CN110098339A - 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置 - Google Patents
一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110098339A CN110098339A CN201810098253.5A CN201810098253A CN110098339A CN 110098339 A CN110098339 A CN 110098339A CN 201810098253 A CN201810098253 A CN 201810098253A CN 110098339 A CN110098339 A CN 110098339A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- quantum dot
- dot light
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 107
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 238000011982 device technology Methods 0.000 abstract 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 352
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000003504 terephthalic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- RCHKEJKUUXXBSM-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-2-(3-formylindol-1-yl)acetamide Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=O)=CN1CC(=O)NCC1=CC=CC=C1 RCHKEJKUUXXBSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置，用以缓解现有技术中在量子点发光层之上形成的第一传输层中纳米粒子渗漏而影响量子点发光层性能的问题。该器件包括：量子点发光层、位于量子点发光层之上的第一传输层、位于量子点发光层与第一传输层之间的第一阻挡层，第一阻挡层包含聚合物电解质，用于阻隔第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至量子点发光层。由于该第一阻挡层包含较为致密的网状聚合物电解质，从而，第一阻挡层可以阻隔第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至量子点发光层，避免第一传输层与量子点发光层之间出现粒子互溶的情况，保证量子点发光层的发光性能。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum DotLight Emitting Diodes，QLED)是一种新型的不需要额外光源的自发光技术，量子点(QuantumDots)是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米粒子，是一种粒径为几纳米到几十纳米的颗粒。
如图1所示，为现有的QLED器件的膜层结构示意图，在该器件膜层中，由下至上依次主要包括：阴极01、电子传输层02、量子点发光层03、空穴传输层04、阳极05等膜层。此外，还可以包括：电子注入层、空穴注入层等，图1并未示出。
由于过渡金属氧化物(如氧化锌，氧化钛等)具有优异的可见光透过性、功函数可调节性，因此，成为QLED器件中电子传输层的优选材料。但由于电子传输层与量子点发光层通常都由具有半导体性质的无机物构成，且电子传输层与量子点发光层往往直接接触，导致现有技术中在量子点发光层上制备过渡金属氧化物电子传输层的过程中，会出现上层的纳米粒子渗漏至下层甚至层间互溶的情况。从而使得量子点发光层出现缺陷，进而影响QLED器件的性能。
发明内容
本申请实施例提供一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置，用以缓解现有技术中在量子点发光层之上形成的第一传输层中纳米粒子渗漏而影响量子点发光层性能的问题。
本申请实施例采用下述技术方案：
一种量子点发光二极管QLED器件，包括：量子点发光层、位于所述量子点发光层之上的第一传输层、位于所述量子点发光层与所述第一传输层之间的第一阻挡层，所述第一阻挡层包含聚合物电解质；
其中，所述第一阻挡层用于阻隔所述第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。
较优的，该器件还包括：位于所述量子点发光层下方的第二传输层；
位于所述第二传输层与所述量子点发光层之间的第二阻挡层，所述第二阻挡层包含聚合物电解质。
较优的，该器件中，所述聚合物电解质具有网状结构。
较优的，该器件中，阻挡层的厚度为8-15nm。
一种量子点发光二极管QLED器件的制作方法，包括：
形成量子点发光层；在所述量子点发光层之上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层包含聚合物电解质；在所述第一阻挡层之上形成第一传输层；
