CN110058446A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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金昤究
李宅焌
吴根灿
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Abstract

提供了显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基体基底；颜色转换图案，设置在基体基底上；以及低折射层，设置在基体基底上，与颜色转换图案堆叠，并且具有比颜色转换图案的折射率低的折射率。低折射层包括第一基体树脂和分散在第一基体树脂中的颗粒团簇，并且颗粒团簇包括多个颗粒和使颗粒结合的桥。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
本申请要求于2018年1月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0006683号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
根据多媒体技术的发展，显示装置已经变得越来越重要，并且已经使用了诸如液晶显示(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置等的各种显示装置(例如，各种类型的显示装置)。
LCD装置包括：LCD面板，具有场发生电极(诸如像素电极和共电极)和其中由场发生电极产生电场的液晶层；以及光源单元，向LCD面板提供光。LCD装置通过将电压施加到场发生电极以在液晶层中使液晶重新取向来显示图像，从而针对每个像素控制通过液晶层的光量。
OLED显示装置包括设置在多个像素中并且可独立控制的多个OLED。OLED中的每个包括两个电极和置于两个电极之间的有机发光层。作为自发射元件的OLED可以用作光源。
作为使每个像素显示一种特有颜色的方法，对于每个像素，可以在从光源单元到观看者的光路上设置颜色转换图案。
发明内容
颜色转换图案可以转换入射光的颜色并且可以输出与入射光具有不同的颜色的光。颜色转换图案的示例包括具有分散在其中的诸如量子点的波长移位体的图案化结构。颜色转换图案的颜色转换效率是影响显示装置的显示质量(例如，颜色再现性和亮度)的最重要因素之一。为了改善颜色转换图案的颜色转换效率，可以使用具有优异的颜色转换效率的材料，或者可以增大颜色转换图案的厚度。然而，不仅颜色转换材料的效率而且颜色转换图案的厚度都存在限制(例如，明确的限制)。
本公开的实施例的方面涉及能够利用颜色转换图案来改善颜色转换的效率并因此具有改善的颜色再现性和亮度的显示装置。
本公开的实施例的方面还涉及制造具有改善的颜色再现性和亮度的显示装置的方法。
然而，本公开的实施例的方面不限于在此阐述的方面。通过参照下面提供的具体实施方式，本公开的实施例的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据本公开的示例性实施例，显示装置包括：基体基底；颜色转换图案，位于基体基底上；以及低折射层，位于基体基底上，与颜色转换图案堆叠，并且具有比颜色转换图案的折射率低的折射率，其中，低折射层包括第一基体树脂和颗粒团簇，所述颗粒团簇分散在第一基体树脂中并且包括多个颗粒和使所述多个颗粒结合的桥。
在示例性实施例中，颜色转换图案和低折射层可以彼此接触以形成光学界面，低折射层的接触颜色转换图案的表面可以是不平坦的表面。
在示例性实施例中，低折射层的不平坦的表面可以由颗粒团簇形成。
在示例性实施例中，颜色转换图案可以包括：第二基体树脂和分散在第二基体树脂中的波长移位体，其中，第二基体树脂的折射率比低折射层的折射率高至少0.3。
在示例性实施例中，孔可以限定在颗粒团簇的颗粒之间，并且低折射层的折射率可以为约1.1至约1.4。
在示例性实施例中，颗粒可以是二氧化硅颗粒。
在示例性实施例中，桥可以包括聚硅氧烷键。
在示例性实施例中，第一基体树脂可以包括硅氧烷类聚合物，硅氧烷类聚合物的重均分子量可以为约100g/mol至约10000g/mol，并且硅氧烷类聚合物可以具有氟取代的侧链。
在示例性实施例中，二氧化硅颗粒可以是非空心二氧化硅颗粒，并且二氧化硅颗粒的尺寸可以为约10nm至约30nm。
在示例性实施例中，低折射层可以包括位于基体基底与颜色转换图案的一侧之间的第一低折射层或者位于颜色转换图案的另一侧上的第二低折射层。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括：位于基体基底与第一低折射层之间的第一波长带滤波器，其中，第一波长带滤波器可以被构造为选择性地吸收特定波长的光(例如，蓝色波长的光)。
在示例性实施例中，第一波长带滤波器可以包括有机材料，并且第一波长带滤波器可以与第一低折射层接触。
在示例性实施例中，第一波长带滤波器的折射率可以比第一低折射层的折射率高至少0.3。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括位于颜色转换图案与第二低折射层之间的第二波长带滤波器，其中，第二低折射层可以被构造为覆盖颜色转换图案的侧表面，并且第二波长带滤波器可以被构造为选择性地反射特定波长的光(例如，绿色波长的光或蓝色波长的光)。
在示例性实施例中，第二波长带滤波器可以是包括交替地堆叠的一个或更多个第一无机层以及一个或更多个第二无机层的布拉格反射器。
在示例性实施例中，第二波长带滤波器可以与颜色转换图案和第二低折射层接触。
在示例性实施例中，第一无机层可以具有1.7或更高的折射率，第二无机层可以具有1.5或更低的折射率。
在示例性实施例中，第二波长带滤波器的与颜色转换图案接触的最下层和第二波长带滤波器的与第二低折射层接触的最上层均可以包括第一无机层。
在示例性实施例中，显示装置还可以包括显示第一颜色的第一像素和显示与第一颜色不同的第二颜色的第二像素以及位于第二低折射层上并且包括有机材料的覆层，其中，第一低折射层、第二低折射层和覆层可以都遍布第一像素和第二像素。
根据本公开的示例性实施例，制造显示装置的方法包括：制备颗粒团簇和硅氧烷类聚合物，颗粒团簇包括多个颗粒和使所述多个颗粒结合的桥；通过使颗粒团簇和硅氧烷类聚合物分散在溶剂中来制备分散体；以及将分散体施用在基体基底上并对施用在基体基底上的分散体进行热处理，其中，桥包括聚硅氧烷键。
在示例性实施例中，制备颗粒团簇和硅氧烷类聚合物的步骤可以包括准备二氧化硅颗粒和硅烷醇化合物，并且通过使二氧化硅颗粒和硅烷醇化合物混合并脱水来形成颗粒团簇和硅氧烷类聚合物。
在示例性实施例中，二氧化硅颗粒与硅烷醇化合物的混合重量比可以为约7:3至约9:1，颗粒团簇的尺寸可以为约50nm至约1000nm。
在示例性实施例中，在制备分散体的步骤中，溶剂与分散体的重量比可以为约90wt％至约98wt％。
根据本公开的另一示例性实施例，制造显示装置的方法包括：准备非空心的二氧化硅颗粒和硅氧烷类聚合物；通过使二氧化硅颗粒和硅氧烷类聚合物分散在溶剂中来制备分散体；以及将分散体施用在基体基底上并对施用在基体基底上的分散体进行热处理，其中，二氧化硅颗粒的尺寸为约10nm至约30nm。
在示例性实施例中，在制备分散体的步骤中，二氧化硅颗粒与硅氧烷类聚合物的重量比可以为约7:3至约9:1，硅氧烷类聚合物的重均分子量可以为约100g/mol至约10000g/mol。
在示例性实施例中，对分散体进行热处理的步骤可以包括在约180℃至约250℃的温度下对分散体进行热处理，并且在对分散体进行热处理的步骤中，二氧化硅颗粒与硅氧烷类聚合物之间可以形成化学键。
根据本公开的前述和其它示例性实施例，可以利用低折射层与颜色转换图案之间的光学界面使透射过颜色转换图案的至少一些光重复利用，因此，可以进一步提高颜色转换的效率。
通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，本公开的示例性实施例的其它特征和方面可以是明显的。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的示例性实施例的以上和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据示例性实施例的显示装置的分解透视图；
图2是图1的显示装置的任意像素的剖视图；
图3是图2的区域A的放大图；
图4是图2的区域B的放大图；
图5是示出图3和图4的颗粒团簇的示意图；
图6是示出硅颗粒之间的桥的化学键的示意图；
图7是用于解释图2的显示装置的第一低折射层和第二低折射层的功能的剖视图；
图8是根据另一示例性实施例的显示装置的剖视图；
图9是图8的区域A的放大图；
图10是图8的区域B的放大图；
图11是根据另一示例性实施例的显示装置的剖视图；
图12至图20是示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的示意图；
图21至图28是示出根据另一示例性实施例的制造显示装置的方法的示意图；
图29是根据示例1的显示装置的第一低折射层的显微镜图像；
图30示出了根据示例1、示例2和对比示例的显示装置的测试单元的量子效率；
图31示出了低折射层的粘合性的评价结果；
图32示出了根据实验示例1和实验示例2制备的玻璃基底的参考透射率；
图33示出了根据实验示例3至实验示例8制备的玻璃基底的低折射层的折射率；以及
图34示出了实验示例3和实验示例7以及对照基底的脱气量。
具体实施方式
通过参照下面的具体实施方式和附图，可以更容易地理解本公开的示例性实施例的方面和特征以及实现其的方法。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的示例性实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达本公开的构思。本公开由权利要求及其等同物限定。
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。如在此使用的，连接和结合可以指元件彼此物理地、电气地和/或流体地连接。
相同的附图标记表示相同的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意组合和所有组合。此外，当描述本发明的实施例时，“可以”的使用涉及“本发明的一个或更多个实施例”。当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件(要素)之后时，修饰整列的元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。另外，术语“示例性”旨在表示示例或说明。如在此使用的，可以认为术语“使用”及其变型分别与术语“利用”及其变型同义。
将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称作第二元件、组件、区域、层或部分。
为了易于描述，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语也旨在包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，那么被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。
如在此使用的，术语“第一方向X”表示特定平面上的一个任意方向，术语“第二方向Y”表示所述特定平面上的与第一方向X交叉的方向，术语“第三方向Z”表示垂直于特定平面的方向。除非另有说明，否则如在此使用的术语“平面”表示第一方向X和第二方向Y均属于的平面。
在本说明书中，不仅当元件B设置在元件A上时，而且当元件A设置在元件B上时，元件A和元件B被称为“彼此堆叠”。
将在下文中参照附图描述本公开的示例性实施例。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的分解透视图。
参照图1，显示装置1可以是包括显示面板DP和光源单元BLU的液晶显示(LCD)装置，所述显示面板DP包括液晶层。
显示面板DP可以是包括用于使显示装置1显示图像的元件的面板(例如，面板型)构件。在平面图中基本上以矩阵形式布置的多个像素(PX1和PX2)可以限定在显示面板DP中。如在此使用的，术语“像素”表示通过在平面图中划分用于显示颜色的显示区域而限定的单个区域，并且像素可以显示预定的基本颜色。即，像素可以是能够独立于其它像素来显示颜色的最小单元区域。
多个像素(PX1和PX2)可以包括显示第一颜色的第一像素PX1和显示具有比第一颜色的峰值波长短的峰值波长的第二颜色的第二像素PX2。例如，由第一像素PX1显示的第一颜色可以是具有约610nm至约650nm的峰值波长的红色，由第二像素PX2显示的第二颜色可以是具有约430nm至约470nm的峰值波长的蓝色。然而，本公开不限于该示例。在另一示例中，第一颜色可以是具有约530nm至约570nm的峰值波长的绿色。
光源单元BLU可以设置为在第三方向Z上与显示面板DP叠置，并且可以朝向显示面板DP发射具有预定波长的光。在一个示例性实施例中，光源单元BLU可以是包括光源和导光板的光源单元(例如，边缘式光源单元)，所述光源直接发射光，所述导光板引导由光源提供的光朝向显示面板DP发射。
光源可以是发光二极管(LED)、有机LED(OLED)或激光二极管(LD)。在一个示例性实施例中，光源可以发射具有约430nm至约470nm的单峰值波长的蓝色波长的光，并且光源单元BLU可以将蓝色波长的光提供到显示面板DP。在另一示例性实施例中，光源单元BLU可以发射紫外(UV)光或白光。
导光板可以引导由光源提供的光朝向显示面板DP行进。导光板的材料不受具体限制，只要该材料具有高透光率即可。例如，导光板可以包括玻璃材料、石英材料或聚合物材料(诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚碳酸酯(PC))。在另一示例中，可以不设置导光板，并且光源单元BLU可以是包括设置为在第三方向Z上与显示面板DP叠置的光源的直下(例如，直下式)光源单元。
尽管未具体示出，但是一个或更多个光学片也可以设置在显示面板DP与光源单元BLU之间。光学片可以包括棱镜片、漫射片、(反射)偏振片、柱状透镜片和微透镜片中的至少一种。光学片可以通过调制由光源单元BLU提供的朝向显示面板DP行进的光的光学特性(例如，聚光、漫射、散射或偏振特性)来改善显示装置1的显示质量。
将在下文中参照图2更详细地描述显示装置1的显示面板DP。图2是图1的显示装置1的任意像素(具体地，第一像素PX1和第二像素PX2)的剖视图。
参照图1和图2，显示面板DP可以是但不限于LCD面板，所述LCD面板包括上基底11、下基底21和置于上基底11与下基底21之间的液晶层31。液晶层31可以处于被上基底11、下基底21和使上基底11和下基底21结合的密封构件密封的状态。然而，本发明不限于此，除了LCD面板之外的各种显示面板也可以适用于显示面板DP。
将在下文中描述上基底11。上基底11可以包括上基体基底110和颜色转换图案410，并且还可以包括一个或更多个低折射层(310和320)。上基底11可以是包括颜色转换图案410的颜色转换基底或元件。
上基体基底110可以是透明绝缘基底或膜。例如，上基体基底110可以包括玻璃材料、石英材料或透明塑料材料。在一些示例性实施例中，上基体基底110可以具有柔性，并且显示装置1可以是弯曲LCD装置。
挡光图案205可以设置在上基体基底110的后表面(例如，在图2的情况下，底表面)上。挡光图案205可以在显示区域中沿着多个像素(PX1和PX2)之间的边界设置，并且可以防止或减少多个像素(PX1和PX2)之间的颜色混合缺陷的发生。例如，挡光图案205可以具有具备分别对应于多个像素(PX1和PX2)的多个开口的大致栅格形状，但是本公开不限于此。挡光图案205可以包括挡光着色剂(诸如包含黑色颜料或染料的有机材料)或者可以包括不透明金属材料(诸如铬(Cr))。
在一些示例性实施例中，盖层210可以设置在挡光图案205上。盖层210可以是包括无机材料的单层。在一个示例性实施例中，盖层210可以包括具有约1.7或更低的折射率的无机材料。无机材料的示例包括氮化硅，但是本公开不限于此。盖层210可以防止或基本上防止挡光图案205被损坏或腐蚀，并且可以改善第一低折射层310的粘合性。
第一低折射层310可以设置在盖层210上。第一低折射层310可以具有比颜色转换图案410和第一波长带滤波器510的折射率低的折射率。第一低折射层310可以放置为与颜色转换图案410和第一波长带滤波器510接触。第一低折射层310可以设置为遍布第一像素PX1和第二像素PX2。第一低折射层310可以从一个区域到另一区域具有不同的厚度。
在一个示例性实施例中，第一低折射层310可以包括第一基体树脂和分散在第一基体树脂中的颗粒团簇。在第一低折射层310是包含颗粒团簇的单层的示例性实施例中，第一低折射层310的平均折射率可以低于颜色转换图案410和第一波长带滤波器510的折射率。稍后将参照图3更详细地描述第一低折射层310的材料和功能。
颜色转换图案410可以设置在第一低折射层310上。在一些示例性实施例中，颜色转换图案410可以放置为与第一低折射层310接触。颜色转换图案410可以将入射光的颜色转换为不同的颜色。即，入射光可以通过透射过颜色转换图案410而被转换为具有预定波长带的光。在一个示例性实施例中，颜色转换图案410可以设置在第一像素PX1中，而不设置在第二像素PX2中。
颜色转换图案410可以包括第二基体树脂411和分散在第二基体树脂411中的波长移位体412，并且还可以包括也分散在第二基体树脂411中的第一散射体413。
第二基体树脂411的材料不受具体限制，只要该材料具有高透光率以及对波长移位体412和第一散射体413的优异的散射(例如，分散)性质即可。例如，第二基体树脂411可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂或酰亚胺树脂的有机材料。
波长移位体412可以使入射光的峰值波长转换或移位。波长移位体412的示例包括量子点、量子棒和磷光体。量子点是响应于其电子从导带到价带的跃迁而发射特定颜色的光的颗粒材料。
量子点可以是半导体纳米晶体材料。根据自身组成和尺寸而具有预定带隙的量子点可以吸收光并且可以发射具有预定波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例包括基于IV族的纳米晶体、基于II族-VI族的化合物纳米晶体、基于III族-V族的化合物纳米晶体、基于IV族-VI族的化合物纳米晶体或它们的组合。
例如，基于IV族的纳米晶体可以包括硅(Si)、锗(Ge)或者诸如碳化硅(SiC)或SiGe的二元化合物，但是本公开不限于此。
基于II族-VI族的化合物纳米晶体可以包括：诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS的二元化合物或它们的混合物；诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS的三元化合物或它们的混合物；诸如HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe的四元化合物或它们的混合物；或者上述二元化合物、三元化合物和四元化合物中的一些的混合物，但是本公开不限于此。
基于III族-V族的化合物纳米晶体可以包括：诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb的二元化合物或它们的混合物；诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb的三元化合物或它们的混合物；诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb的四元化合物或它们的混合物；或者上述二元化合物、三元化合物和四元化合物中的一些的混合物，但是本公开不限于此。
基于IV族-VI族的化合物纳米晶体可以包括：诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe的二元化合物或它们的混合物；诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe的三元化合物或它们的混合物；诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe的四元化合物或它们的混合物；或者上述二元化合物、三元化合物和四元化合物中的一些的混合物，但是本公开不限于此。
在一些示例性实施例中，量子点可以具有核-壳结构，并且核-壳结构包括包含上述纳米晶体的核和围绕核的壳。壳可以用作用于防止或减少核的化学变形从而保持半导体特性的保护层并且/或者可以用作用于赋予量子点电泳特性的充电层。壳可具有单层结构或多层结构。壳的示例包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物和它们的组合。
例如，金属氧化物或非金属氧化物可以是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO的二元化合物；或诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4的三元化合物，但是本公开不限于此。
例如，半导体化合物可以是CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP或AlSb，但是本公开不限于此。
由波长移位体412发射的光可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发射波长谱半宽，因此，可以进一步改善由显示装置1显示的颜色的纯度和再现性。另外，无论入射光的入射方向如何，波长移位体412都可以在各个方向上发射光。因此，可以改善由显示装置1的第一像素PX1显示的第一颜色的侧面可见性。
在非限制性示例中，设置在第一像素PX1中的颜色转换图案410的波长移位体412可以吸收由光源单元BLU提供的至少一些蓝光并且可以发射具有约610nm至约650nm的单峰值波长的红色波长的光。因此，透射过颜色转换图案410的光可以变成红色，第一像素PX1可以显示红色。
第一散射体413可以具有与第二基体树脂411的折射率不同的折射率，并且可以与第二基体树脂411形成光学界面。例如，第一散射体413可以是光散射颗粒。第一散射体413的材料不受具体限制，只要该材料能够使透射过颜色转换图案410的至少一些光散射即可。例如，第一散射体413可以是金属氧化物的颗粒或有机材料的颗粒。金属氧化物可以是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)，并且有机材料可以是丙烯酸树脂或氨基甲酸乙酯树脂。无论入射光的入射角如何，第一散射体413都可以使光在各个方向上散射，而基本上不改变透射过颜色转换图案410的光的波长。可以增大透射过颜色转换图案410的光的路径的长度，并且可以改善波长移位体412的颜色转换效率。
在一些示例性实施例中，第一波长带滤波器510可以设置在盖层210与第一低折射层310之间。第一波长带滤波器510可以放置为与盖层210和第一低折射层310接触。第一波长带滤波器510可以是通过阻挡特定波长带的光的透射而选择性地仅使一些光通过其透射的波长选择滤光器。第一波长带滤波器510可以设置在第一像素PX1中，但是不设置在第二像素PX2中。
在一个示例性实施例中，第一波长带滤波器510可以是滤色器，所述滤色器包括基体树脂和包含分散或溶解在基体树脂中的着色剂(诸如，颜料或染料)的有机材料。例如，第一波长带滤波器510可以选择性地吸收具有约430nm至约470nm的峰值波长的蓝色波长的光并且可以选择性地使其它波长带的光通过其透射。通过在颜色转换图案410与观看者之间设置阻挡蓝色波长的光的透射的第一波长带滤波器510，可以使由第一像素PX1显示的红色光谱进一步锐化，并且可以改善显示装置1的色纯度和显示质量。
散射图案420也可以设置在第一低折射层310上。散射图案420可以使通过其透射的至少一些光散射。在一个示例性实施例中，散射图案420可以设置在第二像素PX2中，但是不设置在第一像素PX1中。
散射图案420可以包括第三基体树脂421和分散在第三基体树脂421中的第二散射体423，并且还可以包括分散或溶解在第三基体树脂421中的着色剂。
与第二基体树脂411的材料类似，第三基体树脂421的材料不受具体限制，只要该材料具有高透光率以及对第二散射体423的优异的散射性质即可。例如，第三基体树脂421可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂或酰亚胺树脂的有机材料。第二散射体423的材料不受具体限制，只要该材料能够使透射过散射图案420的至少一些光散射即可。例如，第二散射体423可以是金属氧化物的颗粒或有机材料的颗粒。无论入射光的入射角如何，第二散射体423都可以使光在各个方向上散射，而基本上不改变透射过散射图案420的光的波长。因此，可以改善由显示装置1的第二像素PX2显示的第二颜色的侧面可视性。
在一些示例性实施例中，散射图案420还可以包括分散或溶解在第三基体树脂421中的着色剂(诸如，颜料或染料)。例如，散射图案420可以选择性地使具有约430nm至约470nm的峰值波长的蓝色波长的光通过其透射。因此，可以使由第二像素PX2显示的蓝色光谱进一步锐化，并且可以改善显示装置1的色纯度和显示质量。
在非限制性示例中，设置在第二像素PX2中的散射图案420可以使由光源单元BLU提供的蓝光通过其透射，并且第二像素PX2可以显示蓝色。
第二低折射层320可以设置在颜色转换图案410和散射图案420上。第二低折射层320可以具有比颜色转换图案410和第一波长带滤波器510的折射率低的折射率。第二低折射层320可以包括与第一低折射层310的材料相同的材料或不同的材料。第二低折射层320可以放置为与颜色转换图案410接触并且可以覆盖颜色转换图案410的侧表面。第二低折射层320可以设置为遍布第一像素PX1和第二像素PX2。第二低折射层320可以放置为与第一低折射层310至少部分接触。
第二低折射层320可以包括第四基体树脂和分散在第四基体树脂中的颗粒团簇。在第二低折射层320是包含颗粒团簇的单层的示例性实施例中，第二低折射层320的平均折射率可以低于颜色转换图案410和第一波长带滤波器510的折射率。
在一些示例性实施例中，第二低折射层320可以使堆叠在上基体基底110上的多个元件之间的高度差最小化或减小所述高度差。即，第二低折射层320可以执行预平坦化功能。稍后将参照图3更详细地描述第二低折射层320的材料和功能。
覆层610可以设置在第二低折射层320上。覆层610可以设置为遍布第一像素PX1和第二像素PX2。覆层610可以使堆叠在上基体基底110上的多个元件之间的高度差最小化或减小所述高度差。即，覆层610可以执行二次平坦化功能。在一些示例性实施例中，覆层610可以直接设置在第二低折射层320上。覆层610的材料不受具体限制，只要该材料具有优异的平坦化特性和高透光率即可。例如，覆层610可以是包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂、硅氧烷树脂或倍半硅氧烷树脂的有机材料的有机层。
在一些示例性实施例中，第一钝化层220可以设置在覆层610上。第一钝化层220可以包括非金属无机材料。非金属无机材料的示例包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。第一钝化层220可以在稍后将描述的形成线性图案650的工艺中保护覆层610，但是本公开不限于此。在通过干蚀刻形成线性图案650的情况下，第一钝化层220可以执行蚀刻停止功能，并且因此可以防止或基本上防止覆层610被无意地蚀刻。另外，第一钝化层220可以改善线性图案650与包括有机材料的覆层610的粘合性，并且可以通过防止或基本上防止线性图案650被诸如空气或湿气的杂质损坏或腐蚀来改善显示装置1的耐久性和可靠性。在另一示例性实施例中，可以不设置第一钝化层220，并且线性图案650可以直接设置在覆层610上。
线性图案650可以设置在第一钝化层220上。尽管未具体示出，但是在一个方向上延伸的线性图案650可以设置为彼此间隔开并且可以形成线性光栅。线性图案650可以与液晶层31一起执行偏振元件(诸如以上偏振元件为例)的功能。在一个示例性实施例中，线性图案650可以具有反射偏振器的特性、阻挡在与线性图案650延伸的方向基本上平行的方向上振动的偏振分量透射的特性以及使在与线性图案650彼此间隔开的方向基本上平行的方向上振动的偏振分量透射的特性。即，线性图案650可以反射至少一些入射光并且可以对通过其透射的光赋予偏振特性。
线性图案650的材料不受具体限制，只要该材料易于加工并且具有优异的反射率即可。例如，线性图案650可以包括金属材料。金属材料的示例包括铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)、镍(Ni)或它们的合金。在一些示例性实施例中，线性图案650可以具有金属材料和非金属无机材料的堆叠体(例如，彼此堆叠的金属材料和非金属无机材料)。
第二钝化层230可以设置在线性图案650上。第二钝化层230可以直接设置在线性图案650上。因此，第二钝化层230可以覆盖并保护线性图案650并且可以使线性图案650与稍后将描述的共电极690绝缘。另外，第二钝化层230可以限定线性图案650之间的间隙AG。间隙AG可以填充有气体或者可以是空的。第二钝化层230可以包括有机材料或无机材料，或者可以具有有机材料和无机材料的堆叠体。有机材料的示例包括环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂、硅氧烷树脂和倍半硅氧烷树脂，无机材料的示例包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅。
