CN110022277B - 一种功耗可调节的连续时间线性均衡器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种功耗可调节的连续时间线性均衡器，包括连续时间线性均衡器电路CTLE和与连续时间线性均衡器电路CTLE连接的MOS管偏置电路Bias2，其中，MOS管偏置电路Bias2由A电路部分和与A电路部分连接的B电路部分组成，B电路部分由依次连接的若干子电路组成，若干子电路中的第一子电路依次与A电路部分及第二子电路连接，若干子电路中的第n子电路依次与连续时间线性均衡器电路CTLE连接及第n‑1子电路连接。有益效果：在连续时间线性均衡器结构功能不变的前提下，设计的偏置电路用于调节均衡器的静态偏置电流，实现均衡器功耗可调节。

Description

一种功耗可调节的连续时间线性均衡器
技术领域
本发明涉及集成电路设计技术领域，具体来说，涉及一种功耗可调节的连续时间线性均衡器。
背景技术
随着时代的发展，对有线电路功耗的要求越来越严苛，连续时间线性均衡器对于传输损耗较大的链路，改善接收端眼图性能必不可少，其功耗备受关注。
常用的连续时间线性均衡器结构确定后，其偏置电流为固定值，要调节功率损耗就需要调节供电电压。但是MOS晶体管开关有一定的导通电阻，流经的电流在开关上造成压降，压缩了电压的余量，所以需要较高的供电电压。因此为了降低功率损耗，提高能量利用率，如何设计可调节偏置电流成为关键。现有的可调节偏置电流电路是用电阻和MOS管组成恒流源，通过改变电阻阻值比例来改变MOS管栅极电压，从而改变电路偏置电流，实现偏置电流可调节。偏置电流可调节时，即实现了功耗可调节。
但是通过该方式调节电路偏置电流存在问题，偏置电流不能准确确定，会受工艺与温度的影响，电阻阻值比例的精确控制是有难度的，且对于所需驱动电流差异较大时或者需要实时变化就需要数模转换器或数字电位器，其设计会变得复杂也会带来额外的器件功耗。
针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
针对传统连续时间线性均衡器偏置电流固定或调节范围小、精度低、能量利用率低、难以实现物联网对连续时间线性均衡器低功耗、高效率及节能要求等问题，为了提高连续时间线性均衡器的能量利用率和提升调节偏置电流的精度，本发明提出一种功耗可调节的连续时间线性均衡器，该连续时间线性均衡器能够弥补传统连续时间线性均衡器功耗一定，能量利用率低的缺点，符合互联网的需求。
以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
为此，本发明采用的具体技术方案如下：
一种功耗可调节的连续时间线性均衡器，包括连续时间线性均衡器电路CTLE和与所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接的MOS管偏置电路Bias2，其中，所述MOS管偏置电路Bias2由A电路部分和与所述A电路部分连接的B电路部分组成，所述B电路部分由依次连接的若干子电路组成，若干所述子电路中的第一子电路依次与所述A电路部分及第二子电路连接，若干所述子电路中的第n子电路依次与所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接及所述第n-1子电路连接。
进一步的，所述A电路部分包括低频接口LB1、直流偏置电压接口VB、MOS管M0和MOS管M1，其中，所述低频接口LB1分别与所述MOS管M1的栅极、所述MOS管M0的漏极及所述B电路部分连接，所述直流偏置电压接口VB分别与所述MOS管M0的栅极及所述B电路部分连接，所述MOS管M0的源极与所述MOS管M1的漏极连接，所述MOS管M1的源极与所述B电路部分连接。
进一步的，所述第一子电路包括MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、接口Con x1及接口Con y1，其中，所述MOS管M2的栅极依次与所述直流偏置电压接口VB及所述第二子电路连接，所述MOS管M2的漏极分别与所述低频接口LB1及所述第二子电路连接，所述MOS管M2的源极与所述MOS管M3的漏极连接，所述MOS管M3的源极接地，所述MOS管M3的栅极依次与所述MOS管M4的源极及所述MOS管M5的漏极连接，所述MOS管M4的栅极与所述接口Con x1连接，所述MOS管M4的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管M5的栅极与所述接口Con y1连接，所述MOS管M5的源极依次与所述MOS管M1的源极及所述第二子电路连接。