其中，所述第一阻挡层用于阻隔所述第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。
较优的，该方法中，在量子点发光层上形成第一阻挡层，具体包括：
利用第一溶剂溶解聚合物电解质，形成具有预设浓度的第一溶液；
将所述第一溶液沉积在所述量子点发光层之上，形成第一阻挡层。
较优的，该方法中，在形成所述第一传输层时所用的溶解纳米粒子的第二溶剂与所述第一溶剂不互溶。
较优的，上述任一种量子点发光二极管QLED器件的制作方法中，在形成量子点发光层之前，所述方法还包括：
形成第二传输层；在所述第二传输层之上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层包含聚合物电解质。
较优的，上述方法中，在所述第二传输层上形成第二阻挡层，具体包括：
利用第三溶剂溶解聚合物电解质，形成具有预设浓度的第三溶液；
将所述第三溶液沉积在所述第二传输层上，形成第二阻挡层。
较优的，上述方法中，所述预设浓度小于1mg/ml。
一种量子点发光二极管QLED装置，包括上述任意一种量子点发光二极管QLED器件。
本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
通过以上技术方案，本申请在量子点发光二极管QLED器件的量子点发光层上形成第一阻挡层，在第一阻挡层上形成第一传输层，该阻挡层中包含多条链状的聚合物电解质，形成致密的网状结构，阻隔上述传输层中的纳米粒子，避免该纳米粒子受重力作用渗透至量子点发光层中，从而保证量子点发光层的发光性能。另外，由于聚合物电解质所携带的端基可以修饰量子点发光层与相邻传输层的接触界面的纳米粒子表面缺陷，修饰相接触的纳米粒子，从而改善界面缺陷，因此，该阻挡层能提升量子点发光二极管QLED器件性能。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为现有技术中量子点发光二极管QLED膜层结构示意图；
图2为本申请提供的QLED器件的制作方法流程图之一；
图3为本申请提供的QLED器件的制作方法流程图之二；
图4为本申请提供的QLED器件的制作方法流程图之三；
图5为本申请中在第二传输层上形成第二阻挡层的方法流程图；
图6为本申请提供的QLED器件膜层结构示意图之一；
图7a为本申请提供的QLED器件膜层结构示意图之二；
图7b为本申请提供的QLED器件膜层结构示意图之三；
图8为本申请提供的QLED器件膜层结构示意图之四；
图9a为本申请提供的QLED器件膜层结构示意图之五；
图9b为本申请提供的QLED器件膜层结构示意图之六。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。需要说明的是，本申请提供的膜层结构示意图仅示出不同膜层之间的位置关系，并不代表实际的膜层厚度。
实施例一
本申请实施例提供一种制作QLED器件的方法，如图2所示，该方法主要包括以下步骤：
步骤11：形成量子点发光层。
在具体的生产过程中，可以采用溶液法制备该量子点发光层。该量子点发光层可以制作在基板上，在制作量子点发光层之前，该方法还可以包括在基板上依次制作阳极、空穴传输层等步骤。
步骤12：在所述量子点发光层之上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层包含聚合物电解质。
其中，所述第一阻挡层用于阻隔所述第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。聚合物电解质是聚合物形式的电解质材料，往往为带有偶极的聚合物，具体可以是离子导电聚合物或离子交换膜。该聚合物电解质可以是含胺基聚芴类共轭高分子PFN、酚醛树脂PF、再生聚乙烯对苯二甲酸酯PETE、聚醚酰亚胺PEI、聚对苯二甲酸类塑料PET、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN等材料。在量子点发光层上形成的第一阻挡层为网状结构。聚合物电解质一般为链状，多条不同长度、不同形态的链状聚合物分子缠绕在一起，形成具有较为致密网状结构的第一阻挡层。
另外，需要说明的是，上述第一阻挡层中可以不只包含上述聚合物电解质，还可以包含其他能够形成类似阻挡结构或是有助于形成致密网状结构的有机或无机材料，以便加强第一阻挡层的致密程度或是阻挡能力。
步骤13：在所述第一阻挡层上形成第一传输层。
具体地，可采用沉积工艺在形成的第一阻挡层上，沉积一定厚度的第一传输层，该第一传输层的材料为具有半导体性质的无机物纳米粒子。首先溶解上述纳米粒子形成纳米粒子溶液，然后通过涂布或印刷等沉积方式在第一阻挡层上形成纳米粒子溶液的膜层，最后可以通过加热/真空蒸发的方式去除溶液中的溶剂，在第一阻挡层上留下纳米粒子形成第一传输层。较优的，上述纳米粒子可以为氧化锌、氧化钛等过渡金属氧化物材料。
通过上述步骤形成的QLED器件中，所述第一阻挡层用于阻隔第一传输层中的纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。且该第一阻挡层位于所述量子点发光层上，第一传输层位于第一阻挡层上，形成第一阻挡层夹设于量子点发光层与第一传输层之间的结构，该第一阻挡层由多条链状聚合物电解质构成，具有致密的网状结构，有效分隔第一传输层与量子点发光层，能够对大部分纳米粒子起阻隔作用，缓解纳米粒子受重力作用渗漏至量子点发光层中的情况，甚至阻隔全部纳米粒子，避免该纳米粒子由于重力的作用落入量子点发光层中。由此，第一阻挡层能够缓解现有技术中在量子点发光层之上形成的第一传输层中纳米粒子渗漏而影响量子点发光层性能的问题。
其实，需要说明的是，本申请中所涉及的第一传输层可以为电子传输层，也可以为空穴传输层，只要满足该第一传输层制作在量子点发光层的膜层之上即可。这样，才会存在由于重力作用而导致的位于上层的第一传输层的纳米粒子渗漏至量子点发光层的问题。而本申请通过在量子点发光层与第一传输层之间制作了第一阻挡层，通过该第一阻挡层中包含的聚合物电解质，形成具有一定致密度的网状结构，从而，阻隔第一传输层中的纳米粒子渗漏至量子点发光层，避免制作过程中第一传输层与量子点发光层之间产生膜层互溶。
实施例二
基于上述方案，本申请实施例提供的QLED器件的制作方法，参见图3所示，具体包括：
步骤11：形成量子点发光层。
具体的，形成量子点发光层的方法步骤可以如上述实施例所示，此处不再赘述。而步骤12中形成第一阻挡层的过程具体可通过以下步骤121以及步骤122实现。
步骤121：利用第一溶剂溶解聚合物电解质，形成具有预设浓度的第一溶液。
本步骤中，确定用于溶解聚合物电解质的第一溶剂；考虑到该第一阻挡层需要制作在量子点发光层之上，为了避免相邻膜层之间的溶剂互溶，需要在相邻膜层的制作时，选用相互正交(即互不相溶)的溶剂对溶质(各类纳米粒子)进行溶解处理。由于溶解量子点发光层中纳米粒子的溶剂一般是非极性溶剂，那么，需要选用极性溶剂来溶解聚合物电解质。
优选地，可以选用极性溶剂--醇溶液，该醇溶液对聚合物电解质具有较好的溶解性，而且与非极性溶剂互为正交溶剂，可避免与量子点膜层之间的互溶现象。
步骤122：将所述第一溶液沉积在所述量子点发光层之上，形成第一阻挡层。
其中，所述第一阻挡层用于阻隔所述第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。在本步骤中，沉积工艺具体包括涂布、浸涂、喷雾、印刷、旋涂等工艺方式，通过上述沉积工艺将溶液均匀沉积在量子点发光层上，最后可以采用加热/真空法蒸发溶剂，形成所需膜层，其工艺相对简单且成膜质量较高。
可选地，在本申请中，考虑到聚合物电解质的导电性能往往比纳米粒子的导电性能差，为保证上述传输层的导电性能，上述预设浓度应小于1mg/ml。当第一阻挡层过厚时，会阻碍电子传导，降低导电性能，具有一定绝缘作用，影响QLED器件整体性能；当第一阻挡层过薄时，网状结构不够致密，不能有效阻挡纳米粒子渗漏至量子传输层中。因此，为了保证链状的聚合物电解质能够形成一定致密度的网状结构，制备时，需要控制第一阻挡层的厚度大于或等于8纳米且小于或等于15纳米，这样，才能形成具有阻隔功能的第一阻挡层，同时，还可以保证形成的第一阻挡层具有良好的导电性，减小对电子传输的阻碍。
同时，还包括步骤13：在所述第一阻挡层上形成第一传输层。具体步骤如上述实施例所述，此处不再赘述。
本申请实施例在此示出了前述步骤12的一种具体实现方式。当然，应理解，步骤12也可以采用其它的方式实现，本申请实施例对此不作限制。
可选地，在形成第一阻挡层时，采用的第一溶剂与制作量子点发光层时所用的溶剂互不相溶，进一步，为了避免第一阻挡层与位于其上的第一传输层之间发生溶剂互溶，可限定在形成所述第一传输层时所用的溶解纳米粒子的第二溶剂与所述第一溶剂不互溶。
通过上述步骤形成的QLED器件，能够在第一传输层与量子点发光层之间形成第一阻挡层，该第一阻挡层由多条链状聚合物电解质构成，具有致密的网状结构。在沉积第一传输层的过程中，该第一阻挡层用于阻隔第一传输层中的纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。另外，由于聚合物电解质是聚合物形式的电解质材料，至少部分聚电解质具有由所在层表面向外延伸的端基，其端基能够一定程度上改善与其接触的第一传输层、第二传输层以及量子点发光层中纳米粒子的表面缺陷，改善界面接触的性质，对上述界面起到修饰的作用。
基于上述方案，需要说明的是，如背景技术中所指，针对无机纳米粒子，才会发生纳米粒子渗漏的情况。而考虑到量子点发光层中的纳米粒子也可能会渗漏至下方的传输层中，影响膜层性能。参见图4所示，为此，在形成量子点发光层之前，所述方法还包括：
步骤14：形成第二传输层。
具体的，第二传输层可以由具有半导体性质的无机物纳米粒子构成，可以选用氧化锌或氧化钛等材料通过溶液法进行制备，具体的，首先溶解纳米粒子形成纳米粒子溶液，然后，通过涂布或印刷等沉积方式在基板上形成纳米粒子溶液层，最后可以通过加热/真空蒸发的方式去除溶液中的溶剂，保留纳米粒子形成第二传输层。其中，基板上可以设置有阴极或阳极，也可以设置有空穴传输层或电子传输层，本步骤制备的第二传输层的厚度可以小于100nm。
步骤15：在所述第二传输层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层包含聚合物电解质。
其中，所述第二阻挡层用于阻隔所述量子点发光层中的纳米粒子渗漏至所述第二传输层
可选地，参见图5所示，该步骤15可具体包括：
步骤151：利用第三溶剂溶解聚合物电解质，形成具有预设浓度的第三溶液。
其中，第三溶剂可以与第一溶剂相同或不同，较优的，第三溶剂采用极性溶剂，以便随后通过非极性溶剂溶解量子点发光层的纳米粒子，在第二阻挡层上进一步制备量子点发光层时避免第三溶剂与溶解量子点发光层中纳米粒子的溶剂互溶，减少随后制备的量子点发光层与第二阻挡层出现渗漏或层间互溶的现象。
步骤152：将所述第三溶液沉积在所述第二传输层上，形成第二阻挡层。
其中，所述第二阻挡层用于阻隔所述量子点发光层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述第二传输层。较优的，该预设浓度小于1mg/ml，具体的可以通过溶液法制备，具体的溶液法制备方法步骤如前文所述，此处不再赘述，通过上述方法形成的第二阻挡层在第二传输层与量子点发光层之间起阻隔作用，同时保证该第二阻挡层具有良好的导电性，减小对电子传导的阻碍作用。
上述方案能够将经过溶解的链状聚合物电解质沉积在第二传输层上，同时，由于制备第二传输层使用的溶剂与制备量子点发光层使用的溶剂不互溶，从而避免第二传输层与随后形成的量子点发光层之间出现互溶的现象，保证制备的量子点发光层的性能。
另外，第三溶液中聚合物电解质的浓度可以与第一溶液中聚合物电解质的浓度相同或不同，第三溶液中的聚合物电解质可以与第一溶液中聚合物电解质相同或不同。
需要说明的是，本申请中步骤的序号并不代表步骤执行的先后顺序，而是以说明书解释以及说明书附图中的示例为准。
通过上述步骤形成的QLED器件，能够在第一传输层与量子点发光层之间形成第一阻挡层，该第一阻挡层由多条链状聚合物电解质构成，具有致密的网状结构。在沉积第一传输层的过程中，该第一阻挡层用于阻隔第一传输层中的纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。相类似的，在形成的第二传输层上制作第二阻挡层，该第二阻挡层由多条链状聚合物电解质构成，具有致密的网状结构。在该第二阻挡层上制作量子点发光层的过程中，网状的第二阻挡层能避免量子点发光层中的纳米粒子受重力作用渗漏至第二传输层中，从而保证量子点发光层的性能。另外，由于聚合物电解质是聚合物形式的电解质材料，其端基能够一定程度上改善与其接触的第一传输层、第二传输层以及量子点发光层中纳米粒子的表面缺陷，改善界面接触的性质，对上述界面起到修饰的作用。
实施例三
本申请实施例提供的QLED器件的膜层结构如图6所示，主要包括：量子点发光层61、位于所述量子点发光层61之上的第一传输层62，以及位于所述量子点发光层61与所述第一传输层62之间的第一阻挡层63，所述第一阻挡层63包含聚合物电解质；其中，所述第一阻挡层63用于阻隔所述第一传输层62中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层61。
考虑到在本申请中，第一传输层可以为电子传输层，也可以为空穴传输层，那么，当仅存在第一阻挡层时，该QLED器件可包含以下两种结构：
结构1：第一传输层为电子传输层。
如图7a所示，该QLED器件可以包括阴极71a，电子传输层72a、量子点发光层73a、空穴传输层74a，阳极75a，位于电子传输层72a与量子点发光层73a之间的第一阻挡层76a。
对于上述QLED器件，位于量子点发光层73a与电子传输层72a之间的第一阻挡层76a由多个链状聚合物电解质组成，通过该第一阻挡层76a中包含的聚合物电解质，形成具有一定致密度的网状结构，该网状结构能阻隔电子传输层72a中的纳米粒子，缓解该纳米粒子受重力作用渗透至量子点发光层73a中的情况，从而保证量子点发光层73a的发光性能。
结构2：第一传输层为空穴传输层。
如图7b所示，该QLED器件可以包括阳极71b，空穴传输层72b，量子点发光层73b、电子传输层74b、阴极75b，位于空穴传输层72b与量子点发光层73b之间的第一阻挡层76b。
对于上述QLED器件，位于量子点发光层73b与空穴传输层72b之间的第一阻挡层76b由多个链状聚合物电解质组成，为具有一定致密度的网状结构，该网状结构能阻隔空穴传输层72b中的纳米粒子，阻隔该纳米粒子受重力作用渗透至量子点发光层73b中，从而保证量子点发光层73b的发光性能。聚合物电解质可以是含胺基聚芴类共轭高分子PFN、酚醛树脂PF、再生聚乙烯对苯二甲酸酯PETE、聚醚酰亚胺PEI、聚对苯二甲酸类塑料PET、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN等材料。
基于上述方案，参照图8所示，本申请中QLED器件主要包括：位于所述量子点发光层83下方的第二传输层84；位于所述第二传输层84与所述量子点发光层83之间的第二阻挡层87，所述第二阻挡层87包含聚合物电解质；其中，所述第二阻挡层87用于阻隔所述量子点发光层83中的粒子渗漏至所述第二传输层84。
上述QLED器件可以有以下两种结构：
结构a：第一传输层为电子传输层，第二传输层为空穴传输层。
如图9a所示，该QLED器件包括阴极91a、电子传输层92a、量子点发光层93a、空穴传输层94a、阳极95a，在电子传输层92a与量子点发光层93a之间设置有第一阻挡层96a，位于空穴传输层94a与量子点发光层93a之间的第二阻挡层97a。
对于上述QLED结构，所述聚合物电解质具有网状结构，即位于电子传输层92a与量子点发光层93a之间的第一阻挡层96a具有网状结构，能够有效间隔量子点发光层93a与电子传输层92a，避免电子传输层92a中的纳米粒子受重力作用渗漏至量子点发光层93a中，甚至出现层间互溶的情况。相类似的，位于空穴传输层94a与量子点发光层93a之间的第二阻挡层97a具有致密的网状结构，避免量子点发光层93a中的纳米粒子渗透至空穴传输层94a中。进而保证量子点发光层93a的发光性能。
结构b：第一传输层为空穴传输层，第二传输层为电子传输层。
如图9b所示，该QLED器件包括阳极91b、空穴传输层92b、量子点发光层93b、电子传输层94b、阴极95b，在空穴传输层92b与量子点发光层93b之间设置有第一阻挡层96b，位于电子传输层94b与量子点发光层93b之间的第二阻挡层97b。
对于上述QLED结构，所述聚合物电解质具有网状结构，即位于空穴传输层92b与量子点发光层93b之间的第一阻挡层96b具有网状结构，能够有效间隔量子点发光层93b与空穴传输层92b，避免空穴传输层92b中的纳米粒子受重力作用渗漏至量子点发光层93b中，甚至出现层间互溶的情况。相类似的，位于电子传输层94b与量子点发光层93b之间的第二阻挡层97b能够有效间隔量子点发光层93b与电子传输层94b，避免量子点发光层93b中的纳米粒子受重力作用渗漏至电子传输层94b中，甚至出现层间互溶的情况。从而保证量子点发光层93b的发光性能。
基于上述器件结构，所述聚合物电解质所携带的端基能够填充在所述量子点发光层与相邻传输层的接触界面。具体的，在量子点发光层中包含纳米级的粒子，该粒子表面存在缺陷，在传输层中包含的纳米粒子可以为具有半导体性质的无机物纳米粒子，该纳米粒子表面也存在缺陷，在QLED器件工作时，上述缺陷会捕获电子，阻碍电子传导，甚至出现界面淬灭的现象，影响QLED器件发光效果。本方案中聚合物电解质为聚合物形式的电解质，在QLED器件工作时，该聚合物电解质往往带有偶极，填充在量子点发光层与电子传输层或空穴传输层接触的纳米粒子表面，改善量子点发光层与传输层接触界面的缺陷，降低缺陷态密度，优化QLED器件发光性能。
实施例四
本申请实施例提供一种QLED装置，包括上述提及的任一QLED器件。该QLED装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能穿戴设备、虚拟现实(Virtual Reality，VR)设备、增强现实(Augmented Reality，AR)设备等任何具有显示功能的产品或部件，也可以应用于照明设备。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (11)
1.一种量子点发光二极管QLED器件，其特征在于，包括：量子点发光层、位于所述量子点发光层之上的第一传输层、位于所述量子点发光层与所述第一传输层之间的第一阻挡层，所述第一阻挡层包含聚合物电解质；
其中，所述第一阻挡层用于阻隔所述第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管QLED器件，其特征在于，还包括：位于所述量子点发光层下方的第二传输层；
位于所述第二传输层与所述量子点发光层之间的第二阻挡层，所述第二阻挡层包含聚合物电解质。
3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管QLED器件，其特征在于，所述聚合物电解质具有网状结构。
4.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管QLED器件，其特征在于，阻挡层的厚度为8-15nm。
5.一种量子点发光二极管QLED器件的制作方法，其特征在于，包括：
形成量子点发光层；在所述量子点发光层之上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层包含聚合物电解质；在所述第一阻挡层之上形成第一传输层；
其中，所述第一阻挡层用于阻隔所述第一传输层中的至少部分纳米粒子渗漏至所述量子点发光层。
6.如权利要求5所述的量子点发光二极管QLED器件的制作方法，其特征在于，在量子点发光层上形成第一阻挡层，具体包括：
利用第一溶剂溶解聚合物电解质，形成具有预设浓度的第一溶液；
将所述第一溶液沉积在所述量子点发光层之上，形成第一阻挡层。
7.如权利要求6所述的量子点发光二极管QLED器件的制作方法，其特征在于，在形成所述第一传输层时所用的溶解纳米粒子的第二溶剂与所述第一溶剂不互溶。
8.如权利要求5-7任一项所述的量子点发光二极管QLED器件的制作方法，其特征在于，在形成量子点发光层之前，所述方法还包括：
形成第二传输层；在所述第二传输层之上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层包含聚合物电解质。
9.如权利要求8所述的量子点发光二极管QLED器件的制作方法，其特征在于，在所述第二传输层上形成第二阻挡层，具体包括：
利用第三溶剂溶解聚合物电解质，形成具有预设浓度的第三溶液；
将所述第三溶液沉积在所述第二传输层上，形成第二阻挡层。
10.如权利要求6、7或9所述的量子点发光二极管QLED器件的制作方法，其特征在于，所述预设浓度小于1mg/ml。
11.一种量子点发光二极管QLED装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任意一项所述的量子点发光二极管QLED器件。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810098253.5A CN110098339B (zh) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置 |
| PCT/CN2018/088755 WO2019148709A1 (zh) | 2018-01-31 | 2018-05-28 | 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置 |
| TW107123587A TWI664745B (zh) | 2018-01-31 | 2018-07-06 | Quantum dot light emitting diode QLED device and manufacturing method and device thereof |
| US16/419,376 US20190273215A1 (en) | 2018-01-31 | 2019-05-22 | Quantum dot light-emitting diode devices and manufacturing methods, apparatuses thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810098253.5A CN110098339B (zh) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110098339A true CN110098339A (zh) | 2019-08-06 |
| CN110098339B CN110098339B (zh) | 2020-04-17 |
Family
ID=65033842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810098253.5A Active CN110098339B (zh) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190273215A1 (zh) |
| CN (1) | CN110098339B (zh) |
| TW (1) | TWI664745B (zh) |
| WO (1) | WO2019148709A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023070473A1 (zh) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112086563B (zh) * | 2019-06-12 | 2022-03-22 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140411A (zh) * | 2015-08-17 | 2015-12-09 | Tcl集团股份有限公司 | 不含ito的qled及其制备方法 |
| CN105826483A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-08-03 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN106356462A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-25 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 包括量子点和能量转移分子的发光二极管装置及其制备方法、显示装置 |
| CN107425130A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-12-01 | 苏州大学 | 一种无机量子点发光二极管器件的制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104766878B (zh) * | 2015-04-15 | 2017-10-03 | 上海大学 | 基于卧式qled发光元器件的显示面板 |
| CN104779353B (zh) * | 2015-04-15 | 2017-03-01 | 上海大学 | 卧式oled/qled发光元器件 |
| CN105206715B (zh) * | 2015-09-16 | 2019-09-17 | Tcl集团股份有限公司 | 一种激子限域结构的qled及其制备方法 |
| CN105810848B (zh) * | 2016-03-16 | 2017-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子点层的制备方法及含有量子点层的qled显示装置、制备方法 |
| CN106549109A (zh) * | 2016-10-25 | 2017-03-29 | Tcl集团股份有限公司 | 一种基于p‑i‑n结构的QLED器件及其制备方法 |
-
2018
- 2018-01-31 CN CN201810098253.5A patent/CN110098339B/zh active Active
- 2018-05-28 WO PCT/CN2018/088755 patent/WO2019148709A1/zh active Application Filing
- 2018-07-06 TW TW107123587A patent/TWI664745B/zh active
-
2019
- 2019-05-22 US US16/419,376 patent/US20190273215A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140411A (zh) * | 2015-08-17 | 2015-12-09 | Tcl集团股份有限公司 | 不含ito的qled及其制备方法 |
| CN105826483A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-08-03 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN106356462A (zh) * | 2016-08-23 | 2017-01-25 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 包括量子点和能量转移分子的发光二极管装置及其制备方法、显示装置 |
| CN107425130A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-12-01 | 苏州大学 | 一种无机量子点发光二极管器件的制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023070473A1 (zh) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201841383A (zh) | 2018-11-16 |
| TWI664745B (zh) | 2019-07-01 |
| CN110098339B (zh) | 2020-04-17 |
| US20190273215A1 (en) | 2019-09-05 |
| WO2019148709A1 (zh) | 2019-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101173105B1 (ko) | 유기발광소자 | |
| CN106531860B (zh) | 量子点发光层与器件及制备方法、发光模组与显示装置 | |
| US9515282B2 (en) | Method for manufacturing a light-emitting electrochemical cell | |
| KR102066075B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이용 기판 및 그 제조방법 | |
| WO2013094848A1 (ko) | 전 용액 공정이 가능한 유기발광소자 | |
| CN103444262A (zh) | 有机电致发光元件 | |
| CN103503571A (zh) | 有机电致发光元件 | |
| CN110098339A (zh) | 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置 | |
| CN208548371U (zh) | 有机光伏装置 | |
| CN110233169A (zh) | 像素界定层、显示装置、阵列基板及其制造方法 | |
| CN109216566B (zh) | 复合发光层、qled器件及其制备方法 | |
| CN101373817A (zh) | 一种有机电致发光器件的制备方法 | |
| CN109216567A (zh) | 复合发光层、qled器件及其制备方法 | |
| CN110098291A (zh) | 一种量子点发光二极管qled器件及其制作方法、装置 | |
| US10873047B2 (en) | Quantum dot light-emitting diode devices and manufacturing methods, apparatuses thereof | |
| Huh et al. | Characteristics of organic light-emitting diodes with conducting polymer anodes on plastic substrates | |
| JP2016505196A (ja) | 発光電気化学セルを製造するための方法 | |
| Park et al. | Layer‐by‐Layer Spin Self‐Assembled Hole Injection Layers Containing a Perfluorinated Ionomer for Efficient Polymer Light‐Emitting Diodes | |
| EP3796407A1 (en) | Method for manufacturing element | |
| JP5884671B2 (ja) | 透明導電膜、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明導電膜の製造方法 | |
| JP5402447B2 (ja) | 有機電子デバイスの製造方法 | |
| Abad et al. | Transparent conductive polymers | |
| CN111048674A (zh) | 发光器件的制备方法 | |
| CN114631155B (zh) | 金属纳米线网络至导电聚合物中的集成 | |
| KR102190443B1 (ko) | 용액공정을 이용한 전극, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 유기광전소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |