CN110061056B - 一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法 - Google Patents
一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110061056B CN110061056B CN201910259033.0A CN201910259033A CN110061056B CN 110061056 B CN110061056 B CN 110061056B CN 201910259033 A CN201910259033 A CN 201910259033A CN 110061056 B CN110061056 B CN 110061056B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- ferroelectric
- electrode
- effect transistor
- field effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910005228 Ga2S3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910005541 GaS2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005842 GeS2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- -1 or In doped with Co Substances 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 4
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 4
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2273—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2275—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/78391—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate the gate comprising a layer which is used for its ferroelectric properties
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法。包括依次衬底、铁电层、沟道层、左电极、中电极、右电极，铁电层位于衬底和沟道层之间，铁电层两侧分别为左电极和右电极，沟道层两侧分别为中电极和右电极，铁电层为单层或多层的二维层状铁电材料，沟道层为单层或多层的二维层状半导体材料，沟道层材料的载流子迁移率大于铁电层材料的载流子迁移率。本发明降低了现有技术中使用复杂CMOS技术制备铁电场效应晶体管的难度，并且可以应用于柔性电子中，能有效提高铁电晶体管的集成密度、降低功耗，易于实现小型化。
Description
技术领域
本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法。
背景技术
铁电存储器是一种非常具有应用前景的新型非易失性存储器，根据器件结构和工作原理可以分为两大类：铁电电容存储器和铁电场效应晶体管存储器。铁电场效应晶体管存储器不仅单元体积更小同时能非破坏性读出，比铁电电容存储器预期具有更高的存储密度和更低的功耗，是铁电存储器的未来发展方向。但传统钙钛矿结构的锆钛酸铅、钽酸锶铋等铁电材料与CMOS工艺兼容性差、存储容量低、制备温度高、有污染等原因，使得铁电存储器的制备需要特殊的生产线来进行，极大地限制了铁电存储器的广泛应用，铁电场效应晶体管存储器为实现商业化应用。尤其是目前柔性电子设备对于柔性电子器件，甚至是全透明的电子器件提出了强烈的需求，如何使铁电存储器能够适应科技的发展，使其性能提高，成为一个关键的问题。其中，首要需要解决的是，如何使非常具有发展前景的铁电晶体管能够适应普通CMOS工艺，或者能够使其以更为简单的工艺成功制备。其次，如何进一步简化其器件结构。再者，如何进一步减小其体积，进一步降低其能耗。最后，如何使其实现柔性化、全透明化，拓展它的应用。这些问题的解决，能够极大地促进铁电晶体管的应用，使得其满足工业生产的要求，实现商业化应用。
发明内容
本发明提供一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法，以降低铁电场效应晶体管的制备难度，简化了铁电场效应晶体管结构，能够使用平面电场在铁电场效应晶体管中写入、读取数据，可用于柔性、全透明的铁电场效应晶体管存储器件，极大地促进铁电晶体管的应用，使得其满足工业生产的要求。
第一方面，提供一种新型铁电场效应晶体管单元， 依次包括衬底、铁电层、沟道层、左电极、中电极、右电极，其特征在于，所述铁电层位于衬底和沟道层之间，所述铁电层的两侧分别为左电极和右电极，所述沟道层的两侧分别为中电极和右电极。
所述铁电层在面内电场作用下改变其面内极化方向时，会引起铁电层面外极化方向的改变。
作为本发明第一方面的优选方式，所述铁电层为单层或者多层的二维层状铁电材料，厚度为0.4nm-50nm，可以是In2Se3、Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2S3、In2Te3中的一种或者几种材料构成的单层或者多层二维层状铁电材料，或者为掺Co、Fe、Mn等元素的In2Se3、Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2S3、In2Te3中的一种或者几种材料构成的单层或者多层二维层状铁电材料。
作为本发明第一方面的优选方式，所述沟道层为单层或者多层的二维层状半导体材料，厚度为0.1nm-3nm，可以是MoS2、SnS、GeS2、WS2、GaS2、CdS2、石墨烯中的一种或者几种材料构成的单层或者多层二维层状半导体材料。
作为本发明第一方面的优选方式，所述沟道层材料的载流子迁移率大于铁电层材料的载流子迁移率。
第二方面，提供一种新型铁电场效应晶体管单元的写入和读取方法，其特征在于，写入时是通过在左电极和右电极间施加电压，读取时是通过在中电极和右电极间施加电压。
作为本发明第二方面的优选方式，所述的写入方法为在左电极和右电极施加电压，使得铁电层中的面内极化方向与外加电场方向一致，施加电压反向时，铁电层中的面内极化也会反向。
作为本发明第二方面的优选方式，所述的写入方法，在改变铁电层中的面内极化的同时，会引起铁电层面外极化方向的翻转。
作为本发明第二方面的优选方式，所述的读取方法为，在中电极和右电极施加电压，通过读取沟道层中的电流大小来识别晶体管的开关状态。
本发明的有益效果在于：通过对铁电场效应晶体管的结构进行设计，可以使用面内电场来实现铁电场效应晶体管数据的写入和读取，简化了铁电场效应晶体管制备过程中的复杂工艺，同时使用面内电场对存储数据读取且采用较短的沟道使得铁电场效应晶体管的反应速度更加快捷、能耗更低，体积更小，能够实现三维堆叠提高存储密度。另外，写入和读取共用一个电极减小了铁电场效应晶体管的体积，简化了电路。另外二维层状铁电材料和二维层状半导体材料的应用使得铁电场效应晶体管可以采用柔性衬底实现柔性化，选择透明衬底可以实现透明化。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例的截面结构示意图。
图2为本发明实施例的写入方式示意图。
图3为本发明实施例的读取方式示意图。
图4为本发明实施例的写入过程的I-V测试结果示意图。
其中，1、衬底，2、铁电层，3、沟道层，4、左电极，5、右电极，6、中电极。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例公开了一种新型铁电场效应晶体管单元，依次包括衬底1、铁电层2、沟道层3，左电极4、右电极5、中电极6，其特征在于，所述铁电层2位于衬底1和沟道层3之间，所述铁电层2两侧分别为左电极4和右电极5，所述沟道层3两侧分别为中电极6和右电极5。
铁电层2在面内电场作用下改变其面内极化方向时，会引起铁电层2面外极化方向的改变。
铁电层2为单层或者多层的二维层状铁电材料，厚度为0.4nm-50nm，可以是In2Se3、Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2S3、In2Te3中的一种或者几种材料构成的单层或者多层二维层状铁电材料，或者为掺Co、Fe、Mn等元素的In2Se3、Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2S3、In2Te3中的一种或者几种材料构成的单层或者多层二维层状铁电材料。
将铁电层2的厚度范围控制在0.4nm-50nm范围内，是为降低铁电层的纵向厚度，同时便于通过左电极和右电极之间面内电场来调控铁电层2的极化状态。
沟道层3为单层或者多层的二维层状半导体材料，厚度为0.1nm-3nm，可以是MoS2、SnS、GeS2、WS2、GaS2、CdS2、石墨烯中的一种或者几种材料构成的单层或者多层二维层状半导体材料。
将沟道层3的厚度范围控制在0.1nm-3nm范围内，是为提高铁电层极化对于沟道层中载流子的调控能力，使得铁电场效应晶体管中读取不同存储态时电流的差异更大。
沟道层3材料的载流子迁移率大于铁电层2材料的载流子迁移率。
选用沟道层3材料的载流子迁移率须大于铁电层2材料的载流子迁移率，是为了在读取存储态时，让电流的主要通过路径为中电极、沟道层和右电极，能够有效降低能耗，同时能够避免读取时的电流影响铁电层2中的极化状态，提高数据存储的可靠性。
以衬底为包覆300nm SiO2的Si衬底、铁电层为单层α-In2Se3，沟道层为单层石墨烯，左电极、右电极、中电极均为Au电极的一种新型铁电场效应晶体管单元为实施例一，其实现的主要流程为：
a) 将300nm-SiO2/Si衬底上清洗干净并干燥。
b) 使用机械剥离或者腐蚀转移的方法，将单层α-In2Se3转移到300nm-SiO2/Si衬底上。
c) 使用机械剥离或者腐蚀转移的方法，将单层石墨烯转移到单层α-In2Se3上。
d) 利用磁控溅射法，使用掩膜板在α-In2Se3、石墨烯上镀左电极、右电极和中电极。或者在α-In2Se3、石墨烯上镀Au电极以后，使用刻蚀方法，形成左电极、右电极和中电极，构成新型铁电场效应晶体管，其基本单元结构如图1所示。
实施例2
以衬底为包覆300nm SiO2的Si衬底、铁电层为双层α-In2Se3，沟道层为单层石墨烯，左电极、右电极、中电极均为Au电极的一种新型铁电场效应晶体管单元，实现的主要流程与实施例1 相同，不同之处为铁电层为双层α-In2Se3。
实施例3
以衬底为包覆300nm SiO2的Si衬底、铁电层为单层α-In2Se3，沟道层为单层MoS2，左电极、右电极、中电极均为Au电极的一种新型铁电场效应晶体管单元，实现的主要流程与实施例1 相同，不同之处为沟道层是单层MoS2。
实施例4
以衬底为Mica、铁电层单层为α-In2Se3，沟道层为单层MoS2，左电极、右电极、中电极均为Au电极的一种新型铁电场效应晶体管单元，实现的主要流程与实施例1 相同，不同之处为衬底为柔性透明的Mica，沟道层是单层MoS2。
实施例5
以衬底为Mica、铁电层单层为α-In2Se3，沟道层为双层MoS2，左电极、右电极、中电极均为Au电极的一种新型铁电场效应晶体管单元，实现的主要流程与实施例1 相同，不同之处为衬底为柔性Mica，沟道层是双层MoS2。
实施例6
以衬底为包覆300nm SiO2的Si衬底、铁电层为双层In2Te3，沟道层为单层石墨烯，左电极、右电极、中电极均为Au电极的一种新型铁电场效应晶体管单元，实现的主要流程与实施例1 相同，不同之处为铁电层双层是In2Te3。
本发明实施例还提供一种新型铁电场效应晶体管单元的写入和读取方法，具体是通过平面电场来实现存储态的写入和读取。
使用平面电场对该新型铁电场效应晶体管进行写入的操作如图2所示。电压施加在左电极和右电极，当施加电压强度大于铁电层面内的矫顽场时，铁电层的极化状态会与外加电场一致。当施加的电压反向时，铁电层的极化状态会发生翻转。特别需要注意的是，铁电层的面内极化方向发生翻转时，其面外极化方向也会随之翻转。铁电层中面外极化方向的翻转会调控沟道层中载流子的浓度。
使用平面电场对该新型铁电场效应晶体管进行读取的操作如图3所示。电压施加在左电极和右电极之间，通过识别电流的大小来识别该新型铁电场效应晶体管的存储状态。沟道层中载流子浓度的大小将直接影响读取电流的大小。
图4为以衬底为包覆300nm SiO2的Si衬底、铁电层为单层α-In2Se3，沟道层为单层石墨烯，左电极、右电极、中电极均为Au电极的一种新型铁电场效应晶体管单元，在该新型铁电场效应晶体管存储态写入过程中，在左右电极间测试得到的I-V测试结果，横坐标V为电压，纵坐标Current为电流I的大小。可以看到该场效应晶体管中α-In2Se3铁电层的载流子浓度较低，不会对存储态读取时的路径造成影响。
使用面内电场来实现铁电场效应晶体管数据的写入和读取，简化了铁电场效应晶体管制备过程中的复杂工艺，同时由于面内电场对存储数据读取且采用较短的沟道使的铁电场效应晶体管的反应速度更加快捷、能耗更低，体积更小，能够实现三维堆叠提高存储密度。另外，写入和读取共用一个电极减小了体积，简化了电路。二维层状铁电材料和二维层状半导体材料的应用使得铁电场效应晶体管可以采用柔性衬底实现柔性化，选择透明衬底可以实现透明化。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种新型铁电场效应晶体管单元，依次包括衬底、铁电层、沟道层、左电极、中电极、右电极，其特征在于，所述铁电层位于衬底和沟道层之间，所述铁电层两侧分别为左电极和右电极，所述沟道层两侧分别为中电极和右电极；
所述铁电层为二维层状铁电材料，所述沟道层为二维层状半导体材料；
所述铁电层在面内电场作用下改变其面内极化方向时，会引起铁电层面外极化方向的改变；
所述铁电层的左侧面与左电极电接触，所述铁电层的右侧面与右电极电接触；
所述沟道层的左侧面与中电极电接触，所述沟道层的右侧面与右电极电接触。
2.根据权利要求1所述的新型铁电场效应晶体管单元，其特征在于，所述铁电层为单层或者多层的二维层状铁电材料，厚度为0.4nm-50nm，是In2Se3、Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2S3、In2Te3中的一种或者几种材料构成的单层或者多层二维层状铁电材料，或者为掺Co、Fe、Mn元素的In2Se3、Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2S3、In2Te3中的一种或者几种材料构成的单层或者多层二维层状铁电材料。
3.根据权利要求1所述的新型铁电场效应晶体管单元，其特征在于，所述沟道层为单层或者多层的二维层状半导体材料，厚度为0.1nm-3nm，是MoS2、SnS、GeS2、WS2、GaS2、CdS2、石墨烯中的一种或者几种材料构成的单层或者多层二维层状半导体材料。
4.根据权利要求1所述的新型铁电场效应晶体管单元，其特征在于，所述沟道层材料的载流子迁移率大于铁电层材料的载流子迁移率。
5.一种如权利要求1-4任一所述的新型铁电场效应晶体管单元的写入和读取方法，其特征在于，写入时是通过在左电极和右电极间施加电压，读取时是通过在中电极和右电极间施加电压。
6.根据权利要求5所述的一种新型铁电场效应晶体管单元的写入和读取方法，其特征在于，所述的写入方法为在左电极和右电极施加电压，使得铁电层中的面内极化方向与外加电场方向一致，施加电压反向时，铁电层中的面内极化也会反向。
7.根据权利要求5所述的一种新型铁电场效应晶体管单元的写入和读取方法，其特征在于，所述的写入方法，在改变铁电层中的面内极化的同时，会引起铁电层面外极化方向的翻转。
8.根据权利要求5所述的一种新型铁电场效应晶体管单元的写入和读取方法，其特征在于，所述的读取方法为在中电极和右电极施加电压，通过读取沟道层中的电流大小来识别晶体管的开关状态。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910259033.0A CN110061056B (zh) | 2019-06-06 | 2019-06-06 | 一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910259033.0A CN110061056B (zh) | 2019-06-06 | 2019-06-06 | 一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110061056A CN110061056A (zh) | 2019-07-26 |
| CN110061056B true CN110061056B (zh) | 2022-01-28 |
Family
ID=67318085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910259033.0A Active CN110061056B (zh) | 2019-06-06 | 2019-06-06 | 一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110061056B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111400861A (zh) * | 2020-02-10 | 2020-07-10 | 江苏大学 | 一种二维铁电隧道结的仿真计算方法 |
| CN112968055B (zh) * | 2021-02-23 | 2022-06-10 | 电子科技大学 | 二维铁电半导体沟道铁电介电层场效应管及其制备方法 |
| CN113594259B (zh) * | 2021-06-18 | 2024-05-10 | 国家纳米科学中心 | 场效应晶体管及制备方法、逻辑门操作实现方法 |
| CN114709257B (zh) * | 2022-03-01 | 2023-04-21 | 电子科技大学 | 一种基于二维层间滑移铁电半导体的场效应晶体管器件及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593141A (zh) * | 2011-09-19 | 2012-07-18 | 中国科学院物理研究所 | 一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器 |
| CN106910773A (zh) * | 2017-02-21 | 2017-06-30 | 南京大学 | 多栅极神经元晶体管及其制备方法和构成的神经网络 |
| CN107078218A (zh) * | 2014-09-12 | 2017-08-18 | 沙特基础工业全球技术公司 | 使用环境稳健的溶液处理来制备纳米级有机铁电膜 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3128534B1 (en) * | 2015-08-07 | 2021-02-17 | IMEC vzw | Ferroelectric memory device and fabrication method thereof |
-
2019
- 2019-06-06 CN CN201910259033.0A patent/CN110061056B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593141A (zh) * | 2011-09-19 | 2012-07-18 | 中国科学院物理研究所 | 一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器 |
| CN107078218A (zh) * | 2014-09-12 | 2017-08-18 | 沙特基础工业全球技术公司 | 使用环境稳健的溶液处理来制备纳米级有机铁电膜 |
| CN106910773A (zh) * | 2017-02-21 | 2017-06-30 | 南京大学 | 多栅极神经元晶体管及其制备方法和构成的神经网络 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110061056A (zh) | 2019-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110061056B (zh) | 一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法 | |
| Wen et al. | Ferroelectric tunnel junctions: modulations on the potential barrier | |
| Ha et al. | Adaptive oxide electronics: A review | |
| US8426841B2 (en) | Transparent memory for transparent electronic device | |
| Khosla et al. | Integration of ferroelectric materials: an ultimate solution for next-generation computing and storage devices | |
| Vorotilov et al. | Ferroelectric memory | |
| Goh et al. | Selector-less ferroelectric tunnel junctions by stress engineering and an imprinting effect for high-density cross-point synapse arrays | |
| Lacaze et al. | Non-volatile memories | |
| CN111223873A (zh) | 非对称的铁电功能层阵列、铁电隧道结多值存储单元的制备方法 | |
| TW202226631A (zh) | 差動離子電子電晶體 | |
| Terabe et al. | Nanoionic devices enabling a multitude of new features | |
| CN108389962B (zh) | 面内读写的铁电阻变存储器及其增强读/写信号的方法 | |
| Wang et al. | 2D Ferroic Materials for Nonvolatile Memory Applications | |
| Chen et al. | Analog synaptic behaviors in carbon-based self-selective RRAM for in-memory supervised learning | |
| Fang et al. | Giant Electroresistance in Ferroelectric Tunnel Junctions via High-Throughput Designs: Toward High-Performance Neuromorphic Computing | |
| Rao et al. | Experimental search for high-performance ferroelectric tunnel junctions guided by machine learning | |
| CN108520879B (zh) | 一种高密度铁电存储器单元 | |
| CN108550551B (zh) | 基于畴壁密度来存储数据的非破坏读取铁电多逻辑态存储单元及写/读/擦除操作方法 | |
| CN112885964B (zh) | 一种多场调控忆阻器及其制备方法 | |
| Yu et al. | Hafnium-based ferroelectric memory device with integrated selective function using crested band structure | |
| CN210403772U (zh) | 逻辑器件及存储器 | |
| CN110429085B (zh) | 一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法 | |
| EP3940702A1 (en) | A magnetoelectric device and uses of the magnetoelectric device | |
| Patel et al. | Materials opportunities and challenges for low-energy computing: Devices | |
| CN111293212B (zh) | 基于隧穿隔离层的磁性隧穿结器件及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |