CN109983569A - 使用环动态对准数据的边缘环居中方法 - Google Patents

使用环动态对准数据的边缘环居中方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109983569A
CN109983569A CN201780070286.2A CN201780070286A CN109983569A CN 109983569 A CN109983569 A CN 109983569A CN 201780070286 A CN201780070286 A CN 201780070286A CN 109983569 A CN109983569 A CN 109983569A
Authority
CN
China
Prior art keywords
edge ring
substrate support
displacement
offset
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780070286.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109983569B (zh
Inventor
阿里·苏希普托·谭
颜浩权
马克·埃斯托桂
达蒙·蒂龙·格内蒂
乔恩·麦克切斯尼
亚历山大·米勒·帕特森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN109983569A publication Critical patent/CN109983569A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109983569B publication Critical patent/CN109983569B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一种用于确定边缘环在衬底支撑件上的对准的系统包括：机械手控制模块，其被配置为控制机械手以将所述边缘环放置在所述衬底支撑件上以及从所述衬底支撑件取回所述边缘环。对准模块被配置为确定所述边缘环在被放置到所述衬底支撑件上之前在所述机械手上的多个第一位置，以及确定所述边缘环在从所述衬底支撑件取回之后在所述机械手上的多个第二位置。边缘环位置模块被配置为基于所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的偏移来确定所述边缘环相对于所述衬底支撑件的居中位置。

Description

使用环动态对准数据的边缘环居中方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月31日提交的美国发明专利(Utility Patent)申请No.15/799,011的优先权，并且还要求2016年11月14日提交的美国临时专利申请No.62/421,569的权益，其公开内容通过引用并入本文，如同在本文中详细阐述一样。
技术领域
本发明涉及衬底处理系统中用于对准边缘环的系统和方法。
背景技术
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该背景技术部分和在申请时可能未以其它方式认定为现有技术的描述的方面中描述的范围内的目前署名的发明人的工作既未清楚地，也未隐含地被承认作为针对本公开的现有技术。
衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性处理包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，衬底支撑件例如基座、静电卡盘(ESC)等。在蚀刻期间，可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室，并且可以使用等离子体来引发化学反应。
衬底支撑件可包括布置成支撑晶片的陶瓷层。例如，晶片在处理期间可以被夹持到陶瓷层上。衬底支撑件可以包括围绕衬底支撑件的外部部分(例如，在周边的外部和/或与周边相邻)布置的边缘环。可以提供边缘环以将等离子体约束到衬底上方的体积，保护衬底支撑件免受等离子体引起的侵蚀等。
发明内容
一种用于确定边缘环在衬底支撑件上的对准的系统包括：机械手控制模块，其被配置为控制机械手以将所述边缘环放置在所述衬底支撑件上以及从所述衬底支撑件取回所述边缘环。对准模块被配置为确定所述边缘环在被放置到所述衬底支撑件上之前在所述机械手上的多个第一位置，以及确定所述边缘环在从所述衬底支撑件取回之后在所述机械手上的多个第二位置。边缘环位置模块被配置为基于所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的偏移来确定所述边缘环相对于所述衬底支撑件的居中位置。
在其他特征中，为了确定所述多个第一位置和所述多个第二位置，所述系统与被配置成检测所述多个第一位置和所述多个第二位置的成像装置通信。所述边缘环的内径被配置为当所述边缘环被放置到所述衬底支撑件上时使所述边缘环相对于所述衬底支撑件移位。
在其他特征中，所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的偏移表示所述边缘环当被放置到所述衬底支撑件上时移位的幅值和所述边缘环当被放置到衬底支撑件上时移位的方向。所述多个第一位置包括对应于所述边缘环相对于所述衬底支撑件在第一偏移方向上的放置的第一移位放置位置和对应于所述边缘环相对于所述衬底支撑件在第二偏移方向上的放置的第二移位放置位置。所述多个第二位置包括：第一移位取回位置，其表示当所述边缘环被放置在所述第一移位放置位置时所述边缘环移位的相应幅值；以及第二移位取回位置，其表示当所述边缘环被放置在所述第二移位放置位置时所述边缘环移位的相应幅值。
在其他特征中，其中所述边缘环位置模块被配置为计算由所述第一移位取回位置定义的第一斜率和由所述第二移位取回位置定义的第二斜率。所述边缘环位置模块被配置为基于所述第一斜率和所述第二斜率之间的中点来确定所述居中位置。所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的所述偏移包括对应于第一轴的第一偏移和对应于第二轴的第二偏移。所述第一轴对应于水平轴，并且所述第二轴对应于旋转轴。
在其他特征中，一种衬底处理系统包含所述的系统并且还包括处理室。所述衬底支撑件布置在所述处理室内。
一种用于确定边缘环在衬底支撑件上的对准的方法包括：控制机械手以将所述边缘环放置在所述衬底支撑件上以及从所述衬底支撑件取回所述边缘环；确定所述边缘环在被放置到所述衬底支撑件上之前在所述机械手上的多个第一位置；确定所述边缘环在从所述衬底支撑件取回之后在所述机械手上的多个第二位置；以及基于所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的偏移来确定所述边缘环相对于所述衬底支撑件的居中位置。
在其他特征中，所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的偏移表示所述边缘环当被放置到所述衬底支撑件上时移位的幅值和所述边缘环当被放置到衬底支撑件上时移位的方向。所述多个第一位置包括对应于所述边缘环相对于所述衬底支撑件在第一偏移方向上的放置的第一移位放置位置和对应于所述边缘环相对于所述衬底支撑件在第二偏移方向上的放置的第二移位放置位置。所述多个第二位置包括：第一移位取回位置，其表示当所述边缘环被放置在所述第一移位放置位置时所述边缘环移位的相应幅值，以及第二移位取回位置，其表示当所述边缘环被放置在所述第二移位放置位置时所述边缘环移位的相应幅值。
在其他特征中，所述方法还包括计算由所述第一移位取回位置定义的第一斜率和由所述第二移位取回位置定义的第二斜率。所述居中位置基于所述第一斜率和所述第二斜率之间的中点来确定。所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的所述偏移包括对应于水平轴的第一偏移和对应于旋转轴的第二偏移。
在其他特征中，一种衬底处理系统被配置为执行所述方法。
根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步范围将变得显而易见。详细描述和具体实施例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图，本发明将被更充分地理解，其中：
图1是根据本公开的示例性处理室的功能框图。
图2A、2B和2C示出了根据本公开的边缘环在衬底支撑件上的示例性放置；
图3A是根据本公开的相对于陶瓷层在期望的居中位置的示例性边缘环；
图3B示出了根据本公开的边缘环的内径的示例性倒角边缘；
图3C示出了根据本发明的陶瓷层的外径的示例性倒角边缘；
图4是根据本公开的示例性边缘环对准系统；
图5A和5B示出了根据本公开的示例性边缘环位置计算；
图6示出了根据本公开的另一示例边缘环位置计算；以及
图7示出了根据本公开的用于确定边缘环的居中位置的示例方法的步骤。
在附图中，附图标记可以被重复使用以标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
衬底处理系统中的衬底支撑件可包括边缘环。在一些系统中，用于将衬底往来于处理室内的衬底支撑件传送的机械手/处理器(例如，真空传送模块或VTM、机械手)也可以配置成将边缘环往来于室传送。换句话说，机械手可以被配置为将边缘环安装到衬底支撑件和从衬底支撑件移除边缘环。例如，边缘环可以是消耗品(即，边缘环会随时间磨损)，因此周期性地更换。
将边缘环精确地放置在衬底支撑件上可能是困难的。例如，边缘环的期望位置可以是相对于衬底支撑件的居中位置。在一些示例中，机械手可以被配置为将边缘环传送到相对于衬底支撑件的预定的已知居中位置。然而，更换衬底支撑件的部件、处理室内的维护等可能导致衬底支撑件的中心位置改变。因此，使用先前预定的居中位置转移到衬底支撑件的边缘环可能没有与衬底支撑件正确对准。在一些示例中，衬底支撑件和/或边缘环可以包括机械自对准特征，该机械自对准特征被配置为使得边缘环沉降到衬底支撑件上的接近居中位置。
一些衬底处理系统可以实现动态对准系统，该动态对准系统用于使用机械手将衬底对准在衬底支撑件上。机械手还可以被配置为将边缘环往来于衬底支撑件传送。可以根据预定的校准数据控制机械手，以使边缘环在衬底支撑件上居中。例如，样品或测试边缘环可以手动居中于衬底支撑件上。可以通过控制机械手从衬底支撑件取回测试边缘环来校准机械手。然后可以通过在取回期间计算机械手的相应位置信息(例如，通过监测机械手的移动/定位)来确定居中测试边缘环的坐标。
然而，适当地使测试边缘环居中可能是困难的。例如，测试边缘环可以被配置为在衬底支撑件上具有紧密的机械配合。在一些示例中，垫片和/或其他附加的机械手动安装特征用于实现精确的居中位置。在居中之后，可以移除垫片以便于机械手取回测试边缘环。垫片的安装可能需要排放处理室和/或控制处理室的其他条件。在处理室关闭、真空、升高的处理温度等情况下，可以进行机械手的后续校准以确定居中位置。处理室中的这些条件可以使手动居中的测试边缘环相对于衬底支撑件移动，从而降低居中位置计算的准确性。因此，上述居中方法需要额外的硬件(例如，测试边缘环、垫片等)，由于各种部件的手动安装和居中、以及在人员安全的非工艺条件下的校准而导致人为错误的可能性。此外，校准的任何附加微调都需要重新打开处理室，从而需要额外的清洁步骤。
根据本公开的原理的边缘环对准系统和方法确定边缘环相对于衬底支撑件的居中位置的坐标。例如，边缘环对准系统和方法实施动态对准(DA)测量以将边缘环放置在衬底支撑件上的第一位置(例如，预定的、校准的位置)，从衬底支撑件取回边缘环，以及确定边缘环在取回之前是否从第一位置移动到第二位置。然后，使用从第一位置向第二位置移动的幅值和方向来计算边缘环相对于衬底支撑件的居中位置和传送机械手的相应坐标。示例性的DA测量系统和方法更详细地描述于美国专利No.9,269,529中，其全部内容通过引用并入本文。例如，DA测量系统和方法可以实现光学传感器，以在边缘环放置在衬底支撑件上之前以及在从衬底支撑件取回之后确定边缘环在机械手的端部执行器上的位置。边缘环相对于端部执行器的位置变化表示边缘环从第一位置到第二位置的运动。换句话说，边缘环在放置在衬底支撑件上之后的移动转换为边缘环在端部执行器上的位置的变化。
例如，每当将边缘环放置在衬底支撑件上并从衬底支撑件取回时，可以计算总位置偏移(即，从第一位置到第二位置的移动的方向和幅值)。此外，边缘环和衬底支撑件可以包括无源的机械对准特征。因此，当边缘环放置在非居中位置时，对准特征可以使边缘环相对于衬底支撑件自动地移位到更靠近居中位置。边缘环的这种移位导致机械手的端部执行器上的第一放置位置与第二取回位置之间的偏移，并且可以相应地计算实际居中位置。
在一个示例中，机械手将边缘环放置在围绕衬底支撑件布置的升高的升降销上，并且降低升降销以将边缘环定位在衬底支撑件上。如果边缘环不在居中位置，则降低边缘环使得边缘环接触衬底支撑件上的对准特征(例如，边缘环和衬底支撑件之间的界面处的倒角或圆形边缘)，并且因此，朝向居中位置移位。例如，边缘环被配置为围绕衬底支撑件的上层(例如，陶瓷层)布置。因此，边缘环的内径可以大于陶瓷层的外径，以使得在一定的操作温度范围内可以具有不同的热膨胀率。
以这种方式，边缘环可以重复(例如，两次或更多次)放置在衬底支撑件上并从衬底支撑件移除，其中具有有意的增量放置偏移以收集校准数据。放置偏移可以是X和Y轴上的水平偏移、延伸偏移、旋转偏移等。对于每个放置偏移测量相应的去除偏移。因此，可以使用如下面更详细描述的去除偏移测量来生成“U”形偏移曲线或“V”形偏移曲线。例如，所产生的曲线中的“V”形或“U”形的边(例如，相对的斜面)对应于由衬底支撑件的机械对准特征引起的边缘环的移位。因此，“V”形或“U”形曲线的边之间的中点对应于特定轴的期望的居中位置。
现在参考图1，示出了示例性衬底处理系统100。仅举例而言，衬底处理系统100可用于执行使用RF等离子体的蚀刻和/或其他合适的衬底处理。衬底处理系统100包括包围衬底处理系统100的其他部件并且包含RF等离子体的处理室102。衬底处理室102包括上电极104和衬底支撑件106，例如静电卡盘(ESC)。在操作期间，衬底108被布置在衬底支撑件106上。尽管示出了特定的衬底处理系统100和室102作为示例，但是本公开的原理可以应用于其他类型的衬底处理系统和室，例如原位产生等离子体、实现远程等离子体产生和输送(例如，使用等离子体管、微波管)等的衬底处理系统。
仅举例而言，上电极104可以包括引入和分配工艺气体的气体分配装置，例如喷头109。喷头109可包括杆部，杆部的一端连接到处理室的顶表面。基部通常为圆柱形并且在与处理室的顶表面间隔开的位置处从杆部的相对端径向向外延伸。喷头的基部的面向衬底的表面或面板包括多个孔，工艺气体或吹扫气体通过所述多个孔流动。替代地，上电极104可以包括导电板，并且工艺气体可以以另一种方式引入。
衬底支撑件106包括用作下电极的导电基板110。基板110支撑陶瓷层112。在一些实施例中，陶瓷层112可包括加热层，例如包括陶瓷多区域加热板。热阻层114(例如接合层)可以布置在陶瓷层112和基板110之间。基板110可以包括用于使冷却剂流过基板110的一个或多个冷却剂通道116。
RF产生系统120产生RF电压并将其输出到上电极104和下电极(例如，衬底支撑件106的基板110)中的一者。上电极104和基板110中的另一者可以是DC接地的、AC接地的或浮动的。仅举例而言，RF产生系统120可以包括RF电压发生器122，所述RF电压发生器122产生由匹配和分配网络124馈送到上电极104或基板110的RF电压。在其他示例中，可以感应地或远程地产生等离子体。尽管如为了示例目的所示的，RF产生系统120对应于电容耦合等离子体(CCP)系统，但是本公开的原理也可以在其他合适的系统中实现，诸如，仅举例而言，在变压器耦合等离子体(TCP)系统、CCP阴极系统、远程微波等离子体产生和输送系统、等等。
气体输送系统130包括一个或多个气体源132-1、132-2、...和132-N(统称为气体源132)，其中N是大于零的整数。气体源供应一种或多种前体或其混合物。气体源还可以供应吹扫气体。也可以使用气化前体。气体源132通过阀134-1、134-2、...和134-N(统称为阀134)以及质量流量控制器136-1、136-2、...和136-N(统称为质量流量控制器136)连接到歧管140。歧管140的输出被馈送到处理室102。仅举例而言，歧管140的输出被馈送到喷头109。
温度控制器142可以连接到布置在陶瓷层112中的多个加热元件144，例如，热控元件(TCE)。例如，加热元件144可以包括但不限于对应于多区域加热板中的相应区域的宏加热元件和/或跨越多区域加热板的多个区域设置的微加热元件阵列。温度控制器142可以用于控制多个加热元件144以控制衬底支撑件106和衬底108的温度。
温度控制器142可与冷却剂组件146连通以控制流过通道116的冷却剂流。例如，冷却剂组件146可包括冷却剂泵和储存器。温度控制器142操作冷却剂组件146以选择性地使冷却剂流过通道116以冷却衬底支撑件106。
阀150和泵152可以用来将反应物从处理室102排出。系统控制器160可以用于控制衬底处理系统100的部件。机械手170可以用于将衬底输送到衬底支撑件106上以及从衬底支撑件106移除衬底。例如，机械手170可以在衬底支撑件106和装载锁172之间输送衬底。虽然示出为单独的控制器，但温度控制器142可以在系统控制器160内实现。在一些示例中，可以在陶瓷层112和基板110之间的粘合层114的周边周围提供保护性密封件176。
衬底支撑件106包括边缘环180。根据本公开的原理的边缘环180可相对于衬底支撑件106移动(例如，可在竖直方向上向上和向下移动)。例如，可响应于控制器160通过致动器和升降销来控制边缘环180，如下面更详细地描述。控制器160和机械手170还可以被配置为根据本公开的原理放置和取回边缘环180以确定边缘环180相对于衬底支撑件106的居中位置。
现在参考图2A、2B和2C，示出了边缘环200在衬底支撑件204上的示例性放置。衬底支撑件204包括基板208和陶瓷层212。接合层216布置在基板208和陶瓷层212之间。保护密封件220设置在接合层216周围。在一些示例中，衬底208包括外环部分224。
提供边缘环升降销228以升高和降低边缘环200。例如，相应的致动器(未示出)升高和降低升降销228。如图2A所示，升降销228(以及相应的边缘环200)处于升高位置，并且边缘环200相对于陶瓷层212处于非居中位置。例如，边缘环200被机械手(例如，机械手170)放置在升降销228上，其中升降销228处于升高位置。
在图2B中，边缘环200示出为部分地下降到衬底支撑件204上。部分下降的位置对应于使边缘环200的内径与陶瓷层212的外径接合的位置。边缘环200的内径和陶瓷层212的外径中的一个或多个可以包括机械对准特征，例如互补的倒角边缘232。因此，在相应的倒角边缘232之间的接触导致边缘环200相对于陶瓷层212移位。图2C示出了处于完全降低位置的边缘环200。因此，处于完全降低位置的边缘环200在原始升高位置相对于边缘环200略微移位，但是不在所期望的居中位置。
图3A示出了相对于陶瓷层304处于所期望的居中位置的示例性边缘环300。虚线306表示在边缘环300下方的陶瓷层304的外边缘。图3B示出了边缘环300的内径的示例性倒角边缘308。倒角边缘308可具有至少约0.025英寸(例如，0.025英寸-0.035英寸)的高度h和约60.0°(例如，55.0°-65.0°)的角度θ。在一些示例中，倒角边缘308的拐角309和310可以是圆角的(即，圆角，半径为0.010英寸)。图3C示出了陶瓷层304的外径的示例性倒角边缘312。如图所示，陶瓷层304具有阶梯式构造。在其他示例中(例如，如图2A、2B和2C所示)，陶瓷层304可以具有非阶梯式构造。
现在参考图4，示出了根据本公开的原理的示例性边缘环对准系统400。系统400包括控制器404(例如，对应于图1的控制器160)、机械手408(例如，对应于图1的机械手170，例如真空传送模块机械手)、以及成像装置412。例如，成像装置412包括配置成检测观看区域内的对象的相机、传感器等。在一个示例中，成像装置412可以将一个或多个光束朝向机械手408的端部执行器投射，并且感测边缘环何时中断光束。因此，成像装置412被配置为基于表示哪些光束被中断的图案来确定边缘环在端部执行器上的位置。例如，可以将图案与表示端部执行器上的居中位置的预定图案进行比较，以确定边缘环的位置变化。成像装置412可位于处理室、真空转移模块等内。
控制器404可包括机械手控制模块416、动态对准(DA)模块420和边缘环位置模块424。机械手控制模块416控制机械手408。例如，机械手控制模块416控制机械手408以用于在各种处理模块/室、真空室等之间传送衬底和边缘环。根据本公开的原理的机械手408包括被配置为放置和取回边缘环的端部执行器。例如，机械手408取回边缘环并将边缘环传送到处理室中的衬底支撑件。在传送期间，边缘环穿过成像装置412的观察区域，以检测边缘环在端部执行器上的第一位置。边缘环放置在衬底支撑件上。然后从衬底支撑件取回边缘环并再次被传递通过成像装置的观察区域以检测边缘环在端部执行器上的第二位置。因此，第一位置和第二位置之间的偏移对应于边缘环当被放置在衬底支撑件上时移位的幅值和方向。
DA模块420从成像装置412接收位置检测数据。例如，位置检测数据可包括表示当边缘环被传递通过成像装置412的观察区域时产生的光束图案的数据。DA模块420可被配置成基于位置检测数据计算边缘环在端部执行器上的实际位置以及在位置之间的偏移(即，位置信息)，并将位置信息提供给边缘环位置模块424和机械手控制模块416。
边缘环位置模块424接收表示边缘环在端部执行器上的位置的位置信息，并将边缘环在端部执行器上的位置与边缘环在衬底支撑件上的位置相关联。边缘环位置模块424使用这些相关位置计算边缘环相对于衬底支撑件的居中位置，如下面更详细地描述的。
在一个示例中，系统400首先使用任何合适的方法确定衬底支撑件的中心。例如，可以对在处理室内处理的衬底执行DA对准，以确定衬底支撑件的中心。然后可以将衬底支撑件的所确定的中心用作边缘环的初始居中位置。然后，系统400执行根据本公开的校准过程，以计算边缘环相对于衬底支撑件的实际居中位置。
参考图5A和5B示出了示例性边缘环位置计算。例如，边缘环的位置可以具有相关的R和T偏移(即，沿R轴的水平偏移，沿T轴的旋转偏移等)。图5A示出了边缘环的多个放置位置500和边缘环沿R轴的相应的取回位置504。例如，根据边缘环在先前确定的端部执行器上的位置以及边缘环在R方向上的放置的有意偏移来计算放置位置500(例如，从确定的初始居中位置R偏移为-1300μm、-1200μm等至600μm)。相反，根据边缘环在取回之后在端部执行器上的位置的确定来计算取回位置504。
在一个示例中，边缘环可以放置在-1100μm处，导致从放置位置到取回位置的位移大于500μm。该放置位置可以对应于边缘环508在衬底支撑件509上的位置，如图5B中的510所示。然后，边缘环508可以顺序地放置在对应于-1000μm、-900μm等的递增减小的R偏移的位置处，在与具有大约400μm、250μm等的偏移的取回位置对应的位置处。换句话说，当如510所示，边缘环508第一次放置在相对较大的偏移处，边缘环508在降低到衬底支撑件509上时移动相对较大的量，如图2A-2C所描绘的。当边缘环508第二次以较小的偏移放置时，边缘环508移位较小的量。每次将边缘环508放置在递减的偏移处时，边缘环508将移位递减的量，如取回位置的斜率512所示。
相反，在大约-100μm处的放置位置对应于当边缘环508被放置在朝向衬底支撑件509的相对侧偏移的位置时在相反方向上移位的边缘环508。因此，当放置位置递增地接近在图5B中的516所示的位置时，边缘环508移位更大的量，如相应的取回位置的斜率520所示。
在大约-800μm和-200μm之间的取回位置504的相对平坦的区域524对应于放置位置和取回位置之间的大约0的偏移。换句话说，平坦区域524对应于放置位置，在该放置位置，将边缘环508降低到衬底支撑件509上不会导致由边缘环508和/或陶瓷层上的机械对准特征引起的任何移位。因此，平坦区域524的中心点(即，斜率512和520的各个起点之间的中间点532)对应于边缘环508在R轴上的近似居中位置，如528所示。
然后可以相对于其他轴计算居中位置。例如，图6示出了当对T轴执行计算时的放置位置600和取回位置604，并且放置T偏移对应于旋转偏移。例如，T轴上的居中位置可以对应于斜率612和616的相应起点之间的中点608。计算的居中位置被存储为边缘环508相对于衬底支撑件509的所期望的居中位置，以用于随后的边缘环放置。根据存储的居中位置校准对机械手408的控制。无论何时在衬底支撑件509上进行维护等，都可以周期性地重复边缘环位置计算。
图7示出了用于确定边缘环的居中位置的示例性方法700，其开始于704。在708处，初始化边缘环的居中位置。例如，将先前确定的中心位置(例如，使用DA系统确定的衬底或晶片相对于衬底支撑件的中心位置)初始化为边缘环的中心位置。在712处，对边缘环的各种R偏移执行动态对准，以确定与边缘环在R方向上移位的量相对应的斜率(例如，如图5A中所描述的斜率512和520)。在716处，方法700确定是否准确地确定了斜率。例如，方法700可以确定是否计算了足够的数据点来估计斜率。如果是，则方法700继续到720。如果否，则方法700继续到724。
在724处，方法700收集附加数据点。例如，方法700将边缘环放置在对应于两个斜率中的一个的位置处，以获得额外的R偏移和相应的移位，以便于计算斜率。在一些示例中，五个数据点可能足以估计相应的斜率。在其他示例中，可以使用附加数据点(例如，七个或更多)来估计斜率。在720处，方法700基于所确定的斜率之间的中点计算R轴上的居中位置(例如，如图5A中所描述的)。
在728处，方法700对边缘环的各种T偏移执行动态对准，以确定对应于边缘环在T方向上移位的量的斜率(例如，如图6中所描述的斜率612和616)。在732处，方法700确定是否准确地确定了斜率。例如，方法700可以确定是否计算了足够的数据点来估计斜率。如果是，则方法700继续到736。如果否，则方法700继续到740。在740，方法700收集附加数据点。例如，方法700将边缘环放置在与两个斜率中的一个斜率相对应的位置处，以获得额外的T偏移和相应的移位，以便于计算斜率。在736处，方法700基于所确定的斜率之间的中点计算T轴上的居中位置(例如，如图6中所描述的)。方法700在744处结束。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且决不意图限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，尽管本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方式在上面被描述为具有某些特征，但是关于本公开的任何实施方式描述的那些特征中的任何一个或多个可以在任何其他实施方式中实现和/或与任何其他实施方式的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方式不是相互排斥的，并且一个或多个实施方式彼此的置换保持在本公开的范围内。
使用包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“邻近”、“在...之上”、“在...上方”、“在…下方”和“设置”的各种术语来描述元件之间(例如，在模块、电路元件、半导体层等之间)的空间和功能关系。除非明确地描述为“直接的”，否则当在上述公开中描述第一和第二元件之间的关系时，该关系可以是其中在第一和第二元件之间不存在其他中间元件的直接关系，但是也可以是其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件的间接关系。如本文所使用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个，B中的至少一个和C中的至少一个”。
在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，所述系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，所述半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制其操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何处理，包括工艺气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)发生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流速设置、流体输送设置、位置和操作设置、进出工具以及其他输送工具和/或连接到特定系统或与特定系统接口的装载锁的晶片输送。
广义地说，控制器可以定义为具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用终点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件的电子设备。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、限定为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单个的设置(或程序文件)的形式传送到控制器的指令，所述单个的设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片上或为半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方式中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在晶片的一个或多个层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或管芯的制备过程中完成一个或多个处理步骤。
在一些实现方式中，控制器可以是计算机的一部分或耦合到计算机，所述计算机与系统集成、耦合到系统、以其他方式联网到系统或这些的组合。例如，该控制器可以在“云”中，或在晶片厂(fab)主机计算机系统的全部或部分中，其使得能够对晶片处理进行远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监控制备操作的目前进展，研究过去的制备操作的历史，从多个制备操作来研究趋势或性能指标，改变当前处理的参数，设置当前处理之后的处理步骤，或开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户接口，然后将所述参数和/或设置从远程计算机传送到系统。在一些示例中，控制器以数据的形式接收指令，所述指令指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，对于要执行的处理的类型和与控制器接口或由控制器控制的工具的类型，参数可以是特定的。因此，如上所述，控制器可以是分布式的，例如通过包括一个或多个联网在一起并朝着共同目的(例如，本文所述的处理和控制)而工作的离散控制器。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)定位的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，它们结合以控制在室上的处理。
示例系统可以包括但不限于，等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制备和/或制造相关联或在半导体晶片的制备和/或制造中使用的任何其他半导体处理系统。
如上所述，根据由工具要执行的一个或多个工艺步骤，控制器可以与一个或多个其它工具电路或模块、其他工具部件、群集工具、其它工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在半导体制造工厂中将晶片容器往返工具位置和/或装载端口输送的材料运输中使用的工具通信。

Claims (19)

1.一种用于确定边缘环在衬底支撑件上的对准的系统，该系统包括：
机械手控制模块，其被配置为控制机械手以将所述边缘环放置在所述衬底支撑件上以及从所述衬底支撑件取回所述边缘环；
对准模块，其被配置为(i)确定所述边缘环在被放置到所述衬底支撑件上之前在所述机械手上的多个第一位置，以及(ii)确定所述边缘环在从所述衬底支撑件取回之后在所述机械手上的多个第二位置；以及
边缘环位置模块，其被配置为基于所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的偏移来确定所述边缘环相对于所述衬底支撑件的居中位置。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，为了确定所述多个第一位置和所述多个第二位置，所述系统与被配置成检测所述多个第一位置和所述多个第二位置的成像装置通信。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述边缘环的内径被配置为当所述边缘环被放置到所述衬底支撑件上时使所述边缘环相对于所述衬底支撑件移位。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的所述偏移表示(i)所述边缘环当被放置到所述衬底支撑件上时移位的幅值和(ii)所述边缘环当被放置到所述衬底支撑件上时移位的方向。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述多个第一位置包括(i)对应于所述边缘环相对于所述衬底支撑件在第一偏移方向上的放置的第一移位放置位置和(ii)对应于所述边缘环相对于所述衬底支撑件在第二偏移方向上的放置的第二移位放置位置。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述多个第二位置包括(i)第一移位取回位置，其表示当所述边缘环被放置在所述第一移位放置位置时所述边缘环移位的相应幅值，以及(ii)第二移位取回位置，其表示当所述边缘环被放置在所述第二移位放置位置时所述边缘环移位的相应幅值。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述边缘环位置模块被配置为计算(i)由所述第一移位取回位置定义的第一斜率和(ii)由所述第二移位取回位置定义的第二斜率。
8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述边缘环位置模块被配置为基于所述第一斜率和所述第二斜率之间的中点来确定所述居中位置。
9.根据权利要求4所述的系统，其中所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的所述偏移包括对应于第一轴的第一偏移和对应于第二轴的第二偏移。
10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述第一轴对应于水平轴，并且所述第二轴对应于旋转轴。
11.一种包含根据权利要求1所述的系统的衬底处理系统，所述衬底处理系统还包括：
处理室，其中所述衬底支撑件布置在所述处理室内。
12.一种用于确定边缘环在衬底支撑件上的对准的方法，该方法包括：
控制机械手以将所述边缘环放置在所述衬底支撑件上以及从所述衬底支撑件取回所述边缘环；
确定所述边缘环在被放置到所述衬底支撑件上之前在所述机械手上的多个第一位置；
确定所述边缘环在从所述衬底支撑件取回之后在所述机械手上的多个第二位置；以及
基于所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的偏移来确定所述边缘环相对于所述衬底支撑件的居中位置。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的所述偏移表示(i)所述边缘环当被放置到所述衬底支撑件上时移位的幅值和(ii)所述边缘环当被放置到所述衬底支撑件上时移位的方向。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述多个第一位置包括(i)对应于所述边缘环相对于所述衬底支撑件在第一偏移方向上的放置的第一移位放置位置和(ii)对应于所述边缘环相对于所述衬底支撑件在第二偏移方向上的放置的第二移位放置位置。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述多个第二位置包括(i)第一移位取回位置，其表示当所述边缘环被放置在所述第一移位放置位置时所述边缘环移位的相应幅值，以及(ii)第二移位取回位置，其表示当所述边缘环被放置在所述第二移位放置位置时所述边缘环移位的相应幅值。
16.根据权利要求15所述的方法，其还包括计算(i)由所述第一移位取回位置定义的第一斜率和(ii)由所述第二移位取回位置定义的第二斜率。
17.根据权利要求16所述的方法，其还包括基于所述第一斜率和所述第二斜率之间的中点来确定所述居中位置。
18.根据权利要求13所述的方法，其中所述多个第一位置和所述多个第二位置之间的所述偏移包括对应于水平轴的第一偏移和对应于旋转轴的第二偏移。
19.一种衬底处理系统，所述衬底处理系统被配置为执行根据权利要求12所述的方法。
CN201780070286.2A 2016-11-14 2017-11-10 使用环动态对准数据的边缘环居中方法 Active CN109983569B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662421569P 2016-11-14 2016-11-14
US62/421,569 2016-11-14
US15/799,011 2017-10-31
US15/799,011 US10541168B2 (en) 2016-11-14 2017-10-31 Edge ring centering method using ring dynamic alignment data
PCT/US2017/061080 WO2018089776A1 (en) 2016-11-14 2017-11-10 Edge ring centering method using ring dynamic alignment data

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109983569A true CN109983569A (zh) 2019-07-05
CN109983569B CN109983569B (zh) 2023-10-03

Family

ID=62108302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780070286.2A Active CN109983569B (zh) 2016-11-14 2017-11-10 使用环动态对准数据的边缘环居中方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10541168B2 (zh)
KR (1) KR102473396B1 (zh)
CN (1) CN109983569B (zh)
TW (1) TW201834128A (zh)
WO (1) WO2018089776A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102182298B1 (ko) * 2017-11-21 2020-11-25 램 리써치 코포레이션 하단 링 및 중간 에지 링
JP6703645B2 (ja) * 2018-05-28 2020-06-03 日本特殊陶業株式会社 保持装置、および、保持装置の製造方法
US11935773B2 (en) * 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
US11133211B2 (en) * 2018-08-22 2021-09-28 Lam Research Corporation Ceramic baseplate with channels having non-square corners
US10651097B2 (en) * 2018-08-30 2020-05-12 Lam Research Corporation Using identifiers to map edge ring part numbers onto slot numbers
KR102546322B1 (ko) * 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210125107A (ko) * 2019-03-04 2021-10-15 램 리써치 코포레이션 기판 이송 로봇의 자동 캘리브레이션 (Calibration) 을 위한 픽스처 (Fixture)
US11114329B2 (en) * 2019-04-08 2021-09-07 Semiconductor Components Industries, Llc Methods for loading or unloading substrate with evaporator planet
US11626305B2 (en) 2019-06-25 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Sensor-based correction of robot-held object
US11823937B2 (en) 2019-08-19 2023-11-21 Applied Materials, Inc. Calibration of an aligner station of a processing system
JP7263225B2 (ja) * 2019-12-12 2023-04-24 東京エレクトロン株式会社 搬送するシステム及び方法
JP2023514065A (ja) * 2020-01-23 2023-04-05 ラム リサーチ コーポレーション 自動回転プリアライメントを用いたエッジリング搬送
US11766782B2 (en) 2020-03-17 2023-09-26 Applied Materials, Inc. Calibration of an electronics processing system
WO2021194468A1 (en) * 2020-03-23 2021-09-30 Lam Research Corporation High precision edge ring centering for substrate processing systems
US11749543B2 (en) * 2020-07-06 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Chamber matching and calibration
KR102591723B1 (ko) * 2020-12-09 2023-10-20 세메스 주식회사 기판 처리 시스템 및 이를 포함하는 오토 티칭 시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030186563A1 (en) * 2002-03-25 2003-10-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thermal processing apparatus and thermal processing method
US20080072823A1 (en) * 1999-12-10 2008-03-27 Joseph Yudovsky Self aligning non contact shadow ring process kit
US20090279989A1 (en) * 2008-05-07 2009-11-12 Lam Research Corporation Dynamic alignment of wafers using compensation values obtained through a series of wafer movements
