CN109994351A - 离子布植机及离子布植机腔室的制造方法 - Google Patents

离子布植机及离子布植机腔室的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种离子布植机及离子布植机腔室的制造方法。此离子布植机包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一类金刚石碳层。所述至少一第一腔壁定义出制程空间。第一类金刚石碳层配置于所述至少一第一腔壁上。第一类金刚石碳层包含经修饰的第一表面，经修饰的第一表面面向制程空间。

Description

离子布植机及离子布植机腔室的制造方法
技术领域
本揭露内容实施例是有关一种离子布植机及离子布植机腔室的制造方法，特别是关于一种具有类金刚石碳层的离子布植机，此类金刚石碳层配置于腔室的内侧表面上。
背景技术
离子布植(ion implantation)制程已广泛地应用于积体电路、发光二极体、及太阳能电池等产业中。离子布植制程可以选择性地将离子以特定的条件掺杂至工件中的特定区域。一般来说，在进行离子布植制程时，包含一或多种材料会先在离子源中被解离成为等离子，然后离子会自此等离子中持续被引出而形成离子束。离子束会陆续地被过滤、加减速、调整方向、及调整横截面轮廓，最后被引导至欲掺杂的工件的特定区域。
在离子布植制程中，离子或其他材料可能会沉积在离子布植机的组件或内壁上，形成涂层。这些涂层可能形成制程中的污染来源或产生不预期的导电路径。虽然在预防性维护(preventive maintenance,PM)过程中能清洁组件或内壁，但某些涂层仍可能残留在组件或内壁上，而且维护过程也会降低机台的使用率。因此，需要改善离子或其他材料附着至组件或内壁的情况。
发明内容
根据本揭露内容的多个实施方式，是提供一种离子布植机，此离子布植机包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一类金刚石碳层(Diamond-like carbon,DLC)。所述至少一第一腔壁定义出制程空间。第一类金刚石碳层配置于所述至少一第一腔壁上。第一类金刚石碳层包含经修饰的第一表面，经修饰的第一表面面向制程空间。
根据本揭露内容的多个实施方式，是提供一种离子布植机，此离子布植机包含腔室。腔室包含腔壁及涂层。涂层配置于腔壁的内侧表面上，其中涂层暴露的表面的键解离能介于400至500kJ/mol。
根据本揭露内容的多个实施方式，是提供一种制造离子布植机的腔室的方法，此方法包含提供腔室，此腔室具有腔壁。之后形成类金刚石碳层于腔壁的内侧表面上。再通入前驱气体于腔室内以进行化学气相沉积反应，使类金刚石碳层暴露的表面形成C-X键结，其中X包含F、H或Si。
为使本揭露内容的上述及其他目的、特征和优点更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图详细说明如下。
附图说明
图1为根据某些实施方式的离子布植机的剖面示意图；
图2A为根据某些实施方式的图1中沿A-A”线段的剖面示意图；
图2B-图2C为根据某些实施方式的图2A中虚线区域M的放大示意图；
图2D为根据某些实施方式的图1中沿A-A”线段的剖面示意图；
图3为根据某些实施方式的离子布植机的腔室的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下将详细讨论本实施例的制造与使用，然而，应了解到，本揭露内容提供实务的创新概念，其中可以用广泛的各种特定内容呈现。下文叙述的实施方式或实施例仅为说明，并不能限制本揭露内容的范围。
本揭露内容中可使用诸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等的空间相对术语在以便于描述，以描述一个元件或特征与另一或更多个元件或特征的关系，如附图中所图示。空间相对术语意欲包含在使用或操作中的装置除附图中绘示的定向以外的不同定向。或者，设备可经转向(旋转90度或其他方向)，及本案中使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。
此外，本文所使用的用语仅是为描述特定实施例的目的，且并非想要限制本揭露内容。譬如在说明书中所使用，除非本文另外有明确指示，否则单数形式“一”以及“所述”也包括复数(plurality)的形式。
本揭露内容提供一种离子布植机及离子布植机的腔室的制造方法。在本揭露内容中，术语“腔室”用于指离子布植机内离子束通过的任何空间。类金刚石碳层配置于腔室的腔壁内侧表面上。类金刚石碳层具有暴露的经修饰表面，可避免离子或其他材料黏附于腔壁内侧表面上形成制程中的污染源。
图1为根据本揭露内容某些实施方式的离子布植机的剖面示意图。如图1所示，在某些实施方式中，离子布植机100包含腔室110、离子源室(或称电弧室)120、电极130、绝缘组件135、质量分析器150、加速/减速装置160、及载台170。腔室110包含腔壁112及类金刚石碳(Diamond-like carbon,DLC)层114。腔壁112定义出离子布植制程的制程空间116，且腔壁112具有面向制程空间116的内侧表面。类金刚石碳层114配置于腔壁112的内侧表面上。类金刚石碳层114包含经修饰的表面114a，经修饰的表面114a暴露于制程空间116中。在一实施例中，类金刚石碳层114可仅配置于腔壁112的部分内侧表面上。
在某些实施例中，经修饰的表面114a的键解离能(bond dissociation energy)介于400至500kJ/mol，例如420kJ/mol、450kJ/mol、或480kJ/mol。举例来说，碳-氟之间的键解离能为约485kJ/mol，碳-氢之间的键解离能为约415kJ/mol。因经修饰的表面114a的键解离能大于碳-碳之间的键解离能约357kJ/mol，因此经修饰的表面114a较能抵挡离子轰击(ionbombardment)。
图2A为根据本揭露内容某些实施方式的图1中沿线段A-A”的剖面示意图。腔壁112包含基材1122及内衬层1124，内衬层1124包含石墨材料层或金属层。类金刚石碳层114配置于腔壁112的内衬层1124上。类金刚石碳层114包含经修饰的表面114a。图2B及图2C为根据本揭露内容某些实施方式的图2A中虚线区域M的放大示意图。如图2B所示，经修饰的表面114a包含碳-氟键结。在一实施例中，碳-氟键结仅存在于经修饰的表面114a，类金刚石碳层114并无掺杂或键结其他元素，避免类金刚石碳层114的硬度降低。如图2C所示，经修饰的表面114a包含碳-氢键结。在另一实施例中，碳-氢键结仅存在于经修饰的表面114a，类金刚石碳层层114并无掺杂或键结其他元素。
图2D为根据某些实施方式的图1中沿A-A”线段的剖面示意图。腔壁112包含基材1122及内衬层1124，内衬层1124包含石墨材料层或金属层。类金刚石碳层114配置于腔壁112的内衬层1124上。类金刚石碳层114包含类金刚石碳分层1142及硅掺杂类金刚石碳层1144。硅掺杂类金刚石碳层1144配置于类金刚石碳分层1142上。在一实施例中，通过掺杂硅于类金刚石碳层114中以形成硅掺杂类金刚石碳层1144，硅掺杂类金刚石碳层1144，下方未经掺杂的类金刚石碳层114则形成类金刚石碳分层1142。相较于图2A绘示的实施方式，图2D进一步包含硅掺杂类金刚石碳层1144。在一实施例中，硅掺杂类金刚石碳层的硅含量介于2至10at.％，例如3at.％、5at.％、或7at.％。相较于未掺杂硅的类金刚石碳层，掺杂硅的类金刚石碳层的表面细致度较佳。然而，当硅的掺杂量太多，例如大于10at.％时，掺杂硅的类金刚石碳层的硬度及杨氏模数(Young’s modulus)皆会降低，因此硅含量须维持在特定的范围内。
请再回到图1。在某些实施方式中，离子源室120包含侧壁121、侧壁122、侧壁123、类金刚石碳层124、及开口125。开口125配置于侧壁123上。侧壁121、侧壁122、侧壁123的内侧表面面向产生离子源的空间。类金刚石碳层124配置于侧壁121及/或侧壁123的内侧表面上。由于是在剖面示意图中说明离子布植机100，因此仅例示性地绘示腔壁112、侧壁121、侧壁122、及侧壁123。本技术领域中具有通常知识者应了解，实际上腔室110及离子源室120可以包含任何数量的侧壁。类金刚石碳层124类似于类金刚石碳层114。类金刚石碳层124包含经修饰的表面124a，经修饰的表面124a暴露于离子源空间中。在一实施例中，经修饰的表面124a包含氟-碳键结、或氢-碳键结。在另一实施例中，类金刚石碳层124包含硅掺杂类金刚石碳层，硅掺杂类金刚石碳层的顶面即为类金刚石碳层124暴露于离子源空间的经修饰的表面124a。硅掺杂类金刚石碳层的硅含量介于2至10at.％，例如3at.％、5at.％、或7at.％。在又一实施例中，经修饰的表面124a的键解离能(bond dissociation energy)介于400至500kJ/mol，例如420kJ/mol、450kJ/mol、或480kJ/mol。举例来说，碳-氟之间的键解离能为约485kJ/mol，碳-氢之间的键解离能为约415kJ/mol。在一实施例中，侧壁122的组成包含介电材料。侧壁121及123的内侧表层包含导电材料层，例如石墨材料层或金属层。金属层可例如为铝层。
在某些实施例中，类金刚石碳层也可形成于绝缘部件上，相关的细节将在后续详述。
类金刚石碳层可避免离子或金属沉积后形成污染涂层于离子布植机的侧壁或绝缘部件上。类金刚石碳层的经修饰的表面光滑且具疏水性，故可防止污染涂层沾黏于侧壁或绝缘部件上。当污染涂层附着于侧壁时，污染涂层可能会成为制程期间的工件的污染来源。当污染涂层附着于绝缘部件时，因污染涂层可能具导电性，进而产生不预期的导电路径并影响绝缘部件的绝缘性能。即便有污染涂层形成于类金刚石碳层上时，因类金刚石碳层的硬度极佳(例如为14-18Gpa)，在预防性维护(PM)期间移除污染涂层时也不会造成类金刚石碳层受损或剥离。
在某些实施例中，离子源室120具有等离子产生器(未绘示)，例如射频天线(RFantenna)或间接加热的阴极(indirectly heated cathode,ISC)。等离子产生器提供能量以于离子源室120内产生离子。在某些实施例中，离子布植机100还包含气体供应装置(未绘示)，气体供应装置连接至离子源室120以输送离子源气体至离子源室120内。输送的气体包含适当的气体，例如含硼、或含磷的气体。
在某些实施方式中，离子布植机100还包含电极130。电极130包含萃取电极(extraction electrode)132及抑制电极(suppression electrode)134。电极130可以包含任何数量的电极或排列方式，并且不限于此实施方式。在离子布植制程中，施加负偏压至萃取电极132以从离子源室120吸引离子。经萃取电极132吸引的离子通过开口125形成离子束140。通常会施加不同的偏压至抑制电极134，用于聚焦离子束140。在一实施例中，电极130的组成包含石墨。在另一实施例中，离子布植机100包含绝缘组件135，绝缘组件135用以支撑电极130，并使萃取电极132与抑制电极134相互电性绝缘。可形成类金刚石碳层(未绘示)于绝缘组件135上。此类金刚石碳层的材质及性质相同于类金刚石碳层114或124，故在此不再赘述。
在某些实施方式中，离子布植机100还包含质量分析器150。离子束140可以进入质量分析器150，质量分析器150会筛选出具有所需电荷/质量比的离子。因此，经质量分析器150筛选后，具有所需电荷/质量比的离子所形成的离子束140”之后会经过加速/减速装置160，并布植至载台170上的工件180。工件180可例如为晶圆。在某些实施例中，离子布植机100可以省略质量分析器150，但可选用的离子源气体种类会受到限制。
在一实施例中，离子布植机100包含绝缘部件(未绘示)，绝缘部件包含衬套或绝缘元件。绝缘元件用于电性隔离具有不同电压电位的两个元件(例如电极、或加速/减速装置160)。可形成类金刚石碳层(未绘示)于绝缘部件上。此类金刚石碳层的材质及性质相同于类金刚石碳层114或124，故在此不再赘述。
图3为根据某些实施方式的离子布植机的腔室的制造方法300的流程图。如图3所示，方法300包含步骤S302及步骤S304。可以理解的是，可以在方法300之前、期间或之后提供额外的步骤，而且某些下述的步骤能被取代或删除，作为制造方法的额外实施方式。
请参照图3，方法300开始于步骤S302，形成类金刚石碳层于腔室的腔壁内侧表面上。在某些实施方式中，提供腔室，此腔室具有腔壁。之后形成类金刚石碳层于腔壁的内侧表面上。形成类金刚石碳层的步骤包含物理气相沉积制程、化学气相沉积制程或任何已知的制程。
方法300进行至步骤S304，通入前驱气体于腔室内以进行化学气相沉积反应，使类金刚石碳层暴露的表面形成C-X键结，其中X包含F、H或Si。在某些实施例中，当X包含F时，前驱气体包含CF4。当X包含H时，前驱气体包含H2。当X包含Si时，前驱气体包含SiH3CH3。在一实施例中，腔壁包含石墨材料层或金属层，且石墨材料层或金属层接触类金刚石碳层。
根据本揭露内容的一种态样，是提供一种离子布植机，包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一类金刚石碳层。所述至少一第一腔壁定义出制程空间。第一类金刚石碳层配置于所述至少一第一腔壁上，第一类金刚石碳层包含经修饰的第一表面，经修饰的第一表面面向制程空间。
在一实施例中，经修饰的第一表面包含氟-碳键结、或氢-碳键结。
在一实施例中，离子布植机还包含离子源室。离子源室配置于腔室中。离子源室包含至少一第二腔壁、及第二类金刚石碳层。所述至少一第二腔壁定义出离子源空间。第二类金刚石碳层配置于第二腔壁上，第二类金刚石碳层包含经修饰的第二表面，经修饰的第二表面面向离子源空间。
在一实施例中，经修饰的第二表面包含氟-碳键结、或氢-碳键结。
在一实施例中，所述至少一第一腔壁包含石墨材料层或金属层，第一类金刚石碳层接触石墨材料层或金属层。
在一实施例中，第一类金刚石碳层或第二类金刚石碳层包含硅掺杂类金刚石碳层，其中硅掺杂类金刚石碳层的硅含量介于2至10at.％。
根据本揭露内容的另一种态样，是提供一种离子布植机，包含腔室。腔室包含腔壁、及涂层。涂层配置于腔壁的内侧表面上，其中涂层暴露的表面的键解离能介于400至500kJ/mol。
根据本揭露内容的另一种态样，是提供一种制造离子布植机的腔室的方法。方法包含提供腔室，腔室具有腔壁。形成类金刚石碳层于腔壁的内侧表面上。通入前驱气体于腔室内以进行化学气相沉积反应，使类金刚石碳层暴露的表面形成C-X键结，其中X包含F、H或Si。
在一实施例中，当X包含F时，前驱气体包含CF4。
在一实施例中，当X包含Si时，前驱气体包含SiH3CH3。
综上所述，本揭露内容提供的某些实施方式可延长离子布植机的使用寿命。此外，类金刚石碳层可避免离子或其他材料附着至腔壁上，可减少制程中的污染源。应当理解的是，并非所有的优点都要在本文中讨论，所有实施方式或实施例不需要特定的优点，且其他实施方式或实施例可提供不同的优点。
上文概述若干实施例的特征结构，使得熟悉此项技术者可更好地理解本揭露内容的态样。熟悉此项技术者应了解，可轻易使用本揭露内容作为设计或修改其他制程及结构的基础，以便实施本文所介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优势。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效结构并未脱离本揭露内容的精神及范畴，且可在不脱离本揭露内容的精神及范畴的情况下做出对本揭露内容的各种变化、替代及更改。

Claims (10)

1.一种离子布植机，其特征在于，包含：
一腔室，包含：
至少一第一腔壁，该至少一第一腔壁定义出一制程空间；以及
一第一类金刚石碳层，配置于该至少一第一腔壁上，该第一类金刚石碳层包含经修饰的一第一表面，经修饰的该第一表面面向该制程空间。
2.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，经修饰的该第一表面包含氟-碳键结、或氢-碳键结。
3.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，还包含：
一离子源室，配置于该腔室中，该离子源室包含：
至少一第二腔壁，该至少一第二腔壁定义出一离子源空间；以及
一第二类金刚石碳层，配置于该至少一第二腔壁上，该第二类金刚石碳层包含经修饰的一第二表面，经修饰的该第二表面面向该离子源空间。
4.如权利要求3所述的离子布植机，其特征在于，经修饰的该第二表面包含氟-碳键结、或氢-碳键结。
5.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，该至少一第一腔壁包含一石墨材料层或一金属层，该第一类金刚石碳层接触该石墨材料层或该金属层。
6.如权利要求3所述的离子布植机，其特征在于，该第一类金刚石碳层或该第二类金刚石碳层包含一硅掺杂类金刚石碳层，其中该硅掺杂类金刚石碳层的硅含量介于2至10at.％。
7.一种离子布植机，其特征在于，包含：
一腔室，该腔室包含
一腔壁；以及
一涂层，配置于该腔壁的一内侧表面上，其中该涂层暴露的一表面的一键解离能介于400至500kJ/mol。
8.一种制造离子布植机的腔室的方法，其特征在于，该方法包含：
提供一腔室，该腔室具有一腔壁；
形成一类金刚石碳层于该腔壁的一内侧表面上；以及
通入一前驱气体于该腔室内以进行一化学气相沉积反应，使该类金刚石碳层暴露的一表面形成一C-X键结，其中X包含F、H或Si。
9.如权利要求8所述的制造离子布植机的腔室的方法，其特征在于，当X包含F时，该前驱气体包含CF4。
10.如权利要求8所述的制造离子布植机的腔室的方法，其特征在于，当X包含Si时，该前驱气体包含SiH3CH3。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0635871A2 (en) * 1985-11-06 1995-01-25 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha High heat conductive insulated substrate and method of manufacturing the same
CN1169757A (zh) * 1994-11-07 1998-01-07 S·纽维勒 淀积非常坚固的保护涂层的方法
US5952060A (en) * 1996-06-14 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Use of carbon-based films in extending the lifetime of substrate processing system components
CN204834654U (zh) * 2014-05-19 2015-12-02 应用材料公司 基板载体
CN107078079A (zh) * 2014-10-15 2017-08-18 应用材料公司 抗腐蚀减量系统
CN107393797A (zh) * 2016-03-03 2017-11-24 朗姆研究公司 包括具有高纯sp3键的cvd金刚石涂层的边缘环的部件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0635871A2 (en) * 1985-11-06 1995-01-25 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha High heat conductive insulated substrate and method of manufacturing the same
CN1169757A (zh) * 1994-11-07 1998-01-07 S·纽维勒 淀积非常坚固的保护涂层的方法
US5952060A (en) * 1996-06-14 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Use of carbon-based films in extending the lifetime of substrate processing system components
CN204834654U (zh) * 2014-05-19 2015-12-02 应用材料公司 基板载体
CN107078079A (zh) * 2014-10-15 2017-08-18 应用材料公司 抗腐蚀减量系统
CN107393797A (zh) * 2016-03-03 2017-11-24 朗姆研究公司 包括具有高纯sp3键的cvd金刚石涂层的边缘环的部件

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