TW202137822A - 基板處理系統之高精度邊緣環定心 - Google Patents

Abstract

用於一電漿處理系統之一邊緣環定心系統含有一處理室，該處理室含有一基板支撐件及R個邊緣環上升銷，其中R係一大於或等於3的整數。一邊緣環包含位在其中一底面之上的P個凹槽，其中P係一大於或等於R的整數。一機器手臂包含一末端效應器。一控制器被配置為使該光學感測器感測在該末端效應器上的該邊緣環的一第一位置；使該機器手臂運送該邊緣環至在該邊緣環上升銷之上的一第一中心位置；自該邊緣環上升銷收回該邊緣環；及使該光學感測器感測在該末端效應器之上的該邊緣環的一第二位置。

Description

基板處理系統之高精度邊緣環定心

本揭露關聯於基板處理系統的邊緣環定心，且更具體而言，係關聯於電漿處理系統的可移動式邊緣環之高精度定心。

在此提供的背景描述以普遍地呈現本揭露之脈絡為目的。在此先前技術章節所描述的範圍內，本發明指定的發明者之作品，以及本描述中在申請時可能不適格為先前技術之描述內容，兩者既非明示亦非暗示地加以承認係對抗本揭露的先前技術。

基板處理系統可能被用於處理基板，如半導體晶圓。可能被施用在一基板上的例示製程包含，但不侷限於，化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）、導體蝕刻、及/或其他蝕刻、沉積、或清洗製程。在該基板處理統的一處理室之內，一基板可能被配置在一基板支撐件之上，如一台座、一靜電式卡盤（electrostatic chuck, ESC）等等。在蝕刻時，包含一或更多的前驅物之氣體混合物可能被引入該處理室且電漿可能被用以引發化學反應。

該基板支撐件可能包含被配置以支撐一基板的一陶瓷層。例如，在處理時該基板可能靜電夾持在該陶瓷層上。該基板支撐件可能包含配置在該基板支撐件的一外部分（如，外於及/或相鄰於一周緣）周圍的一邊緣環。可能提供該邊緣環以侷限及/或塑形位在該基板上方之電漿，及改善蝕刻均勻度。

一電漿處理系統之一邊緣環定心系統包含一處理室，該處理室包含一基板支撐件及R個邊緣環上升銷，其中R係大於或等於3的一整數。一邊緣環包含位在其一底面之上的P個凹槽，其中P係大於或等於R的一整數。一機器手臂包含一末端效應器。一控制器被配置以使光學感測器感測在該末端效應器上的該邊緣環的一第一位置；使該機器手臂運送該邊緣環至在該邊緣環上升銷之上的一第一中心位置；自該邊緣環上升銷收回該邊緣環；及使該光學感測器感測在該末端效應器之上的該邊緣環的一第二位置。

在其他特徵中，該控制器進一步加以配置以基於該第二位置及該第一位置之間的差產生一第一偏移。該控制器進一步加以配置以基於該第一中心位置及該第一偏移產生該邊緣環的一第一調整中心位置。

在其他特徵中，該控制器進一步加以配置以使該機器手臂基於該第一調整中心位置運送該邊緣環至該邊緣環上升銷上；自該邊緣環上升銷收回該邊緣環；及使該光學感測器感測在該機器手臂上的該邊緣環的一第三位置。

在其他特徵中，該控制器進一步加以配置以基於該第三位置及該第二位置之間的差產生一第二偏移。該控制器更進一步配置以基於該第一調整中心位置及該第二偏移產生一第二調整中心位置。

在其他特徵中，該控制器進一步加以配置以使該機器手臂以基於該第二調整中心位置運送該邊緣環至該邊緣環上升銷之上；自該邊緣環上升銷收回該邊緣環；及使該光學感測器感測在該機器手臂上的該邊緣環的一第四位置。該控制器進一步加以配置以基於該第四位置及該第三位置之間的差產生一第三偏移。該控制器進一步加以配置以比較該第三偏移與一預定偏移。

在其他特徵中，該控制器進一步加以配置以確定該邊緣環是否基於該比較而加以定心。該P個凹槽係「V」型。該P個凹槽在該邊緣環的底面周圍以360⁰/P相間隔。該P個凹槽係「V」型。該P個凹槽的一最底部分沿徑向延伸。

本揭露的更多可應用領域將藉由實施內容、專利申請範圍及圖示變得更明確。該細節描述及具體例係僅以說明為目的且非意圖限制本揭露的範圍。

在若干基板系統中，一邊緣環可能被用以塑形該電漿及增加蝕刻均勻度。當該邊緣環腐蝕，可能藉由邊緣環上升銷調整該邊緣環的一高度，使得縱使受腐蝕仍維持蝕刻均勻度。在處理複數的基板後，該邊緣環充分地被該電漿磨損且需要被更換。

若干基板處理系統可以不破壞真空地使用一般被用以自處理室運送及移除基板的一機器手臂更換該邊緣環。根據本揭露的系統及方法可能被用以，相對於該基板支撐件，精確定心該邊緣環。

現在參考圖1，顯示例示的基板處理系統100。僅作為例子，該基板處理系統100可能被用以施行使用射頻電漿的蝕刻及/或其他類型的基板處理。該基板處理系統100包含一處理室102，該處理室102封圍該基板100的其他元件且包容該射頻電漿。該處理室102包含一上電極104及一基板支撐件106（如一靜電式卡盤（ESC））。在作業時，一基板108被配置在該基板支撐件106之上。儘管一特定基板處理系統100及處理室102被顯示為一例，本揭露的原則可能被施用在使用該邊緣環的其他類型的基板處理系統及室，如使用遠端電漿產生及運送（如使用一電漿管、一微波管）的一基板處理系統等。

僅作為例子，該上電極104可能包含一氣體分配裝置，如一噴淋頭109，其導入及分配處理氣體。該噴淋頭109可能包含一桿部，其含有一端連接至該處理室的一頂面。一基座部分通常為圓柱形且在與處理室的頂面間隔開的位置從該桿部的相對端徑向向外延伸。噴淋頭基座部分的一個面向基板的表面或面板包含複數的孔洞，處理氣體或吹掃氣體流經此孔洞。替代地，該上電極104可能包含一傳導板且該處理氣體可能以另一種方式被引入。

該基板支撐件106包含傳導性的且擔任下電極的一底座110。該底座110支撐一陶瓷層112。在若干例中，該陶瓷層112可能包含電阻加熱器、射頻電極、及/或靜電電極（皆未顯示）。一黏著層114可能被配置在該陶瓷層112及該底座110之間，且可能擔任一熱阻層。該底座110可能包含一或更多冷卻劑管道116以使冷卻劑流經該底座110。

一射頻產生系統120產生且輸出一射頻電壓至上電極104及該下電極（例如，該基板支撐件106的底座110）的其中之一。該上電極104及基座110的另一者可能係DC接地、AC接地或浮動的。僅作為例子，該射頻產生系統120可能包含一射頻電壓產生器122，其產生以匹配及分配網路124饋送至該上電極104或該底座110的射頻電壓。雖然該射頻產生系統120對應到一電容耦合電漿（CCP）系統，本揭露的原則也可能實現在其他合適的系統中，例如（僅作例示之用）：變壓耦合電漿（TCP）系統、感應耦合電漿（TCP）、CCP陰極系統、遠端微波電漿產生及運送系統等等。

一氣體運送系統130包含一或更多氣體源132-1、132-2、及132-N（統稱氣體源132），其中N係一大於0的整數。該氣體源132供給一或更多的處理氣體、惰性氣體、吹掃氣體、蝕刻氣體、前驅物及/或其中的其他氣體混合物。氣化前驅物可能也被使用。該氣體源132藉由閥134-1、134-2、……、及134-N（統稱閥134）及質量流控制器136-1、136-2、……、及136-N（統稱質量流控制器136）連至歧管140。該歧管140的一輸出饋送至該處理室102。僅作例示，該歧管140的該輸出饋送至該噴淋頭109。

一溫度控制器142可能被連接到複數的加熱元件144，如配置在該陶瓷層112中的熱控制元件（thermal control elements, TCEs）。例如，該加熱元件144可能包含，但不限於，對應到在一複數區加熱板中的各別區域的巨型加熱元件，及/或排列在一複數區加熱板的複數區之上的微加熱元件的一陣列。該溫度控制器142可能被用以控制該複數加熱元件144以控制該基板支撐件106及該基板108的溫度。

該溫度控制器142可能與一冷卻劑組件146連通以控制流經該冷卻劑管道116的冷卻劑流動。例如，該冷卻劑組件146可能包含一冷卻劑幫浦及貯槽。該溫度控制器142操作該冷卻劑組件146以使該冷卻劑選擇性流經冷卻劑管道116以冷卻該基板支撐件106。

一閥150及幫浦152可能被用以自該處理室102抽空反應物。一系統控制器160可能被用以控制該基板處理系統100的元件。一機器人170可能被用以運送基板至基板支撐件106及移除基板自該基板支撐件106。例如，該機器人170可能在該基板支撐件106及一負載鎖172之間轉移基板。雖然顯示為各別控制器，該溫度控制器142可能在該系統控制器160中實現。在若干例中，一保護密封件176可能被提供於介在該陶瓷層112及該底座110之間的該黏著層114的周緣周圍。

在處理時，一邊緣環180圍繞該基板支撐件106。相對於該基板106，該邊緣環180係可移動的（例如，可以在垂直方向上下移動）。例如，該邊緣環180可能藉由對該控制器160反應的一致動器及邊緣環上升銷（如，見圖3）加以控制，在下面有更細節的描述。一光學感測器182可能被用以量測該邊緣環180相對於該機器人170的一手臂/末端效應器的位置。

使用任何合適的方法，該邊緣環相對於該基板支撐件的一校正的中心位置可以被初始決定。一校正過程的一合適例子被表示及描述在共同轉讓的美國專利第10541768號，發明名稱「Edge Ring Centering Method Using Ring Dynamic Alignment Data」及授證於2020年1月20日，藉由引用將其內容合併於此。

在美國專利第10541768號中所描述的該校正過程中，該邊緣環包含一斜面，且一下邊緣環包含一互補斜面。當斜面重疊，該邊緣環趨於移動或滑動，直到平放在基板表面上為止。當邊緣環因為該等斜面移動，該光學感測器可被用以量測位置改變或偏移。當該邊緣環未充分對齊時，會發生大於一預定閾值的非零偏移值。

該校正過程是一迭代過程，其中機器人在四個正交方向上在該基板支撐件上移動該邊緣環。於該邊緣環的每一運送及移除之前及之後，一光學感測器量測在該機器人手臂的末端效應器之上的該邊緣環的位置。一控制器使用於放置之前及之後的位置變化以計算該偏移，及在大量的迭代之後最終決定一校正中心位置。可以理解，該校正過程通常花費大於12小時的時間收斂。此外，該校正過程在每一次該邊緣環更換時重複，這減少了作業時間及效率。

在若干例中，一改良的校正過程被使用。根據本揭露，在該初始校正過程時，該邊緣環被放置在該邊緣環上升銷之上，且一或多的填隙片被用以相對於一或多的周圍元件（如一中邊緣環或底邊緣環）初始定心該邊緣環。接著該填隙片被移除。該機器人的末端效應器被用以移除該邊緣環，且以一光學感測器決定該邊緣環的一位置。之後，該邊緣環在一中心位置周圍以正交方向加以運送，測量位置，及計算偏移。最終，基於該移動及偏移決定一校正中心位置。之後，可使用下述的顯著較短的一校正過程（使用有限的運送次數及移除迭代）。在若干例中，該替換邊緣環可被運送及移除複數次（如3到5次）且該邊緣環可以在15分鐘以內（其顯著的小於12小時）被定心在一校正中心位置的30µm之內。

現在參考圖2，該處理室102包括含有一頂面、側面及一底面的一外殼210。含有一門或開口218的一室通口214，基板經該開口加以運送及移除。更具體而言，有著一末端效應器232的一機器手臂234經由該開口218在基板處理之前運送基板至該基板支撐件之上，及在基板處理之後自該基板支撐件移除該基板。在若干例中，該機器手臂234可能形成在真空中作業的一基板轉移模組的部分。

在自該處理室經由該室通口214移除一磨損的邊緣環220之後，該機器手臂234可能也被用於運送一新邊緣環220至該處理室。該機器手臂234包含一或多的末端效應器232（末端效應器232-1及232-2被顯示）。在圖2中，該邊緣環220被配置在該末端效應器232-1上。在若干例中，一光學感測器240被配置相鄰於該室通口214的該開口218以感測在該末端效應器上該邊緣環的位置，但是其他在該室之內或之外的位置可加以使用。

如下面將進一步描述的，該機器手臂234使用一校正的中心位置及/或一先前的中心位置將邊緣環220初始地放置在邊緣環上升銷之上（如見圖4）。該邊緣環220包含與該邊緣環上升銷對齊的凹槽（見圖3及4）。在若干例中，凹槽的數量大於或等於邊緣環上升銷的數量。在該機器手臂運送該邊緣環220至該邊緣環上升銷之上後，該邊緣環220可能自該放置位置移動。另言之，當該邊緣環220被放置在該邊緣環上升銷之上時，該邊緣環220可能自該放置位置移動。

在邊緣環220被放置之後，該機器手臂234拾起該邊緣環220且使用該光學感測器量測該在該機器手臂234之上的邊緣環220的新位置。該控制器計算該偏移（該邊緣環的先前位置與該邊緣環的新位置之間的差）。

該邊緣環的定心位置基於該偏移及該先前位置被調整（以移除該偏移）。另言之，該中心位置沿著該偏移的反方向被調整以消除該偏移。使用該新中心位置（基於該先前中心位置及該偏移），該機器手臂234放置該邊緣環220的凹槽在該邊緣環上升銷之上。在若干例中，該過程重複Q次，其中Q為一整數。在若干例中，可以施行一相對小的迭代次數。在若干例中，Q＜10。在若干例中，Q=3或Q=5。

在該Q次迭代之後，一最終偏移值被決定且與一偏移閾值相比。如果該最終偏移值小於或等於對應於該中心位置的該偏移閾值，則該邊緣環被認為已適當定心且該基板處理室可以繼續進行基板處理。

如果該最終偏移值大於該閾值，則該邊緣環不被認為被適當定心。如果該偏移大於該閾值，該光學感測器可能超出校正範圍且/或位於該邊緣環的底面上的凹槽的一或多者可能未適當地與對應邊緣環上升銷其中一或多個接觸。

現在參考圖3，一基板支撐件320被顯示為包含一第一層330、一黏著層332、及一底座334。在若干例中，該第一層330係以陶瓷製成且包含靜電電極、射頻電極、及/或加熱元件。一下邊緣環336沿徑向配置在該底座334之外且至少部分地沿徑向配置在該邊緣環220之外。該邊緣環220被配置在延伸至位於該邊緣環220的一底面之上的凹槽350內的邊緣環上升銷340之上。該邊緣環上升銷340支撐該邊緣環220且被該凹槽350收納。

現在參考圖4，該邊緣環220包含一環形體410及複數的凹槽350-1、350-2、……、及350-P（其中P係大於或等於3的整數）位於該邊緣環220的底面之上。在若干例中，該凹槽350界定有著「V」形的一空洞。在若干例中，該邊緣環220包含P個以360°/P方位角相間隔的凹槽350。在若干例中，當邊緣環的該環形體與該基板支撐件的上表面平形放置時，該複數凹槽350-1、350-2、……、及350-P的最底部或槽大致上平行於該基板支撐件的上表面而延伸。該複數凹槽350-1、350-2、……、及350-P的最底部相對於該邊緣環的中心沿徑向延伸。

現在參考圖5，顯示邊緣環定心的一方法500。在510，一邊緣環中心位置被校正。在若干例中，使用上述的該校正方法，但是也可以使用其他類型的校正。在512，設定Q等於0。在514，量測在該機器人的該末端效應器之上的該邊緣環的位置。在516，使用該機器手臂的末端效應器，該邊緣環被放置在該邊緣環上升銷之上（在該邊緣環上升銷位於該凹槽中的情況下）。該機器手臂釋放該邊緣環且該邊緣環被允許自行坐落在該邊緣環上升銷之上。

在518，使用該機器人移除該邊緣環。在522，使用該光學感測器決定該邊緣環的位置，且自該校正的邊緣環中心位置或一先前的邊緣環中心位置計算該偏移。在526，該偏移被應用至該中心位置。另言之，該機器手臂以相反於該偏移的方向加以移動以調整該中心位置及消除該偏移。在530，設定Q等於Q+1。

在534，該方法確認是否Q=M，其中Q及M係整數。在若干例中，M大於或等於2（例如3、5、等等）。如果534為假，該方法回到514且重複。如果534為真，該方法繼續至538且確認該最後偏移值（Offset_last ）是否小於或等於一偏移閾值（Offset_TH ）。如果538為真，該邊緣環在544被認為已定心，因為該偏移在該預定閾值之內。如果538為假，一錯誤在542發生，且該邊緣環不被認為已定心，因為該偏移大於該預定閾值。在若干例中，該基板處理系統可能被停用以允許對該邊緣環定心問題進一步的診斷。

可以理解，在此描述的該邊緣環定心系統能夠在相對短的時間內以高準度反復地放置該邊緣環在該邊緣環上升銷之上。在若干例中，該邊緣環定心系統能夠每一室每一基板轉移模組手臂在15分鐘內在30µm（及15µm三個標準差）之內放置該邊緣環。

前面之描述本質上僅為說明性的，且絕不旨在限制本揭露、其應用或用途。本揭露的廣泛教示可以在各種不同的形式中實現。因此，雖然本揭露包含特定示例時，但本揭露的真實範圍應不受到如此限制，因為在研究圖示、說明書、及之後的申請專利範圍後，其他修改將變得顯而易見。需要了解到在一種方法之中的一或多個步驟可能在不改變本揭露的該原則的情形下，以不同的順序（或同時）執行。更進一步，雖然上述每一實施例被描述為具有特定特徵，但任何一或多個這些關於本揭露的任何實施例被描述的特徵可以實現在於任何其他實施例的特徵及/或結合於任何其他實施例的特徵，即使未明確描述該結合。另言之，該被描述的實施例非互相排斥，且一或數實施例及另一實施例之置換仍在本揭露的範圍之內。

在元件之間（如在模組、電路元件、半導體層、等等之間）的空間性與功能性關係使用各種不同的詞彙加以描述，包含「連接」、「接合」、「耦合」、「相鄰」、「旁邊」、「在……之上」、「以上」、「在……之下」、及「配置」。除非當第一及第二元件之間的關係在以上揭露的描述中被明確的描述為「直接的」，否則該關係可係在第一及第二元件之間不存在其他的中介元件的一直接關係，但也可係在第一及第二元件之間（無論空間性或功能性地）存在一或多個中介元件的一非直接關係。如在此所使用，「A、B、及C中的至少一個」的用語應被理解為意味著使用一非互斥的邏輯運算子「或（OR）」的一邏輯關係（A或B或C），且不應被理解為其意味著「A中的至少一個、B中的至少一個、及C中的至少一個」。

在若干實作中，一控制器係系統之一部分，該系統可能係上述例子中之一部分。如此的系統可包含半導體處理設備，其中包含一或複數的處理工具、處理室、處理平台、及/或特定的處理元件（一基板台座、一氣流系統、等等）。這些系統可能與電子元件整合以在半導體基板或基板的處理之前、之中、之後控制其運作。該電子元件可能指涉如該「控制器」，其可能控制該一或複數系統的各種不同的元件或子元件。取決於該處理需求及/或系統類型，該控制器可能被程式化以控制此處揭露的任何製程，包含處理氣體的運送、溫度設定（如，加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻產生器設定、射頻匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、位置及操作設定、基板移入及移出一工具或其他轉移工具及/或與一特定系統相連或接口該系統之負載鎖。