CN102150243A (zh) * 2008-08-15 2011-08-10 朗姆研究公司 温控热边缘环组合件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6430468B1 (en) * 2000-11-17 2002-08-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for accurate placement of semiconductor wafers onto respective platforms within a single reaction chamber
WO2003003407A1 (en) * 2001-06-28 2003-01-09 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Self contained sensing apparatus and system
JP4353454B2 (ja) * 2002-06-21 2009-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US6900877B2 (en) * 2002-06-12 2005-05-31 Asm American, Inc. Semiconductor wafer position shift measurement and correction
JP4006004B2 (ja) * 2004-12-28 2007-11-14 株式会社東芝 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
SG186664A1 (en) * 2007-12-27 2013-01-30 Lam Res Corp Systems and methods for dynamic alignment beamcalibration
JP6003011B2 (ja) * 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9425077B2 (en) 2013-03-15 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport
US9026244B1 (en) * 2014-05-22 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Presence sensing and position correction for wafer on a carrier ring
WO2017196540A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Applied Materials, Inc. Sensor based auto-calibration wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080072823A1 (en) * 1999-12-10 2008-03-27 Joseph Yudovsky Self aligning non contact shadow ring process kit
US20030186563A1 (en) * 2002-03-25 2003-10-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thermal processing apparatus and thermal processing method
US20090279989A1 (en) * 2008-05-07 2009-11-12 Lam Research Corporation Dynamic alignment of wafers using compensation values obtained through a series of wafer movements
CN102150243A (zh) * 2008-08-15 2011-08-10 朗姆研究公司 温控热边缘环组合件

Also Published As

Publication number Publication date
KR102473396B1 (ko) 2022-12-01
US10541168B2 (en) 2020-01-21
TW201834128A (zh) 2018-09-16
KR20190072669A (ko) 2019-06-25
US20180138069A1 (en) 2018-05-17
CN109983569B (zh) 2023-10-03
WO2018089776A1 (en) 2018-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109983569A (zh) 使用环动态对准数据的边缘环居中方法
US9831110B2 (en) Vision-based wafer notch position measurement
CN107240541B (zh) 用于执行边缘环表征的系统和方法
CN106409741B (zh) 基于可视的晶片凹口的位置测量
JP2022522467A (ja) 基板搬送ロボットの自動較正用治具
JP2009107107A (ja) カメラによるロボットキャリブレーションのための方法及び装置
CN109844176A (zh) 带有小间隙的销升降器组件
TW201935604A (zh) 對於旋轉晶圓之處理模組之處理站的自動校正
CN111357075A (zh) 受等离子体加热的窗的多区域冷却
CN114174556A (zh) 使用相机晶片的基座设置
US20210265144A1 (en) Temperature-tuned substrate support for substrate processing systems
US20230047039A1 (en) Edge ring transfer with automated rotational pre-alignment
TW202137822A (zh) 基板處理系統之高精度邊緣環定心
WO2023081106A1 (en) Pin lift hard stop
CN115398616A (zh) 用于衬底处理系统的高精度边缘环对中
KR20230039586A (ko) 기판 반송 위치의 어긋남량 검지 방법 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant