和聚酯树脂、0.5kg钴催化剂；
弹性构件(8)的制备方法包括以下步骤：
(1)将100kg乙烯基硅油、5kg甲基硅油、10kg含氢硅油加入到搅拌釜中，在60～80℃下搅拌2h，转速为300～500rpm，搅拌均匀以后加入5kg气相二氧化硅、5kg硅橡胶与2kgΥ-胺丙基三乙氧基硅烷偶联剂，搅拌30min；
(2)将9kg平均粒径≤10um的铁粉与1kg不饱和聚酯树脂混合均匀制成吸振剂后，加入反应釜中，搅拌1h；
(3)冷却到室温，加入0.5kg钴催化剂搅拌30min，转速为150～180rpm，抽真空脱去气泡，得到膏状料；
(4)将膏状料在PET膜中间压延成型为3.0～5.0mm厚度的片状，裁切成250mm×300mm的大小，在150℃固化1h，得到弹性构件(8)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910417594.9A CN110112103B (zh) | 2019-05-20 | 2019-05-20 | 一种有效提高抗冲击性能的集成电路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910417594.9A CN110112103B (zh) | 2019-05-20 | 2019-05-20 | 一种有效提高抗冲击性能的集成电路板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110112103A CN110112103A (zh) | 2019-08-09 |
| CN110112103B true CN110112103B (zh) | 2021-06-04 |
Family
ID=67491033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910417594.9A Active CN110112103B (zh) | 2019-05-20 | 2019-05-20 | 一种有效提高抗冲击性能的集成电路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110112103B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1996585A (zh) * | 2005-10-05 | 2007-07-11 | 英飞凌科技股份公司 | 具有嵌入到塑料壳体中的半导体结构组件的半导体构件 |
| CN101116184A (zh) * | 2005-03-25 | 2008-01-30 | 住友电木株式会社 | 半导体装置、缓冲层用树脂组合物、芯片键合用树脂组合物以及封装用树脂组合物 |
| CN106920870A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-07-04 | 广东工业大学 | 一种大功率紫外led芯片共晶焊倒装结构 |
| CN107135598A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-09-05 | 天津莱尔德电子材料有限公司 | 散热装置及电子设备 |
| CN207719186U (zh) * | 2018-01-24 | 2018-08-10 | 河源创基电子科技有限公司 | 一种三极管的散热封装结构 |
-
2019
- 2019-05-20 CN CN201910417594.9A patent/CN110112103B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101116184A (zh) * | 2005-03-25 | 2008-01-30 | 住友电木株式会社 | 半导体装置、缓冲层用树脂组合物、芯片键合用树脂组合物以及封装用树脂组合物 |
| CN1996585A (zh) * | 2005-10-05 | 2007-07-11 | 英飞凌科技股份公司 | 具有嵌入到塑料壳体中的半导体结构组件的半导体构件 |
| CN106920870A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-07-04 | 广东工业大学 | 一种大功率紫外led芯片共晶焊倒装结构 |
| CN107135598A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-09-05 | 天津莱尔德电子材料有限公司 | 散热装置及电子设备 |
| CN207719186U (zh) * | 2018-01-24 | 2018-08-10 | 河源创基电子科技有限公司 | 一种三极管的散热封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110112103A (zh) | 2019-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105492557B (zh) | 粘接膜和半导体装置的制造方法 | |
| CN105074906B (zh) | 中空密封用树脂片及中空封装体的制造方法 | |
| KR102012790B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR101033044B1 (ko) | 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 다이 접착 필름 | |
| TWI606925B (zh) | Thermosetting sealing resin sheet and manufacturing method of electronic part package | |
| CN102031081A (zh) | 一种液态环氧封装料及其制备方法 | |
| KR102012788B1 (ko) | 접착 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| US20100047968A1 (en) | Adhesive sheet for producing a semiconductor device, and a method for producing a semiconductor device using the same | |
| CN110112103B (zh) | 一种有效提高抗冲击性能的集成电路板 | |
| CN102675601A (zh) | 用于qfn的低翘曲环氧树脂组合物 | |
| CN102190859A (zh) | 一种环氧树脂钨酸锆复合材料的制备方法 | |
| CN109065081B (zh) | 一种抗大过载冲击的存储装置及其制备方法 | |
| JP6688852B2 (ja) | 中空封止用樹脂シート及び中空パッケージの製造方法 | |
| CN115960548A (zh) | 一种芯片包封用环氧树脂胶膜及其制备方法 | |
| JP3406073B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| CN112420532B (zh) | 无引脚dfn封装器件的封装工艺 | |
| KR100740894B1 (ko) | 고신뢰성 반도체 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
| CN113453475A (zh) | 一种用于引信产品的封装工装及封装工艺 | |
| CN112720969A (zh) | 一种电子产品灌封工装及灌封方法 | |
| JP7434794B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| KR101667457B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JP2003086615A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 | |
| CN116435201B (zh) | 一种塑封封装方法以及器件封装结构 | |
| JP5201451B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| KR20230160577A (ko) | 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 전자 디바이스 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20210508 Address after: 3 / F, building 01, YONGLIDA Science Park, shuisheyong community, Wanjiang street, Dongguan City, Guangdong Province Applicant after: DONGGUAN MEIKANGSHI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 325000 No. 59, Nanyue village, Chunhu Town, Fenghua City, Ningbo City, Zhejiang Province Applicant before: Jin Xiaofa |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |