CN110010799A - 制造显示装置的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及制造显示装置的装置和方法，用于制造显示装置的装置包括腔室、头部单元、基座单元、清洁气体供给单元和清洁气体喷射单元，其中：头部单元配置成向腔室的内部供给工艺气体和清洁气体，头部单元具有临时存储工艺气体或清洁气体的存储空间，并且头部单元包括喷嘴，其中，喷嘴连接到存储空间并且配置成将工艺气体或清洁气体从存储空间引导到腔室的内部；基座单元布置成面向头部单元，并且在基座单元上可放置衬底；清洁气体供给单元连接到头部单元，并且配置成对清洁气体进行等离子体化并将被等离子体化的清洁气体供给到头部单元；清洁气体喷射单元连接到清洁气体供给单元，并且配置成将清洁气体供给到存储空间的至少两个部分。

Description

制造显示装置的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年1月5日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0001682号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
实施方式的各方面涉及制造显示装置的装置和方法。
背景技术
便携式电子装置已被广泛使用。便携式电子装置可包括紧凑型电子装置，诸如移动电话。近来，平板PC正在被广泛使用。
为了支持各种功能，便携式电子装置包括用于向用户提供诸如静止图像或视频的视觉信息的显示装置。近来，随着用于操作显示装置的各种部件被小型化，显示装置在电子装置中所占的部分逐渐增加。而且，已经开发出能够使处于平坦状态的显示装置弯曲的结构。
通常，在制造显示装置时，在沉积工艺期间，工艺气体可能吸附在用于制造显示装置的装置内部。在这种情况下，执行清洁工艺以去除吸附在显示装置制造装置内部的工艺气体。然而，可能无法在整个显示装置制造装置内部均匀地执行清洁工艺。
发明内容
根据实施方式的一方面，提供了可均匀地执行清洁工艺的制造显示装置的装置和方法。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践所呈现的实施方式而习得。
根据一个或多个实施方式，用于制造显示装置的装置包括腔室、头部单元、基座单元、清洁气体供给单元和清洁气体喷射单元，其中：头部单元配置成向腔室的内部供给工艺气体和清洁气体，头部单元具有临时存储工艺气体或清洁气体的存储空间，并且头部单元包括喷嘴，其中，喷嘴连接到存储空间并且配置成将工艺气体或清洁气体从存储空间引导到腔室的内部；基座单元布置成面向头部单元，并且在基座单元上可放置衬底；清洁气体供给单元连接到头部单元，并且配置成对清洁气体进行等离子体化并将被等离子体化的清洁气体供给到头部单元；清洁气体喷射单元连接到清洁气体供给单元，并且配置成将清洁气体供给到存储空间的至少两个部分。
清洁气体喷射单元可包括第一清洁气体喷射单元和第二清洁气体喷射单元，其中，第一清洁气体喷射单元连接到清洁气体供给单元并且配置成将清洁气体供给到头部单元的中心部，第二清洁气体喷射单元连接到清洁气体供给单元并且配置成将清洁气体供给到头部单元的从其中心部偏离的部分。
第一清洁气体喷射单元可包括孔口单元，其中，清洁气体经过孔口单元。
清洁气体从其中经过的、孔口单元的具有最小面积的部分的直径可比第二清洁气体喷射单元的直径小。
第二清洁气体喷射单元可包括多个第二清洁气体喷射单元，并且多个第二清洁气体喷射单元中的至少两个可相对于第一清洁气体喷射单元对称地布置。
清洁气体喷射单元可包括扩散板，扩散板布置在喷射孔中，其中，清洁气体通过该喷射孔朝向存储空间喷射。
扩散板可将清洁气体引导到清洁气体喷射单元的喷射孔的侧表面。
清洁气体喷射单元可包括清洁气体引导路径和喷射孔，其中，清洁气体引导路径对由清洁气体供给单元供给的清洁气体进行引导，喷射孔连接到清洁气体引导路径，其中，清洁气体通过喷射孔朝向存储空间喷射。
清洁气体引导路径和喷射孔可在彼此不同的方向上引导清洁气体。
喷射孔的与清洁气体引导路径的使清洁气体引导路径与喷射孔彼此连接的部分对应的内表面可为弯曲表面。
用于制造显示装置的装置还可包括传感器单元，传感器单元布置在腔室的外部并且配置成在清洁气体的注射期间检测腔室中的清洁气体的反应。
可基于由传感器单元测量到的值来控制清洁气体供给单元的操作。
根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：将显示衬底装载在腔室中并且在显示衬底上沉积工艺气体；从腔室取出其上沉积有工艺气体的显示衬底；以及通过经由头部单元朝向腔室的内部注射被等离子体化的清洁气体来清洁腔室，其中，清洁气体沿至少两个路径供给到头部单元的存储空间。
清洁气体的一部分可被供给到头部单元的中心部，并且清洁气体的另一部分可被供给到头部单元的从头部单元的中心部偏离的部分。
清洁气体可倾斜地供给到头部单元的存储空间。
制造显示装置的方法还可包括：对从腔室的外部供给的清洁气体进行等离子体化。
制造显示装置的方法还可包括：通过将工艺气体供给到头部单元来涂覆头部单元和腔室。
制造显示装置的方法还可包括：检测腔室中的清洁气体的反应。
根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：对清洁气体进行等离子体化并将等离子体化的清洁气体供给到头部单元；沿至少两个路径将清洁气体供给到头部单元的存储空间；以及通过头部单元将清洁气体供给到腔室的内部。
清洁气体可在头部单元外部被等离子体化并被供给到头部单元。
清洁气体的一部分可被供给到头部单元的中心部，并且清洁气体的另一部分可被供给到头部单元的从头部单元的中心部偏离的部分。
清洁气体可倾斜地供给到头部单元的存储空间。
制造显示装置的方法还可包括：向电极单元施加电压。
制造显示装置的方法还可包括：检测在腔室中进行反应的清洁气体产生的光的波长。
制造显示装置的方法还可包括：根据在腔室中进行反应的清洁气体产生的光的波长来停止清洁气体的供给。
制造显示装置的方法还可包括：通过将工艺气体供给到头部单元来涂覆头部单元和腔室。
制造显示装置的方法还可包括：将腔室中的气体抽吸到外部。
根据一个或多个实施方式，用于制造显示装置的装置包括腔室、头部单元、基座单元、清洁气体供给单元、第一清洁气体喷射单元和第二清洁气体喷射单元，其中，头部单元配置成向腔室的内部供给工艺气体和清洁气体，头部单元具有临时存储工艺气体或清洁气体的存储空间，并且头部单元包括喷嘴，其中，喷嘴连接到存储空间并且配置成将工艺气体或清洁气体从存储空间引导到腔室的内部；基座单元布置成面向头部单元，并且在基座单元上可放置衬底；清洁气体供给单元连接到头部单元并且配置成对清洁气体进行等离子体化并将被等离子体化的清洁气体供给到头部单元；第一清洁气体喷射单元连接到清洁气体供给单元并且配置成将清洁气体供给到存储空间的中心部；第二清洁气体喷射单元连接到清洁气体供给单元并且配置成将清洁气体供给到存储空间的与第一清洁气体喷射单元将清洁气体供给至的中心部不同的部分。
这些一般实施方式和特定实施方式可通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。
附图说明
通过下文结合附图对一些实施方式的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见且更容易理解，在附图中：
图1为根据实施方式的用于制造显示装置的装置的剖视图；
图2为图1中所示的头部单元、清洁气体供给单元和清洁气体喷射单元的剖视图；
图3为图2中所示的孔口单元的剖视图；
图4为图2中所示的第一喷射孔的剖视图；
图5为根据实施方式的由图1中所示的用于制造显示装置的装置制造的显示装置的平面图；以及
图6为沿图5的线A-A截取的剖视图。
具体实施方式
参照用于示出本公开一些实施方式的附图，以获得对于本公开、本公开的优点以及通过本公开的实施而完成的方面的充分理解。
在本文中，将通过参照附图对本公开一些实施方式进行解释来进一步详细地描述本公开。在附图中，相同的附图标记表示相同的元件，并且冗余解释可被省略。
应理解，虽然“第一”、“第二”等的措辞可在本文中用于描述各种部件，但是这些部件不应受这些措辞的限制。这些措辞用于将一个部件与另一部件区分开。
除非上下文中另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”旨在也包括复数形式。
还应理解，本文中所使用的措辞“包括”和/或“包括有”是指所陈述的特征或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征或部件的存在或添加。
应理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，该层、区域或部件可直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可存在一个或多个中间的层、区域或部件。
为了解释的便利，附图中的部件的尺寸可被夸大。换言之，由于附图中的部件的尺寸和厚度可为了解释的便利而被任意地示出，所以下面的实施方式不限于此。
在下面的实例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以以更广泛的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示不彼此垂直的不同方向。
当特定实施方式可以以不同方式实现时，具体工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
图1为根据实施方式的用于制造显示装置的装置100的剖视图；图2为图1中所示的头部单元120、清洁气体供给单元150和清洁气体喷射单元160的剖视图；图3为图2中所示的孔口单元161D的剖视图；以及图4为图2中所示的第一喷射孔161B的剖视图。
参照图1至图4，根据本实施方式的用于制造显示装置的装置100可包括腔室110、头部单元120、基座单元130、工艺气体供给单元140、清洁气体供给单元150、清洁气体喷射单元160、电极单元170、传感器单元180和压力控制单元190。
腔室110可具有带有开口部的内部空间，其中，显示衬底D可通过该开口部转移到腔室110中或者从腔室110转移出。闸阀111布置在腔室110的开口部中，以开启/关闭腔室110的开口部。
头部单元120布置在腔室110中，以将工艺气体和清洁气体供给到腔室110的内部。头部单元120可设置有用于存储工艺气体或清洁气体的存储空间123。头部单元120可包括头部本体单元121，其中，头部本体单元121连接到工艺气体供给单元140和清洁气体供给单元150两者。此外，头部单元120可包括喷嘴单元122，其中，喷嘴单元122联接到清洁气体供给单元150和工艺气体供给单元140、将存储空间123与腔室110的内部连接并喷射工艺气体或清洁气体。
基座单元130可布置成面向头部单元120。显示衬底D可放置在基座单元130上，其中，基座单元130能够在腔室110中上下移动。在实施方式中，基座单元130可调节显示衬底D的温度或者向显示衬底D施加特定电压。在一些实施方式中，基座单元130可连接到外部接地。在下面的描述中，为了解释的便利，主要对基座单元130连接到外部接地的情况进行描述。
工艺气体供给单元140可布置在腔室110的外部，并且可连接到头部单元120。工艺气体供给单元140可将工艺气体供给到头部单元120的存储空间123。在这种情况下，工艺气体可被供给到头部单元120以形成非晶硅(a-Si)膜、硅氮化物(SiNx)膜、硅氧化物(SiOx)膜。例如，工艺气体可包括硅烷(SiH4)气体、氢气(H2)气体、氨气(NH3)气体和包含掺杂剂元素的气体中的任一种。此外，工艺气体可包括载体气体，诸如氩气(Ar)气体、氦气(He)气体或氮气(N2)气体。工艺气体的选择可能影响待通过工艺气体形成的膜的类型。在下面的描述中，为了解释的便利，主要对工艺气体包括硅烷和氮气气体的情况进行描述。
在实施方式中，工艺气体供给单元140可包括多个工艺气体供给单元。在这种情况下，由于每种工艺气体被单独容纳且工艺气体供给单元140被连接到头部单元120，所以每种工艺气体可被独立地供给到头部单元120。
工艺气体供给单元140可包括工艺气体存储单元141和工艺气体引导路径142，其中，工艺气体存储单元141用于存储工艺气体，工艺气体引导路径142将工艺气体存储单元141与头部单元120连接并引导工艺气体从工艺气体存储单元141流到头部单元120的存储空间123。在实施方式中，工艺气体供给单元140可包括工艺气体泵143和工艺气体截止阀144，其中，工艺气体泵143布置在工艺气体引导路径142上以允许工艺气体流动，工艺气体截止阀144用于停止或重新开启工艺气体穿过工艺气体引导路径142的流动。
除了工艺气体供给单元140以外，清洁气体供给单元150可连接到头部单元120。清洁气体供给单元150可将清洁气体供给到头部单元120。在实施方式中，清洁气体供给单元150可对清洁气体进行等离子体化并将其供给到头部单元120。在实施方式中，清洁气体可包括三氟化氮(NF3)。
清洁气体供给单元150可包括用于存储清洁气体的清洁气体存储单元151。清洁气体供给单元150可包括清洁气体供给路径152，其中，清洁气体供给路径152将清洁气体存储单元151连接到头部单元120并引导清洁气体从清洁气体存储单元151流到头部单元120。此外，清洁气体供给单元150可包括等离子体生成单元153，其中，等离子体生成单元153布置在清洁气体供给路径152上并对清洁气体进行等离子体化。清洁气体供给单元150可包括绝缘单元154，其中，绝缘单元154布置在清洁气体供给路径152的至少一部分处。清洁气体供给单元150可包括清洁气体泵155和清洁气体截止阀156，其中，清洁气体泵155布置在清洁气体供给路径152上以允许清洁气体流动，清洁气体截止阀156用于停止或重新开启清洁气体穿过清洁气体供给路径152的流动。
等离子体生成单元153可具有内部空间，其中，在该内部空间中可布置有电极(未示出)。等离子体生成单元153可布置在腔室110的外部。当清洁气体经过等离子体生成单元153时，向电极施加高电压，并因此，可将清洁气体等离子体化。清洁气体供给路径152可引导被等离子体生成单元153等离子体化的清洁气体流向头部单元120。在实施方式中，绝缘单元154可使等离子体生成单元153绝缘并且使清洁气体供给路径152与头部单元120绝缘。
清洁气体喷射单元160可布置在头部单元120中。具体地，清洁气体喷射单元160可插入头部本体单元121中。清洁气体喷射单元160可将从清洁气体供给单元150供给的清洁气体供给到存储空间123的至少两个不同的部分。例如，清洁气体喷射单元160可将清洁气体供给到存储空间123的中心部以及存储空间123的非中心部的部分。
如上配置的清洁气体喷射单元160可包括第一清洁气体喷射单元161，其中，第一清洁气体喷射单元161连接到清洁气体供给单元150并将清洁气体供给到存储空间123的中心部。此外，清洁气体喷射单元160可包括第二清洁气体喷射单元162，其中，第二清洁气体喷射单元162连接到清洁气体供给单元150并将清洁气体供给到存储空间123的非存储空间123的中心部的部分。在实施方式中，第二清洁气体喷射单元162可包括多个第二清洁气体喷射单元。第二清洁气体喷射单元162中的至少两个可相对于第一清洁气体喷射单元161对称地布置。此外，第二清洁气体喷射单元162可绕第一清洁气体喷射单元161以特定角度布置。在实施方式中，第二清洁气体喷射单元162中的每个可布置在距第一清洁气体喷射单元161相同距离处。第二清洁气体喷射单元162可布置成在图1的X方向和Y方向中的一个方向上与第一清洁气体喷射单元161相隔开。
第一清洁气体喷射单元161可包括第一清洁气体引导路径161A，其中，第一清洁气体引导路径161A连接到清洁气体供给路径152。第一清洁气体喷射单元161可包括第一喷射孔161B，其中，第一喷射孔161B连接到第一清洁气体引导路径161A并且将清洁气体喷射到头部单元120的存储空间123中。此外，第一清洁气体喷射单元161可包括第一扩散板161C，其中，第一扩散板161C布置在第一喷射孔161B中。第一清洁气体喷射单元161可包括孔口单元161D，其中，孔口单元161D布置在第一清洁气体引导路径161A中并且调节清洁气体的流量。
第一扩散板161C可布置在第一喷射孔161B中以扩散经由第一喷射孔161B喷射的清洁气体。第一扩散板161C可引导清洁气体流向第一喷射孔161B的边缘部。在实施方式中，第一扩散板161C可具有形成为高于其它部分的中心部。在实施方式中，第一扩散板161C可形成为从中心部朝向两端倾斜。在这种情况下，经由第一喷射孔161B喷射的清洁气体可在倾斜地朝向存储空间123的方向上从第一喷射孔161B的中心朝向第一喷射孔161B的边缘部倾斜地流动。
第一扩散板161C可具有各种形状中的任一种，例如，半球形形状、椭圆形形状的一部分或三角棱锥形形状。在下面的描述中，为了解释的便利，主要对第一扩散板161C具有椭圆形形状的一部分的情况进行讨论。
孔口单元161D可减小经过第一清洁气体引导路径161A的清洁气体的流量。孔口单元161D可具有相对于清洁气体的流动方向增大或减小的孔口单元161D的内直径D1或者清洁气体在其中经过的面积或直径。在这种情况下，与其它部分相比，孔口单元161D的中心部的内直径D1可为最小的。
第二清洁气体喷射单元162可包括第二清洁气体引导路径162A，其中，第二清洁气体引导路径162A连接到清洁气体供给路径152。第二清洁气体喷射单元162可包括第二喷射孔162B，其中，第二喷射孔162B连接到第二清洁气体引导路径162A。此外，第二清洁气体喷射单元162可包括第二扩散板162C，其中，第二扩散板162C布置在第二喷射孔162B中。
第二清洁气体引导路径162A可通过将管插入到头部本体单元121中或者通过在头部本体单元121中形成空间来形成。在实施方式中，第二清洁气体引导路径162A可具有圆柱形形状。在实施方式中，第二清洁气体引导路径162A的直径D2可比孔口单元161D的具有最小直径的部分的直径D1大。
