CN212874424U - 用于等离子体处理系统的边缘环和包括该边缘环的系统 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种用于等离子体处理系统的边缘环，所述边缘环包括：环形体；从所述环形体向下延伸的径向内支腿；以及从所述环形体向下延伸的径向外支腿。空腔位于所述径向内支腿和所述径向外支腿之间。P个凹槽配置为容纳边缘环提升销。所述P个凹槽的间距为360°/P。所述P个凹槽位于所述径向外支腿的径向内表面上，与所述径向外支腿的底表面相邻，其中，P为大于2的整数。还涉及包括该边缘环的系统。

Description

用于等离子体处理系统的边缘环和包括该边缘环的系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年2月13日提交的美国临时专利申请序列号62/976,088和2019年8月5日提交的美国临时专利申请序列号 62/882,890的权益。通过引用将上述申请的全部公开内容并入本文。
技术领域
本实用新型涉及边缘环，更具体地涉及用于衬底处理系统的带有提升销凹槽的边缘环。
背景技术
这里提供的背景描述是为了总体上介绍本实用新型的上下文。在此背景技术部分中所描述的范围内，目前提名的发明人的工作成果，以及在申请时可能无法另外视为现有技术的描述内容，均未明确或暗含地被承认为相对于本实用新型的现有技术。
衬底处理系统在诸如半导体晶片之类的衬底上执行处理。衬底处理的示例包括沉积、灰化、蚀刻、清洁和/或其他过程。可以将处理气体混合物供应到处理室以处理衬底。等离子体可用于点燃气体以增强化学反应。
在处理期间，将衬底布置在衬底支撑件上。边缘环包括环形体，该环形体围绕并邻近衬底的径向外边缘布置。边缘环可用于将等离子体成形或集中到衬底上。在操作期间，衬底和边缘环的暴露表面被等离子体蚀刻。结果，边缘环磨损并且边缘环对等离子体的影响随时间变化。
实用新型内容
一种用于等离子体处理系统的边缘环，其包括：环形体；从环形体向下延伸的径向内支腿；以及从环形体向下延伸的径向外支腿。空腔位于径向内支腿和径向外支腿之间。P个凹槽配置为容纳边缘环提升销。P个凹槽的间距为360°/P。P个凹槽位于径向外支腿的径向内表面上，与径向外支腿的底表面相邻，其中，P为大于2的整数。
在其他特征中，P个凹槽中的每一个包括相对于环形体的中心在径向方向上延伸的顶点。P个凹槽中的每一个包括第一空腔和具有“V”形横截面的第二空腔。第二空腔包括第一壁、第二壁以及在第一壁和第二壁之间的顶点，其中第一壁和第二壁形成在75°至105°范围内的角度。第一空腔具有矩形横截面。第二空腔包括在安装时在平行于衬底的平面中延伸的顶点。顶点相对于环形体的中心部分沿径向方向延伸。
在其他特征中，在径向内支腿和径向外支腿之间的位置中的环形体的厚度t在0.5mm至10mm的范围内。在径向内支腿和径向外支腿之间的位置中的环形体的厚度t在0.5mm至5mm的范围内。
在其他特征中，环形体的顶表面包括倾斜部分，该倾斜部分在朝着环形体的径向外边缘的方向上线性地向下倾斜。倾斜部分从顶表面的上部到顶表面的下部线性地向下倾斜竖直距离d。d大于或等于 t。d在t至3t的范围内。d在0.25*t至t的范围内。
在其他特征中，顶表面的上部和顶表面的下部布置成在安装时平行于包括衬底的平面。从空腔的径向外边缘到顶表面开始向下倾斜的位置的水平距离h在0mm至10mm的范围内。
在其他特征中，环形体由导电材料制成。空腔配置为容纳导电边缘环。
一种系统包括边缘环、导电边缘环和多个边缘环提升销。多个致动器配置为相对于导电边缘环提升边缘环的环形体。
在其他特征中，P个凹槽中的每一个包括具有矩形横截面的第一空腔；以及具有“V”形横截面的第二空腔，该第二空腔包括第一壁和第二壁，该第一壁和第二壁在顶点处会合以形成从75°至105°的角度。顶点在安装时在平行于衬底的平面中延伸并且相对于环形体的中心部分在径向方向上延伸。在径向内支腿和径向外支腿之间的位置中的环形体的厚度t在0.5mm至10mm的范围内。环形体的顶表面包括倾斜部分，该倾斜部分在朝着环形体的径向外边缘的方向上从顶表面的上部到顶表面的下部线性地向下倾斜竖直距离d，其中d在0.25*t至 3t的范围内。
在其他特征中，从空腔的径向外边缘到顶表面开始向下倾斜的位置的水平距离h在0mm至10mm的范围内。环形体的厚度在5mm 至20mm的范围内。倾斜部分相对于环形体的顶表面的上部以20°至 70°的角度倾斜。
根据具体实施方式、权利要求和附图，本实用新型的其他应用领域将变得显而易见。具体实施方式和特定示例仅旨在说明的目的，并不旨在限制本实用新型的范围。
附图说明
通过具体实施方式和附图，将更加全面地理解本实用新型，其中：
图1是本实用新型的衬底处理系统的示例的功能框图。
