CN110007535A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了能够基本防止在显示装置的非显示区域中产生的漏光的显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；薄膜晶体管，设置在显示区域中；第一连接电极，设置在非显示区域中，并连接到薄膜晶体管；第二连接电极，设置在非显示区域中，并与第一连接电极分开设置；第一绝缘层，与第一连接电极的一个端部和第二连接电极的一个端部叠置；浮置电极，设置在第一绝缘层上；以及桥接电极，设置在第二绝缘层上，所述第二绝缘层设置在第一绝缘层上，所述桥接电极通过第一接触孔连接到第一连接电极，并通过第二接触孔连接到第二连接电极。

Description

显示装置
本申请要求于2018年1月5日提交的第10-2018-0001826号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在这里充分阐述的一样。
技术领域
发明的示例性实施例总体上涉及显示装置，更具体地，涉及用于基本防止会发生在非显示区域中的漏光的显示装置。
背景技术
在最近的信息社会中，显示装置作为视觉信息传递媒介变得越来越重要。为了在未来占据主要地位，有必要满足诸如低功耗、减小的厚度、轻质和高图像质量的要求。
这种显示装置可以被分为诸如阴极射线管(“CRT”)显示装置、电致发光(“EL”)显示装置、发光二极管(“LED”)显示装置、真空荧光显示器(“VFD”)装置、场发射显示器(“FED”)装置和等离子体显示面板(“PDP”)装置的自发光型以及诸如液晶显示器(“LCD”)装置的非自发光型。
在它们之中，LCD装置是利用液晶的光学各向异性来显示图像的装置。由于LCD装置与传统的阴极射线管相比具有优异的可视性，并且与相同屏幕尺寸的阴极射线管相比具有降低的平均功耗和减少的发热，因此它们最近已经与PDP装置和FED装置一起被认为是下一代显示装置。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于对发明构思的背景技术的理解，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
发明的示例性实施例涉及一种显示装置，该显示装置能够基本防止在显示装置的非显示区域中产生的漏光以及由于从外部传输的静电引起的显示缺陷。
发明的另外的特征将在下面的描述中阐述，并且部分地从描述中将是明显的，或者可以通过发明的实践来获知。
发明的示例性实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；薄膜晶体管，设置在显示区域中；第一连接电极，设置在非显示区域中，并连接到薄膜晶体管；第二连接电极，设置在非显示区域中，并与第一连接电极分开设置；第一绝缘层，与第一连接电极的一个端部和第二连接电极的一个端部叠置；浮置电极，设置在第一绝缘层上；以及桥接电极，设置在第二绝缘层上，所述第二绝缘层设置在第一绝缘层上，所述桥接电极通过第一接触孔连接到第一连接电极，并通过第二接触孔连接到第二连接电极。
第二绝缘层可以设置在浮置电极与桥接电极之间。
显示装置还可以包括连接到薄膜晶体管的栅极线和数据线。
显示装置还可以包括：第一滤色器，与栅极线、数据线和薄膜晶体管叠置；以及第二滤色器，与第一滤色器叠置。
第一滤色器可以在非显示区域中与第一接触孔和第二接触孔分开设置，并且第二滤色器可以在非显示区域中与浮置电极分开设置，并与第一滤色器叠置。
薄膜晶体管可以包括：栅电极，连接到栅极线；半导体层，与栅电极叠置；源电极，连接到数据线，并与半导体层的一个端部叠置；以及漏电极，与源电极分开设置，并与半导体层的另一端部叠置。
第一连接电极可以连接到栅极线。
第一连接电极和第二连接电极可以包括与包括在栅极线和栅电极中的材料基本相同的材料。
浮置电极可以包括与包括在数据线、源电极和漏电极中的材料基本相同的材料。
显示装置还可以包括连接到漏电极的像素电极。桥接电极可以包括与包括在像素电极中的材料基本相同的材料。
另一示例性实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；薄膜晶体管，设置在显示区域中；浮置电极，设置在非显示区域中；第一绝缘层，设置在浮置电极上；第一连接电极，连接到薄膜晶体管，并与浮置电极的至少一部分叠置；第二连接电极，在非显示区域中与第一连接电极分开设置，并与浮置电极的至少一部分叠置；以及桥接电极，通过第一接触孔连接到第一连接电极，并通过第二接触孔连接到第二连接电极。
显示装置还可以包括设置在浮置电极与桥接电极之间的第二绝缘层。
显示装置还可以包括连接到薄膜晶体管的栅极线和数据线。
显示装置还可以包括：第一滤色器，与栅极线、数据线和薄膜晶体管叠置；以及第二滤色器，与第一滤色器叠置。
第一滤色器可以在非显示区域中与第一接触孔和第二接触孔分开设置；
第二滤色器可以在非显示区域中与浮置电极分开设置并与第一滤色器叠置。
薄膜晶体管可以包括：栅电极，连接到栅极线；半导体层，与栅电极叠置；源电极，连接到数据线，并与半导体层的一个端部叠置；以及漏电极，与源电极分开设置，并与半导体层的另一端部叠置。
第一连接电极可以连接到栅极线。
第一连接电极和第二连接电极可以包括与包括在数据线、源电极和漏电极中的材料基本相同的材料。
浮置电极可以包括与包括在栅极线和栅电极中的材料基本相同的材料。
显示装置还可以包括连接到漏电极的像素电极。桥接电极可以包括与包括在像素电极中的材料基本相同的材料。
将理解的是，前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且意图提供对要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出了发明的示例性实施例，且与描述一起用于解释发明构思。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的视图。
图2是放大图1中的部分“A”的视图。
图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
图4A是示出根据发明的示例性实施例的第一滤色器的部分“A”的平面图。
图4B是示出根据发明的示例性实施例的第二滤色器的部分“A”的平面图。
图5是沿着图2的线II-II'截取的剖视图。
图6是图1中的部分“B”的放大图。
图7A是示出根据发明的另一示例性实施例的第一滤色器的部分“B”的平面图。
图7B是示出根据发明的另一示例性实施例的第二滤色器的部分“B”的平面图。
图8是沿着图6的线III-III'截取的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对发明的各种示例性实施例的彻底的理解。如这里所使用的“实施例”是采用这里公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实施。在其它情况下，为了避免使各种示例性实施例不必要地模糊，以框图形式示出了公知的结构和装置。此外，各种示例性实施例可以不同，但是不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实施示例性实施例的具体形状、构造和特性。
除非另有说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或统一地称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
在附图中使用剖面线和/或阴影一般是为了提供相邻元件之间的清晰的边界。如此，除非说明，否则剖面线或阴影的存在与否都不传达或表示对元件的特殊材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当示例性实施例可以不同地实施时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不局限于直角坐标系的三个轴(诸如，x轴、y轴和z轴)，并且可以以更宽泛的含义进行解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以理解为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。
虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
为了描述性目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另一(另一些)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不意图进行限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如这里使用的，术语“基本上”、“大约”以及其它类似的术语被用作近似的术语而不是用作程度的术语，如此，它们被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。
这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此，将预期由例如制造技术和/或公差引起的附图的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应该一定被解释为局限于特定示出的区域的形状，而是将包括由例如制造导致的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域在本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必意图进行限制。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且不以理想化或过度形式化的含义进行解释，除非这里明确地如此定义。
可以不提供与描述无关的一些部分以便具体描述发明的示例性实施例，并且在整个说明书中同样的附图标记表示同样的元件。
图1是示出了根据发明的示例性实施例的显示装置的视图。
如图1中所示，根据发明的示例性实施例的显示装置1000包括第一面板100、第二面板200、数据驱动器330、栅极驱动器500、电路板400、电源340和时序控制器350。
电源340和时序控制器350位于电路板400上。
时序控制器350接收从设置在系统(未示出)中的图形控制器(未示出)输出的垂直同步信号、水平同步信号、图像数据信号和参考时钟信号。
接口电路(未示出)设置在时序控制器350与系统之间，并且从系统输出的上述信号通过接口电路输入到时序控制器350。接口电路可以嵌入在时序控制器350中。
时序控制器350利用垂直同步信号、水平同步信号和参考时钟信号产生用于控制栅极驱动器500的栅极控制信号和用于控制数据驱动器330的数据控制信号。
栅极控制信号可以包括时钟信号、垂直启动信号和公共复位控制信号。
数据控制信号可以包括源起始脉冲、源移位时钟、源输出使能信号、极性信号等。
此外，时序控制器350重新布置通过系统输入的图像数据信号，并将重新布置的图像数据信号施加到数据驱动器330。
第一面板100被划分为显示区域DA和非显示区域NDA。
第一面板100可以是用于各种显示装置的面板，诸如液晶显示器(“LCD”)面板或有机发光二极管(“OLED”)面板。
第一面板100包括多条数据线DL1至DLj、多条栅极线GL1至GLi以及多个像素PX11至PXij，其中，i和j均为大于1的自然数。
数据线DL1至DLj与栅极线GL1至GLi交叉。数据线DL1至DLj延伸到非显示区域NDA以连接到数据驱动器330。
数据驱动器330包括多个数据驱动集成电路(“IC”)310_1、310_2、……和310_k。数据驱动IC 310_1、310_2、……和310_k接收从时序控制器350施加的数字图像数据信号和数据控制信号。
数据驱动IC 310_1、310_2、……和310_k根据数据控制信号对数字图像数据信号进行采样，在每个水平时间段中锁存与一条水平线对应的采样的数字图像数据信号，并将锁存的图像数据信号施加到数据线DL1至DLj。即，数据驱动IC 310_1、310_2、……和310_k利用从电源340输入的伽马电压将从时序控制器350施加的数字图像数据信号转换为模拟图像信号，并且将转换的模拟图像信号施加到数据线DL1至DLj。
数据驱动IC 310_1、310_2、……和310_k分别安装在数据载体320_1、320_2、……和320_k上。数据载体320_1、320_2、……和320_k连接在电路板400与第一面板100之间。例如，数据载体320_1、320_2、……和320_k中的每个可以电连接在电路板400与第一面板100的非显示区域NDA之间。
数据载体320_1、320_2、……和320_k包括输入布线和输出布线，输入布线用于将从时序控制器350和电源340施加的各种信号传输到数据驱动IC 310_1、310_2、……和310_k，输出布线用于将从数据驱动IC 310_1、310_2、……和310_k输出的图像数据信号传输到数据线DL1至DLj中的对应的数据线。在示例性实施例中，至少一个数据载体320_1还可以包括用于将来自时序控制器350和电源340的各种信号传输到栅极驱动器500的辅助布线360。辅助布线360连接到位于第一面板100处的面板布线510。面板布线510使辅助布线360和栅极驱动器500彼此连接。面板布线510可以以玻璃上线的方式形成在第一面板100的非显示区域NDA上。
像素PX11至PXij设置在第一面板100的显示区域DA中。像素PX11至PXij以矩阵形式布置。像素PX11至PXij可以包括用于显示红色图像的红色像素、用于显示绿色图像的绿色像素以及用于显示蓝色图像的蓝色像素。在水平方向上相邻设置的红色像素、绿色像素和蓝色像素可以限定用于显示单位图像的单位像素。
沿着第p(p是从1至i中选择的一个)水平线布置有“j”个像素(下文中，第p水平线像素)，所述像素分别连接到第一数据线DL1至第j数据线DLj。此外，第p水平线像素共同连接到第p栅极线。因此，第p水平线像素接收第p栅极信号作为公共信号。即，设置在同一水平线中的“j”个像素接收相同的栅极信号，而设置在不同水平线中的像素分别接收不同的栅极信号。这里，p是等于或大于1且等于或小于i的自然数。
尽管未示出，但是像素PX11至PXij中的每个可以包括像素晶体管、液晶电容器和存储电容器。例如，像素晶体管是薄膜晶体管。
像素晶体管根据从栅极线施加的栅极信号而导通。导通的像素晶体管将从数据线施加的模拟图像数据信号施加到液晶电容器和存储电容器。
液晶电容器包括彼此相对的像素电极和共电极。
存储电容器包括彼此相对的像素电极和对电极。这里，对电极可以是前一栅极线或传输共电压的传输线。
栅极线GL1至GLi由栅极驱动器500驱动，栅极驱动器500包括移位寄存器。
来自时序控制器350的时钟信号和来自电源340的电压通过辅助布线360和面板布线510施加到栅极驱动器500的移位寄存器。
在下文中，将参照图2至图5详细描述根据发明的示例性实施例的显示装置。
图2是图1中的部分“A”的放大图；图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图；图4A是示出根据发明的示例性实施例的第一滤色器的部分“A”的平面图；图4B是示出根据发明的示例性实施例的第二滤色器的部分“A”的平面图；图5是沿图2的线II-II'截取的剖视图。
如图2和图3中所示，第一面板100包括第一基底110、栅极线GL、数据线DL、薄膜晶体管TFT、栅极绝缘层120、滤色器CF1和CF2、绝缘中间层130和像素电极PE。
第一基底110是包括透明玻璃或塑料的绝缘基底。
薄膜晶体管TFT包括栅电极GE、半导体层SM、源电极SE和漏电极DE。
栅极线GL和栅电极GE设置在第一基底110上。栅极线GL的连接部分(例如，端部)可以具有比栅极线GL的另一部分的面积大的面积，以连接到另一层或外部驱动电路。栅极线GL和栅极电极GE中的至少一个可以包括下面中的一种或由下面中的一种形成：铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金、或者钼(Mo)或其合金。可选择地，栅极线GL和栅极电极GE中的至少一个可以包括下面中的一种或由下面中的一种形成：铬(Cr)、钽(Ta)和/或钛(Ti)。在示例性实施例中，栅极线GL和栅电极GE中的至少一个可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同物理特性的至少两个导电层。
栅极绝缘层120设置在栅极线GL和栅电极GE上。栅极绝缘层120可以位于包括栅极线GL和栅电极GE的第一基底110的整个表面之上。栅极绝缘层120可以包括氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)，或者可以由氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)形成。栅极绝缘层120可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同物理特性的至少两个绝缘层。
半导体层SM设置在栅极绝缘层120上。在该示例性实施例中，半导体层SM与栅电极GE叠置。半导体层SM可以包括非晶硅、多晶硅等，或者可以由非晶硅、多晶硅等形成。
虽然未示出，但是欧姆接触层可以位于半导体层SM上。欧姆接触层可以包括硅化物或掺杂有高浓度的n型杂质(例如磷(P))的n+氢化非晶硅，或者可以由硅化物或掺杂有高浓度的n型杂质(例如磷(P))的n+氢化非晶硅形成。欧姆接触层可以成对地设置在半导体层SM上。
源电极SE设置在半导体层SM的一部分上。源电极SE从数据线DL延伸。例如，如图2中所示，源电极SE具有从数据线DL朝向栅电极GE突出的形状。源电极SE与半导体层SM和栅电极GE叠置。源电极SE可以包括诸如钼、铬、钽、钛和/或其合金的难熔金属或者可以由上述材料形成。源电极SE可以具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。所述多层结构的示例可以包括以下材料或由以下材料形成：双层结构，包括铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层；以及三层结构，包括钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层。可选择地，源电极SE可以包括任何合适的金属和/或导体，或者由任何合适的金属和/或导体形成，而不是上述材料。
漏电极DE接触半导体层SM的另一部分。漏电极DE与栅电极GE和半导体层SM叠置。漏电极DE连接到像素电极PE。漏电极DE可以包括与上述源电极SE的材料基本相同的材料，并且可以具有与上述源电极SE的结构基本相同的结构(多层结构)。即，漏电极DE和源电极SE可以在基本相同的工艺中同时形成。
栅电极GE、源电极SE和漏电极DE与半导体层SM一起限定薄膜晶体管TFT。在该示例性实施例中，薄膜晶体管TFT的沟道位于半导体层SM的在源电极SE与漏电极DE之间的部分处。半导体层SM的与沟道对应的部分可以具有比其另一部分的厚度小的厚度。
数据线DL位于栅极绝缘层120上。虽然未示出，但是数据线DL的连接部分(例如，端部)可以具有比数据线DL的另一部分的面积大的面积，以连接到另一层或外部驱动电路。数据线DL与栅极线GL交叉。虽然未示出，但是数据线DL的与栅极线GL交叉的部分可以具有比数据线DL的另一部分的线宽小的线宽。因此，可以减小数据线DL与栅极线GL之间的寄生电容。数据线DL也可以包括与上述源电极SE的材料相同的材料，并且可以具有与上述源电极SE的结构基本相同的结构(多层结构)。即，数据线DL和源电极SE可以在基本相同的工艺中基本同时形成。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器(未示出)设置在栅极绝缘层120、数据线DL、源电极SE和漏电极DE上。滤色器中的每个设置在每个像素上方。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器中的每个可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的任何一种。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，第二滤色器CF2可以是蓝色滤色器，第三滤色器可以是绿色滤色器。
参照图2和图4A，如上所述，第一滤色器CF1可以是红色滤色器。第一滤色器CF1可以在显示区域DA中设置在红色像素的像素电极PE上。此外，根据发明的示例性实施例，第一滤色器CF1可以设置在栅极线GL、数据线DL和薄膜晶体管TFT上。因此，虽然未示出，但是第一滤色器CF1可以不设置在绿色像素的像素电极PE和蓝色像素的像素电极PE上。
根据发明的示例性实施例，第一滤色器CF1在非显示区域NDA中与第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2(将在下面描述第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2)分开设置。第一滤色器CF1被设置为在平面上围绕第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2。即，第一滤色器CF1可以在限定第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的区域处具有第一孔H1。
参照图2和图4B，如上所述，第二滤色器CF2可以是蓝色滤色器。第二滤色器CF2可以在显示区域DA中设置在蓝色像素的像素电极PE上。此外，根据发明的示例性实施例，第二滤色器CF2可以设置在栅极线GL、数据线DL和薄膜晶体管TFT上。因此，如图4B中所示，第二滤色器CF2可以不设置在红色像素的像素电极PE和绿色像素的像素电极PE上。即，第二滤色器CF2可以在设置有红色像素电极和绿色像素电极的区域处具有第二孔H2。
根据发明的示例性实施例，第二滤色器CF2在非显示区域NDA中与第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2(将在下面描述第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2)分开设置。第二滤色器CF2被设置为围绕第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2。即，第二滤色器CF2可以在限定第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的区域处具有第三孔H3。
根据发明的示例性实施例，第二滤色器CF2可以设置为与第一滤色器CF1叠置。例如，第二滤色器CF2可以在栅极线GL、数据线DL和薄膜晶体管TFT上与第一滤色器CF1叠置。因此，可以基本防止从背光单元发射的光被发射到显示装置的在第一滤色器CF1与和第二滤色器CF2彼此叠置的区域处的前面。即，第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以彼此叠置以用作光阻挡层。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器可包括光敏有机材料。
绝缘中间层130设置在栅极绝缘层120、第一滤色器CF1和第二滤色器CF2上。在该示例性实施例中，绝缘中间层130可以位于包括栅极绝缘层120、第一滤色器CF1和第二滤色器CF2的第一基底110的整个表面之上。绝缘中间层130可以包括有机材料或由有机材料形成。
像素电极PE通过漏极接触孔DCH连接到漏电极DE。像素电极PE位于绝缘中间层130上。像素电极PE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料或由所述透明导电材料形成。在该示例性实施例中，ITO可以是多晶材料或单晶材料，IZO也可以是多晶材料或单晶材料。
虽然未示出，但是下取向层可以设置在像素电极PE上。下取向层可以是竖直取向层，并且可以包括光反应性材料。
第二基底210是包括透明玻璃或塑料的绝缘基底。
共电极CE设置在第二基底210上。共电极CE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌(AZO)的透明导电氧化物或由所述透明导电氧化物形成。
虽然未示出，但是上取向层可以设置在共电极CE上。上取向层可以包括与包括在上述下取向层中的材料基本相同的材料，或者可以由所述材料形成。
当第一基底110与第二基底210之间的面对的表面被定义为相应的基底的上表面并且位于上表面的相对侧上的表面分别被定义为相应的基底的下表面时，偏振器(未示出)可以设置在第一基底110的下表面和第二基底210的下表面中的每个上。
液晶层300可以包括液晶分子。液晶层300的液晶分子可以具有这样的结构：液晶分子的主轴与第一基底110和第二基底210中的一个平行取向，并且液晶分子的取向方向从第一基底110的取向层的摩擦方向向第二基底210螺旋扭曲大约90度。可选择地，液晶层300可以包括垂直取向的液晶分子。
参照图2，第一连接电极CNE1设置在非显示区域NDA中。第一连接电极CNE1连接到栅极线GL。第一连接电极CNE1可以包括与包括在栅极线GL和栅电极GE中的材料基本相同的材料。第一连接电极CNE1可以与栅极线GL和栅电极GE一体地形成。
第二连接电极CNE2在非显示区域NDA中与第一连接电极CNE1分开设置。第二连接电极CNE2可以包括与包括在栅极线GL、栅电极GE和第一连接电极CNE1中的材料基本相同的材料。
根据发明的示例性实施例，由于第二连接电极CNE2与连接到栅极线GL的第一连接电极CNE1分开设置，因此可以基本防止在显示面板的制造工艺中从第一面板100的外部产生的任何静电被传输到第一面板100的内部。如此，根据发明的示例性实施例，可以基本防止由于在显示面板的制造工艺期间会在显示面板外部发生的静电而引起的显示装置的显示缺陷。
栅极绝缘层120设置在第一连接电极CNE1的至少一部分和第二连接电极CNE2的至少一部分上。栅极绝缘层120具有用于暴露第一连接电极CNE1的第一接触孔CNT1和用于暴露第二连接电极CNE2的第二接触孔CNT2。因此，栅极绝缘层120在平面上设置在第一连接电极CNE1与第二连接电极CNE2之间，并且栅极绝缘层120的至少一部分可以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2叠置。
浮置电极FE设置在栅极绝缘层120上，所述栅极绝缘层120设置在第一连接电极CNE1的至少一部分和第二连接电极CNE2的至少一部分上。例如，浮置电极FE设置在栅极绝缘层120上，所述栅极绝缘层120设置在第一连接电极CNE1的一个端部和第二连接电极CNE2的一个端部上。因此，浮置电极FE可以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2至少部分地叠置。浮置电极FE设置在与其上设置有第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2的层不同的层上，并且由于浮置电极FE通过栅极绝缘层120与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2绝缘而不与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2电连接。
根据发明的示例性实施例，浮置电极FE可以基本防止从背光单元(未示出)发射的光在第一连接电极CNE1与第二连接电极CNE2之间发射。如此，浮置电极FE可以基本防止显示装置的非显示区域中的漏光。
绝缘中间层130设置在浮置电极FE上。因此，浮置电极FE可以与设置在绝缘中间层130上的桥接电极BE绝缘。
第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以设置在栅极绝缘层120上。
绝缘中间层130设置在栅极绝缘层120、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和浮置电极FE上。绝缘中间层130具有用于暴露第一连接电极CNE1的第一接触孔CNT1和用于暴露第二连接电极CNE2的第二接触孔CNT2。
绝缘中间层130可以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2至少部分地叠置。
绝缘中间层130设置在浮置电极FE与桥接电极BE之间。
桥接电极BE设置在第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和浮置电极FE上。桥接电极BE通过第一接触孔CNT1连接到第一连接电极CNE1，并且通过第二接触孔CNT2连接到第二连接电极CNE2。因此，桥接电极BE使第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2电连接。
桥接电极BE可以包括与像素电极PE中包括的材料基本相同的材料。桥接电极BE和像素电极PE可以通过基本相同的工艺形成。
如图5中所示，共电极CE可以不设置在非显示区域NDA中。
在下文中，将参照图6至图8来描述根据本发明的另一示例性实施例的显示装置。
图6是图1中的部分“B”的放大图，图7A是示出根据发明的另一示例性实施例的第一滤色器的部分“B”的平面图，图7B是示出根据发明的另一示例性实施例的第二滤色器的部分“B”的平面图，图8是沿图6中的线III-III'截取的剖视图。
参照图6和图7A，如上所述，第一滤色器CF1可以是红色滤色器。第一滤色器CF1可以在显示区域DA中设置在红色像素的像素电极PE上。此外，根据发明的另一示例性实施例，第一滤色器CF1可以设置在栅极线GL、数据线DL和薄膜晶体管TFT上。因此，如图7A中所示，第一滤色器CF1可以不设置在绿色像素的像素电极PE和蓝色像素的像素电极PE上。即，第一滤色器CF1可以在设置有绿色像素电极和蓝色像素电极的区域处具有第四孔H4。
根据发明的示例性实施例，如图6至图8中所示，第一滤色器CF1与第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2分开设置。即，第一滤色器CF1可以在限定第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的区域处具有第五孔H5。
参照图6和图7B，如上所述，第二滤色器CF2可以是蓝色滤色器。第二滤色器CF2可以在显示区域DA中设置在蓝色像素的像素电极PE上。此外，根据发明的另一示例性实施例，第二滤色器CF2可以设置在栅极线GL、数据线DL和薄膜晶体管TFT上。因此，如图7B中所示，第二滤色器CF2可以不设置在红色像素的像素电极PE和绿色像素的像素电极PE上。即，第二滤色器CF2可以在设置有红色像素电极和绿色像素电极的区域处具有第六孔H6。
根据发明的一个示例性实施例，如图6至图8中所示，第二滤色器CF2与第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2分开设置。即，第二滤色器CF2可以在限定第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的区域处具有第七孔H7。
根据发明的一个示例性实施例，第二滤色器CF2可以设置为与第一滤色器CF1叠置。例如，第二滤色器CF2可以在栅极线GL、数据线DL和薄膜晶体管TFT上与第一滤色器CF1叠置。
参照图6和图8，浮置电极FE设置在非显示区域NDA中。浮置电极FE设置在第一基底110上。浮置电极FE可以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2至少部分地叠置。浮置电极FE在平面上设置在第一连接电极CNE1与第二连接电极CNE2之间。
根据发明的另一示例性实施例，浮置电极FE可以基本防止从背光单元(未示出)发射的光在第一连接电极CNE1与第二连接电极CNE2之间发射。如此，根据发明的另一示例性实施例，浮置电极FE可以基本防止显示装置的非显示区域中的漏光。
栅极绝缘层120设置在浮置电极FE上。即，栅极绝缘层120设置在包括浮置电极FE的第一基底110上。
第一连接电极CNE1设置在非显示区域NDA中。第一连接电极CNE1连接到数据线DL。第一连接电极CNE1可以包括与包括在数据线DL、源电极SE和漏电极DE中的材料基本相同的材料。第一连接电极CNE1可以与数据线DL和源电极SE一体地形成。
根据发明的另一示例性实施例，第一连接电极CNE1可以与浮置电极FE至少部分地叠置。第一连接电极CNE1和浮置电极FE设置在不同的层上。此外，第一连接电极CNE1和浮置电极FE通过栅极绝缘层120彼此绝缘，并且即使它们彼此叠置也不彼此电连接。
第二连接电极CNE2在非显示区域NDA中与第一连接电极CNE1分开设置。第二连接电极CNE2可以包括与包括在数据线DL、源电极SE、漏电极DE和第一连接电极CNE1中的材料基本相同的材料。
根据发明的另一示例性实施例，由于第二连接电极CNE2与连接到数据线DL的第一连接电极CNE1分开设置，因此可以基本防止在显示面板的制造工艺期间从第一面板100的外部产生的静电被传输到第一面板100的内部。如此，根据发明的另一示例性实施例，可以基本防止由于在显示面板的制造工艺期间会在显示面板的外部发生的静电而引起的显示装置的显示缺陷。
根据发明的另一示例性实施例，第二连接电极CNE2可以与浮置电极FE至少部分地叠置。第二连接电极CNE2和浮置电极FE设置在不同的层上。此外，第二连接电极CNE2和浮置电极FE通过栅极绝缘层120彼此绝缘，并且即使它们彼此叠置也不彼此电连接。
第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以在平面上与第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2分开设置。
绝缘中间层130设置在栅极绝缘层120、第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2、第一滤色器CF1和第二滤色器CF2上。绝缘中间层130具有用于暴露第一连接电极CNE1的第一接触孔CNT1和用于暴露第二连接电极CNE2的第二接触孔CNT2。
绝缘中间层130可以与第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2至少部分地叠置。
绝缘中间层130设置在浮置电极FE与桥接电极BE之间。
桥接电极BE设置在第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和绝缘中间层130上。桥接电极BE通过第一接触孔CNT1连接到第一连接电极CNE1并通过第二接触孔CNT2连接到第二连接电极CNE2。因此，桥接电极BE使第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2电连接。
如上文所阐述的，根据示例性实施例的显示装置可以基本防止在显示装置的非显示区域中产生的漏光和由于从外部传输的静电引起的显示缺陷。
虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但通过该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这些实施例，而是所附的权利要求以及对于本领域普通技术人员而言将明显的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和非显示区域；
薄膜晶体管，设置在所述显示区域中；
第一连接电极，设置在所述非显示区域中，并连接到所述薄膜晶体管；
第二连接电极，设置在所述非显示区域中，并与所述第一连接电极分开设置；
第一绝缘层，与所述第一连接电极的一个端部和所述第二连接电极的一个端部叠置；
浮置电极，设置在所述第一绝缘层上；以及
桥接电极，设置在第二绝缘层上，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上，所述桥接电极通过第一接触孔连接到所述第一连接电极，并通过第二接触孔连接到所述第二连接电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层设置在所述浮置电极与所述桥接电极之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括连接到所述薄膜晶体管的栅极线和数据线。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一滤色器，与所述栅极线、所述数据线和所述薄膜晶体管叠置；以及
第二滤色器，与所述第一滤色器叠置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中：
所述第一滤色器在所述非显示区域中与所述第一接触孔和所述第二接触孔分开设置；以及
所述第二滤色器在所述非显示区域中与所述浮置电极分开设置，并与所述第一滤色器叠置。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括：
栅电极，连接到所述栅极线；
半导体层，与所述栅电极叠置；
源电极，连接到所述数据线，并与所述半导体层的第一端部叠置；以及
漏电极，与所述源电极分开设置，并与所述半导体层的第二端部叠置。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一连接电极连接到所述栅极线。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极包括与所述栅极线和所述栅电极中包括的材料相同的材料。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述浮置电极包括与所述数据线、所述源电极和所述漏电极中包括的材料相同的材料。
10.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括连接到所述漏电极的像素电极，
其中，所述桥接电极包括与所述像素电极中包括的材料相同的材料。
11.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和非显示区域；
薄膜晶体管，设置在所述显示区域中；
浮置电极，设置在所述非显示区域中；
第一绝缘层，设置在所述浮置电极上；
第一连接电极，连接到所述薄膜晶体管，并与所述浮置电极的至少一部分叠置；
第二连接电极，在所述非显示区域中与所述第一连接电极分开设置，并与所述浮置电极的至少一部分叠置；以及
桥接电极，通过第一接触孔连接到所述第一连接电极，并通过第二接触孔连接到所述第二连接电极。
12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述浮置电极与所述桥接电极之间的第二绝缘层。
13.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括连接到所述薄膜晶体管的栅极线和数据线。
14.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括：第一滤色器，与所述栅极线、所述数据线和所述薄膜晶体管叠置；以及第二滤色器，与所述第一滤色器叠置。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中：
所述第一滤色器在所述非显示区域中与所述第一接触孔和所述第二接触孔分开设置；以及
所述第二滤色器在所述非显示区域中与所述浮置电极分开设置并与所述第一滤色器叠置。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括：
栅电极，连接到所述栅极线；
半导体层，与所述栅电极叠置；
源电极，连接到所述数据线，并与所述半导体层的第一端部叠置；以及
漏电极，与所述源电极分开设置，并与所述半导体层的第二端部叠置。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一连接电极连接到所述栅极线。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极包括与所述数据线、所述源电极和所述漏电极中包括的材料相同的材料。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述浮置电极包括与所述栅极线和所述栅电极中包括的材料相同的材料。
20.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括连接到所述漏电极的像素电极，
其中，所述桥接电极包括与所述像素电极中包括的材料相同的材料。
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