进一步的，所述第二子电路包括MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、接口Con x2及接口Con y2，其中，所述MOS管M6的栅极依次与所述MOS管M2的栅极及所述第n-1子电路连接，所述MOS管M6的漏极分别与所述MOS管M2的漏极及所述第n-1子电路连接，所述MOS管M6的源极与所述MOS管M7的漏极连接，所述MOS管M7的源极接地，所述MOS管M7的栅极依次与所述MOS管M8的源极及所述MOS管M9的漏极连接，所述MOS管M8的栅极与所述接口Con x2连接，所述MOS管M8的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管M9的栅极与所述接口Con y2连接，所述MOS管M9的源极依次与所述MOS管M5的源极及所述第n-1子电路连接。
进一步的，所述第n子电路包括MOS管Mn、MOS管Mn+1、MOS管Mn+2、MOS管Mn+3、接口Con xn及接口Con yn，其中，所述MOS管Mn的栅极与所述MOS管M6的栅极连接，所述MOS管Mn的漏极分别与所述MOS管M6的漏极及所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接，所述MOS管Mn的源极与所述MOS管Mn+1的漏极连接，所述MOS管Mn+1的源极接地，所述MOS管Mn+1的栅极依次与所述MOS管Mn+2的源极及所述MOS管Mn+3的漏极连接，所述MOS管Mn+2的栅极与所述接口Con xn连接，所述MOS管Mn+2的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管Mn+3的栅极与所述接口Con yn连接，所述MOS管Mn+3的源极依次与所述MOS管M9的源极及所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接。
进一步的，所述连续时间线性均衡器电路CTLE包括MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、电阻RL1、电阻RL2、电阻RS、电容CL1、电容CL2、电容CS、电源输入Vin、电源输出Vout及电源正极VDD，其中，所述MOS管M10的栅极依次与所述MOS管M11的栅极及所述MOS管Mn的漏极连接，所述MOS管M10的源极依次与所述MOS管M11的源极及所述MOS管Mn+3的源极连接并接地，所述MOS管M10的漏极依次与所述电容CS的一端、所述电阻RS的一端及所述MOS管M12的源极连接，所述MOS管M11的漏极依次与所述电容CS的另一端、所述电阻RS的另一端及所述MOS管M13的源极连接，所述MOS管M12的栅极与所述MOS管M13的栅极分别均与所述电源输入Vin连接，所述MOS管M12的漏极依次与所述电源输出Vout、所述电阻RL1的一端及所述电容CL1的一端连接，所述MOS管M13的漏极依次与所述电源输出Vout、所述电阻RL2的一端及所述电容CL2的一端连接，所述电容CL1的另一端与所述电容CL2的另一端分别均接地，所述电阻RL1的另一端与所述电阻RL2的另一端分别均与所述电源正极VDD连接。
进一步的，所述MOS管M1与所述MOS管M10及所述MOS管M11的漏电流之比为所述MOS管M1与所述MOS管M10及所述MOS管M11的宽长比m。
进一步的，所述MOS管偏置电路Bias2中的偏置电流可调节最小电流量为mLB1/(n+1)，所述MOS管偏置电路Bias2中的偏置电流范围为mLB1/(n+1)-mLB1，且所述连续时间线性均衡器电路CTLE的功耗范围有n+1种。
本发明的有益效果为：
(1)、在连续时间线性均衡器结构功能不变的前提下，设计的偏置电路用于调节均衡器的静态偏置电流，实现均衡器功耗可调节。
(2)、一方面偏置电路中复制电流不受工艺与温度的影响，偏置电流可根据需要动态调节，减少由于偏置电流冗余带来的功耗浪费，使其连续时间线性均衡器在输出低功率时处于偏置电流较低的低功率模式状态，在输出高功率时工作在偏置电流较高的高功率模式状态，既提高了连续时间线性均衡器的平均效率，又能够保证连续时间线性均衡器能够正常工作.
(3)、另一方面，在需要偏置电流差异较大时，只需在B电路部分中增加相应的支路数，不仅电路结构简单，增加支路数也不会带来额外功耗且不会影响连续时间线性均衡器电路CTLE的零极点分布。
(4)、传统的连续时间线性均衡器要么偏置电流固定要么调节范围小和复杂度高。该功耗可调节的连续时间线性均衡器既为连续时间线性均衡器实行功耗的调节提供了可能，对于那些功率敏感、需要不同偏置电流的系统均适用，创造性的提出一种功耗可调节的连续时间线性均衡器提高了能量利用率，符合物联网对电子产品低功耗的要求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例的一种功耗可调节的连续时间线性均衡器的电路图。
图2是传统连续时间线性均衡器的电路图。
具体实施方式
为进一步说明各实施例，本发明提供有附图，这些附图为本发明揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点，图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
根据本发明的实施例，提供了一种功耗可调节的连续时间线性均衡器。
现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明，如图1所示，根据本发明实施例的功耗可调节的连续时间线性均衡器，包括连续时间线性均衡器电路CTLE和与所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接的MOS管偏置电路Bias2，其中，所述MOS管偏置电路Bias2由A电路部分和与所述A电路部分连接的B电路部分组成，所述B电路部分由依次连接的若干子电路组成，若干所述子电路中的第一子电路依次与所述A电路部分及第二子电路连接，若干所述子电路中的第n子电路依次与所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接及第n-1子电路连接。
借助于上述技术方案，针对传统连续时间线性均衡器偏置电流固定或调节范围小、精度低，能量利用率低，难以实现物联网对连续时间线性均衡器低功耗、高效率、节能要求等问题，提出了功耗可调节的连续时间线性均衡器，该连续时间线性均衡器能够弥补传统连续时间线性均衡器功耗一定，能量利用率低的缺点，符合互联网的需求。
在一个实施例中，对于上述A电路部分来说，所述A电路部分包括低频接口LB1、直流偏置电压接口VB、MOS管M0和MOS管M1，其中，所述低频接口LB1分别与所述MOS管M1的栅极、所述MOS管M0的漏极及所述B电路部分连接，所述直流偏置电压接口VB分别与所述MOS管M0的栅极及所述B电路部分连接，所述MOS管M0的源极与所述MOS管M1的漏极连接，所述MOS管M1的源极与所述B电路部分连接。
在一个实施例中，对于上述第一子电路来说，所述第一子电路包括MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、接口Con x1及接口Con y1，其中，所述MOS管M2的栅极依次与所述直流偏置电压接口VB及所述第二子电路连接，所述MOS管M2的漏极分别与所述低频接口LB1及所述第二子电路连接，所述MOS管M2的源极与所述MOS管M3的漏极连接，所述MOS管M3的源极接地，所述MOS管M3的栅极依次与所述MOS管M4的源极及所述MOS管M5的漏极连接，所述MOS管M4的栅极与所述接口Con x1连接，所述MOS管M4的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管M5的栅极与所述接口Con y1连接，所述MOS管M5的源极依次与所述MOS管M1的源极及所述第二子电路连接。
在一个实施例中，对于上述第二子电路来说，所述第二子电路包括MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、接口Con x2及接口Con y2，其中，所述MOS管M6的栅极依次与所述MOS管M2的栅极及所述第n-1子电路连接，所述MOS管M6的漏极分别与所述MOS管M2的漏极及所述第n-1子电路连接，所述MOS管M6的源极与所述MOS管M7的漏极连接，所述MOS管M7的源极接地，所述MOS管M7的栅极依次与所述MOS管M8的源极及所述MOS管M9的漏极连接，所述MOS管M8的栅极与所述接口Con x2连接，所述MOS管M8的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管M9的栅极与所述接口Con y2连接，所述MOS管M9的源极依次与所述MOS管M5的源极及所述第n-1子电路连接。
在一个实施例中，对于上述第n子电路来说，所述第n子电路包括MOS管Mn、MOS管Mn+1、MOS管Mn+2、MOS管Mn+3、接口Con xn及接口Con yn，其中，所述MOS管Mn的栅极与所述MOS管M6的栅极连接，所述MOS管Mn的漏极分别与所述MOS管M6的漏极及所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接，所述MOS管Mn的源极与所述MOS管Mn+1的漏极连接，所述MOS管Mn+1的源极接地，所述MOS管Mn+1的栅极依次与所述MOS管Mn+2的源极及所述MOS管Mn+3的漏极连接，所述MOS管Mn+2的栅极与所述接口Con xn连接，所述MOS管Mn+2的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管Mn+3的栅极与所述接口Con yn连接，所述MOS管Mn+3的源极依次与所述MOS管M9的源极及所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接。
在一个实施例中，对于上述连续时间线性均衡器电路CTLE来说，所述连续时间线性均衡器电路CTLE包括MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、电阻RL1、电阻RL2、电阻RS、电容CL1、电容CL2、电容CS、电源输入Vin、电源输出Vout及电源正极VDD，其中，所述MOS管M10的栅极依次与所述MOS管M11的栅极及所述MOS管Mn的漏极连接，所述MOS管M10的源极依次与所述MOS管M11的源极及所述MOS管Mn+3的源极连接并接地，所述MOS管M10的漏极依次与所述电容CS的一端、所述电阻RS的一端及所述MOS管M12的源极连接，所述MOS管M11的漏极依次与所述电容CS的另一端、所述电阻RS的另一端及所述MOS管M13的源极连接，所述MOS管M12的栅极与所述MOS管M13的栅极分别均与所述电源输入Vin连接，所述MOS管M12的漏极依次与所述电源输出Vout、所述电阻RL1的一端及所述电容CL1的一端连接，所述MOS管M13的漏极依次与所述电源输出Vout、所述电阻RL2的一端及所述电容CL2的一端连接，所述电容CL1的另一端与所述电容CL2的另一端分别均接地，所述电阻RL1的另一端与所述电阻RL2的另一端分别均与所述电源正极VDD连接。
在一个实施例中，对于上述MOS管M1来说，所述MOS管M1与所述MOS管M10及所述MOS管M11的漏电流之比为所述MOS管M1与所述MOS管M10及所述MOS管M11的宽长比m。
在一个实施例中，对于上述MOS管偏置电路Bias2来说，所述MOS管偏置电路Bias2中的偏置电流可调节最小电流量为mLB1/(n+1)，所述MOS管偏置电路Bias2中的偏置电流范围为mLB1/(n+1)-mLB1，且所述连续时间线性均衡器电路CTLE的功耗范围有n+1种。
工作原理：
1、传统连续时间线性均衡器电路：传统的连续时间均衡器偏置电流大小由前面电路固定给出，其功耗也是固定的，现连续时间线性均衡器也可实现功耗可调节，如图2所示，在图2中包括传统连续时间线性均衡电路CTLE和偏置电路。从中可以看出偏置电路是用电阻和MOS管组成的恒流源，通过改变电阻阻值比例来改变MOS管栅极电压，从而改变电路偏置电流，粗略实现动态调节偏置电流，使连续时间线性均衡器功耗可调节。采用图2的偏置电路偏置电流不能准确确定，会受工艺与温度的影响，电流可调节的范围小，精度低，不适用于偏置电流差异大的器件，而且电阻比例很难精确控制，电阻的版图面积也较大，不符合互联网需求。
2、功耗可调节的连续时间线性均衡器：我们提出了一种功耗可调节的连续时间线性均衡器来解决传统连续时间线性均衡器功耗不可调节或调节范围小的问题。图1由传统连续时间线性均衡器电路CTLE和MOS管偏置电路构成。在保证所有MOS管均工作在饱和区下，LB1总电流固定时，偏置电路即Bias2其功耗是固定的，而CTLE功耗是随其偏置电流近似成线性变化的，调节偏置电流即实现了连续时间线性均衡器的功耗可调节。在图1的CTLE中的M10管、M11管的漏电流提供连续时间线性均衡器的偏置电流，因此可通过调节两管的漏电流来调节均衡器的功耗。
在图1中，MOS管M1分别和MOS管M10、MOS管M11管构成共源共栅结构的电流镜。M1和M10、M11的漏电流之比为它们的宽长比m。例如当m＝2时，M10管、M11管的漏电流均为M1的两倍。LB1总电流流向A和B两部分，A电路部分电流随着B电路部分支路数变化而变化。B电路部分支路数n决定了偏置电流可调节最小电流量为mLB1/(n+1)，整个偏置电路的偏置电流范围为mLB1/(n+1)-mLB1，从而连续时间线性均衡器功耗范围有n+1种。
Con xl和Con yl控制B电路的第l(0<l<n+1)条支路的工作状态。比如Con x2为高电平，Con y2为低电平时，第2条支路导通；当Con x2为低电平，Con y2为高电平时，第2条支路关闭从而不会瓜分LB1总电流。我们可根据需要提供的偏置电流差异的大小和需要调节的电流精度确定B电路部分的支路数n。确定n值后，根据具体需要提供的偏置电流大小，通过调节Con xl、Con yl控制B部分第l条支路数的开关。比如需要的偏置电流为mLB1/(k+1)，则共将B的k条支路打开，n-k条支路关闭。该电路可针对连续时间线性均衡器不同环境情况，设定不同的偏置电流大小，既满足复杂多变的环境特性，使所设计的连续时间线性均衡器恰好能满足要求，又可以减少固定偏置电流带来的冗余，增加B电路部分的支路数不会增加额外的功耗，很大程度上可节省功耗，提高能量利用率。
综上所述，借助于本发明的上述技术方案，在连续时间线性均衡器结构功能不变的前提下，设计的偏置电路用于调节均衡器的静态偏置电流，实现均衡器功耗可调节。一方面偏置电路中复制电流不受工艺与温度的影响，偏置电流可根据需要动态调节，减少由于偏置电流冗余带来的功耗浪费，使其连续时间线性均衡器在输出低功率时处于偏置电流较低的低功率模式状态，在输出高功率时工作在偏置电流较高的高功率模式状态，既提高了连续时间线性均衡器的平均效率，又能够保证连续时间线性均衡器能够正常工作；另一方面，在需要偏置电流差异较大时，只需在B电路部分中增加相应的支路数，不仅电路结构简单，增加支路数也不会带来额外功耗且不会影响连续时间线性均衡器电路CTLE的零极点分布。传统的连续时间线性均衡器要么偏置电流固定要么调节范围小和复杂度高。该功耗可调节的连续时间线性均衡器既为连续时间线性均衡器实行功耗的调节提供了可能，其应用又不仅仅局限于本实例，对于那些功率敏感、需要不同偏置电流的系统均适用，创造性的提出一种功耗可调节的连续时间线性均衡器提高了能量利用率，符合物联网对电子产品低功耗的要求。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种功耗可调节的连续时间线性均衡器，其特征在于，包括连续时间线性均衡器电路CTLE和与所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接的MOS管偏置电路Bias2，其中，所述MOS管偏置电路Bias2由A电路部分和与所述A电路部分连接的B电路部分组成，所述B电路部分由依次连接的若干子电路组成，若干所述子电路中的第一子电路依次与所述A电路部分及第二子电路连接，若干所述子电路中的第n子电路依次与所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接及第n-1子电路连接；
所述A电路部分包括低频接口LB1、直流偏置电压接口VB、MOS管M0和MOS管M1，其中，所述低频接口LB1分别与所述MOS管M1的栅极、所述MOS管M0的漏极及所述B电路部分连接，所述直流偏置电压接口VB分别与所述MOS管M0的栅极及所述B电路部分连接，所述MOS管M0的源极与所述MOS管M1的漏极连接，所述MOS管M1的源极与所述B电路部分连接；
所述第一子电路包括MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、接口Con x1及接口Con y1，其中，所述MOS管M2的栅极依次与所述直流偏置电压接口VB及所述第二子电路连接，所述MOS管M2的漏极分别与所述低频接口LB1及所述第二子电路连接，所述MOS管M2的源极与所述MOS管M3的漏极连接，所述MOS管M3的源极接地，所述MOS管M3的栅极依次与所述MOS管M4的源极及所述MOS管M5的漏极连接，所述MOS管M4的栅极与所述接口Con x1连接，所述MOS管M4的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管M5的栅极与所述接口Con y1连接，所述MOS管M5的源极依次与所述MOS管M1的源极及所述第二子电路连接；
所述第二子电路包括MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、接口Con x2及接口Con y2，其中，所述MOS管M6的栅极依次与所述MOS管M2的栅极及所述第n-1子电路连接，所述MOS管M6的漏极分别与所述MOS管M2的漏极及所述第n-1子电路连接，所述MOS管M6的源极与所述MOS管M7的漏极连接，所述MOS管M7的源极接地，所述MOS管M7的栅极依次与所述MOS管M8的源极及所述MOS管M9的漏极连接，所述MOS管M8的栅极与所述接口Con x2连接，所述MOS管M8的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管M9的栅极与所述接口Con y2连接，所述MOS管M9的源极依次与所述MOS管M5的源极及所述第n-1子电路连接；
所述第n子电路包括MOS管Mn、MOS管Mn+1、MOS管Mn+2、MOS管Mn+3、接口Con xn及接口Con yn，其中，所述MOS管Mn的栅极与所述MOS管M6的栅极连接，所述MOS管Mn的漏极分别与所述MOS管M6的漏极及所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接，所述MOS管Mn的源极与所述MOS管Mn+1的漏极连接，所述MOS管Mn+1的源极接地，所述MOS管Mn+1的栅极依次与所述MOS管Mn+2的源极及所述MOS管Mn+3的漏极连接，所述MOS管Mn+2的栅极与所述接口Con xn连接，所述MOS管Mn+2的漏极与所述MOS管M1的栅极连接，所述MOS管Mn+3的栅极与所述接口Con yn连接，所述MOS管Mn+3的源极依次与所述MOS管M9的源极及所述连续时间线性均衡器电路CTLE连接；
所述连续时间线性均衡器电路CTLE包括MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、电阻RL1、电阻RL2、电阻RS、电容CL1、电容CL2、电容CS、电源输入Vin、电源输出Vout及电源正极VDD，其中，所述MOS管M10的栅极依次与所述MOS管M11的栅极及所述MOS管Mn的漏极连接，所述MOS管M10的源极依次与所述MOS管M11的源极及所述MOS管Mn+3的源极连接并接地，所述MOS管M10的漏极依次与所述电容CS的一端、所述电阻RS的一端及所述MOS管M12的源极连接，所述MOS管M11的漏极依次与所述电容CS的另一端、所述电阻RS的另一端及所述MOS管M13的源极连接，所述MOS管M12的栅极与所述MOS管M13的栅极分别均与所述电源输入Vin连接，所述MOS管M12的漏极依次与所述电源输出Vout、所述电阻RL1的一端及所述电容CL1的一端连接，所述MOS管M13的漏极依次与所述电源输出Vout、所述电阻RL2的一端及所述电容CL2的一端连接，所述电容CL1的另一端与所述电容CL2的另一端分别均接地，所述电阻RL1的另一端与所述电阻RL2的另一端分别均与所述电源正极VDD连接。
2.根据权利要求1所述的一种功耗可调节的连续时间线性均衡器，其特征在于，所述MOS管M1与所述MOS管M10及所述MOS管M11的漏电流之比为所述MOS管M1与所述MOS管M10及所述MOS管M11的宽长比m。
3.根据权利要求2所述的一种功耗可调节的连续时间线性均衡器，其特征在于，所述MOS管偏置电路Bias2中的偏置电流可调节最小电流量为mLB1/(n+1)，所述MOS管偏置电路Bias2中的偏置电流范围为mLB1/(n+1)-mLB1，且所述连续时间线性均衡器电路CTLE的功耗范围有n+1种。
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