图2是根据本实用新型的用于衬底处理系统的包括环形体的边缘环的示例的俯视立体图；
图3是图2的边缘环的仰视立体图，其示出了根据本实用新型的用于容纳边缘环提升销的凹槽；
图4是图2的边缘环的仰视图；
图5A是在不存在凹槽的位置处截取的边缘环的剖视图(图6中的细节5A)；
图5B是邻近另一个边缘环并在其上方布置的边缘环的剖视图；
图6是沿图4中的6-6截取的边缘环的剖视图；
图7是图6中的边缘环的侧视图；
图8是一个凹槽(图4中的细节8)的放大图；
图9是沿图8中的9-9截取的一个凹槽的放大剖视图；以及
图10是沿图8中的10-10截取的一个凹槽的放大剖视图。
在附图中，附图标记可以重复使用以标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
在衬底处理期间，将衬底布置在诸如静电卡盘(ESC)之类的基座上，供应处理气体，并且在处理室中撞击等离子体。处理室内部件的暴露表面由于等离子而磨损。
例如，在衬底的径向外边缘周围布置边缘环以使等离子体成形。在处理衬底之后，边缘环的暴露表面被磨损并相对于衬底位于不同的高度。结果，边缘环对等离子体的影响改变，这改变了工艺对衬底的影响。为了在不破坏真空的情况下减少由于边缘环磨损而引起的工艺变化，某些处理室使用致动器和提升销来增加边缘环的高度，以补偿磨损。例如，可以使用三个或更多个边缘环提升销。在许多这样的系统中，边缘环的高度是基于循环次数和/或总的等离子体处理暴露时间自动调整的。其他系统测量边缘环的高度，并基于测量的高度调整高度。
随着边缘环的高度进行调整，等离子体、护套和/或电容传送结构(包括边缘环)之间的电容耦合改变。电容耦合的这些变化能够导致衬底处理随时间推移而出现不均匀性。根据本实用新型的各种边缘环布置显著减小了由于边缘环的高度变化而导致的传送结构的电容变化。
更具体地，等离子体护套在等离子体和传送部件之间产生。在一些示例中，RF偏压被输出到衬底支撑件。为了在低RF偏置频率(例如，小于5MHz或小于1MHz)下保持对护套的控制以确保处理均匀性，随着边缘环的高度进行调整以补偿磨损，保持了针对衬底支撑件的传送部件的电容值。边缘环和/或附近电容性耦合结构的区域设计为使边缘环移动时的电容性耦合的变化最小化。在一些示例中，随着边缘环的高度增加，在分开的区域中的电容最小化。随着边缘环高度的增加，控制其他不会改变(或改变不大)的表面区域中的电容。
在一些示例中，边缘环由导电材料制成。如本文所使用的，导电材料是指电阻率小于或等于104Ωcm的材料。例如，掺杂的硅的电阻率为0.05Ωcm，碳化硅的电阻率为1-300Ωcm，以及铝和铜等金属的电阻率为≈10-7Ωcm。
现在参照图1，虽然示出了使用可移动边缘环的等离子体处理室的示例，但也可以使用其他类型的等离子体处理室。衬底处理系统 110可以用于使用电容耦合等离子体(CCP)来执行蚀刻。衬底处理系统 110包括处理室122，该处理室122包围衬底处理系统110的其他部件并且包含RF等离子体(如果使用的话)。衬底处理系统110包括上电极 124和衬底支撑件126，例如静电卡盘(ESC)。在操作期间，将衬底128 布置在衬底支撑件126上。
仅作为示例，上电极124可以包括引入和分配处理气体的气体分配装置129，例如喷淋头。气体分配装置129可以包括杆部，该杆部的一端连接至处理室的顶表面。环形体通常是圆柱形的，并且在与处理室的顶表面间隔开的位置处从杆部的相对端径向向外延伸。喷淋头的环形体的面向衬底的表面或面板包括多个孔，前体、反应物、蚀刻气体、惰性气体、载气、吹扫气体和/或其他处理气体通过这些孔流动。替代地，上电极124可以包括导电板，并且可以以另一种方式引入处理气体。
衬底支撑件126包括用作下部电极的基板130。基板130支撑加热板132，其可以对应于陶瓷多区域加热板。粘结和/或热阻层134 可以布置在加热板132和基板130之间。基板130可以包括一个或多个用于使冷却剂流过基板130的通道136。
RF产生系统140产生RF电压并将RF电压输出到上部电极 124和下部电极(例如，衬底支撑件126的基板130)中的一个。上电极 124和基板130中的另一个可以是DC接地、AC接地或浮动的。仅作为示例，RF产生系统140可以包括RF发生器142，其产生RF等离子体功率，该RF等离子体功率由匹配和分配网络144馈送到上电极124 或基板130。在其他示例中，等离子体可以感应地或远程产生。
气体输送系统150包括一个或多个气体源152-1、152-2，…和 152-N(统称为气体源152)，其中N是大于零的整数。气体源152通过阀154-1、154-2，…和154-N(统称为阀154)和MFC 156-1、156-2，…和156-N(统称为MFC 156)连接到歧管160。可以在MFC 156和歧管160之间使用辅助阀。虽然示出了单个气体输送系统150，但也可以使用两个或更多个气体输送系统。
温度控制器163可以连接到布置在加热板132中的多个热控制元件(TCE)164。温度控制器163可以用于控制多个TCE 164以控制衬底支撑件126和衬底128的温度。温度控制器163可以与冷却剂组件 166连通，以控制冷却剂流动通过通道136。例如，冷却剂组件166可以包括冷却剂泵、储液器和/或一个或多个温度传感器。温度控制器 163操作冷却剂组件166以使冷却剂选择性地流动通过通道136，以冷却衬底支撑件126。
阀170和泵172可以用于从处理室122中排出反应物。系统控制器180可以用于控制衬底处理系统110的部件。边缘环182可以布置成在等离子处理期间径向地在衬底128的外部。边缘环高度调节系统184(包括图5B所示的系统控制器180以及致动器和提升销)可以用于调节边缘环182的顶表面相对于衬底128的高度，如下面将进一步描述的。在一些示例中，边缘环182也可以被抬起，由机器人末端执行器移除并且用另一个边缘环替换而不破坏真空。
现在参照图2至图4，用于衬底处理系统的边缘环200包括环形体210。环形体210包括顶表面214、底表面216、径向内表面230 和径向外表面234。参照图3和图4，环形体210包括在环形体210的底表面处径向向内延伸到环形体210中的均匀间隔的凹槽220-1、220-2，...，220-P(统称为凹槽220)，其中P是在3至8范围内的整数。在一些示例中，径向的凹槽220具有“U”形，其中“U”的开口径向向内。凹槽220配置为容纳边缘环提升销，并且包括有助于使边缘环200 相对于衬底支撑件居中的倾斜表面。在一些示例中，凹槽220之间的间隔由360°/P确定。在其他示例中，P为3或4。在某些示例中， P＝3，以及间距为120°。
现在参照图5A至图7，进一步详细示出了边缘环200。在图 5A中，边缘环200包括环形体510、径向内支腿514和径向外支腿 520。顶表面214包括上部540、倾斜部分542和下部544。上部540 从倾斜部分542径向向内定位。倾斜部分542布置在上部540和下部 544之间。倾斜部分542在径向向外方向上向下倾斜。径向外支腿520 和径向内支腿514具有大致矩形的横截面。
空腔530位于径向内支腿514、环形体510和径向外支腿520 之间的底表面216上。空腔530由径向外支腿520的径向内表面550、环形体510的底表面552和径向内支腿514的径向外表面554限定。底表面216的径向外部分560在水平方向上偏移径向内支腿514的下表面并且在竖直方向上位于其下方，如图5A和图6中可见。类似地，顶表面214的上部540位于顶表面214的下部544上方，如图7中可见。
在使用中，在衬底处理期间，另一个边缘环580可以布置在边缘环200的空腔530中，如图5B所示。边缘环200和580可以由导电材料制成。边缘环200和580的设计被优化以随着边缘环200相对于边缘环580抬高以补偿边缘环磨损，将电容耦合保持在预定范围内。另外，凹槽允许边缘环200被传送到边缘环提升销上，并且通过凹槽 220相对于衬底支撑件自动居中。
在图5A中，环形体510具有厚度t以满足在处理期间使边缘环200稳定所需的足够的材料，并且具有足够的厚度以在由于腐蚀而替换边缘环之前实现预定的循环次数。在一些示例中，厚度t在 0.5mm至10mm的范围内，但是可以使用其他厚度。在一些示例中，厚度t在0.5mm至5mm的范围内，但是可以使用其他厚度。
径向外支腿520的顶表面214在靠近边缘环200的中间部分的倾斜部分542处朝着边缘环200的径向外表面234线性地向下倾斜。倾斜部分542从顶表面214的上部540开始线性地向下倾斜竖直距离 d。从“U”形的径向外边缘到倾斜部分542开始向下倾斜的位置提供水平距离h。在一些示例中，根据厚度t，水平距离h在0mm到10mm 的范围内，但是可以使用其他水平距离。在一些示例中，d大于或等于 t。在一些示例中，d在从t到3t的范围内。在一些示例中，d小于或等于t。在一些示例中，d在0.25*t至t的范围内。
在一些示例中，边缘环200具有总厚度H。在一些示例中，边缘环200的总厚度H在5mm至20mm的范围内。在一些示例中，距离 d大于或等于高度H的5％、10％、20％、30％、40％或50％。在一些示例中，倾斜部分542以锐角线性地倾斜。在一些示例中，倾斜部分 542相对于上部540以20°至70°的锐角(并且相对于下部544为110°至 160°的钝角)倾斜。
边缘环200通常比现有的边缘环更高，以能够更耐磨损，并适应“U”形(随着边缘环的高度进行调整，实现均匀的电容耦合)。由于磨损，如果h的尺寸(例如，在“U”形与上部540和倾斜部分542之间)不足，则边缘环可能破裂。可以理解，去除倾斜部分542中的材料减小了边缘环200的重量，这减小了致动器上的负荷和/或允许致动器提供更精细的调节。与阶梯状设计相比，倾斜部分542的线性倾斜增加了可以去除的材料的量，而不去除“U”形凹槽与上部540和倾斜部分542之间的太多材料。在一些示例中，距离d大于环形体510的厚度t以增加去除的材料的量。在一些示例中，水平距离h小于环形体 510的厚度t以增加去除的材料的量。
现在参照图8至图10，示出了凹槽220之一(图4中的细节8) 的放大图。在图8中，凹槽220包括第一空腔910和第二空腔920。第一空腔910具有倒“U”形，其开口径向向内。第一空腔910在周向上比第二空腔920宽。在一些示例中，第二空腔920在第一空腔910内部居中布置。
在图9中，第一空腔910具有矩形的横截面。第一空腔910包括开口926和斜切表面(chamfered surface)928。斜切表面928过渡到侧壁930和932。底壁934和936从侧壁930和932向内延伸到第二空腔920。第二空腔920具有“V”形的横截面。倾斜的壁940和942从侧壁930和932向下延伸到顶点950。在一些示例中，侧壁940和942 相对于第二空腔920的中心对称地倾斜并且在顶点950处形成从75°到 105°的角度。在一些示例中，顶点950(当安装时)在平行于衬底支撑件的顶表面的平面中径向延伸。在一些示例中，顶点950相对于边缘环200的中心在径向上对准。当边缘环200通过凹槽220容纳边缘环提升销而放置时，该边缘环自对中。
以上描述本质上仅是说明性的，绝不旨在限制本实用新型、其应用或用途。本实用新型的广泛教导可以以多种形式实现。因此，尽管本实用新型包括特定示例，但是本实用新型的真实范围不应受到如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求之后，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本实用新型的原理的情况下，可以以不同的顺序(或同时)执行方法内的一个或多个步骤。此外，尽管以上将实施方式中的每一个描述为具有某些特征，但是相对于本实用新型的任一实施方式描述的那些特征中的任何一个或多个特征可以在任何其他实施方式的特征中实现和/或与任何其他实施方式的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方式不是互相排斥的，并且一个或多个实施方式彼此的置换仍在本实用新型的范围内。
元件之间(例如，模块、电路元件、半导体层等之间)的空间和功能关系使用各种术语来描述，包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“邻近”、“在...上部”、“在...上方”、“在...下方”和“布置”。除非明确地描述为“直接的”，否则在以上公开内容中描述第一和第二元件之间的关系时，该关系可以是在第一和第二元件之间不存在其他中间元件的直接关系，但是也可以是在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件的间接关系。如本文所用，短语A、 B和C中的至少一个应使用非排他性逻辑“或”解释为表示逻辑(A或 B或C)，并且不应解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和 C中的至少一个”。
在一些实施方式中，控制器是系统的一部分，其可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，其包括一个或多个处理工具、一个或多个室、一个或多个用于处理的平台；和/或特定的处理部件(晶片基座、气流系统等)。这些系统可以与电子器件集成，以在处理半导体晶片或衬底之前、期间和之后控制它们的操作。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各个部件或子部件。根据处理要求和/或系统的类型，控制器可以被编程为控制本文公开的任何过程，包括处理气体的输送、温度设置(例如，加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)发生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流速设置、流体输送设置、位置和操作设置、进出工具的晶片传送和其他传送工具和/或连接到特定系统或与特定系统接口的负载锁。
广义上，控制器可以被定义为具有各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件的接收指令、发布指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的电子器件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片，数字信号处理器(DSP)，定义为专用集成电路(ASIC)的芯片，和/或一个或多个微处理器，或执行程序指令的微控制器(例如，软件)。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式传递给控制器的指令，其定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方式中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在制造一层或多层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路/或晶片的裸片期间完成一个或多个加工步骤。
在一些实施方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其他方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或在fab主机计算机系统的全部或一部分中，这可以允许晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进度，检查过去的制造操作的历史，检查来自多个制造操作的趋势或性能指标，以改变当前处理的参数，设置遵循当前处理的处理步骤，或开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如，服务器)可以通过网络向系统提供过程配方，该网络可以包括局域网或因特网。远程计算机可以包括用户界面，该用户界面使得能够对参数和/或设置进行输入或编程，然后将该参数和/或设置从远程计算机传送至系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其为在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤指定参数。应当理解，参数可以特定于要执行的过程的类型以及控制器被配置为与之接口或控制的工具的类型。因此，如上所述，可以例如通过包括联网在一起并朝着共同的目的(例如本文所述的过程和控制)工作的一个或多个离散的控制器来分布控制器。用于此目的的分布式控制器的示例将是室中的一个或多个集成电路，其与远程(例如，在平台级别或作为远程计算机的一部分)定位的组合以控制对室处理的一个或多个集成电路进行通信。
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块，沉积室或模块，旋转漂洗室或模块，金属电镀室或模块，清洁室或模块，斜边蚀刻室或模块，物理气相沉积(PVD)室或模块，化学气相沉积(CVD)室或模块，原子层沉积(ALD)室或模块，原子层蚀刻(ALE)室或模块，离子注入室或模块，轨道室或模块，以及任何其他可在半导体晶片的生产和/或制造中关联或使用的半导体处理系统。
如上所述，根据工具要执行的一个或多个处理步骤，控制器可能会与其他工具电路或模块、其他工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近的工具、遍布工厂的工具、主计算机、另一个控制器或使晶片容器往返于半导体制造工厂的工具位置和/或装载端口的用于材料运输的工具通信。

Claims (22)

1.一种用于等离子体处理系统的边缘环，所述边缘环包括：
环形体；
从所述环形体向下延伸的径向内支腿；
从所述环形体向下延伸的径向外支腿；
在所述径向内支腿和所述径向外支腿之间的空腔；以及
配置为容纳边缘环提升销的P个凹槽，其中：
所述P个凹槽的间距为360°/P，以及
所述P个凹槽位于所述径向外支腿的径向内表面上，与所述径向外支腿的底表面相邻，其中，P为大于2的整数。
2.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述P个凹槽中的每一个包括相对于所述环形体的中心在径向方向上延伸的顶点。
3.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述P个凹槽中的每一个包括：
第一空腔；以及
具有“V”形横截面的第二空腔。
4.根据权利要求3所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述第二空腔包括第一壁和第二壁以及在所述第一壁和所述第二壁之间的顶点，其中，所述第一壁和所述第二壁形成在75°至105°范围内的角度。