共电极690可以设置在第二钝化层230上。共电极690可以是与像素电极670一起在液晶层31中形成电场的场发生电极。由共电极690和像素电极670形成的电场可以控制液晶35的行为并且可以使液晶35重新取向。共电极690可以设置为遍布第一像素PX1和第二像素PX2而不考虑多个像素(PX1和PX2)之间的区别，并且可以向共电极690施加共电压。共电极690可以包括透明导电材料。透明导电材料的示例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(Ⅲ)(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和掺杂铝的氧化锌(AZO)。
将在下文中描述下基底21。下基底21可以包括下基体基底120、开关元件TR和像素电极670。
类似于上基体基底110，下基体基底120可以是透明绝缘基底或膜。例如，下基体基底120可以包括玻璃材料、石英材料或透明塑料材料。在一些示例性实施例中，下基体基底120可以具有柔性，并且显示装置1可以是弯曲LCD装置。
开关元件TR可以设置在下基体基底120的前表面(例如，在图2的情况下，顶表面)上。开关元件TR可以设置在多个像素(PX1和PX2)中并且可以允许或阻止驱动信号传输到像素电极670。在一个示例性实施例中，开关元件TR可以是薄膜晶体管(TFT)。TFT的控制端子可以连接到栅极线GL并且可以接收栅极驱动信号，TFT的输入端子可以连接到数据线DL并且可以接收数据驱动信号，TFT的输出端子可以电连接到像素电极670。
中间层620可以设置在开关元件TR上。中间层620可以使形成在其上的元件与形成在其下的元件绝缘，并且可以使堆叠在下基体基底120上的多个元件之间的高度差最小化或减小所述高度差。即，中间层620可以执行绝缘功能和平坦化功能两者。中间层620可以包括一个或更多个层。例如，中间层620可以包括包含有机材料的有机层、包含无机材料的无机层或有机层和无机层的堆叠体。
像素电极670可以设置在中间层620上。像素电极670可以是与共电极690一起在液晶层31中形成电场的场发生电极。像素电极670可以设置在多个像素(PX1和PX2)中。像素电极670可以是独立可控的并且可以提供有不同的驱动信号。例如，像素电极670可以经由形成在中间层620中的接触孔来电连接到开关元件TR的输出端子。类似于共电极690，像素电极670可以包括透明导电材料。
将在下文中描述液晶层31。液晶层31可以设置在上基底11与下基底21之间。液晶层31可以包括初始取向的多个液晶。如在此使用的，术语“液晶”表示具有液晶特性的单个分子或一组这样的分子。在一个示例性实施例中，液晶35可以具有负介电各向异性并且可以初始取向为使得它们的长轴基本上垂直于平面。例如，液晶35可以基本上垂直取向以具有预定的预倾角。
将在下文中参照图3至图6更详细地描述显示装置1的第一低折射层310和第二低折射层320。图3是图2的区域A的放大图。具体地，图3是示出第一低折射层310与颜色转换图案410之间的光学界面的剖视图。图4是图2的区域B的放大图。具体地，图4是示出颜色转换图案410与第二低折射层320之间的光学界面的剖视图。图5是示出图3和图4的颗粒团簇的示意图。图6是示出硅颗粒之间的桥的化学键的示意图。
参照图1至图6，第一低折射层310可以包括第一基体树脂311和分散在第一基体树脂311中的颗粒团簇PC，第二低折射层320可以包括第四基体树脂321和分散在第四基体树脂321中的颗粒团簇PC。图3和图4示出了颗粒团簇PC在第一低折射层310或第二低折射层320中彼此间隔开，但是可选择地，颗粒团簇PC可以彼此非常靠近。即，颗粒团簇PC的分散密度可以高于图3或图4中示出的颗粒团簇PC的分散密度。
将在下文中更详细地描述第一低折射层310。在一个示例性实施例中，第一低折射层310可以通过放置为与颜色转换图案410接触来形成光学界面。第一低折射层310的放置为与颜色转换图案410接触的表面可以是不平坦的。第一低折射层310的不平坦的表面可以归因于第一低折射层310中存在的颗粒团簇PC。例如，颗粒团簇PC可以突出或可以凹进，以形成第一低折射层310的表面。
第一低折射层310的折射率可以低于颜色转换图案410的折射率。例如，第一低折射层310的折射率可以低于第二基体树脂411的折射率。例如，第二基体树脂411的折射率可以比第一低折射层310的折射率高至少0.3。通过增大第一低折射层310的折射率与颜色转换图案410的折射率之间的差，可以促进光在第一低折射层310与颜色转换图案410之间的界面处的全反射。即，可以增大从颜色转换图案410到第一低折射层310行进的光束之中的从第一低折射层310与颜色转换图案410之间的界面反射的光量，并且可以改善光的利用效率。
在一些示例性实施例中，第一低折射层310的折射率可以低于第一波长带滤波器510的折射率。例如，第一波长带滤波器510的折射率可以比第一低折射层310的折射率高至少0.3。因此，可以在第一波长带滤波器510与第一低折射层310之间形成有效的光学界面。
同样地，第二低折射层320可以通过放置为与颜色转换图案410接触来形成光学界面。第二低折射层320的放置为与颜色转换图案410接触的表面可以是不平坦的。第二低折射层320的不平坦的表面可以归因于第二低折射层320中存在的颗粒团簇PC。
第二低折射层320的折射率可以低于颜色转换图案410的折射率。例如，第二低折射层320的折射率可以低于第二基体树脂411的折射率。例如，第二基体树脂411的折射率可以比第二低折射层320的折射率高至少0.3。通过增大第二低折射层320的折射率与颜色转换图案410的折射率之间的差，可以促进光在第二低折射层320与颜色转换图案410之间的界面处的全反射。即，可以增大从颜色转换图案410到第二低折射层320行进的光束之中的从第二低折射层320与颜色转换图案410之间的界面反射的光量，并且可以改善光的利用效率。
在一些示例性实施例中，第二低折射层320的折射率可以低于第一波长带滤波器510的折射率。例如，第一波长带滤波器510的折射率可以比第二低折射层320的折射率高至少0.3，但是本公开不限于此。
颗粒团簇PC可以包括颗粒PC1和使颗粒PC1彼此结合的桥PC2。
在一个示例性实施例中，颗粒PC1可以是二氧化硅颗粒。例如，颗粒PC1可以是空心二氧化硅颗粒或非空心二氧化硅颗粒。空心二氧化硅颗粒的颗粒尺寸可以为例如约50nm至约100nm。非空心二氧化硅颗粒的颗粒尺寸可以为例如约10nm至约30nm。
孔或腔V可以限定在颗粒PC1之间。在颗粒PC1是二氧化硅颗粒的一些示例性实施例中，可以通过使用相对细的颗粒来增大腔V的体积，因此，可以减小第一低折射层310和第二低折射层320的折射率。在一个示例性实施例中，第一低折射层310和第二低折射层320的折射率可以为约1.1至约1.4或约1.15至约1.3。
桥PC2可以与颗粒PC1的表面上的官能团键合，以使颗粒PC1彼此结合并形成腔V。在一个示例性实施例中，桥PC2可以包括聚硅氧烷键。形成在颗粒PC1之间的桥PC2可以表示(例如，示出)为如图6所示。在颗粒PC1是二氧化硅颗粒的一些示例性实施例中，桥PC2可以通过二氧化硅颗粒的表面上的羟基与硅氧烷类聚合物之间的脱水反应来形成，但是本公开不限于此。参照图6，R和R'均独立地选自于由氢、氟、羟基、具有1个至12个碳原子的烷基、具有1个至12个碳原子的烷氧基、具有1个至12个碳原子的氟化烷基、乙烯基和(甲基)丙烯酸酯基团组成的组。
第一低折射层310的第一基体树脂311和第二低折射层320的第四基体树脂321可以均包括硅氧烷类聚合物。硅氧烷类聚合物可以由下面的式1表示，但是本公开不限于此。
式1
参照式1，R1、R2、R3和R4均独立地选自于由氢、氟、羟基、具有1个至12个碳原子的烷基、具有1个至12个碳原子的烷氧基、具有1个至12个碳原子的氟化烷基、乙烯基和(甲基)丙烯酰基组成的组。
硅氧烷类聚合物的重均分子量可以为约100g/mol至约10000g/mol。当硅氧烷类聚合物的重均分子量为约100g/mol或更大时，硅氧烷类聚合物可以用作用于分散颗粒团簇PC的基质。另外，当硅氧烷类聚合物的重均分子量为约10000g/mol或更小时，硅氧烷类聚合物可以改善第一低折射层310和第二低折射层320的可加工性和平坦化特性以及粘合特性。
在一些示例性实施例中，第一基体树脂311和第四基体树脂321中包含的硅氧烷类聚合物可以具有氟取代的侧链。氟取代的侧链可以包含氟原子或氟代烷基。当硅氧烷类聚合物具有氟取代的侧链时，可以降低由硅氧烷类聚合物形成的第一基体树脂311和第四基体树脂321的折射率。即，不仅可以通过在颗粒PC1之间形成腔V并且还可以通过降低第一基体树脂311和第四基体树脂321的折射率来进一步降低第一低折射层310和第二低折射层320的折射率。
颗粒团簇PC的桥PC2以及第一基体树脂311和第四基体树脂321的硅氧烷类聚合物可以具有相同的重复单元。例如，颗粒团簇PC的桥PC2以及第一基体树脂311和第四基体树脂321的硅氧烷类聚合物均为具有聚硅氧烷键的硅氧烷类聚合物。通过用相同类型的聚合物形成颗粒团簇PC的桥PC2以及第一基体树脂311和第四基体树脂321，可以简化第一低折射层310和第二低折射层320的制造，可以改善颗粒团簇PC对于第一基体树脂311和第四基体树脂321的分散特性，并且可以使第一低折射层310和第二低折射层320提供有均匀的折射率。
在另一示例性实施例中，可以不设置第一低折射层310和第二低折射层320中的一个。
将在下文中参照图7更详细地描述显示装置1的第一低折射层310和第二低折射层320的功能。图7是用于解释图2的显示装置1的第一低折射层310和第二低折射层320的功能的剖视图。具体地，图7是示出第一像素PX1的颜色转换图案410以及第一低折射层310和第二低折射层320的剖视图。
参照图7，由光源单元BLU提供的光可以穿透颜色转换图案410。
在非限制性示例中，提供到颜色转换图案410的至少一些蓝光可以不经历由波长移位体412执行的颜色转换，并且可以直接穿透第二基体树脂411以作为蓝光L1朝向第一低折射层310行进。
如上面已经描述的，当第一低折射层310的折射率与颜色转换图案410的折射率彼此显著不同时，可以促进光在第一低折射层310与颜色转换图案410之间的光学界面处的全反射。第一低折射层310可以使透射过第二基体树脂411而不对颜色转换作出贡献的至少一些蓝光L1重复利用，因此可以使重复利用的蓝光对颜色转换作出贡献。以这种方式，可以提高光的利用效率，并且可以改善显示装置1的显示质量(诸如亮度)。
在另一非限制性示例中，提供到颜色转换图案410的至少一些蓝光L2可以被波长移位体412转换为红光。无论入射光的入射角如何，波长移位体412都可以在各个方向上发射光。即，由波长移位体412发射的至少一些红光可以朝向第二低折射层320而不是朝向观看者(例如，在图7的情况下，在向上方向上)行进，因此会不能够对图像的显示作出贡献。
然而，如上面已经描述的，当第二低折射层320的折射率与颜色转换图案410的折射率彼此显著不同时，可以促进光在第二低折射层320与颜色转换图案410之间的光学界面处的全反射。第二低折射层320可以使朝向第二低折射层320行进而不对图像的显示作出贡献的至少一些红光重复利用，因此可以使重复利用的红光对图像的显示作出贡献。以这种方式，可以提高光的利用效率，并且可以改善显示装置1的显示质量(诸如亮度)。
显示装置1的颜色转换图案410可以完全由第一低折射层310和第二低折射层320围绕。因此，可以困住透射过颜色转换图案410的光和/或从颜色转换图案410的波长移位体412发射的光，因此，可以提高光的利用效率。
将在下文中描述根据本公开的其它示例性实施例的显示装置。在附图中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，将不再重复其详细描述。
图8是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的剖视图。图9是图8的区域A的放大图。具体地，图9是示出第一低折射层310与颜色转换图案410之间的光学界面的剖视图。图10是图8的区域B的放大图。具体地，图10是示出第二波长带滤波器520与颜色转换图案410和第二低折射层320形成的光学界面的剖视图。
参照图8至图10，显示装置2与图2的显示装置1的不同之处在于：上基底12还包括第二波长带滤波器520。
在一个示例性实施例中，第二波长带滤波器520可以进一步设置在颜色转换图案410与第二低折射层320之间。第二波长带滤波器520可以是通过阻挡特定波长带的光的透射而选择性地仅使一些光通过其透射的波长选择滤光器。第二波长带滤波器520可以设置为遍布第一像素PX1和第二像素PX2。第二波长带滤波器520可以放置为与颜色转换图案410和第二低折射层320接触并且可以覆盖颜色转换图案410的侧表面。第二波长带滤波器520可以放置为与第一低折射层310至少部分接触。在这种情况下，颜色转换图案410和第二低折射层320可以不放置为彼此接触并且可以彼此间隔开。
第二波长带滤波器520可以包括一个或更多个第一无机层521以及一个或更多个第二无机层522。第二波长带滤波器520可以是包括多个层的分散式布拉格反射器。例如，第二波长带滤波器520可以选择性地反射具有约530nm至约570nm的峰值波长的绿色波长的光和具有约610nm至约650nm的峰值波长的红色波长的光，并且可以选择性地使其它波长的光通过其透射。然而，本公开不限于此，在另一实施例中，例如，第二波长带滤波器520可以选择性地反射绿色波长的光和/或蓝色波长的光，并且可以选择性地使其它波长的光通过其透射。通过第二波长带滤波器520透射的光的波长和第二波长带滤波器520反射的光的波长可以通过第一无机层521的折射率与第二无机层522的折射率之间的差、第一无机层521的厚度与第二无机层522的厚度之间的差以及/或者第一无机层521的数量与第二无机层522的数量来控制。
第一无机层521和第二无机层522可以包括不同的材料。例如，第一无机层521可以包括具有1.7或更高的折射率的材料，第二无机层522可以包括具有1.5或更低的折射率的材料。例如，第一无机层521可以包括氮化硅，第二无机层522可以包括氧化硅。然而，本公开不限于这些示例。
在非限制性示例中，第二波长带滤波器520可以包括奇数层。在第一无机层521和第二无机层522交替地堆叠的情况下，第二波长带滤波器520的最上层和最下层可以均包括相同的材料。图8示出了第二波长带滤波器520是包括具有两个第一无机层521和一个第二无机层522的三层，但是本公开不限于此。
在一些示例性实施例中，第二波长带滤波器520的放置为与第二低折射层320接触的最上层(或图8中的最下层)和第二波长带滤波器520的放置为与颜色转换图案410接触的最下层(或图8中的最上层)可以均为第一无机层521。通过将具有比第二无机层522的折射率相对高的折射率的第一无机层521放置为与颜色转换图案410接触，可以改善第二波长带滤波器520对于绿色或红色波长的光的反射效率。另外，通过将第一无机层521放置为与第一低折射层310接触，可以改善第一低折射层310与第二波长带滤波器520的粘合性。另外，通过将第一无机层521放置为与第二低折射层320接触，可以增大第一无机层521的折射率与第二低折射层320的折射率之间的差或使所述差最大化，同时，可以改善第二低折射层320与第二波长带滤波器520的粘合性。
第二波长带滤波器520可以反射由第一像素PX1中的波长移位体412在各个方向上发射的红光的光束之中的朝向第二波长带滤波器520(例如，在图8的情况下，在向下的方向上)发射的光，使得反射的光朝向上基体基底110(即，朝向观看者)行进，因此可以使反射的光对图像的显示作出贡献。以这种方式，可以提高光的利用效率，并且可以改善显示装置2的显示质量(诸如亮度和色纯度)。
第二低折射层320可以通过放置为与第二波长带滤波器520(具体地，第二波长带滤波器520的第一无机层521)接触来形成光学界面。第二低折射层320的放置为与第一无机层521接触的表面可以是不平坦的。第二低折射层320的不平坦的表面可以归因于颗粒团簇PC的存在。
第二低折射层320的折射率可以低于第一无机层521的折射率。例如，第二低折射层320的折射率可以为约1.1至约1.4或约1.15至约1.3，并且第一无机层521的折射率可以为约1.7或更高。然而，本公开不限于该示例。
图11是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图11，不同于图2的显示装置1，显示装置3不是LCD装置，而是有机发光二极管(OLED)显示装置。
在一个示例性实施例中，显示装置3可以包括上基底13和下基底43。上基底13可以是包括颜色转换图案410、第一低折射层310和第二低折射层320的颜色转换基底。颜色转换图案410、第一低折射层310和第二低折射层320与图2中它们各自的对应部分基本相同，因此，将不再重复其详细描述。
在一些示例性实施例中，第三钝化层240可以设置在第二低折射层320上。第三钝化层240可以包括非金属无机材料。非金属无机材料的示例包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。第三钝化层240可以防止或减少湿气或空气的渗透，因此可以防止或减少颜色转换图案410的波长移位体412的损坏。
下基底43可以是包括下基体基底130、TFT和发光元件800的OLED基底。即，下基底43可以包括自发射元件，因此可以用作光源单元。
下基体基底130可以是透明或不透明的绝缘基底或膜。例如，下基体基底130可以包括玻璃材料、石英材料或柔性聚合物材料(诸如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚丙烯酸酯(PA))。
TFT可以设置在下基体基底130的前表面(例如，在图11的情况下，顶表面)上。TFT可以是驱动晶体管，其被配置为控制在有源层710中经由沟道区711流动的电流的量，从而控制发光元件800的发射量。例如，TFT可以包括作为控制端子的栅电极730、作为输入端子的源电极750、作为输出端子的漏电极770和提供沟道的有源层710。图11示出了TFT作为其中栅电极730设置在有源层710上方的顶栅TFT，但是可选择地，TFT可以是底栅TFT。
有源层710可以包括半导体材料。例如，有源层710可以包括多晶Si。在另一示例中，有源层710可以包括单晶Si、非晶Si或诸如氧化物半导体的非Si基半导体材料。有源层710可以包括沟道区711、源区713和漏区712。沟道区711可以是其中形成电子或空穴可以根据施加到栅电极730的电压而沿其移动的路径的区域。源区713和漏区712可以通过沟道区711间隔开。即，经由源区713提供的电子或空穴可以经由沟道区711移动到漏区712，或者经由漏区712提供的电子或空穴可以经由沟道区711移动到源区713。源区713和漏区712可以具有比沟道区711的电导率高的电导率。
栅电极730可以设置在有源层710上。栅电极730可以在第三方向Z上与有源层710的沟道区711叠置。栅电极730可以电连接到控制多个像素(PX1和PX2)的导通或截止的开关晶体管的输出端子。开关晶体管的控制端子和输入端子可以分别电连接到扫描信号线和数据信号线，并且开关晶体管的输出端子可以被构造为根据施加到开关晶体管的控制端子的信号而导通或截止。
第一绝缘层641可以置于有源层710与栅电极730之间，并且可以使有源层710与栅电极730绝缘。第二绝缘层642可以设置在栅电极730上。第二绝缘层642可以使栅电极730与设置在第二绝缘层642上的元件绝缘。在一些示例性实施例中，第二绝缘层642可以具有包括多层的堆叠结构。第一绝缘层641和第二绝缘层642可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。使有源层710的源区713和漏区712暴露的通孔可以形成在第一绝缘层641和第二绝缘层642中。
源电极750和漏电极770可以设置在第二绝缘层642上。源电极750和漏电极770可以置于第一绝缘层641和第二绝缘层642的通孔中并且可以放置为与有源层710接触。尽管未具体示出，但是源电极750可以电连接到驱动电压线，并且漏电极770可以电连接到稍后将更详细地描述的阳极810。
覆层643可以设置在TFT上。覆层643可以使设置在下基体基底130上的多个元件之间的高度差最小化或减小所述高度差。即，覆层643可以至少部分地补偿高度差且使高度差平坦化，因此可以提供稳定地设置发光元件800的空间。覆层643的材料不受具体限制，只要该材料具有优异的绝缘特性和平坦化特性即可。例如，覆层643可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂、卡多树脂或酯树脂。
发光元件800可以设置在覆层643上。在一个示例性实施例中，发光元件800可以是OLED，所述OLED包括阳极810、与阳极810间隔开的阴极830和置于阳极810与阴极830之间的有机发光层850。在一些示例性实施例中，设置在分别显示红色和蓝色的第一像素PX1和第二像素PX2中的发光元件800可以发射相同颜色的光。
阳极810可以直接设置在覆层643上。阳极810可以经由形成在覆层643中的通孔电连接到漏电极770。阳极810可以透明电极、不透明电极或者透明电极和不透明电极的堆叠体。透明电极的材料的示例包括ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO，不透明电极的材料的示例包括锂(Li)、Al、镁(Mg)、Ag、Ni和Cr。阳极810可以是设置在多个像素(PX1和PX2)中并且彼此独立地接收驱动信号的像素电极。
阴极830可以设置在阳极810上。阴极830和阳极810可以通过有机发光层850间隔开，并且可以一起驱动发光元件800。类似于阳极810，阴极830可以是透明电极、不透明电极或者透明电极和不透明电极的堆叠体。无论第一像素PX1和第二像素PX2之间的区别如何，阴极830可以是遍布第一像素PX1和第二像素PX2设置的共电极。
有机发光层850可以置于阳极810与阴极830之间。有机发光层850可以通过使由阳极810和阴极830提供的空穴和电子复合来产生光。例如，空穴和电子可以在有机发光层850中复合以产生激子，并且响应于(例如，伴随)激子从激发态到基态的跃迁，可以发射光。在一个示例性实施例中，有机发光层850可以通过荧光发射或磷光发射来发射具有约430nm至约470nm的峰值波长的蓝光。发射蓝光的有机发光层850可以设置为遍布第一像素PX1和第二像素PX2。即，设置在第一像素PX1中的发光元件800和设置在第二像素PX2中的发光元件800可以均为蓝色发光元件，但是本公开不限于此。尽管未具体示出，但是置于阳极810与阴极830之间的有机发光层850可以具有多层结构。即，发光元件800可以具有包括多个有机发光层850的堆叠结构或者迭层结构(tandem structure)。在一些示例性实施例中，诸如空穴控制层(即，空穴注入层和空穴传输层)、电子控制层(即，电子注入层和电子传输层)、电荷产生层和缓冲层的功能层也可以设置在阳极810与阴极830之间。
在一些示例性实施例中，像素限定膜644可以设置在阳极810上。像素限定膜644可以使多个像素(PX1和PX2)彼此分开。像素限定膜644可以具有使阳极810的表面部分暴露的开口。即，在平面图中，像素限定膜644可以具有使设置在多个像素(PX1和PX2)中的阳极810暴露的开口。有机发光层850和阴极830可以设置在像素限定膜644上。
封装层900可以设置在发光元件800上。封装层900可以防止或基本上防止发光元件800被诸如湿气或空气的杂质的渗透而损坏或变形。在一个示例性实施例中，封装层900可以包括一个或更多个无机封装层(910和950)以及一个或更多个有机封装层(930)。例如，封装层900可以包括直接设置在阴极830上并且包括无机材料的第一无机封装层910、设置在第一无机封装层910上并且包括有机材料的有机封装层930以及设置在有机封装层930上并且包括无机材料的第二无机封装层950。无机材料的示例包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅，有机材料的示例包括丙烯酸树脂和环氧树脂。图11示出了包括三层的封装层900，但是本公开不限于此。在一些示例性实施例中，封装层900可以包括包含例如六甲基二硅氧烷的硅氧烷类封装层。
包括颜色转换图案410的上基底13和包括发光元件800的下基底43可以通过粘合层630结合到一起。例如，粘合层630可以设置在封装层900与第三钝化层240之间，可以填充封装层900与第三钝化层240之间的间隙，并且可以使封装层900和第三钝化层240结合。粘合层630可以是包括有机材料的有机层，所述有机材料包括热固性树脂或光可固化树脂。
将在下文中描述根据本公开的示例性实施例的制造显示装置的方法。
图12至图20是示出根据本公开的示例性实施例的制造显示装置的方法的示意图。
参照图12，制备颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL，并且制备颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL的分散体300a。
在一个示例性实施例中，制备颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL的动作(例如，步骤)可以包括准备颗粒和硅烷醇化合物、使颗粒和硅烷醇化合物混合并通过脱水反应同时形成颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL。
颗粒可以是二氧化硅颗粒。例如，颗粒可以是空心二氧化硅颗粒或非空心二氧化硅颗粒。空心二氧化硅颗粒的颗粒尺寸可以为例如约50nm至约100nm。非空心二氧化硅颗粒的颗粒尺寸可以为例如约10nm至约30nm。
硅烷醇化合物可以包括由下面的式2至式4表示的化合物中的至少一种。
式2
(HO)aSi(R5)4-a
式3
(HO)bSi(R6)(R7)3-b
式4
(HO)cSi(R8)4-c
参照式2，a是2至4的整数，R5是具有1个至12个碳原子的烷基或具有1个至12个碳原子的烷氧基。参照式3，b是2或3，R6是氟或具有1个至12个碳原子的氟代烷基，R7是具有1个至12个碳原子的烷基或具有1个至12个碳原子的烷氧基。参照式4，c是2至4的整数，R8是乙烯基、烯丙基或(甲基)丙烯酰基。
二氧化硅颗粒和硅烷醇化合物可以通过脱水反应结合以形成颗粒团簇PC，但是本公开不限于此。颗粒团簇PC可以包括颗粒和使颗粒结合的桥。桥可以包括聚硅氧烷键。上面已经描述了颗粒团簇PC，因此，将不再重复其详细描述。
硅烷醇化合物可以通过脱水反应形成由下面的式1表示的硅氧烷类聚合物，但是本公开不限于此。
式1
上面已经描述了式1的R1、R2、R3和R4，因此，将不再重复其详细描述。
硅氧烷类聚合物PL的重均分子量可以为约100g/mol至约10000g/mol。当硅氧烷类聚合物PL的重均分子量为约100g/mol或更大时，硅氧烷类聚合物PL可以用作用于在形成低折射层的工艺中使颗粒团簇PC分散的基质。另外，当硅氧烷类聚合物PL的重均分子量为约10000g/mol或更小时，硅氧烷类聚合物PL可以改善低折射层的可加工性和平坦化特性以及粘合特性。
在一些示例性实施例中，在制备颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL的动作(例如，步骤)中，颗粒与硅烷醇化合物的混合重量比可以为约7:3至约9:1。当颗粒的含量为70wt％或更大时，在颗粒团簇PC的形成期间可在颗粒之间充分形成孔或腔，因此，可以促进低折射层的形成。当颗粒的含量超过90wt％时，发生颗粒的聚沉。因此，会降低低折射层的涂覆可加工性和刚性，并且低折射层的折射率会变得不规则。在这种情况下，当低折射层应用于显示装置时，雾化增加，因此，会使显示装置的亮度劣化。
在制备颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL的动作(例如，步骤)中，颗粒团簇PC的颗粒尺寸可以为约50nm至约1000nm。
制备分散体300a的动作(例如，步骤)可以包括将颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL分散或溶解在溶剂SL中的动作(例如，步骤)。
溶剂SL不受具体限制，只要其对于颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL具有化学稳定性并且还具有对颗粒团簇PC的优异的分散特性以及对硅氧烷类聚合物PL的优异的溶解特性以防止或基本上防止颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL之间的聚沉即可。溶剂SL的示例包括丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、乙二醇单叔丁基醚(ETB)、丙二醇甲醚(PGME)、3-甲氧基乙酸丁酯、异丙醇(IPA)、乙酸丙酯和3-甲氧基丁醇。
在一些示例性实施例中，溶剂SL相对于分散体300a的含量可以为约90wt％或更大且约98wt％或更小。当溶剂SL的含量为约90wt％或更大时，可以在使颗粒团簇PC的聚沉最小化或减少的同时充分地分散颗粒团簇PC，并且可以充分地溶解硅氧烷类聚合物PL。当颗粒团簇PC和硅氧烷类聚合物PL的固体含量为约2.0wt％或更大时，可以形成具有均匀的折射率的低折射层。
此后，参照图13，准备基体基底110、挡光图案205、盖层210和第一波长带滤波器510。上面已经描述了基体基底110、挡光图案205、盖层210和第一波长带滤波器510，因此，将不再重复其详细描述。
此后，参照图14，将分散体300a施用到图13的第一波长带滤波器510上。施用分散体300a的方法不受具体限制。例如，可以通过狭缝涂覆或旋转涂覆来施用分散体300a。在施用分散体300a的动作(例如，步骤)中，颗粒团簇PC可以处于基本均匀地分散在溶剂SL中的状态，并且硅氧烷类聚合物PL可以处于溶解在溶剂SL中的状态。
此后，参照图15，通过对施用在第一波长带滤波器510上的分散体300a进行热处理来形成第一低折射层310。在一个示例性实施例中，对施用在第一波长带滤波器510上的分散体300a进行热处理的动作(例如，步骤)可以包括对施用在第一波长带滤波器510上的分散体300a执行预焙烧操作的动作(例如，步骤)和对施用在第一波长带滤波器510上的分散体300a执行主焙烧操作的动作(例如，步骤)。例如，可以在约80℃至约120℃的温度下执行对施用在第一波长带滤波器510上的分散体300a执行预焙烧操作的动作(例如，步骤)约60秒至约300秒，并且可以在约180℃至约250℃的温度下执行对施用在第一波长带滤波器510上的分散体300a执行主焙烧操作的动作(例如，步骤)约10分钟至约60分钟。然而，本公开不限于该示例。
通过对施用在第一波长带滤波器510上的分散体300a进行热处理，可以获得包括基体树脂和分散在基体树脂中的颗粒团簇PC的第一低折射层310。基体树脂可以是通过使分散体300a中的硅氧烷类聚合物PL固化而获得的基质。第一低折射层310的厚度可以从一个区域到另一个区域变化。
包括基体树脂和颗粒团簇PC的第一低折射层310可以具有约1.1至约1.4或约1.15至约1.3的平均折射率。上面已经描述了第一低折射层310，因此，将不再重复其详细描述。
此后，参照图16，在第一低折射层310上形成颜色转换图案410、散射图案420和第二波长带滤波器520。上面已经描述了颜色转换图案410、散射图案420和第二波长带滤波器520，因此，将不再重复其详细描述。
此后，参照图17，将分散体300a施用在图16的第二波长带滤波器520上。将分散体300a施用在第二波长带滤波器520上的方法不受具体限制。例如，可以通过狭缝涂覆或旋转涂覆来施用分散体300a。在将分散体300a施用在第二波长带滤波器520上的动作(例如，步骤)中，颗粒团簇PC可以处于基本均匀地分散在溶剂SL中的状态，并且硅氧烷类聚合物PL可以处于溶解在溶剂SL中的状态。
此后，参照图18，通过对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300a进行热处理来形成第二低折射层320。在一个示例性实施例中，对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300a进行热处理的动作(例如，步骤)可以包括对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300a执行预焙烧操作的动作(例如，步骤)和对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300a执行主焙烧操作的动作(例如，步骤)。用于形成第二低折射层320的执行预焙烧操作和主焙烧操作的动作(例如，步骤)可以与用于形成第一低折射层310的它们各自的对应部分的动作相同。
通过对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300a进行热处理，可以获得包括基体树脂和分散在基体树脂中的颗粒团簇PC的第二低折射层320。第二低折射层320可以至少部分地减轻由堆叠在基体基底110上的元件形成的高度差。
包括基体树脂和颗粒团簇PC的第二低折射层320可以具有约1.1至约1.4或约1.15至约1.3的平均折射率。上面已经描述了第二低折射层320，因此，将不再重复其详细描述。
此后，参照图19，在第二低折射层320上形成覆层610、第一钝化层220、线性图案650、第二钝化层230和共电极690。上面已经描述了覆层610、第一钝化层220、线性图案650、第二钝化层230和共电极690，因此，将不再重复其详细描述。
此后，参照图20，准备包括开关元件和像素电极670的基底，并且在所述基底与图19中示出的共电极690之间插设有液晶层31。
图21至图28是示出根据本公开的另一示例性实施例的制造显示装置的方法的示意图。
参照图21，准备颗粒PC1和硅氧烷类聚合物PL，制备颗粒PC1和硅氧烷类聚合物PL的分散体300b。
在一个示例性实施例中，颗粒PC1可以是非空心二氧化硅颗粒。非空心二氧化硅颗粒的颗粒尺寸可以为约10nm至约30nm。通过在形成低折射层中使用细的非空心二氧化硅颗粒，可以在形成颗粒团簇的工艺中形成足够大的孔或腔。
硅氧烷类聚合物PL的重均分子量可以为约100g/mol至约10000g/mol。硅氧烷类聚合物PL可以与由上面的式1表示的硅氧烷类聚合物相同，因此，将不再重复其详细描述。
制备分散体300b的动作(例如，步骤)可以包括将颗粒PC1和硅氧烷类聚合物PL分散或溶解在溶剂SL中的动作(例如，步骤)。
在一些示例性实施例中，在制备分散体300b的动作(例如，步骤)中，颗粒PC1与硅氧烷类聚合物PL的混合重量比可以为约7:3至约9:1。当颗粒PC1的含量为70wt％或更大时，在颗粒团簇的形成期间可在颗粒PC1之间充分形成孔或腔，因此，可以促进低折射层的形成。当颗粒PC1的含量超过90wt％时，发生颗粒PC1的聚沉。在这种情况下，当低折射层应用于显示装置时，雾化增加，因此，会使显示装置的亮度劣化。
溶剂SL的示例包括PGMEA、ETB、PGME、3-甲氧基乙酸丁酯、IPA、乙酸丙酯和3-甲氧基丁醇。
在一些示例性实施例中，溶剂SL相对于分散体300b的含量可以为约90wt％或更大且约98wt％或更小。
此后，参照图22，准备基体基底110、挡光图案205、盖层210和第一波长带滤波器510，并且施用图21的分散体300b。在施用分散体300b的动作(例如，步骤)中，颗粒PC1可以处于基本均匀分散在溶剂SL中的状态，并且硅氧烷类聚合物PL可以处于溶解在溶剂SL中的状态。
此后，参照图23，通过对分散体300b进行热处理来形成第一低折射层310。在一个示例性实施例中，对分散体300b进行热处理的动作(例如，步骤)可以包括对分散体300b执行预焙烧操作的动作(例如，步骤)和对分散体300b执行主焙烧操作的动作(例如，步骤)。可以在约80℃至约120℃的温度下执行对分散体300b执行预焙烧操作的动作(例如，步骤)约60秒至约300秒。可以在约180℃至约250℃的温度下执行对分散体300b执行主焙烧操作的动作(例如，步骤)约10分钟至约60分钟。
图24是图23的区域C的放大图。参照图23和图24，在对分散体300b执行主焙烧操作的动作(例如，步骤)中，可以使颗粒PC1和硅氧烷类聚合物PL键合。例如，可以通过颗粒PC1的表面上的羟基与硅氧烷类聚合物PL之间的脱水反应形成化学键，因此，可以形成包括颗粒PC1和桥的颗粒团簇PC，所述桥具有使颗粒PC1键合的聚硅氧烷键。
上面已经描述了第一低折射层310，因此，将不再重复其详细描述。
此后，参照图25，在第一低折射层310上形成颜色转换图案410、散射图案420和第二波长带滤波器520。上面已经描述了颜色转换图案410、散射图案420和第二波长带滤波器520，因此，将不再重复其详细描述。
此后，参照图26，将图21的分散体300b施用在第二波长带滤波器520上。在将分散体300b施用在第二波长带滤波器520上的动作(例如，步骤)中，颗粒PC1可以处于基本均匀地分散在溶剂SL中的状态，硅氧烷类聚合物PL可以处于溶解在溶剂SL中的状态。
此后，参照图27，通过对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300b进行热处理来形成第二低折射层320。在一个示例性实施例中，对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300b进行热处理的动作(例如，步骤)可以包括对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300b执行预焙烧操作的动作(例如，步骤)和对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300b执行主焙烧操作的动作(例如，步骤)。在对施用在第二波长带滤波器520上的分散体300b执行主焙烧操作的动作(例如，步骤)中，颗粒PC1与硅氧烷类聚合物PL之间可以形成化学键，因此，可以形成颗粒团簇。用于形成第二低折射层320的执行预焙烧操作和主焙烧操作的动作(例如，步骤)可以与用于形成第一低折射层310的它们各自的对应部分的动作相同。
此后，参照图28，在第二低折射层320上形成覆层610、第一钝化层220、线性图案650、第二钝化层230和共电极690，准备包括开关元件和像素电极670的基底，并且在所述基底与图28中示出的共电极690之间插设有液晶层31。
将在下文中参照各个示例、对比示例和实验示例进一步详细描述本公开的上述示例性实施例。
示例1
通过形成第一低折射层和包括发射红光的量子点颗粒的颜色转换图案但是不形成第二低折射层来制造具有与图2的显示装置1的结构基本相同的结构的显示装置的测试单元。
示例2
通过形成第一低折射层、包括发射红光的量子点颗粒的颜色转换图案和第二低折射层来制造具有与图2的显示装置1的结构基本相同的结构的显示装置的测试单元。
对比示例
以与根据示例2的显示装置的测试单元的方式基本相同的方式来制造显示装置的测试单元，但是不形成第一低折射层和第二低折射层。
实验示例：低折射层的存在对光利用效率的影响的评价
图29中示出了根据示例1的显示装置的第一低折射层的显微镜图像。
图30中示出了根据示例1、示例2和对比示例的显示装置的测试单元的光利用效率的评价的结果。参照图30，“量子效率”表示通过测量从根据示例1、示例2和对比示例的显示装置的测试单元中的每个发射的红光的量并将测量结果量化为积分比率而获得的数据。
参照图30，与根据对比示例的显示装置的测试单元的光利用效率相比，根据示例1的包括第一低折射层而不包括第二低折射层的显示装置的测试单元的光利用效率提高约13％，与根据对比示例的显示装置的测试单元的光利用效率相比，根据示例2的包括第一低折射层和第二低折射层两者的显示装置的测试单元的光利用效率提高约54％。
实验示例：低折射层的粘合性的评价
制备颗粒团簇和硅氧烷类聚合物的分散体。接下来，在玻璃基底上沉积氮化硅膜。此后，通过在氮化硅膜上施用制备的分散体并对其进行热处理来形成具有分散在其中的颗粒团簇的低折射层。将粘合带施用到低折射层上，然后从低折射层剥离粘合带，所得玻璃基底的图像如图31中所示。
参照图31，清楚的是，低折射层仍保留在玻璃基底上。还清楚的是，甚至粘合带的粘合层也保持附着在低折射层上，这表明低折射层与氮化硅膜的粘合性(例如，粘合力)是优异的。
实验示例：低折射层的透射率的评价
在玻璃基底上形成氮化硅膜，在氮化硅膜上将低折射层形成为具有约0.9μm的厚度(实验示例1)。在玻璃基底上形成氮化硅膜，在氮化硅膜上将低折射层形成为具有约2.7μm的厚度(实验示例2)。
针对具有250nm至850nm的波长的光来测量根据实验示例1和实验示例2制备的玻璃基底的透射率，结果如图32中所示。参照图32，“参考透射率”表示通过测量根据实验示例1和实验示例2制备的每个玻璃基底的透射率并将测量结果量化为百分比而获得的数据。
参照图32，根据实验示例1和实验示例2制备的玻璃基底对于450nm至800nm的波长范围内的光均表现出99.0％或更高的透射率。
实验示例：耐化学性评价
在玻璃基底上形成氮化硅膜，在氮化硅膜上形成低折射层。在约180℃的温度下对低折射层进行热处理(实验示例3)。将根据实验示例3制备的玻璃基底浸入0.045wt％的氢氧化钾(KOH)溶液中60秒(实验示例4)。
在玻璃基底上形成氮化硅膜，在氮化硅膜上形成低折射层。在约200℃的温度下对低折射层进行热处理(实验示例5)。将根据实验示例5制备的玻璃基底浸入0.045wt％的KOH溶液中60秒(实验示例6)。
在玻璃基底上形成氮化硅膜，在氮化硅膜上形成低折射层。在约220℃的温度下对低折射层进行热处理(实验示例7)。将根据实验示例7制备的玻璃基底浸入0.045wt％的KOH溶液中60秒(实验示例8)。
根据实验示例3至实验示例8制备的玻璃基底的低折射层的折射率如图33中所示。
参照图33，可以看出，浸入KOH溶液中的低折射层的折射率的增大是不显著的(例如，在0.02或更低)。即，清楚的是，根据本公开的上述示例性实施例的显示装置的低折射层对诸如KOH的显影溶液具有优异的耐化学性。
实验示例：脱气评价
根据实验示例3和实验示例7制备基底。根据实验示例3和实验示例7制备的基底的低折射层的厚度为约1μm。在230℃的温度下对对照基底进行热处理，以形成具有1μm的厚度的黄色光致抗蚀剂膜。
对于当根据实验示例3和实验示例7制备的基底和对照基底在180℃的温度下经受后续热处理时的情况以及当根据实验示例3和实验示例7制备的基底和对照基底在230℃的温度下经受后续热处理时的情况测量的脱气量如图34中所示。具体地，利用岛津GCMS-QP2010Ultra通过顶空-气相色谱-质谱(HS-GC-MS)来执行脱气量的测量。
参照图34，可以看出，在180℃的温度下执行后续热处理的情况下，从根据实验示例3和实验示例7制备的基底的低折射层脱气的量与从对照基底的黄色光致抗蚀剂膜脱气的量相差不大。相反，在230℃的温度下执行后续热处理的情况下，从根据实验示例3和实验示例7制备的基底的低折射层脱气的量甚至小于从对照基底的黄色光致抗蚀剂膜脱气的量。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体说明和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式上和细节上的各种改变。在此描述的示例性实施例应该被认为仅是描述性的，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底；
颜色转换图案，位于所述基体基底上；以及
低折射层，位于所述基体基底上，与所述颜色转换图案堆叠，并且具有比所述颜色转换图案的折射率低的折射率，
其中，所述低折射层包括：第一基体树脂，以及颗粒团簇，分散在所述第一基体树脂中并且包括多个颗粒和使所述多个颗粒结合的桥。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述颜色转换图案和所述低折射层彼此接触以形成光学界面，
所述低折射层的接触所述颜色转换图案的表面是不平坦的表面，并且
所述低折射层的所述不平坦的表面由所述颗粒团簇形成。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述颜色转换图案包括：
第二基体树脂，以及
波长移位体，分散在所述第二基体树脂中，
其中，所述第二基体树脂的折射率比所述低折射层的所述折射率高至少0.3。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
孔限定在所述颗粒团簇的所述多个颗粒之间，并且
所述低折射层的所述折射率为1.1至1.4。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个颗粒是二氧化硅颗粒，并且
所述桥包括聚硅氧烷键。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一基体树脂包括硅氧烷类聚合物，
所述硅氧烷类聚合物的重均分子量为100g/mol至10000g/mol，并且
所述硅氧烷类聚合物具有氟取代的侧链。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述二氧化硅颗粒是非空心二氧化硅颗粒，并且
所述二氧化硅颗粒的尺寸为10nm至30nm。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述低折射层包括：
第一低折射层，位于所述基体基底与所述颜色转换图案的一侧之间，或者
第二低折射层，位于所述颜色转换图案的另一侧上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一波长带滤波器，位于所述基体基底与所述第一低折射层之间，
其中，所述第一波长带滤波器被构造为选择性地吸收特定波长的光。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一波长带滤波器包括有机材料，并且
所述第一波长带滤波器与所述第一低折射层接触。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一波长带滤波器的折射率比所述第一低折射层的折射率高至少0.3。
12.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二波长带滤波器，位于所述颜色转换图案与所述第二低折射层之间，
其中，
所述第二低折射层被构造为覆盖所述颜色转换图案的侧表面，并且
所述第二波长带滤波器被构造为选择性地反射特定波长的光。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第二波长带滤波器是包括交替堆叠的一个或更多个第一无机层以及一个或更多个第二无机层的布拉格反射器，并且
所述第二波长带滤波器与所述颜色转换图案和所述第二低折射层接触。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述第一无机层具有1.7或更高的折射率，
所述第二无机层具有1.5或更低的折射率，并且
所述第二波长带滤波器的与所述颜色转换图案接触的最下层和所述第二波长带滤波器的与所述第二低折射层接触的最上层均包括所述第一无机层。
15.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：
第一像素和第二像素，所述第一像素显示第一颜色，所述第二像素显示与所述第一颜色不同的第二颜色，以及
覆层，位于所述第二低折射层上并且包括有机材料，
其中，所述第一低折射层、所述第二低折射层和所述覆层都遍布所述第一像素和所述第二像素。
16.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
制备颗粒团簇和硅氧烷类聚合物，所述颗粒团簇包括多个颗粒和使所述多个颗粒结合的桥；
通过使所述颗粒团簇和所述硅氧烷类聚合物分散在溶剂中来制备分散体；以及
将所述分散体施用在基体基底上并对施用在所述基体基底上的所述分散体进行热处理，
其中，所述桥包括聚硅氧烷键。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，
制备所述颗粒团簇和所述硅氧烷类聚合物的步骤包括：
准备二氧化硅颗粒和硅烷醇化合物，以及
通过使所述二氧化硅颗粒和所述硅烷醇化合物混合并脱水来形成所述颗粒团簇和所述硅氧烷类聚合物，
所述二氧化硅颗粒与所述硅烷醇化合物的混合重量比为7:3至9:1，并且
所述颗粒团簇的尺寸为50nm至1000nm。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，在制备所述分散体的步骤中，
所述溶剂与所述分散体的重量比为90wt％至98wt％。
19.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
准备非空心的二氧化硅颗粒和硅氧烷类聚合物；
通过使所述二氧化硅颗粒和所述硅氧烷类聚合物分散在溶剂中来制备分散体；以及
将所述分散体施用在基体基底上并对施用在所述基体基底上的所述分散体进行热处理，
其中，所述二氧化硅颗粒的尺寸为10nm至30nm。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，
在制备所述分散体的步骤中，所述二氧化硅颗粒与所述硅氧烷类聚合物的重量比为7:3至9:1，
所述硅氧烷类聚合物的重均分子量为100g/mol至10000g/mol，
对所述分散体进行热处理的步骤包括在180℃至250℃的温度下对所述分散体进行热处理，并且
在对所述分散体进行热处理的步骤中，所述二氧化硅颗粒与所述硅氧烷类聚合物之间形成化学键。
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