JP2023514065A - 自動回転プリアライメントを用いたエッジリング搬送 - Google Patents

自動回転プリアライメントを用いたエッジリング搬送 Download PDF

Info

Publication number
JP2023514065A
JP2023514065A JP2022544651A JP2022544651A JP2023514065A JP 2023514065 A JP2023514065 A JP 2023514065A JP 2022544651 A JP2022544651 A JP 2022544651A JP 2022544651 A JP2022544651 A JP 2022544651A JP 2023514065 A JP2023514065 A JP 2023514065A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
edge ring
carrier plate
substrate
end effector
robot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022544651A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021150548A5 (ja
Inventor
ゲネッティ・デーモン・タイロン
アンジェロ・ダリル
グールド・リチャード・エイチ.
パウエル・ロイ・スコット
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of JP2023514065A publication Critical patent/JP2023514065A/ja
Publication of JPWO2021150548A5 publication Critical patent/JPWO2021150548A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642Focus rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773Conveying cassettes, containers or carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
  • Attitude Control For Articles On Conveyors (AREA)
  • Feeding Of Articles To Conveyors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

【解決手段】システムは、基板処理システム内で基板およびエッジリングのうちいずれか一方を搬送するように構成されているロボットと、ロボットのエンドエフェクタに対する相対的な基板またはエッジリングのうちいずれか一方の回転位置を調整するように構成されている基板アライナーと、エッジリングを支持するように構成されているキャリアプレートとを含む。ロボットは、エンドエフェクタを用いてキャリアプレートを取り出し、エンドエフェクタに支持されたキャリアプレートを使用してエッジリングを取り出し、キャリアプレートおよびエッジリングを基板アライナーに搬送するように構成されている。【選択図】 図3A

Description

関連出願の相互参照
本願は、2020年1月23日付で出願した、米国仮特許出願第62/964,908号の優先権の利益を主張する。上記関連出願は、参照によりその全体の開示が本明細書に組み込まれる。
本開示は、基板処理システムにおいてエッジリングを整列させるシステムおよび方法に関する。
本明細書で提供される背景技術の説明は、本開示の内容の概略を提示することを目的とする。ここに名前を挙げられている発明者らによる研究は、この背景技術の欄で説明される範囲内において、出願時に先行技術としてみなされ得ない説明の態様と同様に、明示的にも黙示的にも本開示に対する先行技術として認められない。
基板処理システムは、半導体ウエハなどの基板を処理するために使用される場合がある。基板上で実行可能な例示的なプロセスとしては、化学気相堆積(CVD)、原子層堆積(ALD)、コンダクタエッチング、および/またはその他のエッチング、堆積、または洗浄プロセスが挙げられるが、これらに限定されない。基板は、基板処理システムの処理チャンバにおいて、台座、静電チャック(ESC)など、基板支持体上に配置されてもよい。エッチング中、1つまたは複数の前駆体を含むガス混合物は、処理チャンバ内に導入されてもよく、プラズマを使用して、化学反応を開始させてもよい。
基板支持体は、ウエハを支持するために配置されるセラミック層を含んでもよい。例えば、ウエハは、処理中に、セラミック層にクランプされてもよい。基板支持体は、基板支持体の(例えば、周囲の外側および/または周囲に隣接する)外側部分の周りに配置されたエッジリングを含んでもよい。エッジリングは、プラズマを基板の上方の容積に閉じ込め、基板支持体をプラズマなどによる浸食から保護するために設けられてもよい。
システムは、基板処理システム内で基板またはエッジリングのうちいずれか一方を搬送するように構成されているロボットと、ロボットのエンドエフェクタに対する相対的な基板またはエッジリングのうちいずれか一方の回転位置を調整するように構成されている基板アライナーと、エッジリングを支持するように構成されているキャリアプレートとを含む。ロボットは、エンドエフェクタを用いてキャリアプレートを取り出し、エンドエフェクタに支持されたキャリアプレートを使用してエッジリングを取り出し、かつキャリアプレートおよびエッジリングを基板アライナーに搬送するように構成されている。
他の特徴では、撮像装置は、エッジリングおよびキャリアプレートが基板アライナー上に配置されている間に、エッジリングの特徴を検出するように構成されている。特徴は、エッジリングの内径の平坦な領域である。エッジリングの表面は全体的に研磨され、特徴はエッジリングの研磨されていない部分と粗面化された部分のうち少なくともいずれか一方に対応する。エッジリングの表面は全体的に研磨されず、特徴はエッジリングの研磨された部分に対応する。特徴は、エッジリングの底面上に配置されたノッチを含む。特徴は、エッジリングに設けられた窓を含む。窓は、エッジリングを介した光の透過をもたらす。エッジリングは被膜され、特徴はエッジリングの被膜されていない部分に対応する。エッジリングは被膜されず、特徴はエッジリングの被膜された部分に対応する。特徴は、エッジリングの表面上のうち少なくとも1つのマークに対応する。
他の特徴では、基板アライナーは、撮像装置によって検出されたエッジリングの特徴に基づいて、キャリアプレートおよびエッジリングを回転させるように構成されている。ダイナミックアライメントモジュールは、撮像装置によって検出されたエッジリングの特徴に基づいて、エンドエフェクタに対する相対的なエッジリングの回転位置を決定するように構成されている。基板アライナーは、ダイナミックアライメントモジュールによって決定されたエッジリングの回転位置に基づいて、キャリアプレートおよびエッジリングを回転させるように構成されている。基板アライナーは、エンドエフェクタに対する相対的なエッジリングの所望の回転位置に基づいて、キャリアプレートおよびエッジリングをさらに回転させるように構成されている。
他の特徴では、キャリアプレートは、キャリアプレートの本体のそれぞれの角から延伸する複数のタブを含み、本体の周囲は、エッジリングの内径よりも小さく、かつ複数のタブは、エッジリングの内径を越えて延伸する。複数のタブのうち少なくとも2つは、エラストマーパッドを含む。キャリアプレートの底面は、熱可塑性材料を含有するコンタクトシートを含む。コンタクトシートは、キャリアプレートの底面の凹部に配置される。キャリアプレートは、丸みを帯びた角を含む。キャリアプレートの丸みを帯びた角は、基板の直径に対応する周囲を画定する。直径は、約300mmである。
方法は、基板処理システム内のロボットを制御して、ロボットのエンドエフェクタを使用してキャリアプレートを取り出し、エンドエフェクタに支持されたキャリアプレートを使用してエッジリングを取り出し、かつ基板またはエッジリングのうちいずれか一方の回転位置を調整するように構成されている基板アライナーにキャリアプレートおよびエッジリングを搬送し、キャリアプレートおよびエッジリングが基板アライナー上に配置されている間に、エッジリングの回転位置を調整することを含む。
他の特徴では、方法は、エッジリングおよびキャリアプレートが基板アライナー上に配置されている間に、エッジリングの特徴を検出することをさらに含む。特徴は、エッジリングの内径の平坦な領域である。エッジリングの表面は全体的に研磨され、特徴はエッジリングの研磨されていない部分と粗面化された部分のうち少なくともいずれか一方に対応する。エッジリングの表面は全体的に研磨されず、特徴はエッジリングの研磨された部分に対応する。エッジリングは被膜され、特徴はエッジリングの被膜されていない部分に対応する。エッジリングは被膜されず、特徴はエッジリングの被膜された部分に対応する。特徴は、エッジリングの表面上のうち少なくとも1つのマークに対応する。
他の特徴では、方法は、エッジリングの検出された特徴に基づいて、キャリアプレートおよびエッジリングを回転させることをさらに含む。方法は、エッジリングの検出された特徴に基づいて、エンドエフェクタに対するエッジリングの回転位置を決定することと、エッジリングの決定された回転位置に基づいて、キャリアプレートおよびエッジリングを回転させることとをさらに含む。方法は、エンドエフェクタに対する相対的なエッジリングの所望の回転位置に基づいて、キャリアプレートおよびエッジリングをさらに回転させることをさらに含む。
キャリアプレートは、キャリアプレートの本体のそれぞれの角から延伸する複数のタブを含み、本体の周囲は、エッジリングの内径よりも小さく、複数のタブは、エッジリングの内径を越えて延伸し、かつエッジリングを取り出すことは、エッジリングの内径が複数のタブで支持されるエッジリングを取り出すことを含む。キャリアプレートは、丸みを帯びた角を含む。キャリアプレートの丸みを帯びた角は、基板の直径に対応する周囲を画定する。直径は、約300mmである。
システムは、基板処理システム内で基板またはエッジリングのうちいずれか一方を搬送するように構成されているロボットと、ロボットのエンドエフェクタに対する相対的な基板またはエッジリングのうちいずれか一方の回転位置を調整するように構成されている基板アライナーと、エッジリングを支持するように構成されているキャリアプレートとを含む。ロボットは、エンドエフェクタでキャリアプレートを取り出し、キャリアプレートの検出された特徴に基づいて、エンドエフェクタ上のキャリアプレートの回転アライメントを調整するように構成されている。
本開示を適用可能なさらなる領域は、詳細な説明、特許請求の範囲および図面から明らかになるであろう。詳細な説明および特定の例は、例示のみを目的としており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。
本開示は、詳細な説明および添付の図面からより完全に理解されるであろう。
図1Aは、本開示による例示的な基板処理システムの機能ブロック図である。
図1Bは、本開示による例示的な基板処理ツールを示す。
図2は、本開示による例示的なエッジリングアライメントシステムである。
図3Aは、本開示による例示的なキャリアプレートを示す。 図3Bは、本開示による例示的なキャリアプレートを示す。 図3Cは、本開示による例示的なキャリアプレートを示す。
図4Aは、本開示によるキャリアプレートを使用してエッジリングを整列させるように構成されているロボットアセンブリを示す。 図4Bは、本開示によるキャリアプレートを使用してエッジリングを整列させるように構成されているロボットアセンブリを示す。 図4Cは、本開示によるキャリアプレートを使用してエッジリングを整列させるように構成されているロボットアセンブリを示す。
図5は、本開示によるエッジリングを整列させる例示的な方法のステップを示す。
図6は、本開示による溝を含む例示的なエッジリングである。
図7Aは、本開示による1つまたは複数のアライメントノッチを含む別の例示的なエッジリングの底面図および内径を示す。 図7Bは、本開示による1つまたは複数のアライメントノッチを含む別の例示的なエッジリングの底面図および内径を示す。 図7Cは、本開示による1つまたは複数のアライメントノッチを含む別の例示的なエッジリングの底面図および内径を示す。
図8Aは、本開示による別の例示的なエッジリングの、それぞれ、断面図および上面図である。 図8Bは、本開示による別の例示的なエッジリングの、それぞれ、断面図および上面図である。
図面において、参照番号は、類似の要素および/または同一の要素を特定するために再度利用される場合がある。
基板処理システムにおける基板支持体は、エッジリングを含んでもよい。また、いくつかのシステムでは、処理チャンバ内で基板を基板支持体に搬入出するために使用されるロボット/ハンドラ(例えば、真空搬送モジュール(VTM)ロボット)が、エッジリングを処理チャンバに搬入出するように構成されてもよい。例えば、エッジリングは、消耗品であってもよく(すなわち、エッジリングは、時間の経過とともに磨耗する場合がある)、したがって、定期的に交換される。ロボットは、基板支持体からエッジリングを設置および除去するように構成されてもよい。基板処理システムは、他の構成要素(例えば、ローディングステーション、装置フロントエンドモジュール(EFEM)、ロードロックなど)内および間でエッジリングを搬送するように構成されている1つまたは複数の他のロボットを含んでもよい。
基板支持体上のエッジリングの正確な配置は、困難な場合がある。いくつかの基板処理システムは、ロボットを使用して基板支持体上の基板を整列させるためのダイナミックアライメント(DA)システムを実装してもよい。例示的なDAシステムおよび方法は、米国特許第9,269,529号にさらに詳細に記載されており、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。例えば、DAシステムおよび方法は、基板支持体上への配置の前に、ロボットのエンドエフェクタで基板の位置を決定する光学センサを実装してもよい。DAシステムは、決定された位置に基づいて、基板の回転位置を調整するように構成されている基板アライナーをさらに含んでもよい。本開示によるシステムおよび方法は、基板の回転アライメントを実行するように構成されているロボットおよびDAシステムを用いてエッジリングの回転アライメントを実行する。
ここで図1Aおよび1Bを参照すると、基板処理ツール102を含む例示的な基板処理システム100が示されている。図1Bは、基板処理ツール102を上方から見た図である。一例として、基板処理システム100は、RFプラズマおよび/または他の適切な基板処理を用いてエッチングを実行するために使用されてもよい。基板処理システム100は、基板処理システム100の他の構成要素を囲み、RFプラズマを含む1つまたは複数の処理モジュールまたはチャンバ104を含む。
処理される基板は、1つまたは複数の中間チャンバを介して基板処理ツール102内に搬入される。例えば、基板は、装置フロントエンドモジュール(EFEM)108など、大気-真空(ATV)搬送モジュールのローディングステーション106のポートを介して搬入され、その後、1つまたは複数の処理チャンバ104内に搬送される。例えば、搬送ロボット110は、基板をローディングステーション106からエアロック、すなわちロードロック112に搬送するように配置され、真空搬送モジュール116の真空搬送ロボット114は、基板をロードロック112から様々な処理チャンバ104に搬送するように配置される。
処理チャンバ104は、上部電極118と、静電チャック(ESC)など、基板支持体120とを含む。動作中、基板122は、基板支持体120上に配置される。特定の基板処理システム100および処理チャンバ104が一例として示されているが、本開示の原理は、その場でプラズマを発生させる、遠隔プラズマ生成および供給などを実施する(例えば、プラズマ管、マイクロ波管を使用する)基板処理システムなど、他の種類の基板処理システムおよびチャンバに適用されてもよい。
一例として、上部電極118は、プロセスガスを導入し、分配するシャワーヘッド124などのガス分配装置を含んでもよい。他の例では、上部電極118は、導電性プレートを含んでもよく、プロセスガスは、別の方法で導入されてもよい。基板支持体120は、下部電極として作用する導電性ベースプレート126を含む。ベースプレート126は、セラミック層128を支持する。
RF発生システム130は、上部電極118と下部電極(例えば、基板支持体120のベースプレート126)の一方にRF電圧を発生させ、出力する。上部電極118とベースプレート126の他方は、DC接地、AC接地または浮遊であってもよい。一例として、RF発生システム130は、整合および分配ネットワーク134によって上部電極118またはベースプレート126に供給されるRF電圧を発生させるRF電圧発生器132を含んでもよい。他の例では、プラズマは、誘導的にまたは遠隔的に生成されてもよい。例示目的で示すように、RF発生システム130は容量結合プラズマ(CCP)システムに対応するが、本開示の原理は、一例として、トランス結合プラズマ(TCP)システム、CCPカソードシステム、遠隔マイクロ波プラズマ発生および供給システムなど、他の適切なシステムでも実現可能である。
ガス供給システム140は、1つまたは複数のガス源142-1、142-2、...、および142-N(総称してガス源142と呼ぶ)を含み、ここで、Nは、0よりも大きい整数である。ガス源は、1つまたは複数の前駆体およびそれらのガス混合物を供給する。また、ガス源は、パージガスを供給してもよい。また、気化した前駆体が使用されてもよい。ガス源142は、バルブ144-1、144-2、...、および144-N(総称してバルブ144と呼ぶ)とマスフローコントローラ146-1、146-2、...、および146-N(総称してマスフローコントローラ146と呼ぶ)とによってマニホールド148に接続されている。マニホールド148の出力は、処理チャンバ104に供給される。一例として、マニホールド148の出力は、シャワーヘッド124に供給される。バルブ150およびポンプ152は、処理チャンバ104から反応物を排気するために使用されてもよい。
システムコントローラ160は、基板処理システム100の構成要素を制御するために使用されてもよい。例えば、システムコントローラ160は、ロボット110および114を制御して、ローディングステーション106、EFEM108、ロードロック112、VTM116、および処理チャンバ104内ならびにそれらの間で基板を搬送するように構成されている。
基板支持体120は、エッジリング170を含む。本開示の原理によるエッジリング170は、基板支持体120に対して移動可能(例えば、垂直方向に上下に移動可能)であってもよい。例えば、エッジリング170は、システムコントローラ160に応答するアクチュエータおよびリフトピン(図示せず)を介して制御されてもよい。システムコントローラ160および真空搬送ロボット114は、それぞれの処理チャンバ104のロードロック112と基板支持体120との間でエッジリング170を搬送するようにさらに構成されてもよい。逆に、システムコントローラ160および搬送ロボット110は、ローディングステーション106、EFEM108、およびロードロック112のうちの1つの間でエッジリング170を搬送するように構成されてもよい。
基板処理システム100は、1つまたは複数の統合された基板アライナー180を含んでもよい。図示のように、基板アライナー180は、EFEM108内に位置する。他の例では、基板アライナー180は、真空搬送モジュール116など、他のチャンバ内に位置してもよい。本開示による基板処理システム100は、より詳細に後述するように、システムコントローラ160、搬送ロボット110、および基板アライナー180を使用してエッジリング170の回転アライメントを実行するように構成されている。
ここで図2を参照すると、本開示の原理による例示的なエッジリングアライメントシステム200が示されている。システム200は、コントローラ204(例えば、図1Aのコントローラ160に相当する)と、ロボット208(例えば、図1Aおよび図1Bの搬送ロボット10に相当する)と、撮像装置212とを含む。例えば、撮像装置212は、視認領域内の物体を検出するように構成されているカメラ、センサなどを含む。撮像装置212は、EFEM108などのチャンバ内の基板アライナー216上または近くに配置されてもよい。
コントローラ204は、ロボット制御モジュール220とダイナミックアライメント(DA)モジュール224とを含んでもよい。ロボット制御モジュール220は、ロボット208を制御する。例えば、ロボット制御モジュール220は、ロボット208を制御して、様々なプロセスモジュール/チャンバ、真空チャンバなどの間で基板およびエッジリングを搬送する。本開示の原理によるロボット208は、エッジリングを配置し、取り出すように構成されているエンドエフェクタを含む。例えば、ロボット208は、エッジリングを取り出し、エッジリングをローディングステーション106から、EFEM108を通り、ロードロック112に搬送する。搬送中、エッジリングは、エンドエフェクタ上でエッジリングの回転位置を検出するために、撮像装置212の視認領域内の基板アライナー216上に配置される。いくつかの例では、基板アライナー216は、ロボット208を含むロボットアセンブリに統合されてもよい。
一例では、撮像装置212は、ロボット208のエンドエフェクタに向かって1つまたは複数のビームを投射し、エッジリングがビームを遮ったときに感知し、どのビームが遮られているかを示すパターンに基づいて、エンドエフェクタ上のエッジリングの位置を決定してもよい。例えば、パターンをエンドエフェクタ上の所望の回転位置を示す所定のパターンと比較することにより、エッジリングの回転アライメントを決定してもよい。他の例では、撮像装置212により、エッジリング、エンドエフェクタ、アダプタまたはキャリアプレート、および/または他の構造上の特徴を検出して、エンドエフェクタ上のエッジリングの回転位置を決定してもよい。
DAモジュール224は、撮像装置212から位置検出データを受信する。例えば、位置検出データは、エッジリングが撮像装置212の視認領域を通過したときに生成されたビームパターン、エッジリング上、エンドエフェクタ上、キャリアプレート上などで検出された特徴を示すデータ、および/またはエンドエフェクタ上のエッジリングの回転位置を示す他のデータを含んでもよい。DAモジュール224は、位置検出データに基づいて、エンドエフェクタ上のエッジリングの実際の回転位置と、エンドエフェクタ上の実際の回転位置と所望の回転位置との間の回転オフセットとを含む位置情報を計算するように構成されている。DAモジュール224は、基板アライナー216を制御して、エッジリングがエンドエフェクタ上の所望の回転位置に合致する位置になるまで、位置情報に基づいてエッジリングを回転させるようにさらに構成されてもよい。ロボット208は、エッジリングが所望の回転位置に合致する位置にあるとき、エンドエフェクタでエッジリングを取り出す。
一般的に、エンドエフェクタは、搬送基板を支持するように構成されている。すなわち、エンドエフェクタは、基板などのディスク状物体を支持するように構成され、エッジリングなどの環状物体を支持するように構成されない場合がある。さらに、特定の基板支持体用のエッジリングは一般に、基板支持体と同じ大きさの基板よりも大きな直径を有する。同様に、基板アライナー216は、基板を支持するが、エッジリングを支持しないように構成されている場合がある。したがって、本開示によるアライメントシステム200は、エンドエフェクタおよび/または基板アライナー上のエッジリング用に支持界面を提供するように構成されているアダプタまたはキャリア(以下、「キャリアプレート」)を実装する。
ここで図3A、図3B、および図3Cを参照すると、例示的なキャリアプレート300が示されている。図3Aでは、キャリアプレート300がロボット(例えば、図2のロボット208)のエンドエフェクタ304に支持され、エッジリング308がキャリアプレート300に支持されていることが示されている。キャリアプレート300の例の上面312および底面316の図が、図3Bおよび3Cに示されている。キャリアプレート300は、エンドエフェクタ304の荷重たわみを最小限に抑えながら、炭素繊維など、高剛性と低偏向とを提供する軽量な材料で構成されてもよい。
キャリアプレート300は、エンドエフェクタ304上のエッジリング308に対する支持を提供する。例えば、キャリアプレート300は、エッジリング308の内径320と統合するように構成されている。一例として、キャリアプレート300は、キャリアプレート300の矩形本体326のそれぞれの角から延伸する複数のフィンガーまたはタブ324を含む。タブ324の各々(または少なくとも2つ)は、キャリアプレート300の上面312上に、エラストマーパッド328など、把持面を含んでもよい。パッド328により、エッジリング308が保持しやすくなり、滑りが防止される。
逆に、キャリアプレート300の底面316は、コンタクトシート332を含んでもよい。一例として、コンタクトシート332は、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの熱可塑性プラスチックで構成されている。コンタクトシート332は、キャリアプレート300とエンドエフェクタ304と基板アライナー216との間の接触界面を提供する。いくつかの例では、コンタクトシート332は、底面316上の凹部内に配置されてもよい。
キャリアプレート300は、エッジリング308の寸法に応じた大きさである。例えば、キャリアプレート300は、エッジリング308の内径320に応じた大きさである。すなわち、矩形本体326の周囲は、内径320よりも小さくてもよく(すなわち、内径内に位置する)、一方で、タブ324は、内径320を越えて延伸する。内径が約300mm(例えば、300mmの基板用に構成されている基板支持体の場合、295~305mm)である例では、タブ324は、300mmの直径に対応する周囲を越えて延伸する。
図3Cに示す例では、キャリアプレート300は、面取りを施した、または丸みを帯びた角336を含む。300mmの基板用に構成されている基板アライナーの場合、撮像装置212は、基板の外径の上方に位置決めされた視認領域を有するように構成されてもよい。したがって、キャリアプレート300は、基板アライナー216上で整列している基板に対応する寸法を有するように構成されてもよい。例えば、丸みを帯びた角336は、所望の直径D(例えば、300mm)に対応する外周を画定する。すなわち、丸みを帯びた角336は、基板と同じ直径(例えば、300mm)に概ね対応する周囲または円弧を画定する。したがって、300mmの基板の外周を検出するように構成されているシステムにより、丸みを帯びた角336を検出して、キャリアプレート300の検出およびアライメントを容易に行うこともできる。さらに、キャリアプレート300および/またはエッジリング308は、撮像装置212によって検出可能な1つまたは複数の特徴(例えば、エッジリング308の内径320上の平坦領域340)を含んでもよい。このようにして、キャリアプレート300は、より詳細に後述するように、基板アライナー216上での位置決めおよびアライメント、ならびに撮像装置212による検出が容易になるように構成されている。
ここで図4A、4B、および4C、ならびに図3A、3B、および3Cを引き続き参照して、本開示による例示的なエッジリング搬送およびアライメントプロセスを説明する。ロボットアセンブリ400は、ロボット404と、基板アライナー408と、統合されたセンサまたは撮像装置412とを含んでもよい。基板アライナー408に統合されているように示しているが、他の実施形態では、撮像装置412またはセンサは、異なる位置(すなわち、遠隔に位置し、基板アライナー408に統合されていない)に設けられてもよい。ロボット404は、エンドエフェクタ304を使用してキャリアプレート300を取り出す。例えば、ロボット404は、EFEM108内のバッファまたは他の保管場所からキャリアプレート300を取り出す。ロボット404は、支持されたキャリアプレート300を備えたエンドエフェクタ304を使用して、エッジリング308を取り出す。例えば、ロボット404は、ローディングステーション106のうちの1つからエッジリング308を取り出す。
エッジリング308がキャリアプレート300を使用してエンドエフェクタ304に支持された状態で、ロボット404は、エッジリング308を基板アライナー408の上方に位置決めする。例えば、ロボット404は、図4Aおよび図4Cに示すように、ホーム位置または折り畳み位置に移行してもよい。折り畳み位置では、エッジリング308は、基板アライナー408の上方に位置決めされる。基板アライナー408は、キャリアプレート300およびエッジリング308をエンドエフェクタ304から外すために上方に上昇するように構成されているチャック416を含んでもよい。いくつかの例では、チャック416は、キャリアプレート300を基板アライナー408に固定するために、(例えば、真空吸引を使用して)キャリアプレート300を把持してもよい。
キャリアプレート300およびエッジリング308が上昇した位置にある状態で、チャック416は、撮像装置412の視認領域内でエッジリング308を回転させて、エンドエフェクタ304に対するエッジリング308の回転位置を検出してもよい。例えば、キャリアプレート300および/またはエッジリング308は、エッジリング308の内径320上の平坦領域340など、撮像装置412によって検出可能な1つまたは複数の特徴を含んでもよい。他の例では、撮像装置412は、エッジリング308上のマーク、エッジリング308のノッチ、キャリアプレート300上のマーク、エッジリング308の環状縁部、キャリアプレート300の縁部、タブ324などを含むが、これらに限定されない、1つまたは複数の他の特徴を検出するように構成されてもよい。
撮像装置412が平坦領域340を検出するように構成されている例では、キャリアプレート300は、平坦領域340に隣接するキャリアプレート300の縁部が撮像装置412の視認領域内にないような大きさである可能性がある。したがって、撮像装置412は、平坦領域340の代わりにキャリアプレート300の縁部を不注意に検出しない。
いくつかの例では、コントローラ204、DAモジュール224、および/または撮像装置212、412は、基板アライナー408が基板またはエッジリングを整列させているか否かに応じて、異なるモードで動作するように構成されてもよい。例えば、基板は、第1の種類の検出可能な特徴(例えば、ノッチまたはマーク)を有してもよく、一方で、エッジリングは、第2の種類の検出可能な特徴(例えば、平坦領域340または異なる種類のマーク)を有してもよい。したがって、コントローラ204、DAモジュール224、および/または撮像装置212、412は、基板アライナー408上に整列している基板上の特徴を検出する基板モードと、基板アライナー408上に整列しているエッジリング上の特徴を検出するエッジリングモードとで動作するように構成されてもよい。
基板アライナー408は、検出された特徴が、エッジリング308が所望の回転位置にあることを示すまでキャリアプレート300を回転させ、その後、キャリアプレート300およびエッジリング308をエンドエフェクタ304上に降下させる。例えば、DAモジュール224は、基板アライナー408を制御して、撮像装置412から受信した信号に基づいてキャリアプレート300を回転させてもよい。また、いくつかの例では、基板アライナー408は、エンドエフェクタ304に対するエッジリング308の位置の線形調整を実行するように構成されてもよい。例えば、基板アライナー408は、エッジリング308の線形位置を調整して、基板支持体120上のエッジリング308のセンタリングを容易にしてもよい。その後、ロボット404は、(例えば、真空搬送ロボット114によるエッジリング308の取り出しおよび基板支持体120への搬送のために)キャリアプレート300およびエッジリング308をロードロック112に搬送する。
エッジリング308をロードロック112に搬送した後、ロボット404は、保管のためにバッファに戻される前に、センタリングおよび回転アライメントのためにキャリアプレート300を任意に搬送してもよい。エッジリング308を取り出す前、エッジリング308を搬送した後などに、キャリアプレート300のみ(すなわち、エッジリング308が存在しない)を整列させてもよい。例えば、上述したように、丸みを帯びた角336は、基板の直径に対応する周囲または円弧を画定する。したがって、丸みを帯びた角336を検出することにより、エンドエフェクタ304上のキャリアプレート300を容易に検出し、整列させることができる。いくつかの例では、キャリアプレート300を整列させた後、キャリアプレート300は、異なるアライメント(すなわち、公称アライメントからオフセットされた回転アライメント)に調整されてもよい。例えば、システムの幾何学的形状および寸法に応じて、キャリアプレート300の寸法が、エッジリング308の搬送(例えば、ローディングステーション106、EFEM108、ロードロック112、VTM116、処理チャンバ104などのスロットを通るエッジリング308の搬送)を妨害する恐れがある。したがって、エンドエフェクタ304上のキャリアプレート300の回転アライメントは、キャリアプレート300がそれぞれのスロットを通過しやすくするための所望の角度に調整されてもよい。