5.根据权利要求3所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述第一空腔具有矩形的横截面。
6.根据权利要求3所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述第二空腔包括在安装时在平行于衬底的平面中延伸的顶点。
7.根据权利要求6所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述顶点相对于所述环形体的中心部分在径向方向上延伸。
8.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，在所述径向内支腿和所述径向外支腿之间的位置处的所述环形体的厚度t在0.5mm至10mm的范围内。
9.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，在所述径向内支腿和所述径向外支腿之间的位置处的所述环形体的厚度t在0.5mm至5mm的范围内。
10.根据权利要求9所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述环形体的顶表面包括倾斜部分，所述倾斜部分在朝着所述环形体的径向外边缘的方向上线性地向下倾斜。
11.根据权利要求10所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述倾斜部分从所述顶表面的上部到所述顶表面的下部线性地向下倾斜竖直距离d。
12.根据权利要求11所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，d大于或等于t。
13.根据权利要求11所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，d在t至3t的范围内。
14.根据权利要求11所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，d在0.25*t至t的范围内。
15.根据权利要求11所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述顶表面的上部和所述顶表面的下部被布置成在安装时平行于包括衬底的平面。
16.根据权利要求10所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，从所述空腔的所述径向外边缘到所述顶表面开始向下倾斜的位置的水平距离h在0mm至10mm的范围内。
17.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中：
所述环形体由导电材料制成；以及
所述空腔配置为容纳导电边缘环。
18.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述P个凹槽中的每一个包括：
具有矩形横截面的第一空腔；以及
具有“V”形横截面的第二空腔，所述第二空腔包括第一壁和第二壁，所述第一壁和所述第二壁在顶点处会合以形成在75°至105°范围内的角度，
其中，所述顶点在安装时在平行于衬底的平面中延伸，并且相对于所述环形体的中心部分在径向方向上延伸，
其中，在所述径向内支腿和所述径向外支腿之间的位置中的所述环形体的厚度t在0.5mm至10mm的范围内，以及
其中，所述环形体的顶表面包括倾斜部分，所述倾斜部分在朝着所述环形体的径向外边缘的方向上从所述顶表面的上部到所述顶表面的下部线性地向下倾斜竖直距离d，其中，d在0.25*t至3t的范围内。
19.根据权利要求18所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，从所述空腔的所述径向外边缘到所述顶表面开始向下倾斜的位置的水平距离h在0mm至10mm的范围内。
20.根据权利要求1所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述环形体的厚度在5mm至20mm的范围内。
21.根据权利要求11所述的用于等离子体处理系统的边缘环，其中，所述倾斜部分相对于所述环形体的所述顶表面的所述上部以20°至70°的角度倾斜。
22.一种系统，其包括：
根据权利要求1至21中任一项所述的边缘环；
导电边缘环；
多个边缘环提升销；以及
多个致动器，所述多个致动器配置为相对于所述导电边缘环提升所述边缘环的所述环形体。
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