CN110021632A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了显示面板及其制造方法，所述显示面板包括：第一导电层，包括顺序地堆叠的第一层、第二层和第三层；以及第二导电层，在第一导电层上，并与第三层接触。第一层包括第一金属。第二层包括处于第一组成比的第一金属和氧。第三层包括处于第二组成比的第一金属和氧。第二组成比小于第一组成比。第三层的电导率比第二层的电导率高。第一组成比是第二层中的第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值。第二组成比是第三层中的第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值。

Description

显示面板及其制造方法
于2017年12月5日在韩国知识产权局提交的发明名称为“Display Panel andManufacturing Method Thereof(显示面板及其制造方法)”的第10-2017-0166158号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及显示面板及其制造方法。
背景技术
诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器的显示装置包括显示面板和多条信号线，显示面板包括显示图像的多个像素。每个像素可以包括接收数据信号的像素电极，并且像素电极可以连接到至少一个晶体管以接收数据信号。
在背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对发明的背景技术的理解，因此，它可以包含不形成对本领域普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
实施例针对一种显示面板，所述显示面板包括：第一导电层，包括顺序地堆叠的第一层、第二层和第三层；以及第二导电层，在第一导电层上，并与第三层接触。第一层包括第一金属。第二层包括处于第一组成比的第一金属和氧。第三层包括处于第二组成比的第一金属和氧。第一组成比与第二组成比彼此不同，并且第三层的电导率比第二层的电导率高。
第一组成比是第二层中的第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值。第二组成比是第三层中的第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值。第二组成比小于第一组成比。
第一组成比可以大于1.0且小于或等于2.0。第二组成比可以等于或大于0.8且小于或等于1.0。
第二层可以是非晶的，并且第三层可以是结晶的。
包括在第一层中的氧的原子百分比可以低于包括在第二层中的氧的原子百分比低。
显示面板还可以包括：基底，位于第一导电层下；以及下层，位于基底与第一导电层之间。第一导电层还可以包括位于第一层下的第四层和第五层。第五层可以位于第一层与第四层之间。第五层包括与第一金属不同的第二金属。第四层可以包括第一金属。第四层可以接触下层。
包括在第一层中的氧的原子百分比可以介于包括在第二层中的氧的原子百分比与包括在第四层中的氧的原子百分比之间。
第五层的厚度可以比第一层或第四层的厚度大。
第一金属可以是钛(Ti)。
显示面板还可以包括：绝缘层，位于第一导电层与第二导电层之间。绝缘层可以包括位于第一导电层上的接触孔。第三层可以包括第一部分和第二部分，第一部分与接触孔对应地定位并且不与绝缘层叠置，第二部分连接到第一部分并位于绝缘层与第二层之间。第二部分的厚度可以等于或小于第一部分的厚度。
第二部分的厚度可以相对于距第一部分的距离而逐渐地减小。
显示面板还可以包括位于第一导电层与第二导电层之间的绝缘层。绝缘层可以包括位于第一导电层上的接触孔。第三层可以位于与接触孔对应的区域处。
显示面板还可以包括：基底，位于第一导电层下；有源层，位于基底与第一导电层之间，并包括半导体材料；至少一个第一绝缘层，位于有源层与第一导电层之间；以及第二绝缘层，位于第一导电层与第二导电层之间。第一导电层可以通过包括在至少一个第一绝缘层中的第一接触孔电连接到有源层。第二导电层可以通过包括在第二绝缘层中的第二接触孔接触第三层。
实施例还针对一种显示面板，所述显示面板包括：第一导电层，包括第一层和设置在第一层上的第三层；第二导电层，位于第一导电层上；以及有机绝缘层，位于第一导电层与第二导电层之间。第一导电层还可以包括位于第一层与第三层之间的第二层。第一层可以包括第一金属。第二层和第三层可以包括第一金属和氧。第二层可以是非晶的，并且第三层可以是结晶的。
作为包括在第三层中的第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值的第二组成比小于作为包括在第二层中的第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值的第一组成比。
第一组成比可以大于1.0且小于或等于2.0。第二组成比可以等于或大于0.8且小于或等于1.0。
有机绝缘层包括接触孔。第三层可以包括第一部分和第二部分。第一部分可以与接触孔对应地定位而不与有机绝缘层叠置。第二部分可以连接到第一部分并位于有机绝缘层与第二层之间。第二部分的厚度可以小于第一部分的厚度。
第二部分的厚度可以相对于距第一部分的距离而逐渐减小。
实施例还针对一种显示面板，所述显示面板包括：第一导电层，包括顺序堆叠的第一层、第二层和第三层；以及第二导电层，位于第一导电层上，第二导电层接触第三层。第一层包括钛。第二层和第三层包括钛和氧。作为包括在第二层中的钛的原子百分比与氧的原子百分比的比值的第一组成比大于1.0。作为包括在第三层中的钛的原子百分比与氧的原子百分比的比值的第二组成比小于或等于1.0。
实施例还针对一种制造显示面板的方法，所述方法包括：在基底上形成包括第一绝缘层的多个层；在第一绝缘层上顺序地堆叠包括第一金属的第一层、第二层和第三层；在作为形成在第三层上的氧化层的第四层上涂覆有机材料，并执行光处理以在第四层上形成具有接触孔的钝化层；以及在氮气(N2)气氛中和预定温度下使钝化层固化以形成结晶的并且设置在第四层上的第五层，第四层是非晶的。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，对于本领域技术人员而言，特征将变得明显，在附图中：
图1示出了根据示例性实施例的显示装置的示意性平面布局图，
图2示出了设置在根据示例性实施例的显示装置的显示区域中的像素周围的剖视图，
图3示出了根据示例性实施例的显示装置的外围区域的剖视图，
图4示出了示出根据示例性实施例的显示装置的导电层的元素含量比(原子百分比)变化的曲线图，
图5示出了根据示例性实施例的显示装置的导电层的剖视图，
图6示出了通过使用傅里叶变换对图5中示出的图像的AA区域进行过滤的折射照片，
图7示出了示出根据示例性实施例的导电层之间的接触电阻与根据对比示例的导电层之间的接触电阻的曲线图，以及
图8、图9和图10是根据对应的示例性实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式体现，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达示例性实施方式。
在附图中，为了示出的清楚，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称为“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称为“在”另一层“下”时，该层可以直接在下面，或者也可以存在一个或更多个中间层。此外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终表示同样的元件。
此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上方”意味着位于对象部分上或下方，并且不一定意味着位于对象部分的基于重力方向的上侧上。
参照图1，根据示例性实施例的显示面板1000包括基底110，在平面图中，基底110包括作为显示图像的区域的显示区域DA和设置在显示区域DA外部的外围区域PA。外围区域PA可以不显示图像，或者可以根据需要而包括显示图像的区域。
基底110可以包括诸如塑料、金属薄膜和薄玻璃膜的绝缘材料。基底110可以是柔性基底或者可以是基本上刚性的基底。基底110可以包括单个层或多个层。当基底110包括多个层时，基底110可以包括包含诸如聚酰亚胺的聚合物的至少一个基体层以及包含氧化硅、氮化硅等的至少一个阻挡层。基体层和阻挡层可以交替地堆叠。
显示区域DA可以包括多个像素PX和多条信号线。显示区域DA可以在与x方向和y方向平行的表面上显示图像。像素PX可以包括至少一个开关元件和与所述至少一个开关元件连接的像素电极。开关元件可以是三端子元件，诸如集成在显示面板1000中的晶体管。像素电极可以通过至少一个开关元件选择性地接收数据信号。
外围区域PA可以包括诸如栅极驱动器400a和400b的电路、诸如电压传输线178的信号线、垫(pad，或称为“焊盘”)部110P等。
栅极驱动器400a和栅极驱动器400b可以设置在显示区域DA的左侧和右侧处的外围区域PA中。栅极驱动器400a和400b中的每个可以包括在与x方向近似平行的方向上顺序地布置的多个级(stage)。栅极驱动器400a和400b可以与设置在显示区域DA中的多条信号线和开关元件一起直接形成在基底110上。可以省略两个栅极驱动器400a和400b中的一个。
电压传输线178可以沿着显示区域DA的至少三个边缘(诸如左边缘、右边缘和上边缘)延伸。电压传输线178可以向显示区域DA传输诸如共电压ELVSS的预定电压。
垫部110P可以相对于显示区域DA设置在外围区域PA中的一侧(例如，下侧外围区域PA)处。垫部110P可以包括用于连接IC芯片、电路膜等的多个垫(pad，或称为“焊盘”)。设置在外围区域PA中的信号线的端部可以连接到垫部110P以接收信号。
参照剖视图，包括下导电层和上导电层的结构可以设置在显示面板1000的显示区域DA和/或外围区域PA中，下导电层包括顺序堆叠的至少三个层，并且上导电层设置在下导电层上并且与下导电层的最上层接触。图2示出了作为其中该结构设置在显示区域DA中的示例的像素PX的剖面结构，图3示出了作为其中该结构设置在外围区域PA中的示例的晶体管电路和信号线的剖面结构。
参照图1至图3，根据示例性实施例的显示面板1000可以包括设置在一个像素PX中的至少一个晶体管Tp、电容器Cst和至少一个发光二极管(LED)ED以及设置在外围区域PA中的至少一个晶体管Td。
详细地参照剖面结构，由多个层或单个层制成的阻挡层120可以设置在基底110上，并且多个有源图案130可以设置在阻挡层120上(这里，有源图案130可以被不同地称为有源层或有源图案)。多个有源图案130可以包括源区136和136d与漏区137和137d以及设置在彼此面对的源区136和136d与漏区137和137d之间的沟道区131和131d。有源图案130可以包括诸如非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等的半导体材料。有源图案130的诸如沟道区131和131d的部分可以保持半导体特性，诸如源区136和136d以及漏区137和137d的其它部分可以具有导电性。
第一绝缘层141可以设置在有源图案130上，并且包括栅电极155和155d的第一导电层以及第一电极155a可以设置在第一绝缘层141上。有源图案130以及与其叠置的栅电极155和155d可以形成晶体管Tp和Td中的相应的晶体管。设置在像素PX中的晶体管Tp可以包括沟道区131、源区136和漏区137以及与沟道区131叠置的栅电极155。设置在外围区域PA中的晶体管Td可以包括沟道区131d、源区136d和漏区137d以及与沟道区131d叠置的栅电极155d。晶体管Td可以包括在诸如栅极驱动器400a和400b的电路中。
第二绝缘层142可以设置在第一导电层和第一绝缘层141上，并且包括第二电极157的第二导电层可以设置在第二绝缘层142上。彼此叠置的第一电极155a和第二电极157以及位于其间的第二绝缘层142可以形成电容器Cst。第一电极155a可以连接到包括在像素PX中的另一晶体管的栅电极。在这种情况下，电容器Cst可以用于保持连接到第一电极155a的栅电极的电压。第二电极157可以接收诸如驱动电压的预定电压。
第三绝缘层160可以设置在第二导电层和第二绝缘层142上。
阻挡层120、第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160中的至少一个可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。第一绝缘层141、第二绝缘层142和第三绝缘层160中的一些或全部可以具有多个接触孔66、66d和67。
与上述下导电层对应的第三导电层170可以设置在第三绝缘层160上。第三导电层170可以包括多个连接电极172、176和177以及多条信号线171。多条信号线171可以包括诸如电压传输线178的传输各种信号或电压的信号线、传输数据电压的数据线和传输驱动电压的驱动电压线。
在显示区域DA中，连接电极176可以通过接触孔66电连接到晶体管Tp的源区136，连接电极177可以通过接触孔67电连接到晶体管Tp的漏区137。在外围区域PA中，连接电极172可以通过接触孔66d电连接到晶体管Td的源区136d。可以省略连接电极176。
第一导电层、第二导电层和第三导电层170中的至少一个可以包括导电材料，诸如铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)和钽(Ta)的金属和/或它们之中的至少两种的合金。
例如，根据本示例性实施例，第三导电层170可以包括用于优化显示面板1000的特性的多个层。第三导电层170可以包括在相对于基底110的上方向上顺序地堆叠的第一层170a、第二层170b、第三层170c、第四层170d和第五层170e。这里使用的前缀“第一”、“第二”等不意图限定层的堆叠次序，而是为了区分这些层，并且可以在具体实施方式的其它部分中或权利要求书中以其它方式使用前缀“第一”、“第二”等。
第三层170c、第四层170d和第五层170e可以共同地包括第一金属。第四层170d和第五层170e可以包括比第三层170c的氧的含量比高的含量比(例如，比第三层170c的氧的原子百分比高的原子百分比(at％))的氧。包括在第三层170c中的氧的原子百分比可以在第四层170d中包括的氧的原子百分比与第一层170a中包括的氧的原子百分比之间。第四层170d和第五层170e可以是通过氧化包括在第三层170c中的第一金属而形成的层。第四层170d可以包括第一组成比的第一金属和氧，第五层170e可以包括第二组成比的第一金属和氧。第一组成比和第二组成比可以彼此不同。第一组成比是包括在第四层170d中的第一金属的原子百分比相对于氧的原子百分比的比值(第一金属(at％)/氧(at％))。第二组成比是包括在第五层170e中的第一金属的原子百分比相对于氧的原子百分比的比值(第一金属(at％)/氧(at％))。
第五层170e可以具有比第四层170d的电导率高的电导率。第四层170d可以是非晶的，第五层170e可以是结晶的。第四层170d可以是通过自然氧化包括在第三层170c中的第一金属而产生的自然氧化层。第五层170e可以通过使第四层170d的一部分结晶来形成。将在下面对此进行更详细地说明。
第一金属可以包括钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)、钼(Mo)、钨(W)、钕(Nb)、金(Au)和其合金中的至少一种。例如，当第一金属是钛(Ti)时，第四层170d可以由氧化钛(TiOx，例如，x为0.5至1.0)制成，第五层170e可以是一氧化钛(TiOx，例如，x是1.0至1.25)，第五层170e可以具有比第四层170d的电导率高的电导率。
当第一金属是钛(Ti)时，第五层170e的晶体结构可以是立方结构。
当第一金属是钛(Ti)时，第二组成比可以小于第一组成比。详细地，第一组成比可以大于1.0(超过1.0)并且等于或小于2.0，第二组成比可以等于或大于0.8并且等于或小于1.0。
在第三导电层170的层之中，关于第五层170e的厚度占第四层170d和第五层170e的厚度之和的比例可以是50％或更大。例如，第四层170d和第五层170e的厚度之和可以是大约30埃至大约100埃。在这种情况下，第四层170d和第五层170e中的每层的厚度可以是大约15埃至大约50埃。
如上所述，具有比第三层170c的氧含量比(原子百分比)高的氧含量比的第四层170d和第五层170e可以设置在第三层170c上。在一些实施方式中，具有与第三层170c的组成比近似的组成比的第一层170a可以与另一下层直接接触。例如，如图2中所示，包括在连接电极176和177中的第一层170a可以与第三绝缘层160或晶体管Tp的源区136/漏区137直接接触。作为另一示例，如图3中所示，包括在连接电极172和信号线171中的第一层170a可以与第三绝缘层160或晶体管Td的源区136d直接接触。
第二层170b可以包括与第一金属不同的第二金属。第二金属可以包括铝(Al)或铝合金。第二金属的电导率可以高于第一金属的电导率。
第二层170b的厚度可以大于第一层170a或第三层170c的厚度。除非另有说明，否则术语“厚度”表示在与基底110的上表面垂直的方向(即z方向)上的厚度。
第一层170a和第三层170c可以防止与设置在第三导电层170上或下的其它层(例如，有源图案130、第三绝缘层160、或者下面描述的钝化层180和第四导电层190)反应并且/或者可以防止杂质渗透到第二层170b中，从而防止第三导电层170被腐蚀。因此，可以改善第三导电层170与其它层的接触特性。
作为第四绝缘层的钝化层180可以设置在第三导电层170和第三绝缘层160上。钝化层180可以具有暴露连接电极177的接触孔81、暴露连接电极172的接触孔82和暴露信号线171的接触孔88。接触孔88可以暴露信号线171的一部分(例如，信号线171的端部)以不被覆盖。钝化层180可以包括无机绝缘材料和/或诸如聚丙烯酰类树脂和聚酰亚胺类树脂的有机绝缘材料。钝化层180的上表面可以是基本平坦的。
包括像素电极191、连接构件192和接触辅助件198的第四导电层190可以设置在钝化层180上。
像素电极191可以设置在显示区域DA的每个像素PX中，并且可以通过接触孔81连接到连接电极177，从而接收数据电压。连接构件192可以设置在外围区域PA中，并且可以通过接触孔82连接到连接电极172，从而将晶体管Td电连接到另一电极或晶体管。接触辅助件198可以设置在外围区域PA中，并且可以通过接触孔88电连接到信号线171。接触辅助件198可以防止信号线171的未被钝化层180覆盖的端部的腐蚀，并可以辅助诸如IC芯片或印刷电路膜的凸块与信号线171之间的粘附。例如，信号线171的端部和接触辅助件198可以设置在图1中示出的垫部110P中。
作为示例，第四导电层190可以包括半透射导电材料或反射导电材料。
第四导电层190可以包括单个层或多个层。当第四导电层190包括多个层时，第四导电层190可以包括在相对于基底110的上方向上顺序堆叠的第一层190a、第二层190b和第三层190c。第二层190b可以包括例如银(Ag)，第一层190a和第三层190c可以包括例如ITO等。第一层190a和第三层190c可以防止第二层190b的腐蚀，并可以增加第四导电层190与另一层的粘附。
像素限定层350可以设置在钝化层180上。像素限定层350可以具有设置在像素电极191上的开口(也称为孔)51。可以在开口51中去除像素限定层350，使得像素电极191不被像素限定层350覆盖并被暴露。像素限定层350可以包括诸如聚丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂等的光敏有机材料。
发射层360可以设置在像素电极191上。发射层360可以包括在像素限定层350的开口51中被暴露的部分。发射层360可以包括有机发射材料或无机发射材料。
共电极270可以设置在发射层360上。共电极270也可以形成在像素限定层350上，从而连续地形成为遍及多个像素PX。共电极270可以包括例如导电透明材料。
每个像素PX中的像素电极191、发射层360和共电极270可以一起构成发光二极管(LED)ED。
覆盖层371和/或功能层372可以设置在共电极270上。覆盖层371可以通过折射率调节起到提高光效率的作用。功能层372可以通过防止下层的损坏而起到提高光效率的作用。可以在外围区域PA的至少一部分中省略功能层372和覆盖层371。例如，如图3的左侧和右侧中所示，覆盖层371可以仅设置在外围区域PA的一部分中，并且可以省略功能层372。如所示出的，例如，在图3的右侧处，在一些部分中可以省略覆盖层371和功能层372。
封装层380可以设置在功能层372和/或覆盖层371上。封装层380可以封装发光二极管(LED)ED，从而防止湿气或氧从外部渗透。封装层380可以包括包含无机材料的无机层381和383中的至少一个以及包含有机材料的至少一个有机层382。无机层381和383以及有机层382可以交替地堆叠。根据另一示例性实施例，封装层380可以是面向基底110的另一基底。
将参照图4至图7以及图1至图3来详细描述第三导电层170。
图4示出了表示包括在第三导电层170(包含作为第一金属的钛(Ti))的一部分和第四导电层190(包含银(Ag)和ITO)的一部分中的元素的含量比(at％)变化的曲线图。
参照图4，第三层170c的大部分由钛制成，并且从第三层170c至第四层170d和第五层170e以及第四导电层190的第一层190a和第二层190b，钛的原子百分比大体上减小。如这里使用的词语“大部分”表示超过整体的90％。从第三层170c至第四层170d和第五层170e，氧(O)的原子百分比大体上增高。例如，作为包括在第四层170d中的钛的原子百分比(at％)与氧的原子百分比(at％)的比值的第一组成比大于大约1.0(超过大约1.0)并且小于或等于大约2.0。作为包括在第五层170e中的钛的原子百分比(at％)与氧的原子百分比(at％)的比值的第二组成比大于或等于大约0.8并且小于或等于1.0或更小。
图5示出了根据示例性实施例的显示装置的导电层的剖面图像，图6示出了对图5中示出的图像的AA区域通过使用傅里叶变换进行过滤的折射照片。
如上所述，第四层170d是在包括在第三层170c中的钛被自然氧化时产生的自然氧化层。在图5中，可以确认第三层170c与第四层170d之间的边界。第五层170e是通过使第四层170d的作为钛的自然氧化层的部分结晶而形成的层。也可以确认第四层170d与第五层170e之间的边界。例如，如图6的折射照片中所示，结晶的第五层170e可以具有立方结构。
如图2和图3中示出的几个结构中所示，第三导电层170可以与作为另一导电层的第四导电层190接触，并传输电压。如果第三导电层170与第四导电层190之间的接触电阻高，则电压会降低，从而会产生显示器的故障。例如，会难以去除第三导电层170的作为自然氧化层的第四层170d并且会增加接触电阻。然而，根据示例性实施例，第五层170e可以设置在第四层170d与第四导电层190之间，从而减小接触电阻。可以在图7中示出的曲线图中确认该效果。
图7中示出的第一曲线Ga表示根据示例性实施例的结构中的第一金属为钛的第三导电层170与第四导电层190之间的接触电阻。作为对比示例，第二曲线Gr表示当不存在第三导电层170的第五层170e时第三导电层与第四导电层之间的接触电阻。由第二曲线Gr表示的电阻为大约80kΩ至大约110kΩ，由第一曲线Ga表示的电阻为大约1kΩ至大约15kΩ。在根据示例性实施例的结构中，可以发现，与对比示例的接触电阻相比，第三导电层170与第四导电层190之间的接触电阻降低了大约一百至几百倍。因此，根据示例性实施例，可以防止从第三导电层170传输到第四导电层190的电压的减小，从而减少显示器的缺陷。
现在，将参照图8至图10以及上述附图来描述包括在根据示例性实施例的显示面板中的第三导电层的结构。
图8至图10中示出的剖面结构示意性地表示第三导电层170和第四导电层190通过钝化层180的接触孔彼此接触的结构。例如，剖面结构可以是如上所述的图2和图3中示出的剖面结构，钝化层180的接触孔80可以是上述接触孔81、82和88中的一个。
参照图8，根据示例性实施例的第三导电层170A可以与上述示例性实施例的第三导电层170基本相同。然而，可以包括与第五层170e对应的第五层170e1。第五层170e1可以不设置在第三导电层170A的整个第四层170d上。相反，第五层170e1可以具有比第一层170a、第二层170b、第三层170c和第四层170d的平面面积小的平面面积。例如，第五层170e1可以基本设置在与接触孔80对应的区域中，而不位于设置在第三导电层170A上的钝化层180下。例如，第五层170e1可以几乎不设置在钝化层180与第四层170d之间，使得钝化层180和第四层170d在大部分区域中彼此直接接触。
参照图9，除了可以包括与图8的第五层170e1对应的第五层170e2之外，根据示例性实施例的第三导电层170B的大部分可以与上述第三导电层170相同。第五层170e2可以设置在第三导电层170B的第四层170d的大部分上。第五层170e2可以根据其位置而具有不同的厚度。例如，第五层170e2可以包括第一部分171e，第一部分171e设置在与接触孔80对应的区域中并且不与钝化层180叠置。第五层170e2还可以包括连接到第一部分171e并且设置在钝化层180与第四层170d之间以与钝化层180叠置的第二部分172e。第二部分172e的最大厚度D2可以小于第一部分171e的最大厚度D1。
接下来，参照图10，与图8中示出的第三导电层170A的第五层170e1相似，包括在根据示例性实施例的第三导电层170C中的第五层170e3可以形成在第三导电层170C的一部分处。第五层170e3可以包括第一部分173e，第一部分173e设置在与接触孔80对应的区域中，使得第一部分173e不与钝化层180叠置。连接到第一部分173e的第二部分174e可以设置在接触孔80附近，并且可以与钝化层180叠置。与如上所述的图8的第五层170e1相似，第一部分173e可以主要设置在与去除钝化层180的接触孔80对应的区域中。与图9的第五层170e2相似，第二部分174e可以设置在钝化层180与第四层170d之间，然而，其厚度可以根据其位置而变化。第一部分173e的厚度D3的大部分可以是恒定的。第二部分174e的厚度D4可以相对于距接触孔80的边缘的距离和距第一部分173e的距离而逐渐减小。第二部分174e的厚度D4可以小于第一部分173e的厚度D3。超过距接触孔80的边缘一定距离的区域则不存在第二部分174e，使得钝化层180和第四层170d可以在超过一定距离的区域中直接接触。
现在，将参照图8至图10以及图1至图3来描述根据示例性实施例的显示面板1000的制造方法，特别是第三导电层和钝化层180的制造方法。
在基底110上形成包括第三绝缘层160的若干层之后，可以在第三绝缘层160上顺序地堆叠第一层170a、第二层170b和第三层170c。在堆叠第三层170c之后，可以在第三层170c上形成作为自然氧化层的第四层170d。
可以在第四层170d上涂覆用于钝化层180的材料(例如，诸如聚酰亚胺类树脂的有机材料)，并且可以执行光处理以在钝化层180中形成多个接触孔80、81、82和88。在用于钝化层180的固化工艺中，可以使第四层170d的至少部分结晶，从而形成根据示例性实施例的第五层170e、170e1、170e2和170e3。可以例如在大约150度(℃)至大约400度(℃)的氮气(N2)气氛下执行钝化层180的固化工艺。
根据示例性实施例的显示装置(例如，诸如各种平板电脑、移动电话、电视机和头戴式显示装置的各种显示装置)可以包括根据上述若干示例性实施例的显示面板1000。
通过总结和回顾，显示面板可以包括堆叠在基底上的多个层。多个层包括各种导电层和各种绝缘层。彼此不同的导电层可以彼此接触以连接彼此不同的电气元件，从而将电气元件彼此电连接。
实施例可以通过减小不同导电层之间的接触电阻来防止电压被减小。
这里已经公开了示例实施例，并且虽然采用了特定术语，但是它们仅以一般性和描述性的含义来被使用并将被解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，自本申请提交之时起，对于本领域普通技术人员将明显的是，除非另外具体地指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如在权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
第一导电层，包括顺序堆叠的第一层、第二层和第三层；以及
第二导电层，设置在所述第一导电层上，并与所述第三层接触，
其中，所述第一层包括第一金属，
所述第二层包括处于第一组成比的所述第一金属和氧，
所述第三层包括处于第二组成比的所述第一金属和氧，
所述第一组成与所述第二组成比彼此不同，并且
所述第三层的电导率比所述第二层的电导率高。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述第一组成比是所述第二层中的所述第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值，
所述第二组成比是所述第三层中的所述第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值，并且
所述第二组成比小于所述第一组成比。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述第一组成比大于1.0且小于或等于2.0，并且
所述第二组成比等于或大于0.8且小于或等于1.0。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述第二层是非晶的，并且所述第三层是结晶的。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
包括在所述第一层中的氧的原子百分比低于包括在所述第二层中的氧的原子百分比。
6.根据权利要求5所述的显示面板，所述显示面板还包括：
基底，位于所述第一导电层下；以及
下层，位于所述基底与所述第一导电层之间，
所述第一导电层还包括位于所述第一层下的第四层和第五层，
所述第五层位于所述第一层与所述第四层之间，
所述第五层包括与所述第一金属不同的第二金属，
所述第四层包括所述第一金属，并且
所述第四层接触所述下层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，
包括在所述第一层中的氧的所述原子百分比介于包括在所述第二层中的氧的所述原子百分比与包括在所述第四层中的氧的原子百分比之间。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其中，
所述第五层的厚度比所述第一层或所述第四层的厚度大。
9.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述第一金属是钛。
10.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括：
绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，
其中，所述绝缘层包括位于所述第一导电层上的接触孔，
所述第三层包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述接触孔对应地定位并且不与所述绝缘层叠置，所述第二部分连接到所述第一部分并位于所述绝缘层与所述第二层之间，并且
所述第二部分的厚度等于或小于所述第一部分的厚度。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，
所述第二部分的所述厚度相对于距所述第一部分的距离而逐渐地减小。
12.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括：
绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，
其中，所述绝缘层包括位于所述第一导电层上的接触孔，并且
所述第三层位于与所述接触孔对应的区域处。
13.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
基底，位于所述第一导电层下；
有源层，位于所述基底与所述第一导电层之间，所述有源层包括半导体材料；
至少一个第一绝缘层，位于所述有源层与所述第一导电层之间；以及
第二绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，
其中，所述第一导电层通过包括在所述至少一个第一绝缘层中的第一接触孔电连接到所述有源层，并且
所述第二导电层通过包括在所述第二绝缘层中的第二接触孔接触所述第三层。
14.一种显示面板，所述显示面板包括：
第一导电层，包括第一层和设置在所述第一层上的第三层；
第二导电层，位于所述第一导电层上；以及
有机绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，
其中，所述第一导电层还包括位于所述第一层与所述第三层之间的第二层，
所述第一层包括第一金属，
所述第二层和所述第三层包括所述第一金属和氧，
所述第二层是非晶的，并且所述第三层是结晶的。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，
作为包括在所述第三层中的所述第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值的第二组成比小于作为包括在所述第二层中的所述第一金属的原子百分比与氧的原子百分比的比值的第一组成比。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其中，
所述第一组成比大于1.0且小于或等于2.0，并且
所述第二组成比等于或大于0.8且小于或等于1.0。
17.根据权利要求14所述的显示面板，其中，
所述有机绝缘层包括接触孔，
所述第三层包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述接触孔对应地定位而不与所述有机绝缘层叠置，所述第二部分连接到所述第一部分并位于所述有机绝缘层与所述第二层之间，并且
所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，
所述第二部分的所述厚度相对于距所述第一部分的距离而逐渐减小。
19.一种显示面板，所述显示面板包括：
第一导电层，包括顺序堆叠的第一层、第二层和第三层；以及
第二导电层，位于所述第一导电层上，所述第二导电层接触所述第三层，其中，所述第一层包括钛，
所述第二层和所述第三层包括钛和氧，
作为包括在所述第二层中的钛的原子百分比与氧的原子百分比的比值的第一组成比大于1.0，并且
作为包括在所述第三层中的钛的原子百分比与氧的原子百分比的比值的第二组成比小于或等于1.0。
20.一种制造显示面板的方法，所述方法包括：
在基底上形成包括第一绝缘层的多个层；
在所述第一绝缘层上顺序地堆叠包括第一金属的第一层、第二层和第三层；
在作为形成在所述第三层上的氧化层的第四层上涂覆有机材料，并执行光处理以在所述第四层上形成具有接触孔的钝化层；以及
在氮气气氛中和预定温度下使所述钝化层固化以形成结晶的并且设置在所述第四层上的第五层，所述第四层是非晶的。
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