いくつかの例では、ロボット404および基板アライナー408は、エッジリング308を整列させるために追加のステップを実行するように構成されてもよい。例えば、基板アライナー408の回転範囲が制限されている場合、および/またはエンドエフェクタ304、ロボットアセンブリ400などの他の構造的制限が追加の回転を妨げる場合、ロボット404および基板アライナー408は、追加のアライメントサイクルを実行してもよい。例えば、ロボット404は、第1の回転の後に基板アライナー408からエッジリング308を取り出し、その後、追加の回転のために基板アライナー408上にエッジリング308を設置してもよい。
別の例では、ロボット404は、基板アライナー408からエッジリング308を取り出すためにエンドエフェクタ304のアプローチ角を調整してもよい。さらに別の例では、ロボット404は、回転の後に基板アライナー408からエッジリング308を取り出し、エッジリング308をバッファまたは棚などの保管場所に設置し、調整したアプローチ角を用いて保管場所からエッジリング308を取り出し、追加の回転のためにエッジリング308を基板アライナー408に戻してもよい。
ここで図5を参照すると、本開示によるエッジリングを整列させるための例示的な方法500が504で開始する。508において、方法500は、バッファまたは他の保管場所からキャリアプレート300を(例えば、ロボット404などのロボットのエンドエフェクタを使用して)取り出す。510において、方法500は、上述のようにエンドエフェクタ上でキャリアプレート300を任意で整列させる。512において、方法500(例えば、ロボット404)は、支持されたキャリアプレートを備えたエンドエフェクタを使用して、ローディングステーションからエッジリングを取り出す。516において、方法500(例えば、ロボット404)は、エッジリングを基板アライナーへ搬送する。例えば、ロボット404は、エッジリングを基板アライナーの上方に位置決めし、基板アライナーのチャックを上方に上昇させて、キャリアプレートおよびエッジリングをエンドエフェクタから外す。
520において、方法500(例えば、撮像装置)は、エンドエフェクタに対する相対的なエッジリングの回転位置を検出する。例えば、撮像装置は、エッジリングの1つまたは複数の特徴(例えば、平坦領域)を検出し、検出された特徴に基づいて回転位置を決定する。524において、方法500は、(例えば、基板アライナー、撮像装置、および/またはDAモジュール224を使用して)検出された特徴が、エッジリングが所望の回転位置にあることを示すまでキャリアプレートを回転させる。528において、方法500(例えば、ロボット404)は、基板アライナーからキャリアプレートおよびエッジリングを取り出す。例えば、基板アライナーは、キャリアプレートおよびエッジリングをエンドエフェクタ上に降下させる。
532において、方法500(例えば、DAモジュール224)は、エッジリングを整列させるために追加のステップを実行するか否かを任意で決定する。例えば、方法500は、エッジリングの追加の回転が必要か否かを決定してもよい。真の場合、方法500は、536に続く。偽の場合、方法500は、540に続く。536において、方法500は、エッジリングを整列させるために1つまたは複数の追加のステップを実行する。例えば、ロボット404は、第1の回転の後に基板アライナーからエッジリングを取り出し、その後、追加の回転のために基板アライナー上にエッジリングを設置し、基板アライナーからエッジリングを取り出すためにエンドエフェクタのアプローチ角を調整してもよく、回転の後に基板アライナーからエッジリングを取り出し、バッファまたは棚などの保管場所にエッジリングを設置し、調整したアプローチ角を用いて保管場所からエッジリングを取り出し、追加の回転などのために基板アライナーにエッジリングを戻してもよい。
いくつかの例では、基板アライナーからエッジリングを取り出した後、ロボット404は、エッジリングを保管場所に戻し、キャリアプレートを基板アライナーに戻し、エンドエフェクタ上でキャリアプレートを再び整列させ、その後、再びエッジリングを取り出してもよい。すなわち、エッジリングに対するキャリアプレートの回転アライメントを変更するために、エッジリングを取り出す前に、エンドエフェクタ上でキャリアプレートの回転アライメントを調整してもよい。エッジリングに対するキャリアプレートのアライメントを変更することにより、上述したように、システムの幾何学形状の周囲などにおいて、スロットを通るキャリアプレートが動作しやすくなる可能性がある。
540において、方法500(例えば、ロボット404)は、真空搬送ロボットによるエッジリングの取り出しおよび基板支持体への搬送のために、エッジリングをロードロックに搬送する。方法500は、544で終了する。
他の例では、本開示によるシステムおよび方法は、他のアライメントステップを実施するように構成されてもよい。一例では、回転アライメントおよび/または線形アライメントは、エッジリングの上面および/または底面上で検出される特徴に基づいて実行されてもよい。一部のエッジリングは、検出可能な特徴を含んでもよいが、一方で、他のエッジリングは、光学的に「透明な」材料(すなわち、ある種類のセンサを使用して検出不可能な材料または表面)で構成されてもよい。したがって、エッジリングの表面は、検出しやすくするために意図的に粗面化されてもよい。エッジリングの表面が意図的に粗面化されている例では、これらの表面は、チャンバ内の処理環境に曝されることにより、時間の経過とともに研磨される場合がある。例えば、エッジリングが可動式(すなわち、プロセス調整のために上昇および下降するように構成されている)である場合、エッジリングを上昇させると、エッジリングの下面がプロセス環境に曝される場合がある。このようにエッジリングの表面が研磨されると、エッジリングの位置の正確な検出が妨げられる。
図6に示すように、例示的なエッジリング600(断面で示す)は、下面608に形成された溝604を含んでもよい。本開示の原理によるダイナミックアライメントシステムおよび方法は、溝604を検出することによってエッジリング600の位置を検出するように構成されてもよい。溝604は、エッジリング600の内径612と外径616との間に位置する。下面608は、下面608と溝604との間の差異を増加させるために研磨されてもよい。したがって、DAモジュール(例えば、DAモジュール224)は、対応するセンサから受信した信号に基づいて、溝604を検出するように構成されてもよい。例えば、下面608の生センサデータは、処理のためにDAモジュール224に提供されてもよい。DAモジュール224は、生センサデータにおいて溝604を識別し、内径612および外径616のそれぞれの位置を決定して、エッジリング600の位置および所望の(例えば、中央の)位置に対するエッジリング600の位置の線形オフセットを決定するように構成されているアルゴリズムおよび/またはフィルタを実装してもよい。
一例として、DAモジュール224は、取り込まれた生センサデータを4つのベクトルに分離させるように構成されてもよい。例えば、DAモジュール224は、2つのセンサ(例えば、右センサおよび左センサ)から取り込まれたデータを受信してもよい。取り込まれたデータは、右センサによって検出された前縁(例えば、溝604の外径)、右センサによって検出された後縁(例えば、溝604の内径)、左センサによって検出された前縁、および左センサによって検出された後縁に対応するデータに分離されてもよい。
DAモジュール224は、溝604について取り込まれた前縁および後縁データに基づいて、さらにセンサ、ロボットなどの較正された位置データに基づいて、エッジリング600の縁点(例えば、外径616上の点)を計算する。いくつかの例では、対応する半径方向の値が所定の範囲外(例えば、所定の最小値よりも小さい、または所定の最大値よりも大きい)である場合、データから任意の計算された縁点が削除される。次に、DAモジュール224は、エッジリング600の位置の直径および対応するオフセット(すなわち、所望の中心位置から)を計算する。
図7A、7B、および7Cに別の例で示すように、エッジリング700(図7Aの底面図から示すように)は、ノッチ704など、1つまたは複数のアライメント特徴を含んでもよい。例えば、ノッチ704は、エッジリング700の底面708に示され、エッジリング700の上面712に向かって上方に延伸する。ノッチ704は、基板支持体の他の構造的特徴に対するエッジリング700のアライメントを容易にするように構成されてもよい。例えば、ノッチ704は、基板支持体から上方に延伸している、アライメントピン、リフトピンなどを受け入れるように配置される。ノッチ704は、(図7Bのエッジリング700の内径716の図に示すように)傾斜した、または三角形の内面、(図7Cの内径716の図に示すように)丸みを帯びた内面などを有してもよい。ノッチ704の内面は、エッジリング700のアライメントを容易にする。
上述した本開示の原理によるダイナミックアライメントシステムおよび方法は、ノッチ704を検出することによってエッジリング700の位置を検出するようにさらに構成されてもよい。例えば、撮像装置412などのセンサは、ノッチ704のうちの1つまたは複数を検出するように構成されてもよく、DAモジュール224は、検出されたノッチ704に基づいて、エッジリング700のアライメントを決定するように構成されてもよい。
別の例示的なエッジリング800の断面図が図8Aに示されている。エッジリング800の一部を上方から見た図が図8Bに示されている。この例では、エッジリング800は、透過性または半透過性材料(例えば、石英)で構成されている。すなわち、光がエッジリング800を透過できる。例えば、光は、エッジリング800の一方の側から透過し(例えば、適切な送信機、LEDなどを使用してエッジリング800の下方から透過し)、(例えば、撮像装置412または別の適切なセンサを使用して)エッジリング800の反対側で受信されてもよい。
エッジリング800は、光学ノッチまたは窓804を含んでもよい。例えば、窓804は、エッジリング800の内径812において基板ポケットを画定するエッジリング800の段差部分808に位置してもよい。窓804は、エッジリング800の他の部分とは異なる透明度(または、不透明度)を有するように構成されている。したがって、窓804を透過し、センサによって受信される光のビームのうちの1つまたは複数の特性(例えば、利得)は、エッジリング800の他の部分を透過する光のビームの特性とは異なることになる。このように、上述した本開示の原理によるダイナミックアライメントシステムおよび方法は、窓804を検出することによってエッジリング800の位置を検出するようにさらに構成されてもよい。例えば、DAモジュール224は、検出された窓804に基づいて、エッジリング800のアライメントを決定するように構成されてもよい。
例えば、窓804は、エッジリング800の他の部分に対して研磨または粗面化されているエッジリング800の部分に対応してもよい。一実施形態では、エッジリング800の上面816は、研磨されている。逆に、段差部分808の上面820は、研磨されず(または粗面化され)、一方で、窓804の表面が研磨(例えば、レーザー研磨)されている。すなわち、窓804は、窓804の検出を容易にするために、段差部分808の他の部分よりも大きな透明性を有する。
図8Bの段差部分808を上方から見た図に示すように、段差部分808の上面820上で研磨されている窓804の上側部分824は、段差部分808の下面832上で研磨されている窓804の下側部分828とは異なる大きさおよび/または形状を有してもよい。例えば、上側部分824は概ね、三角形の形状(図示のように)、丸みを帯びた形状などを有してもよい。逆に、下側部分828は概ね、長方形であってもよい。下側部分828は、より多くの量の光が窓804を通って上方に透過して、容易に検出できるようにするために、上側部分824よりも大きな周囲を有してもよい。
前述の説明は、本質的に単に例示的であり、本開示、その適用、または使用を限定する意図は全くない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施可能である。したがって、本開示は具体的な例を含むが、図面、明細書、および以下の特許請求の範囲を検討すると他の変更が明白となるので、本開示の真の範囲は、そのような例に限定されるべきではない。方法内の1つまたは複数のステップは、本開示の原理を変更することなく、異なる順序で(または同時に)実行されてもよいことを理解されたい。さらに、実施形態の各々は、特定の特徴を有するものとして上述されているが、本開示のいずれかの実施形態に関して説明したこれらの特徴のうちいずれか1つまたは複数を、他の実施形態において実施すること、および/または、他の実施形態のいずれかの特徴と組み合わせることが、たとえそのような組み合わせが明示的に説明されていなくても可能である。すなわち、説明した実施形態は相互に排他的ではなく、1つまたは複数の実施形態を互いに入れ替えることは本開示の範囲内に留まる。
要素間(例えば、モジュール間、回路要素間、半導体層間など)の空間的および機能的関係は、「接続された」、「係合された」、「結合された」、「隣接した」、「隣に」、「上に」、「上方に」、「下方に」、および「配置された」を含む、様々な用語を使用して説明される。上記開示において、第1の要素と第2の要素との間の関係が説明されるとき、「直接」であると明示的に説明されない限り、その関係は、第1の要素と第2の要素との間に他の介在要素が存在しない直接的な関係である可能性があるだけでなく、第1の要素と第2の要素との間に1つまたは複数の介在要素が(空間的または機能的に)存在する間接的な関係である可能性もある。本明細書で使用する場合、A、B、およびCのうち少なくとも1つという表現は、非排他的論理ORを使用する、論理(AまたはBまたはC)を意味するものと解釈されるべきであり、「Aの少なくとも1つ、Bの少なくとも1つ、およびCの少なくとも1つ」を意味するものと解釈されるべきではない。
いくつかの実施態様では、コントローラは、システムの一部であり、上述した例の一部であってもよい。このようなシステムは、1つまたは複数の処理ツール、1つまたは複数のチャンバ、1つまたは複数の処理用プラットフォーム、および/または特定の処理構成要素(ウエハ台座、ガス流システムなど)を含む、半導体処理装置を備えることができる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後のシステム動作を制御するための電子機器と統合されてもよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれる場合があり、1つまたは複数のシステムの様々な構成要素またはサブパーツを制御してもよい。コントローラは、処理要件および/またはシステムの種類に応じて、本明細書に開示のプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされてもよい。そのようなプロセスとしては、処理ガスの供給、温度設定(例えば、加熱および/または冷却)、圧力設定、真空設定、電力設定、無線周波数(RF)発生器設定、RF整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ツールへのウエハの搬入出、ならびに、特定のシステムに接続または連動する他の搬送ツールおよび/またはロードロックへのウエハの搬入出が挙げられる。
広義には、コントローラは、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、論理、メモリ、および/またはソフトウェアを有する電子機器として定義されてもよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形式のチップ、デジタル信号プロセッサ(DSPs)、特定用途向け集積回路(ASICs)として定義されたチップ、および/または1つまたは複数のマイクロプロセッサ、またはプログラム命令(例えば、ソフトウェア)を実行するマイクロコントローラを含んでもよい。プログラム命令は、様々な個々の設定(またはプログラムファイル)の形式でコントローラに通信される命令であって、特定のプロセスを半導体ウエハ上で、または半導体ウエハ用に、またはシステムに対して実行するための動作パラメータを定義してもよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、プロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であって、1つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および/またはウエハのダイの製造中に1つまたは複数の処理ステップを達成してもよい。