第二喷射孔162B可连接到第二清洁气体引导路径162A，并因此，清洁气体可朝向存储空间123喷射。第二喷射孔162B可改变从第二清洁气体引导路径162A供给的清洁气体的前进方向。例如，第二清洁气体引导路径162A可在第一方向上引导清洁气体。相反，第二喷射孔162B可在与第一方向不同的第二方向上引导清洁气体。在实施方式中，由于第二喷射孔162B的、面向第二清洁气体引导路径162A的喷射清洁气体的部分的内壁为弯曲表面，因此可减小清洁气体的移动速度的下降。第二喷射孔162B的内部面积可形成为沿清洁气体的移动方向增加。
在实施方式中，第二扩散板162C可形成为与第一扩散板161C相同或相似。第二扩散板162C可具有各种形状中的任一种。例如，第二扩散板162C的截面区域可具有三角形形状、钟形形状或伞形形状。第二扩散板162C可形成为具有较高的中心部和从中心部逐渐下降的较低的边缘部。在这种情况下，第二扩散板162C可在从第二喷射孔162B的中心部朝向第二喷射孔162B的边缘部的方向上分配清洁气体。在实施方式中，第二扩散板162C可具有圆锥形形状。
电极单元170可布置在头部单元120中。例如，电极单元170可包括处于喷嘴单元122中的多个电极单元170。在一些实施方式中，电极单元170可插入喷嘴单元122和头部本体单元121中的至少一个中。在下面的描述中，为了解释的便利，主要对通过插入喷嘴单元122中而将电极单元170布置在喷嘴单元122中的情况进行描述。
传感器单元180可布置在腔室110的外部，以检测从腔室110的内部产生的光的波长(或者，光谱)。在实施方式中，腔室110可设置有由透明材料形成的透射窗112，以允许传感器单元180检测腔室110的内部的情况。
压力控制单元190可连接到腔室110，并且可通过将腔室110中的气体排放到外部或者将气体供给到腔室110中来调节腔室110中的压力。压力控制单元190可包括引导管191和压力控制泵192，其中，引导管191连接到腔室110，压力控制泵192沿引导管191布置。
在用于制造显示装置的装置100的操作中，在压力控制单元190将腔室110中的压力形成为与特定压力(例如，大气压力或与另一腔室中的压力相同的压力)相同或相似之后，可操作闸阀111以开启腔室110的开口部。显示衬底D可从外部插入到腔室110中并且放置在基座单元130上。例如，显示衬底D可借由机器人臂或梭从外部进入腔室110。
当显示衬底D被按压到或被放置到基座单元130上时，工艺气体供给单元140可将工艺气体供给到头部单元120。当电压被施加到电极单元170以使工艺气体等离子体化时，工艺气体的一部分可被沉积在显示衬底D上。在这种情况下，用于制造显示装置的装置100可形成显示衬底D的多个层(或者，膜)中的一个。例如，用于制造显示装置的装置100可在显示衬底D上形成非晶硅膜。在一些实施方式中，用于制造显示装置的装置100可在显示衬底D上形成薄膜封装层的无机膜。在下面的描述中，为了解释的便利，主要对用于制造显示装置的装置100在显示衬底D上形成薄膜封装层的无机膜的情况进行描述。
在如上所述的使工艺气体的一部分沉积在显示衬底D上的工艺期间，压力控制单元190可将腔室110中的气体排放到外部。
当完成上述工艺时，压力控制单元190可将腔室110中的压力保持在特定压力状态中，并且闸阀111可进行操作以开启腔室110的开口部。此外，腔室110外部的机器人臂或梭可进入腔室110以将经历沉积工艺的显示衬底D拉到腔室110的外部。
上述任务可重复多次。用于制造显示装置的装置100可在多次执行上述任务期间当达到特定值(例如，预设值)时清洁腔室110的内部。
更详细地，当通过向显示衬底D供给工艺气体的一部分而将工艺气体的一部分沉积到显示衬底D上时，除了显示衬底D以外，工艺气体的一部分还可吸附在腔室110、基座单元130和头部单元120上。在这种情况下，当稍后新沉积显示衬底D时，工艺气体的浓度可能不恒定，并且此外，沉积质量和沉积效率可能由于异物的掉落或异物的混合而劣化。为了防止或基本上防止上述事件，沉积工艺被如上所述地执行特定次数，然后可用清洁气体来清洁腔室110的内部。
当如上所述地开始清洁时，压力控制单元190可通过抽吸腔室110中的气体使得其被排放到外部来将腔室110中的压力保持在基本上真空状态中。
然后，清洁气体可被清洁气体供给单元150等离子体化并供给到清洁气体喷射单元160。清洁气体喷射单元160可将清洁气体朝向存储空间123的至少两个部分注射。具体地，供给到清洁气体喷射单元160的清洁气体可通过划分为经由第一清洁气体喷射单元161和第二清洁气体喷射单元162来进行供给。
当如上所述地供给清洁气体时，第一清洁气体喷射单元161可控制清洁气体的流量。例如，由于与经过第一清洁气体引导路径161A的清洁气体的流量相比，孔口单元161D减小了清洁气体的流量，因此可减小通过经过第一喷射孔161B供给的清洁气体的流量。
第二清洁气体喷射单元162可经由第二清洁气体引导路径162A使清洁气体快速地朝向第二喷射孔162B的一侧移动。
通常，当清洁气体经由单个路径供给到存储空间123时，清洁气体通过扩散在存储空间123中移动，并因此，存储空间123中的清洁气体的浓度可能不均匀。在这种情况下，经由喷嘴单元122进入腔室110的清洁气体的浓度在腔室110的中心部和腔室110的内壁处可能不同。具体地，当清洁气体的浓度低时，吸附在腔室110的内壁上的工艺气体的一部分不与清洁气体发生反应，并因此，腔室110的内壁可能不会被清洁。此外，与腔室110的内壁相邻的基座单元130或头部单元120可能不会被清洁。在这种情况下，可能在下一显示衬底的沉积期间发生如上所述的异物掉落的问题。
然而，上述问题可因为第一清洁气体喷射单元161和第二清洁气体喷射单元162而避免。更详细地，与省略孔口单元161D的情况相比，孔口单元161D可部分地减小通过第一喷射孔161B喷射的清洁气体的流量，并且可增加清洁气体的喷射速度。在这种情况下，即使当清洁气体从第二喷射孔162B喷射到存储空间123中晚于从第一喷射孔161B喷射到存储空间123中时，清洁气体也可从存储空间123的中心部快速地扩散到存储空间123的边缘部。此外，由于促进了清洁气体在存储空间123中的移动，因此清洁气体的浓度可在存储空间123中变得均匀。
此外，由于第二清洁气体引导路径162A允许清洁气体移动到头部单元120的非中心部的部分，因此与通过单个路径在存储空间123中扩散清洁气体的方法相比，清洁气体可快速地移动到存储空间123的各个部分。