廣義而言，該控制器可能被界定為具有各種不同的積體電路、邏輯閘、記憶體、及/或軟體的電子元件，其接收指令、發出指令、控制作業、啟動清洗作業、啟動末端量測等等。該積體電路可能包含儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位信號處理器（DSP）、定義為特殊應用積體電路（ASIC）的晶片、及/或執行程式指令（如軟體）的一或多的微處理器或微控制器。程式指令可能係以各種不同的獨立設定（或程式檔案）的形式傳輸指令至該控制器，定義用於一半導體基板或在其之上或對一系統執行一特定製程的作業參數。該作業參數可能，在若干實施例中，係一配方之一部分，該配方被製程工程師所定義以完成在一或多的層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或一基板的晶粒之製造期間一或多的處理步驟。

該控制器，在若干實作中，可能係一電腦之一部分或與一電腦耦合，該電腦與該系統整合、耦合至該系統、以其他方式網路連線至該系統、或其中的組合。例如，該控制器可能在「雲端」或著係晶圓廠主機電腦系統的全部或一部，其可允許該基板處理的遠端存取。該電腦可能允許對該系統的遠端存取以監控目前製造作業的進度、檢視過去製造作業的歷史紀錄、檢視來自複數製造作業的趨勢或績效指標，以改變目前製程的參數、設定處理步驟以遵循一目前的製程、或開始一新的製程。在若干例中，一遠端電腦（如，一伺服器）可以藉由網路提供製程配方至一系統，該網路可能包含一區域網路或網際網路。該遠端電腦可能包含一使用者介面，其允許參數及/或設定的輸入或程式設計，接著自該遠端電腦將其傳輸至該系統。在若干例中，該控制器接收資料形式的指令，該指令對即將在一或多的作業期間施行的處理步驟指定參數。應理解的是，該參數可能特定於即將施行的製程類型及該控制器被配置以連接或控制的工具類型。因此如上所述，如藉由包含共同以網路相連且朝一共同目的（如在此所述的製程及控制）運作的一或多的分離控制器，該控制器可能係分散式的。用於如此目的之一分散式控制器的一例係在一室之上的一或多的積體電路與位於遠端（如在該平台層級或著係一遠端電腦之一部分）的一或多的積體電路通信，這些積體電路相結合以控制在該室之上的一製程。

不以此為限，例示系統可能包含一電漿蝕刻室或模組、一沉積室或模組、一旋轉清洗室或模組、一金屬電鍍室或模組、一清洗室或模組、一斜邊蝕刻室或模組、一物理氣相沉積（PVD）室或模組、一化學沉積室（CVD）或模組、一原子層沉積（ALD）室或模組、一原子層蝕刻（ALE）室或模組、一離子佈植室或模組、一徑跡室或模組、及可能關聯或使用於半導體基板的製造及/或生產之中的任何其他半導體處理系統。

如上所述，取決於該工具即將施作的該處理的一或多步驟，該控制器可能與一或多的其他工具電路或模組、其他工具組件、叢集工具、其他工具介面、鄰接工具、鄰近工具、遍布一工廠的工具、一主電腦、另一個控制器、或用在材料運送的工具通信，該材料運送係將基板之容器攜往及攜自工具位置及/或在一半導體生產工廠之中的裝載埠。

100:基板處理系統 102:處理室 104:上電極 106:基板支撐件 108:基板 109:噴淋頭 110:底座 112:陶瓷層 114:黏著層 116:冷卻劑管道 120:射頻產生系統 122:射頻電壓產生器 124:匹配及分配網路 130:氣體運送系統 132:氣體源 134:閥 136:質量流控制器 140:歧管 142:溫度控制器 144:加熱元件 146:冷卻劑組件 150:閥 152:幫浦 160:系統控制器 170:機器人 172:負載鎖 176:保護密封件 180:邊緣環 182:光學感測器 210:外殼 214:室通口 218:開口 220:邊緣環: 232-1,232-2:末端效應器 234:機器手臂 240:光學感測器 320:基板支撐件: 330:第一層 332:黏著層 334:底座 336:邊緣環 340:邊緣環上升銷 350:凹槽 410:環形體 500:方法

藉由實施方式章節及隨附圖示，本揭露將被更完整的理解，其中：

圖1係根據本揭露之一電漿處理系統之一例的一功能方塊圖；

圖2係根據本揭露之一處理室、包含一末端效應器之一機器手臂、及邊緣環之一例的一立體圖；

圖3係根據本揭露之一基板支撐件及以一上升銷加以支撐之一邊緣環之一例的一橫剖面圖；

圖4係根據本揭露之包含凹槽之一邊緣環之一例的一仰視平面圖；及

圖5係根據本揭露之定心一邊緣環的一種方法之一例的一流程圖。

在該圖示中，參考數字可能被重複使用以標示相似及/或相等的元件。

102:處理室

210:外殼

214:室通口

218:開口

220:邊緣環

232-1,232-2:末端效應器

234:機器手臂

240:光學感測器

Claims (13)

1. 一種用於一電漿處理系統的邊緣環定心系統，包含： 一處理室，其包含一基板支撐件及R個邊緣環上升銷，其中R係大於或等於3的整數； 一邊緣環，其包含P個位於其底面的凹槽，其中P係大於或等於R之整數； 一機器手臂，包含一末端效應器； 一光學感測器；及 一控制器，其加以配置以： 使該光學感測器感測在該末端效應器之上的該邊緣環的第一位置； 使該機器手臂運送該邊緣環至位於該邊緣環上升銷之上的一第一中心位置； 自該邊緣環上升銷收回該邊緣環；及 使該光學感測器感測在該末端效應器之上的該邊緣環的一第二位置。
2. 如請求項1之邊緣環定心系統，其中該控制器進一步加以配置以基於該第二位置及第一位置之間的差而產生一第一偏移
3. 如請求項2之邊緣環定心系統，其中該控制器更進一步加以配置以基於該第一中心位置及該第一偏移對該邊緣環產生一第一調整中心位置。
4. 如請求項3之邊緣環定心系統，其中該控制器更進一步加以配置以： 使該機器手臂基於該第一調整中心位置運送該邊緣環至該邊緣環上升銷之上； 自該邊緣環上升銷收回該邊緣環；及 使該光學感測器感測該在該機器手臂之上的該邊緣環的一第三位置。
5. 如請求項4之邊緣環定心系統，其中該控制器進一步加以配置以基於在該第三位置與該第二位置之間的差而產生一第二偏移。
6. 如請求項5之邊緣環定心系統，其中該控制器進一步加以配置以基於該第一調整中心位置及該第二偏移，產生一第二調整中心位置。
7. 如請求項6之邊緣環定心系統，其中該控制器進一步加以配置以： 使該機器手臂基於該第二調整中心位置，運送該邊緣環至該邊緣環上升銷之上； 自該邊緣環上升銷收回該邊緣環；及 使該光學感測器感測該在該機器手臂之上的該邊緣環的一第四位置。
8. 如請求項7之邊緣環定心系統，其中該控制器進一步加以配置以基於在該第四位置與該第三位置之間的差，產生一第三偏移。
9. 如請求項8之邊緣環定心系統，其中該控制器進一步加以配置以比較該第三偏移與一預定偏移。
10. 如請求項8之邊緣環定心系統，其中該控制器進一步加以配置以確定該邊緣環係是否基於該比較而加以定心。
11. 如請求項1項之邊緣環定心系統，其中該P個凹槽係「V」形。
12. 如請求項1項之邊緣環定心系統，其中該P個凹槽在該邊緣環的底面周圍以360⁰/P相間隔。
13. 如請求項1項之邊緣環定心系統，其中該P個凹槽係「V」形且其中該P個凹槽的一最底部分沿一徑向方向而延伸。

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