CN109979853A - 待机端口以及具有待机端口的基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本公开为待机端口以及具有该待机端口的基板处理装置。在将处理液供应到基板上之前,待机端口排出当处理液排放到待机端口中时产生的烟雾,从而防止腔室空气污染。

Description

待机端口以及具有待机端口的基板处理装置
交叉引用
本申请要求于2017年12月20日提交的申请号为10-2017-0175964的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施例涉及一种待机端口和具有该待机端口的基板处理装置,喷嘴在该待机端口中待机,尤其涉及一种用于有效去除将处理液从喷嘴排出时产生的烟雾(fumes)的待机端口,以及具有该待机端口的基板处理装置。
背景技术
通常,基板处理过程包括将处理液供应到基板的液体处理过程。
图1为示出了普通的液体处理装置的示例的视图。将处理液通过喷嘴1供应到基板W上。当基板W未被处理时,喷嘴1在待机端口3中待机。
在喷嘴1在待机端口3中待机的情况下,处理液在处理前或每个预定时间间隔从喷嘴排出以维持处理液的温度或防止喷嘴1中污染。
当排出处理液时,从处理液中产生烟雾。如图2和3所示,该烟雾扩散到腔室中污染基板W。
发明内容
本发明构思的实施例提供一种待机端口,其用于有效地去除烟雾,该烟雾是喷嘴中剩余的处理液被排放到待机端口时产生的,以及一种具有该待机端口的基板处理装置。
本发明构思的实施例提供一种待机端口,其用于均匀地去除在待机端口内的整个区域中的烟雾,以及一种具有该待机端口的基板处理装置。
本发明构思的方面不限制于此,并且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文未提及的任何其他的方面。
根据实施例的一方面,一种用于处理基板的装置,包括支承单元,其支承基板;容器,其围绕支承单元并收集处理液;处理液供应单元,其包括喷嘴,喷嘴将处理液供应到由支承单元支承的基板上;以及待机端口,在基板未被处理时,喷嘴在待机端口处待机,待机端口设置在容器的一侧。待机端口包括主体,主体包括在顶部开口的内部空间,使得从喷嘴排放的处理液被引入到内部空间中,排水管线,其连接至主体并排出内部空间中的处理液;以及排气单元,其排出内部空间中的空气。排气单元包括壳体,其具有环形形状,壳体围绕主体并具有排气空间,内部空间中的空气流入到排气空间中;以及排气管线,其连接至壳体并强制排出壳体中的空气。
排气空间的入口可设置在内部空间的上方,内部空间中的空气流入到所述入口中。
排气管线可连接至壳体的下端区域。
壳体可包括侧壁,其围绕主体;以及上壁,其从侧壁的上端向内延伸,并位于主体的上方。主体的上端和上壁的下端之间的间隔空间可作为入口,内部空间中的空气通过入口流入到排气空间。
从上方看时,形成在上壁的中心的中心孔的面积可小于内部空间的面积。
处理液从喷嘴排放到内部空间中时,喷嘴可设置在上壁的上方,并且喷嘴的出口端和上壁之间的距离可小于入口的垂直宽度的三倍。
根据实施例的另一方面,待机端口包括在顶部开口的内部空间,使得从喷嘴排放的处理液被引入到内部空间中;排水管线,其连接至主体并排出内部空间中的处理液;以及排气单元,其排出内部空间中的空气。排气单元包括壳体,其具有环形形状,壳体围绕主体并具有排气空间,内部空间中的气氛流入到排气空间中;以及排气管线,其连接至壳体并强制排出壳体中的空气。
排气空间的入口可设置在内部空间的上方,内部空间中的空气流入入口中。
排气管线可连接至壳体的下端区域。
壳体可包括侧壁,其围绕主体;以及上壁,其从侧壁的上端向内延伸,并位于主体的上方。主体的上端和上壁的下端之间的间隔空间可作为入口,内部空间中的空气通过入口流入到排气空间。
根据本发明构思的实施例,由于在将处理液从喷嘴排放时,在待机端口中产生的烟雾通过该待机端口的排放单元排放,可防止该烟雾扩散到腔室的中。
此外,由于排气单元具有环形形状的壳体,该壳体围绕提供空间的主体,处理液排放到该空间中,并且在壳体中的空气通过连接至该壳体的排气管线被强制排出,因此,与排放管线直接连接至空间(处理液排放到该空间)的情况相比,可提高排放效率。
本发明构思的效果不限制与上述效果,并且本发明构思所属领域的技术人员将从本说明书和附图中清楚地理解本文未提及的任何其他的效果。
附图说明
参照以下附图从以下描述中上述的和其他的目的和特征将变得显而易见,其中,除非另有说明,否则在各附图中,相同的数字指的是相同的部件,其中:
图1为示出了普通的液体处理装置的示意性剖视图;
图2和3为示出了图1中的液体处理装置中的处理液产生的烟雾的流动状态的视图;
图4为示出了根据本发明构思的实施例的基板处理设备的示意性平面图;
图5为示出了根据本发明构思的实施例的图4的液体处理腔室的示意性平面图;
图6为示出了图4的液体处理腔室的示意性剖视图;
图7为示出了图5的待机端口的示意性剖视图;
图8和9示出了当处理液从喷嘴排放到待机端口中时普通的待机端口的内部和外部的处理液浓度分布;
图10示出了当处理液从喷嘴排放到待机端口中时图5的待机端口的内部和外部的处理液浓度分布;
图11示出了在普通的待机端口中产生的抽吸液体的速率;和
图12示出了在图5中的待机端口中产生的抽吸液体的速率。
具体实施方式
以下,将参照附图详细地描述本发明构思的实施例。然而,本发明构思可以以不同形式来体现,并且不应该被构造为限制在本文所述的实施例中。
提供这些实施例,使得本公开彻底和完整,且将本发明构思的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中,为了清楚说明,夸大了组件的尺寸。
以下,将描述根据本发明构思的基板处理设备。该基板处理设备可执行将处理液供应到基板上的液体处理过程以及清洗过程。
图4为示出了根据本发明构思的实施例的基板处理设备1的示意性平面图。该基板处理设备1具有索引模块1000和工艺模块2000。该索引模块1000具有装载端口1200和传输框架1400。装载端口1200、传输框架1400和工艺模块2000顺序地布置成一排。
下文中,装载端口1200、传输框架1400和工艺模块2000排布的方向称作第一方向12。当从上方看时,垂直于第一方向的方向称为第二方向14,以及垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向称为第三方向16。
装载端口1200上放置有在内部容纳基板W的载体1800。装载端口1200沿着第二方向14排布成一排。图4示出了索引模块1000具有四个装载端口1200的示例。但是,装载端口1200的数量可根据条件增加或减少,该条件例如为,工艺模块2000的处理效率和占地面积。
各载体1800具有形成在其中的多个狭槽(slots)(未示出)以支承基板W的边缘。该多个狭槽在第三方向16上排布,并且基板W在载体1800上沿第三方向16彼此堆叠,且基板之间具有空间间隙。前开式晶圆盒(front opening unified pod,FOUP)可用作载体1800。
工艺模块2000具有缓冲单元2200、传输腔室2400和工艺腔室2600。传输腔室2400排布成使得其长度方向平行于第一方向12。工艺腔室2600沿第二方向14设置在传输腔室2400的相对两侧。
位于传输腔室2400的一侧的工艺腔室2600和位于传输腔室2400的相对侧的工艺腔室2600关于传输腔室2400对称。一些工艺腔室2600沿着传输腔室2400的长度方向排布。另一些工艺腔室2600彼此堆叠。
也就是说,工艺腔室2600可以以A×B阵列(A和B为1或更大的自然数)方式排布在传输腔室2400的相对两侧。此处,A表示沿第一方向12排布成一排的工艺腔室2600的数量,B表示沿第三方向16排布成一列的工艺腔室2600的数量,
在传输腔室2400的相对两侧设置有四个或六个工艺腔室2600的情况下,工艺腔室2600可以以2×2或3×2的阵列排布。工艺腔室2600的数量可以增加或减少。可选地,工艺腔室2600可以仅设置在传输腔室2400的一侧。在另一种情况下,工艺腔室2600可以以单层方式设置在传输腔室2400的相对两侧。
缓冲单元2200设置在传输框架1400和传输腔室2400之间。缓冲单元2200提供了基板W在传输腔室2400与传输框架1400之间传送之前所停留的空间。缓冲单元2200在其内具有多个狭槽(未示出),基板W放置在该狭槽上。狭槽(未示出)沿第三方向16彼此间隔开来。缓冲单元2200在面对传输框架1400的一侧及面对传输腔室2400的相对侧开放。
传输框架1400将基板W在放置于装载端口1200上的载体1800和缓冲单元2200之间进行传送。传输框架1400内设置有索引轨道1420和索引机械手1440。索引轨道1420排布成使得其长度方向平行于第二方向14。
索引机械手1440安装在索引轨道1420上,并沿着索引导轨1420第二方向14上线性地移动。索引机械手1440具有基部1441、主体1442和多个索引臂1443。基部1441安装为沿着索引轨道1420可移动。主体1442耦合至基部1441。主体1442设置在基部1441上,以便沿第三方向16可移动。
此外,主体1442配置为在基部1441上旋转。多个索引臂1443耦合至主体1442,并配置为相对于主体1442向前或向后移动。多个索引臂1443配置为单独操作。
多个索引臂1443沿第三方向16彼此堆叠,其之间具有空间间隙。一些索引臂1443用于将基板W从工艺模块2000传送至载体1800,并且另一些索引臂1443用于将基板W从载体1800传送至工艺模块2000。因此,可以防止在索引机械手1440传送基板W的过程中,从待处理的基板W产生的粒子粘附至处理过的基板W。
传输腔室2400将基板W在缓冲单元2200和工艺腔室2600之间、以及各工艺腔室2600之间进行传送。传输腔室2400中设置有导轨2420和主机械手2440。导轨2420排布成使得其长度方向平行于第一方向12。
主机械手2440安装在导轨2420上,并沿着导轨2420在第一方向12上线性地移动。主机械手2440具有基部2441、主体2442和多个主臂2443。基部2441安装为沿着导轨2420可移动。
主体2442耦合至基部2441。主体2442设置在基部2441上,以便沿第三方向16可移动。此外,主体2442配置为在基部2441上旋转。
多个主臂2443耦合至主体2442,并配置为相对于主体2442向前或向后移动。多个主臂2443配置为单独操作。主臂2443沿第三方向16彼此堆叠,其之间具有空间间隙。
将基板W从缓冲单元2200传送到工艺腔室2600所使用的主臂2443与将基板W从工艺腔室2600传送到缓冲单元2200所使用的主臂2443可以是不同的。
各工艺腔室2600包括基板处理装置10,以用于在基板W上执行液体处理。设置在各工艺腔室2600中的基板处理装置10可以根据在其中执行的液体处理过程的类型而具有不同的结构。
可选地,各工艺腔室2600中的基板处理装置10可具有相同的结构。在另一种情况下,处理腔室2600可被分为多个组。属于相同组的工艺腔室2600中的基板处理装置10可具有相同结构。而属于不同组的工艺腔室2600中的基板处理装置10可具有不同的结构。
例如,在工艺腔室2600被分成两组的情况下,第一组工艺腔室2600的可设置在传输腔室2400的一侧,第二组工艺腔室2600可设置在传输腔室2400的相对侧。
可选地,第一组工艺腔室2600设置在传输腔室2400的相对两侧上较低的层中,第二组工艺腔室2600设置在传输腔室2400的相对两侧上较高的层中。第一组工艺腔室2600与第二组工艺腔室2600可根据所使用的化学品的种类和清洗方法的类型进行区分的。
图5和6为示出了根据本发明构思的实施例的图4的液体处理腔室的示意图。基板处理装置10包括支承单元100、容器200、处理液供应单元300、待机端口400和腔室800。
腔室800具有矩形的平行六面体形状。腔室800在内部具有处理空间。容器200、处理液供应单元300和待机端口400设置在腔室800内的空间中。
腔室800的顶部安装有风机过滤单元810。风机过滤单元810在腔室800中产生下行气流。风机过滤单元810包括过滤器和供气扇。过滤器和供气扇可以模块化为单个单元。风机过滤单元810过滤室外空气并将滤净空气供应到腔室800中。室外空气流过风机过滤单元810,并被供应到腔室800中以形成下行气流。
支承单元100支承待处理的基板W,容器200收集通过基板W的旋转而散落的处理液。处理液供应单元300将处理液供应到基板W上。待机端口400提供位置,该位置为喷嘴321在处理液供应单元300将处理液供应到基板W的顶侧之前被临时储存在待机的位置。下文中,将详细地描述基板处理装置10的部件。
支承单元100支承基板W。支承单元100包括卡盘110、支承销120、卡盘销130、支承轴140、及支承轴致动器150。
卡盘110具有预定厚度的圆形板状。卡盘110具有比基板W大的直径。卡盘110的顶侧具有比卡盘110的底侧大的直径,并且卡盘110的外侧倾斜,以具有从卡盘110的顶侧到卡盘110的底侧逐渐减小的直径。
支承销120和卡盘销130设置在卡盘110的顶侧。支承销120从卡盘110的顶侧向上突出,并且基板W放置在支承销120的上端。支承销120在卡盘110的顶侧彼此间隔开。设置至少三个支承销120以支承基板W的不同区域。
卡盘销130从卡盘110的顶侧向上突出,并支承基板W的外侧。卡盘销130沿卡盘110的边缘区域排布成环形。卡盘销130防止基板W在卡盘110旋转时通过离心力在卡盘110的横向方向上移动。
卡盘销130可沿卡盘110的半径方向线性移动。当加载或卸载基板W时,卡盘销130线性地远离卡盘110的中心。当夹持基板W时,卡盘销130朝卡盘110的中心线性地移动以支承基板W的外侧。
支承轴140位于卡盘110的下方以支承卡盘110。支承轴140为中空心轴,并将旋转力传递到卡盘110。支承轴致动器150设置在支承轴140的下端。支承轴致动器150产生旋转力以旋转支承轴140和卡盘110。支承轴致动器150可调节卡盘110的旋转速度。
容器200收集供应到基板W上的处理液。容器200包括收集杯(collection bowl)210、收集管线261、废液管线265、升降单元271、和排气管道275。
收集杯210防止通过基板W的旋转而散落的处理液飞溅到收集杯210的外侧,并防止处理期间产生的烟雾流出收集杯210。收集杯210在其顶部开口并具有形成在其中的空间,卡盘110位于该空间中。
收集杯210具有收集杯211、212和213,以用于根据处理步骤分别收集供应到基板W上的处理液。根据一实施例,设置有三个收集杯211、212和213。收集杯210包括第一收集杯211、第二收集杯212和第三收集杯213。
第一收集杯到第三收集杯211、212和213具有环形容器形状。第一收集杯211围绕卡盘110,第二收集杯212围绕第一收集杯211,以及第三收集杯213围绕第二收集杯212。
通过第一收集杯到第三收集杯211、212和213的排布,在收集杯210中形成入口221、222和223。入口221、222和223具有环形形状,并沿着卡盘110的周围设置。第一收集杯211形成第一入口221。第二收集杯212在第一入口221的上方形成第二入口222。第三收集杯213在第二入口222的上方形成第三入口223。通过基板W的旋转而散落的处理液流入到入口221、222和223中,并通过收集杯211、212和213收集。
排放管道225、226和227连接至收集杯211、212和213的底壁。排放管道225、226和227的端部位于与收集杯211、212和213的底壁相同的高度,且排放管道225、226和227用作为通道,经过该通道由收集杯211、212和213收集的处理液被排放到外部。第一排放管道到第三排放管道225、226和227分别连接至第一收集杯到第三收集杯211、212和213。
此外,排气管道275连接至第三收集杯213的底壁。排气管道275的一端位于高比第三收集杯213的底壁的位置。排气管道275用作为通道,通过该通道收集杯210中产生的烟雾被排放到外部。排气管道275通过排气管线276连接至泵277。泵277将真空压力施加至排气管275。由泵277施加的真空压力可根据处理步骤而变化。因此,吸入压力变化,排气管道275通过该吸入压力吸入烟雾。
收集管线261连接第一排放管道225和收集罐262。流入到第一排放管道225的处理液流过收集管线261,并储存在收集罐262中。储存在收集罐262中的处理液通过再生工艺在工艺中再次使用。
废液管线265连接第二排放管道226和废液罐266。流入到第二排放管226的处理液流过废液管线265,并储存在废液罐266中。储存在废液罐266中的处理液被废弃而不重复使用。
升降单元271垂直地移动收集杯210以调节收集杯210相对于卡盘110的高度。升降单元271降低收集杯210,使得当基板W装载到卡盘110或从卡盘110卸载时,卡盘110进一步向上突出超过收集杯210。此外,升降单元271升高收集杯210,使得处理液在处理期间根据处理步骤分别流入到入口221、222和223。升降单元271升高收集杯210,使得基板W位于与入口221、222和223中的一个相对应的高度处。
处理液供应单元300将处理液供应到基板W。处理液供应单元300包括喷嘴321、喷嘴臂323、喷嘴支承杆325和喷嘴致动器327。
喷嘴321将处理液供应到基板W的顶侧。喷嘴臂323在一个方向延伸,且喷嘴321安装在喷嘴臂323的前端(tip end)。喷嘴臂323支承喷嘴321。喷嘴支承杆325安装在喷嘴臂323的后端。喷嘴支承杆325位于喷嘴臂323的下方并垂直于喷嘴臂323设置。
喷嘴致动器327设置在喷嘴支承杆325的下端。喷嘴致动器327使喷嘴支承杆325围绕喷嘴支承杆325的纵向轴线旋转。喷嘴臂323和喷嘴321通过喷嘴支承杆325的旋转围绕喷嘴支承杆325旋转。喷嘴321可在收集杯210的外侧和内侧之间旋转。
待机端口400提供空间,喷嘴321在供应处理液之前,在待机位置待机。喷嘴321将处理液排放至待机端口400。
图7为示出了图5的待机端口的示意图。待机端口400包括主体410、排水管线420和排气单元430。
主体410提供内部空间R,从喷嘴321排放的处理液被引入到该内部空间R中。主体410具有圆筒形状,并且主体410的下部具有比主体410的上部小的直径。主体410的下部与排水管线420连接。
排水管线420用于排出从喷嘴321排放的处理液。排水管线420连接至主体410的下部。流过排水管线420的排放的处理液被储存在单独的储液池(reservoir)中。排水管线420在其长度方向上延伸。排水管线420具有比主体410小的直径。
排气单元430抽吸并排出内部空间R中的空气和从喷嘴321的出口端产生的烟雾。排气单元430围绕主体410,并具有在内部具有排气空间S的圆筒形状。排气单元430包括壳体431和排气管线432。壳体431设置在主体410的上部,排气管线432连接至壳体431的下部。
壳体431包括侧壁431a、上壁431b和入口431c。侧壁431a具有与主体410同轴的管状形状。侧壁431a具有比主体410大的直径。上壁431b从侧壁431a的上端向内延伸。上壁431b位于主体410的上方。从上方看时,形成在上壁431b的中心的中心孔C的面积小于内部空间R的面积。
入口431c为主体410的上端和上壁431b的下端之间的间隔空间。入口431c为通道,通过该通道内部空间R中的空气和从喷嘴321的出口端产生的烟雾流入排气空间S。
当处理液从喷嘴321排放到内部空间R中时,喷嘴321位于上壁431b的上方。喷嘴321的出口端和上壁431b之间的距离小于入口431c的垂直宽度的三倍。
排气管线432吸入排气空间S中的空气,以将抽吸力(suction force)施加至入口431c。排气管线432包括真空泵432a和烟雾处理容器432b。真空泵432a位于腔室800的外部并且在排气管线432中产生负压以允许排气空间S中的空气流入到排气管线432中。烟雾处理容器432b位于真空泵432a的一侧。通过排气管线432抽吸的、内部空间R中的空气和从喷嘴321的出口端产生的烟雾储存在烟雾处理容器432b中。
根据以上配置的待机端口400,当喷嘴321将处理液排放到待机端口400时,排气单元430抽吸从喷嘴321的出口端和待机端口400的内产生的烟雾,从而防止排放的处理液的烟雾扩散到腔室800中。
图8到10示出了普通的待机端口和图5中的待机端口的内部和外部的处理液浓度分布模拟结果,处理液排放到普通的待机端口和图5中的待机端口1.5秒。
使用氨作为处理液,并且通常应用于液体处理腔室的装置的建模值(modelingvalue)被应用于待机端口、喷嘴和腔室的物理性能。
图8到10中的棒(bars)代表处理液中包含的氨的浓度。图8示出了当将处理液从喷嘴排放到普通的待机端口中时,顶端开口的普通的待机端口的内部和外部的氨浓度分布的模拟结果。
当使用图8的待机端口时,待机端口的外部氨的浓度大约为20%,并且靠近喷嘴处氨的浓度大约为30%。由此,可以看出在待机端口产生的处理液的烟雾被排放到待机端口的外部。
图9示出了当将处理液从喷嘴排放到待机端口时,具有吸气装置的待机端口的内部和外部的处理液浓度分布的模拟结果,该吸气装置连接至待机端口的内部空间以吸入待机端口中的空气。
当使用图9中的待机端口时,待机端口的外部氨的浓度几乎为0%。也就是说,未检测到氨。尽管在喷嘴周围邻近进气装置的区域中很难检测到氨,然而,在进气装置的相对侧检测到的氨的浓度约为30%。由此,可以看出在进气装置的相对侧的喷嘴区域中烟雾没有很好地排出。
图10示出了当将处理液从喷嘴321排放到待机端口400中时,图5中的待机端口400的内部和外部的处理液浓度分布的模拟结果。参照图10,可以看出在待机端口400的外部的全部区域和喷嘴周围的全部区域很难检测到氨。
参照图8到10,可以看出在图8的结构中,在待机端口的外部的全部区域中的氨的浓度是高的,在图9的结构中,喷嘴周围的部分区域中的氨的浓度是高的,然而,在图10的结构中,在待机端口的外部的全部区域和喷嘴周围的全部区域很难检测到氨,并且待机端口的排出效率是极好的。
图11示出了在图9中的待机端口中产生的抽吸液体的速率的模拟结果,图12示出了图5中的待机端口中产生的抽吸液体的速率的模拟结果。图11和12中的棒状彩色图例代表烟雾的流速。
参照图11,待机端口的面向吸气装置的区域中的烟雾的流速比待机端口的其他区域高。由此,可以看出,当使用图9的待机端口时,根据待机端口中的区域,烟雾的排气不均匀。
相反,可以看出,当使用图5的待机端口时,待机端口内的整个区域中烟雾的排气很好地执行,并且流速大体上是均匀的(参照图12)。
尽管上面已经详细描述了待机端口及具有该待机端口的基板处理装置,但是本发明构思也并不限制于此,且可适用于对基板执行液体处理的所有设备。
上述内容描述了本发明构思的示例性实施例,并且本发明构思可以用于各种其他组合、变化和环境中。也就是说,在不脱离说明书中公开的发明构思的范围,书面公开的同等范围,和/或本领域的技术人员的技术或知识范围的情况下,可以对本发明构思进行变型或修改。
尽管已经描述了当从上方看时,形成在上壁431b的中心的中心孔C的面积小于内部空间R的面积,然而形成在上壁431b的中心的中心孔C的面积可以大于或等于内部空间R的面积。
尽管已经参照实施例描述了本发明构思,然而对于本领域的技术人员显而易见的是,在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,可以进行各种改变和修改。因此,应当理解的是以上实施例并非限制性的,而是示例性的。

Claims (10)

1.一种用于处理基板的装置,其中,所述装置包括:
支承单元,其配置为支承所述基板;
容器,其配置为围绕所述支承单元并收集处理液;
处理液供应单元,其包括喷嘴,所述喷嘴配置为将所述处理液供应到由所述支承单元支承的所述基板上;以及
待机端口,在所述基板未被处理时,所述喷嘴在所述待机端口处待机,所述待机端口设置在所述容器的一侧,
其中,所述待机端口包括:
主体,其包括在顶部开口的内部空间,使得从所述喷嘴排放的所述处理液被引入所述内部空间中;
排水管线,其连接至所述主体并配置为排出所述内部空间中的所述处理液;以及
排气单元,其配置为排出所述内部空间中的空气,以及
其中,所述排气单元包括:
壳体,其具有环形形状,所述壳体配置成围绕所述主体并具有排气空间,所述内部空间中的空气流入所述排气空间;以及
排气管线,其连接至所述壳体并配置成强制排出所述壳体中的空气。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述排气空间的入口设置在所述内部空间的上方,所述内部空间中的空气流入到所述入口中。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述排气管线连接至所述壳体的下端区域。
4.根据权利要求1到3任一项所述的装置,其中,所述壳体包括:
侧壁,其配置为围绕所述主体;以及
上壁,其从所述侧壁的上端向内延伸,且位于所述主体的上方,
其中,所述主体的上端和所述上壁的下端之间的间隔空间作为入口,所述内部空间中的空气通过所述入口流入到所述排气空间。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,从上方看时,形成在所述上壁的中心的中心孔的面积小于所述内部空间的面积。
6.根据权利要求4所述的装置,其中,当所述处理液从所述喷嘴排放到所述内部空间中时,所述喷嘴设置在所述上壁的上方,并且所述喷嘴的出口端和所述上壁之间的距离小于所述入口的垂直宽度的三倍。
7.一种设置在腔室中的待机端口,所述腔室配置为在基板上执行液体处理,其中,所述待机端口包括:
主体,其包括在顶部开口的内部空间,使得从喷嘴排放的处理液被引入到所述内部空间中;
排水管线,其连接至所述主体并配置为排出所述内部空间中的所述处理液;以及
排气单元,其配置为排出所述内部空间中的空气,
其中,所述排气单元包括:
壳体,其具有环形形状,所述壳体配置为围绕所述主体并具有排气空间,所述内部空间中的空气流入到所述排气空间;以及
排气管线,其连接至所述壳体并配置为强制排出所述壳体中的空气。
8.根据权利要求7所述的待机端口,其中,所述排气空间的入口设置在所述内部空间的上方,所述内部空间中的空气流入所述入口。
9.根据权利要求8所述的待机端口,其中,所述排气管线连接至所述壳体的下端区域。
10.根据权利要求7所述的待机端口,其中,所述壳体包括:
侧壁,其配置为围绕所述主体;以及
上壁,其从所述侧壁的上端向内延伸,并位于所述主体的上方,
其中,所述主体的上端和所述上壁的下端之间的间隔空间作为入口,所述内部空间中的空气通过所述入口流入到所述排气空间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114618819A (zh) * 2022-03-22 2022-06-14 上海华力微电子有限公司 冲洗装置及半导体制造设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102239518B1 (ko) * 2019-09-04 2021-04-15 세메스 주식회사 홈 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110721A (ja) * 1992-10-02 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd レジスト塗布装置
US6589338B1 (en) * 1999-12-02 2003-07-08 Tokyo Electron Limited Device for processing substrate
CN1625797A (zh) * 2002-04-26 2005-06-08 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP2011043584A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 基板の洗浄装置及び洗浄方法
JP2013026381A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR20160033358A (ko) * 2014-09-17 2016-03-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN106133880A (zh) * 2014-03-28 2016-11-16 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
KR20170061749A (ko) * 2015-11-26 2017-06-07 세메스 주식회사 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101373748B1 (ko) 2010-04-19 2014-03-14 세메스 주식회사 기판 세정 방법
KR101408788B1 (ko) 2010-09-01 2014-06-17 세메스 주식회사 기판처리장치
KR102299882B1 (ko) 2014-11-05 2021-09-09 세메스 주식회사 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 정전기 제거 방법
KR101670455B1 (ko) * 2014-12-31 2016-10-28 세메스 주식회사 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법
KR102450031B1 (ko) * 2015-09-02 2022-09-30 세메스 주식회사 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR101757814B1 (ko) * 2015-10-21 2017-07-14 세메스 주식회사 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102493572B1 (ko) * 2015-12-14 2023-02-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 위치 안내 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110721A (ja) * 1992-10-02 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd レジスト塗布装置
US6589338B1 (en) * 1999-12-02 2003-07-08 Tokyo Electron Limited Device for processing substrate
CN1625797A (zh) * 2002-04-26 2005-06-08 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP2011043584A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 基板の洗浄装置及び洗浄方法
JP2013026381A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN106133880A (zh) * 2014-03-28 2016-11-16 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
KR20160033358A (ko) * 2014-09-17 2016-03-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20170061749A (ko) * 2015-11-26 2017-06-07 세메스 주식회사 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114618819A (zh) * 2022-03-22 2022-06-14 上海华力微电子有限公司 冲洗装置及半导体制造设备

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