另外，第一扩散板161C和第二扩散板162C使得清洁气体能够倾斜地入射在存储空间123的上表面上。在这种情况下，清洁气体可在存储空间123中在各个方向上喷射，并可从存储空间123的中心部在各个方向上移动到存储空间123的边缘部。
当如上所述地将清洁气体喷射到存储空间123中时，清洁气体可在存储空间123的整个区域中具有相同或相似的浓度。
当如上所述地将清洁气体连续地供给到存储空间123时，清洁气体可通过喷嘴单元122喷射。在这种状态下，清洁气体的F自由基与吸附在腔室110的内壁、基座单元130、头部单元120等中的工艺气体的一部分进行反应，从而去除工艺气体的该一部分。
在如上所述地通过使用清洁气体对腔室110、基座单元130和头部单元120进行清洁期间，可向电极单元170施加电压。在这种情况下，由于电极单元170促进清洁气体与沉积在腔室110、基座单元130、头部单元120等上的工艺气体的一部分之间的反应，因此可以快速地去除工艺气体的一部分。
在上述工艺期间，压力控制单元190可抽吸腔室110中的气体并将气体排放到外部。
当执行上述工艺时，清洁气体与吸附在腔室110的内壁、基座单元130、头部单元120等上的工艺气体的一部分进行反应，以产生光或能量。传感器单元180可通过透射窗112检测在腔室110中产生的光。具体地，传感器单元180可检测腔室110中产生的光的存在、强度、波长和光谱。在下面的描述中，为了解释的便利，主要对传感器单元180检测光的存在的情况进行描述。
当传感器单元180检测到光时，用于制造显示装置的装置100可连续地执行如上所述的清洁工艺。当传感器单元180没有检测到光、光的强度等于或小于特定水平、没有检测到光的波长或者没有检测到光的光谱中的特定波长时，用于制造显示装置的装置100可停止上述清洁工艺。
当清洁工艺被停止时，工艺气体供给单元140将工艺气体的一部分供给到头部单元120并将电压施加到电极单元170以允许工艺气体的一部分沉积在腔室110、基座单元130、头部单元120等上，并因此腔室110、基座单元130、头部单元120等的表面可通过涂覆有工艺气体的一部分而受到保护。当电极单元170暴露于外部时，可以以相同的方式在电极单元170上执行上述工艺。
相应地，在用于制造显示装置的装置100和制造显示装置的方法中，由于清洁气体被均匀地供给到腔室110的内部，因此可以改善清洁性能。此外，在用于制造显示装置的装置100和制造显示装置的方法中，由于清洁气体不仅在腔室110的中心部中具有均匀的浓度，而且在与腔室110的内壁相邻的部分中具有均匀的浓度，因此可减少清洁时间。在用于制造显示装置的装置100和制造显示装置的方法中，由于清洁气体的浓度在短时间内变得均匀，因此可减少清洁气体的使用量。此外，在用于制造显示装置的装置100和制造显示装置的方法中，由于吸附在腔室110、基座单元130、头部单元120等上的异物被有效地去除，因此可基本上减少在显示装置的制造期间因异物导致的缺陷。
图5为根据实施方式的由图1中所示的用于制造显示装置的装置100制造的显示装置的平面图；以及图6为沿图5的线A-A截取的剖视图。
参照图5和图6，在显示装置20中，可在衬底21上限定有显示区域DA和显示区域DA外部的非显示区域。显示区域DA中可布置有发光单元(未标记)，并且非显示区域中可布置有电源线(未示出)。此外，非显示区域中可布置有焊盘部C。
显示装置20可包括显示衬底D和薄膜封装层E。显示衬底D可包括衬底21和有机发光装置(OLED)28。
衬底21可包括塑料材料或金属材料，诸如SUS或Ti。在实施方式中，衬底21可包括聚酰亚胺(PI)。在下面的描述中，为了解释的便利，主要对衬底21包括聚酰亚胺的情况进行描述。
衬底21上可布置有发光单元(未标记)。发光单元可包括薄膜晶体管TFT和用于覆盖薄膜晶体管TFT的钝化膜27，并且OLED 28可形成在钝化膜27上。
衬底21的上表面上还可形成有缓冲层22，其中，缓冲层22由有机化合物和/或无机化合物(例如，SiOx(x≥1)、SiNx(x≥1))形成。
在缓冲层22上布置具有特定图案的有源层23之后，由栅极绝缘层24掩埋有源层23。有源层23具有源区23C和漏区23A，并且还包括位于源区23C与漏区23A之间的沟道区23B。
根据薄膜晶体管的类型(例如，驱动薄膜晶体管(未示出)或开关薄膜晶体管(未示出))，有源层23的源区23C和漏区23A掺杂有杂质。
栅极绝缘层24的上表面上形成有掩埋栅电极25的层间绝缘层26。
在层间绝缘层26和栅极绝缘层24中形成接触孔H1之后，在层间绝缘层26上形成源电极27B和漏电极27A以分别与源区23C和漏区23A接触。
钝化膜27在如上所述地形成的薄膜晶体管TFT上形成，并且钝化膜27上形成有OLED 28的像素电极28A。像素电极28A通过形成在钝化膜27中的通孔H2与薄膜晶体管TFT的漏电极27A接触。钝化膜27可由无机材料和/或有机材料以单层或者两层或更多层形成。钝化膜27可形成为平坦化膜以使上表面平坦化而不管下层的波纹，或者可沿着下层的波纹形成为波状。钝化膜27可由透明绝缘体形成，以实现共振效果。
在将像素电极28A形成在钝化膜27上之后，为了覆盖像素电极28A和钝化膜27，由有机材料和/或无机材料形成像素限定膜29，并且使像素限定膜29开口以暴露像素电极28A。
中间层28B和相对电极28C至少形成在像素电极28A上。
在实施方式中，虽然像素电极28A用作阳电极，且相对电极28C用作阴电极，但是像素电极28A和相对电极28C的极性可被转换。
像素电极28A和相对电极28C通过中间层28B彼此绝缘。通过向中间层28B施加具有不同极性的电压，有机发射层发光。
中间层28B可包括有机发射层。在一些实施方式中，中间层28B可包括有机发射层，并且还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。然而，本公开不限于此，并且中间层28B可包括有机发射层，并且还可包括多种其它功能层(未示出)中的任何一种。
一个单位像素包括发射多种颜色的光线的多个子像素。例如，单位像素可包括发射红色光线、绿色光线和蓝色光线的子像素，或者可包括发射红色光线、绿色光线、蓝色光线和白色光线的子像素。
如上所述，薄膜封装层E可包括多个无机层，或者可包括无机层和有机层。
薄膜封装层E的有机层可由聚合物形成，并且在实施方式中，可由单层或堆叠层形成，其中，单层或堆叠层由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任一种形成。有机层可由聚丙烯酸酯形成，并且在实施方式中，有机层可包括聚合的单体组合物，而聚合的单体组合物包括二丙烯酸酯基单体和三丙烯酸酯基单体。单体组合物还可包括单丙烯酸酯基单体。在实施方式中，单体组合物还可包括诸如TPO的公知的光引发剂，但是本公开不限于此。
薄膜封装层E的无机层可为包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。更详细地，无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的任一种。
薄膜封装层E的暴露于外部的顶层可包括无机层，以防止或基本上防止水分侵入到有机发光装置中。
在实施方式中，薄膜封装层E可包括使至少一个有机层插入至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。在另一实例中，薄膜封装层E可包括使至少一个无机层插入至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。在另一实例中，薄膜封装层E可包括使至少一个有机层插入至少两个无机层之间的夹层结构以及使至少一个无机层插入至少两个有机层之间的夹层结构。
在实施方式中，薄膜封装层E可包括顺序地位于OLED上方的第一无机层、第一有机层和第二无机层。
在另一实例中，薄膜封装层E可包括顺序地位于OLED上方的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
在另一实例中，薄膜封装层E可包括顺序地位于OLED上方的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
在实施方式中，OLED与第一无机层之间还可包括有包含LiF的金属卤化物层。金属卤化物层可防止或基本上防止在以溅射方法形成第一无机层时损坏OLED。
第一有机层可形成为具有比第二无机层的面积小的面积，并且第二有机层可具有比第三无机层的面积小的面积。
如上所述，无机层可通过使用上述用于制造显示装置的装置来制造。在这种情况下，在将显示衬底D插入腔室(未示出)中之后，可通过使用工艺气体将无机层沉积在显示衬底D上。由于在如上所述地有效去除用于制造显示装置的装置中的异物时将工艺气体的一部分沉积在显示衬底D上，使得显示装置20可实现清晰且准确的图像。
如上所述，在根据本公开的制造显示装置的装置和方法中，可有效地从腔室去除异物。此外，在根据本公开的制造显示装置的装置和方法中，可在腔室的整个区域中均匀地保持清洁气体的浓度。
将理解，本文中所描述的实施方式应仅被视为具有描述性意义，而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。
虽然已参照附图对一个或多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如所附权利要求中限定的精神和范围的情况下，可在形式和细节上对其作出各种改变。

Claims (28)

1.用于制造显示装置的装置，所述装置包括：
腔室；
头部单元，所述头部单元配置成向所述腔室的内部供给工艺气体和清洁气体，所述头部单元具有临时存储所述工艺气体或所述清洁气体的存储空间，并且所述头部单元包括喷嘴，其中，所述喷嘴连接到所述存储空间并且配置成将所述工艺气体或所述清洁气体从所述存储空间引导到所述腔室的所述内部；
基座单元，所述基座单元布置成面向所述头部单元，并且在所述基座单元上能够放置衬底；
清洁气体供给单元，所述清洁气体供给单元连接到所述头部单元，并且配置成对所述清洁气体进行等离子体化并将被等离子体化的所述清洁气体供给到所述头部单元；以及
清洁气体喷射单元，所述清洁气体喷射单元连接到所述清洁气体供给单元，并且配置成将所述清洁气体供给到所述存储空间的至少两个部分。
2.如权利要求1所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述清洁气体喷射单元包括：
第一清洁气体喷射单元，所述第一清洁气体喷射单元连接到所述清洁气体供给单元，并且配置成将所述清洁气体供给到所述头部单元的中心部；以及
第二清洁气体喷射单元，所述第二清洁气体喷射单元连接到所述清洁气体供给单元，并且配置成将所述清洁气体供给到所述头部单元的从所述头部单元的所述中心部偏离的部分。
3.如权利要求2所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述第一清洁气体喷射单元包括孔口单元，其中，所述清洁气体经过所述孔口单元。
4.如权利要求3所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述清洁气体从其中经过的所述孔口单元的具有最小面积的部分的直径比所述第二清洁气体喷射单元的直径小。
5.如权利要求2所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述第二清洁气体喷射单元包括多个第二清洁气体喷射单元，以及
所述多个第二清洁气体喷射单元中的至少两个相对于所述第一清洁气体喷射单元对称地布置。
6.如权利要求1所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述清洁气体喷射单元包括扩散板，所述扩散板布置在喷射孔中，其中，所述清洁气体通过所述喷射孔朝向所述存储空间喷射。
7.如权利要求6所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述扩散板将所述清洁气体引导到所述清洁气体喷射单元的所述喷射孔的侧表面。
8.如权利要求1所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述清洁气体喷射单元包括：
清洁气体引导路径，所述清洁气体引导路径对由所述清洁气体供给单元供给的所述清洁气体进行引导；以及
喷射孔，所述喷射孔连接到所述清洁气体引导路径，其中，所述清洁气体通过所述喷射孔朝向所述存储空间喷射。
9.如权利要求8所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述清洁气体引导路径和所述喷射孔在彼此不同的方向上引导所述清洁气体。
10.如权利要求8所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述喷射孔的与所述清洁气体引导路径的使所述清洁气体引导路径与所述喷射孔彼此连接的部分对应的内表面为弯曲表面。
11.如权利要求1所述的用于制造显示装置的装置，还包括：
传感器单元，所述传感器单元布置在所述腔室的外部，并且配置成在所述清洁气体的注射期间检测所述腔室中的所述清洁气体的反应。
12.如权利要求11所述的用于制造显示装置的装置，其中，所述清洁气体供给单元的操作是基于由所述传感器单元测量到的值来控制的。
13.制造显示装置的方法，所述方法包括：
将显示衬底装载在腔室中并且在所述显示衬底上沉积工艺气体；
从所述腔室取出其上沉积有所述工艺气体的所述显示衬底；以及
通过经由头部单元朝向所述腔室的内部注射被等离子体化的清洁气体来清洁所述腔室，
其中，所述清洁气体沿至少两个路径供给到所述头部单元的存储空间。
14.如权利要求13所述的制造显示装置的方法，其中，所述清洁气体的一部分被供给到所述头部单元的中心部，并且所述清洁气体的另一部分被供给到所述头部单元的从所述头部单元的所述中心部偏离的部分。
15.如权利要求13所述的制造显示装置的方法，其中，所述清洁气体倾斜地供给到所述头部单元的所述存储空间。
16.如权利要求13所述的制造显示装置的方法，还包括：
对从所述腔室的外部供给的所述清洁气体进行等离子体化。
17.如权利要求13所述的制造显示装置的方法，还包括：
通过将所述工艺气体供给到所述头部单元来涂覆所述头部单元和所述腔室。
18.如权利要求13所述的制造显示装置的方法，还包括：
检测所述腔室中的所述清洁气体的反应。
19.制造显示装置的方法，所述方法包括：
对清洁气体进行等离子体化并将等离子体化的所述清洁气体供给到头部单元；
沿至少两个路径将所述清洁气体供给到所述头部单元的存储空间；以及
通过所述头部单元将所述清洁气体供给到腔室的内部。
20.如权利要求19所述的制造显示装置的方法，其中，所述清洁气体在所述头部单元外部被等离子体化并被供给到所述头部单元。
21.如权利要求19所述的制造显示装置的方法，其中，所述清洁气体的一部分被供给到所述头部单元的中心部，并且所述清洁气体的另一部分被供给到所述头部单元的从所述头部单元的所述中心部偏离的部分。
22.如权利要求19所述的制造显示装置的方法，其中，所述清洁气体倾斜地供给到所述头部单元的所述存储空间。
23.如权利要求19所述的制造显示装置的方法，还包括：
向电极单元施加电压。
24.如权利要求19所述的制造显示装置的方法，还包括：
检测在所述腔室中进行反应的所述清洁气体产生的光的波长。
25.如权利要求24所述的制造显示装置的方法，还包括：
根据在所述腔室中进行反应的所述清洁气体产生的所述光的所述波长来停止所述清洁气体的供给。
26.如权利要求19所述的制造显示装置的方法，还包括：
通过将工艺气体供给到所述头部单元来涂覆所述头部单元和所述腔室。
27.如权利要求19所述的制造显示装置的方法，还包括：
将所述腔室中的气体抽吸到外部。
28.用于制造显示装置的装置，所述装置包括：
腔室；
头部单元，所述头部单元配置成向所述腔室的内部供给工艺气体和清洁气体，所述头部单元具有临时存储所述工艺气体或所述清洁气体的存储空间，并且所述头部单元包括喷嘴，其中，所述喷嘴连接到所述存储空间并且配置成将所述工艺气体或所述清洁气体从所述存储空间引导到所述腔室的所述内部；
基座单元，所述基座单元布置成面向所述头部单元，并且在所述基座单元上能够放置衬底；
清洁气体供给单元，所述清洁气体供给单元连接到所述头部单元，并且配置成对所述清洁气体进行等离子体化并将被等离子体化的所述清洁气体供给到所述头部单元；
第一清洁气体喷射单元，所述第一清洁气体喷射单元连接到所述清洁气体供给单元，并且配置成将所述清洁气体供给到所述存储空间的中心部；以及
第二清洁气体喷射单元，所述第二清洁气体喷射单元连接到所述清洁气体供给单元，并且配置成将所述清洁气体供给到所述存储空间的与所述第一清洁气体喷射单元将所述清洁气体供给至的所述中心部不同的部分。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112222096A (zh) * 2019-07-15 2021-01-15 长鑫存储技术有限公司 清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法
CN112974385A (zh) * 2019-12-02 2021-06-18 三星显示有限公司 掩模组件的清洁装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1507502A (zh) * 2001-05-04 2004-06-23 拉姆研究公司 处理室残留物的两步式等离子清洗
CN1540033A (zh) * 2003-04-14 2004-10-27 三星电子株式会社 具有一体扩散器框架的化学汽相沉积装置
CN101348902A (zh) * 2007-07-20 2009-01-21 应用材料股份有限公司 具有狭缝阀补偿的扩散板
KR20150138469A (ko) * 2014-05-29 2015-12-10 참엔지니어링(주) 기판 처리장치 및 이의 세정방법
US20160186315A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Samsung Display Co., Ltd. Deposition device and method for driving the same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5000113A (en) 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4892753A (en) 1986-12-19 1990-01-09 Applied Materials, Inc. Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition
KR100253097B1 (ko) * 1997-12-08 2000-04-15 윤종용 반도체소자제조용폐가스정화시스템
JP4378806B2 (ja) * 1999-09-28 2009-12-09 日本電気株式会社 Ｃｖｄ装置およびその基板洗浄方法
JP2001164371A (ja) * 1999-12-07 2001-06-19 Nec Corp プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ成膜法
US6835278B2 (en) * 2000-07-07 2004-12-28 Mattson Technology Inc. Systems and methods for remote plasma clean
US6598610B2 (en) * 2001-02-05 2003-07-29 Dalsa Semiconductor Inc. Method of depositing a thick dielectric film
KR20030031647A (ko) 2001-10-15 2003-04-23 삼성전자주식회사 가스 공급구성을 개선한 화학기상증착장치
JP4325301B2 (ja) * 2003-01-31 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 載置台、処理装置及び処理方法
JPWO2005098922A1 (ja) * 2004-03-31 2008-03-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法
JP2006128485A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Asm Japan Kk 半導体処理装置
KR20080060241A (ko) 2005-10-17 2008-07-01 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 원거리 플라즈마 소스를 이용한 대면적 ｐｅｃｖｄ 장치용클리닝 방법
WO2008007675A1 (fr) * 2006-07-11 2008-01-17 Tokyo Electron Limited procédé de formation de film, procédé de nettoyage, et dispositif de formation de film
CN102308675B (zh) * 2009-02-04 2016-01-13 应用材料公司 用于等离子体工艺的接地回流路径
KR20100032812A (ko) * 2009-05-11 2010-03-26 주식회사 테스 화학기상증착 장치와 이를 이용한 기판 처리 시스템
KR101559470B1 (ko) 2009-06-04 2015-10-12 주성엔지니어링(주) 화학 기상 증착 장치
US20120180810A1 (en) 2009-07-26 2012-07-19 Leybold Optics Gmbh Cleaning of a process chamber
TWI600786B (zh) * 2013-05-01 2017-10-01 應用材料股份有限公司 用於腔室清潔或預清潔製程之鈷移除
KR20150035058A (ko) 2013-09-27 2015-04-06 현대모비스 주식회사 냉각수 온도 조절타입 배터리 모듈 및 이를 적용한 차량 배터리 시스템

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1507502A (zh) * 2001-05-04 2004-06-23 拉姆研究公司 处理室残留物的两步式等离子清洗
CN1540033A (zh) * 2003-04-14 2004-10-27 三星电子株式会社 具有一体扩散器框架的化学汽相沉积装置
CN101348902A (zh) * 2007-07-20 2009-01-21 应用材料股份有限公司 具有狭缝阀补偿的扩散板
KR20150138469A (ko) * 2014-05-29 2015-12-10 참엔지니어링(주) 기판 처리장치 및 이의 세정방법
US20160186315A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Samsung Display Co., Ltd. Deposition device and method for driving the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112222096A (zh) * 2019-07-15 2021-01-15 长鑫存储技术有限公司 清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法
CN112222096B (zh) * 2019-07-15 2023-10-10 长鑫存储技术有限公司 清洁装置以及晶圆处理设备以及晶圆载台的清洁方法
CN112974385A (zh) * 2019-12-02 2021-06-18 三星显示有限公司 掩模组件的清洁装置
CN112974385B (zh) * 2019-12-02 2024-06-07 三星显示有限公司 掩模组件的清洁装置

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