コントローラは、いくつかの実施態様では、システムと統合しているか、結合しているか、そうでない場合はシステムにネットワーク接続されているか、またはそれらの組み合わせであるコンピュータの一部であっても結合していてもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよく、ファブホストコンピュータシステムのすべてまたは一部であってもよい。これにより、ウエハ処理のリモートアクセスが可能となる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にし、製造動作の現在の進捗状況を監視し、過去の製造動作の履歴を調査し、複数の製造動作から傾向または性能基準を調査し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定する、あるいは新しいプロセスを開始してもよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ(例えば、サーバ)は、ネットワークを通じてプロセスレシピをシステムに提供できる。そのようなネットワークは、ローカルネットワークまたはインターネットを含んでもよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび/または設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでもよく、そのようなパラメータおよび/または設定は、その後、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、コントローラは、命令をデータの形式で受信する。そのようなデータは、1つまたは複数の動作中に実行される処理ステップの各々に対するパラメータを特定する。パラメータは、実行されるプロセスの種類およびコントローラが連動または制御するように構成されているツールの種類に特有のものであってもよいことを理解されたい。したがって、上述したように、コントローラは、互いにネットワーク接続され、本明細書に記載のプロセスおよび制御など、共通の目的に向けて協働する1つまたは複数の個別のコントローラを含むことなどによって、分散されてもよい。このような目的のための分散型コントローラの一例としては、(プラットフォームレベルでまたはリモートコンピュータの一部としてなど)遠隔配置され、チャンバ上のプロセスを制御するように結合する1つまたは複数の集積回路と通信するチャンバ上の1つまたは複数の集積回路が挙げられるであろう。
例示的なシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、堆積チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属めっきチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理気相堆積(PVD)チャンバまたはモジュール、化学気相堆積(CVD)チャンバまたはモジュール、原子層堆積(ALD)チャンバまたはモジュール、原子層エッチング(ALE)チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、追跡チャンバまたはモジュール、ならびに半導体ウエハの製作および/または製造に関連するか、または使用されてもよい任意の他の半導体処理システムを含んでもよいが、これらに限定されない。
上述したように、ツールによって実行される1つまたは複数のプロセスステップに応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュールのうちの1つまたは複数、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に位置するツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または半導体生産工場内のツール場所および/またはロードポートへウエハの容器を搬入出する材料移送に使用されるツールと通信してもよい。

Claims (21)

  1. システムであって、
    基板処理システム内で基板またはエッジリングのうちいずれか一方を搬送するように構成されているロボットと、
    前記ロボットのエンドエフェクタに対する相対的な前記基板または前記エッジリングのうちいずれか一方の回転位置を調整するように構成されている基板アライナーと、
    前記エッジリングを支持するように構成されているキャリアプレートと
    を備え、
    前記ロボットは、前記エンドエフェクタを用いて前記キャリアプレートを取り出し、前記エンドエフェクタに支持された前記キャリアプレートを使用して前記エッジリングを取り出し、かつ前記キャリアプレートおよび前記エッジリングを前記基板アライナーに搬送するように構成されている、システム。
  2. 請求項1に記載のシステムであって、
    前記エッジリングおよび前記キャリアプレートが前記基板アライナー上に配置されている間に、前記エッジリングの特徴を検出するように構成されている撮像装置をさらに備える、システム。
  3. 請求項2に記載のシステムであって、
    前記特徴は、前記エッジリングの内径の平坦な領域である、システム。
  4. 請求項2に記載のシステムであって、
    前記エッジリングの表面は全体的に研磨され、前記特徴は前記エッジリングの研磨されていない部分および粗面化された部分のうち少なくともいずれか一方に対応する、システム。
  5. 請求項2に記載のシステムであって、
    前記エッジリングの表面は全体的に研磨されず、前記特徴は前記エッジリングの研磨された部分に対応する、システム。
  6. 請求項2に記載のシステムであって、
    前記特徴は、(i)前記エッジリングの底面上に配置されているノッチ、または(ii)前記エッジリングに設けられている窓のうち少なくともいずれか一方を含み、前記窓は、前記エッジリングを介した光の透過をもたらす、システム。
  7. 請求項2に記載のシステムであって、
    (i)前記エッジリングは被膜され、前記特徴は前記エッジリングの被膜されていない部分に対応するか、または(ii)前記エッジリングは被膜されず、前記特徴は前記エッジリングの被膜された部分に対応する、システム。
  8. 請求項2に記載のシステムであって、
    前記基板アライナーは、前記撮像装置によって検出された前記エッジリングの前記特徴に基づいて、前記キャリアプレートおよび前記エッジリングを回転させるように構成されている、システム。
  9. 請求項8に記載のシステムであって、
    前記撮像装置によって検出された前記エッジリングの前記特徴に基づいて、前記エンドエフェクタに対する相対的な前記エッジリングの前記回転位置を決定するように構成されているダイナミックアライメントモジュールをさらに備え、前記基板アライナーは、前記ダイナミックアライメントモジュールによって決定された前記エッジリングの前記回転位置に基づいて、前記キャリアプレートおよび前記エッジリングを回転させるように構成されている、システム。
  10. 請求項8に記載のシステムであって、
    前記基板アライナーは、前記エンドエフェクタに対する相対的な前記エッジリングの所望の回転位置に基づいて、前記キャリアプレートおよび前記エッジリングを回転させるように構成されている、システム。
  11. 請求項1に記載のシステムであって、
    前記キャリアプレートは、前記キャリアプレートの本体のそれぞれの角から延伸する複数のタブを含み、前記本体の周囲は、前記エッジリングの内径よりも小さく、かつ前記複数のタブは、前記エッジリングの前記内径を越えて延伸する、システム。
  12. 請求項11に記載のシステムであって、
    前記複数のタブのうち少なくとも2つは、エラストマーパッドを含む、システム。
  13. 請求項11に記載のシステムであって、
    前記キャリアプレートの底面は、熱可塑性材料を含有するコンタクトシートを含む、システム。
  14. 請求項13に記載のシステムであって、
    前記コンタクトシートは、前記キャリアプレートの前記底面の凹部に配置される、システム。
  15. 請求項1に記載のシステムであって、
    前記キャリアプレートは、丸みを帯びた角を含む、システム。
  16. 請求項15に記載のシステムであって、
    前記キャリアプレートの前記丸みを帯びた角は、前記基板の直径に対応する周囲を画定する、システム。
  17. 請求項16に記載のシステムであって、
    前記直径は、約300mmである、システム。
  18. 方法であって、
    基板処理システム内のロボットを制御し、
    前記ロボットのエンドエフェクタを使用してキャリアプレートを取り出し、
    前記エンドエフェクタに支持されている前記キャリアプレートを使用してエッジリングを取り出し、
    前記エッジリングのそれぞれの回転位置を調整するように構成されている基板アライナーに前記キャリアプレートおよび前記エッジリングを搬送し、
    前記キャリアプレートおよび前記エッジリングが前記基板アライナー上に配置されている間に、前記エッジリングの前記回転位置を調整すること
    を備える、方法。
  19. 請求項18に記載の方法であって、
    前記エッジリングおよび前記キャリアプレートが前記基板アライナー上に配置されている間に、前記エッジリングの特徴を検出することをさらに備え、
    前記特徴は、前記エッジリングの内径の平坦な領域であり、
    前記エッジリングの表面は全体的に研磨され、前記特徴は前記エッジリングの研磨されていない部分と粗面化された部分のうち少なくともいずれか一方に対応し、または
    前記エッジリングの表面は全体的に研磨されず、前記特徴は前記エッジリングの研磨された部分に対応する、前記特徴のうち少なくとも1つを含む、方法。
  20. 請求項19に記載の方法であって、
    検出された前記エッジリングの特徴に基づいて、前記エンドエフェクタに対する相対的な前記エッジリングの前記回転位置を決定し、決定された前記エッジリングの回転位置に基づいて、前記キャリアプレートおよび前記エッジリングを回転させることをさらに備える、方法。
  21. システムであって、
    基板処理システム内で基板またはエッジリングのうちいずれか一方を搬送するように構成されているロボットと、
    前記ロボットのエンドエフェクタに対する相対的な前記基板または前記エッジリングのうちいずれか一方の回転位置を調整するように構成されている基板アライナーと、
    前記エッジリングを支持するように構成されているキャリアプレートと
    を備え、
    前記ロボットは、前記エンドエフェクタを用いて前記キャリアプレートを取り出し、前記キャリアプレートの検出された特徴に基づいて、前記エンドエフェクタ上の前記キャリアプレートの回転アライメントを調整するように構成されている、システム。
JP2022544651A 2020-01-23 2021-01-20 自動回転プリアライメントを用いたエッジリング搬送 Pending JP2023514065A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062964908P 2020-01-23 2020-01-23
US62/964,908 2020-01-23
PCT/US2021/014089 WO2021150548A1 (en) 2020-01-23 2021-01-20 Edge ring transfer with automated rotational pre-alignment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023514065A true JP2023514065A (ja) 2023-04-05
JPWO2021150548A5 JPWO2021150548A5 (ja) 2024-01-25

Family

ID=76991736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022544651A Pending JP2023514065A (ja) 2020-01-23 2021-01-20 自動回転プリアライメントを用いたエッジリング搬送

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230047039A1 (ja)
JP (1) JP2023514065A (ja)
KR (1) KR20220127926A (ja)
CN (1) CN115004352A (ja)
TW (1) TW202147376A (ja)
WO (1) WO2021150548A1 (ja)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8314371B2 (en) * 2008-11-06 2012-11-20 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with micro-positioning system
US9881820B2 (en) * 2015-10-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Front opening ring pod
US10541168B2 (en) * 2016-11-14 2020-01-21 Lam Research Corporation Edge ring centering method using ring dynamic alignment data
US11075105B2 (en) * 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
KR102433436B1 (ko) * 2018-07-04 2022-08-17 삼성전자주식회사 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템에서의 에지 링 정렬 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 원반형 비젼 센서

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220127926A (ko) 2022-09-20
CN115004352A (zh) 2022-09-02
US20230047039A1 (en) 2023-02-16
TW202147376A (zh) 2021-12-16
WO2021150548A1 (en) 2021-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109983569B (zh) 使用环动态对准数据的边缘环居中方法
US9831110B2 (en) Vision-based wafer notch position measurement
US11742229B2 (en) Auto-calibration to a station of a process module that spins a wafer
KR20230076872A (ko) 반도체 프로세싱을 위한 웨이퍼 포지셔닝 페데스탈
CN212874424U (zh) 用于等离子体处理系统的边缘环和包括该边缘环的系统
US20220134568A1 (en) Fixture for automatic calibration of substrate transfer robot
US10707113B2 (en) End effector assembly for clean/dirty substrate handling
KR20170015209A (ko) 영상 기반 웨이퍼 노치 위치 측정
TWI848010B (zh) 用於斜面蝕刻器的下電漿排除區域環
US20230369025A1 (en) High precision edge ring centering for substrate processing systems
JP2023514065A (ja) 自動回転プリアライメントを用いたエッジリング搬送
US20240203703A1 (en) Shadow ring alignment for substrate support
TW202137822A (zh) 基板處理系統之高精度邊緣環定心
TW202320152A (zh) 升降銷止擋件
WO2022203917A1 (en) Capacitive method of detecting wafer chucking and de-chucking

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240117

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240117