CN109975881B - 微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法,其中所述微波探测器包括一参考地、一辐射源、一驱动电路和至少一组抑制篱笆柱。所述驱动电路被电连接于所述辐射源的馈电点,其中所述辐射源、所述参考地和所述驱动电路沿着所述微波探测器的厚度方向被依次布置,并且所述辐射源和所述参考地相互间隔以形成一辐射缝隙于所述辐射源和所述参考地之间,和所述参考地和所述驱动电路之间的间隔距离尺寸大于或者等于1/128λ,λ为所述微波探测器的辐射波的波长,一组所述抑制篱笆柱以每个所述抑制篱笆柱相互间隔地布置于所述驱动电路的侧部的方式环绕所述驱动电路。
Description
技术领域
本发明涉及天线领域,特别涉及一微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法。
背景技术
随着物联网的发展和普及,如物联网在人工智能和智能家居领域的应用,其中无线电技术,包括基于多普勒效应原理的微波探测技术作为人与物,物与物之间相联的重要枢纽被越来越广泛地使用,ISM(Industrial Scientific Medical) Band是由ITU-R (ITURadiocommunication Sector,国际通信联盟无线电通信局)定义的供开放给诸如工业、科学和医学等机构使用的无需授权许可的频段,在ITU-R开放的这些频段中被应用于微波探测的频段主要有2.4Ghz、5.8Ghz、10.525Ghz、24.125Gh等频段,相应的微波探测器在使用这些频段时需要遵守一定的发射功率(一般发射功率低于1W)以减小对其他无线电设备的干扰,虽然不同频段的定义和许可能够规范无线电的使用频段而减小不同频段的无线电设备之间相互干扰的概率,然而不同频段的无线电设备之间,如不同频段的微波探测器之间仍会由于杂散电磁波辐射而存在单向干扰甚至相互干扰的概率,特别是在有限的频段资源许可下,随着不同频段的无线电使用覆盖率的提升,不同频段的无线电设备之间单向干扰或相互干扰的问题也日益严重。
此外,由于无线电技术同时作为通信领域中信息传递的枢纽,其抗干扰能力关乎经济和国防安全,因此,国际上以及不同国家和地区还对无线电技术的抗干扰能力提出了相应的认证标准,如欧盟的RED认证和美国的FCC认证对杂散电磁波辐射中谐波的限值要求,也就是说,即便是基于多普勒效应原理使用无需授权许可的频段的微波探测器,其在面对与不同频段的无线电设备之间单向干扰或相互干扰的问题的同时,还需要面对国际以及相应国家和地区的认证标准。
现在的微波探测器包括一辐射源、一参考地以及一驱动电路,其中该辐射源和该参考地被相互间隔地设置,以在该辐射源和该参考地之间形成一辐射缝隙,该驱动电路被设置于该参考地的一侧,并且该驱动电路被连接于该辐射源的馈电点,其中该驱动电路自该辐射源的该馈电点提供微波激励电信号至该辐射源,以藉由该辐射源和该参考地相互配合而使该微波探测器产生辐射波,其中该驱动电路同时产生杂散电磁波辐射,并能够自所述参考地向所述驱动电路方向,以及所述参考地与所述驱动电路之间的缝隙向外扩散而窜入与该微波探测器处于不同频段的无线电设备,如窜入与该微波探测器处于不同频段的微波探测器并对其造成干扰。
也就是说,目前的微波探测器,由于杂散电磁波辐射的存在,其与处于不同频段的无线电设备,包括处于不同频段的微波探测器之间单向干扰或相互干扰的问题日益严重,并难以满足欧盟的RED认证和美国的FCC认证对杂散电磁波辐射中谐波的限值要求。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法,其中所述微波探测器的一驱动电路在向一辐射源提供微波激励电信号时产生的杂散电磁波辐射能够被有效地抑制。
本发明的一个目的在于提供一微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法,其中所述微波探测器提供至少一组抑制篱笆柱,其中一组所述抑制篱笆柱以每个所述抑制篱笆柱相互间隔地自所述驱动电路的侧部向所述微波探测器的一参考地方向延伸的方式环绕所述驱动电路,以藉由一组所述抑制篱笆柱抑制所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射。
本发明的一个目的在于提供一微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法,其中所述微波探测器包括至少一列抑制坝,一列所述抑制坝被布置于所述驱动电路的相邻电路模块之间,以抑制所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射并降低所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射对相邻电路模块的干扰。
本发明的一个目的在于提供一微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法,其中所述微波探测器提供一屏蔽罩,所述屏蔽罩被设置罩设所述驱动电路,以抑制所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射。
本发明的一个目的在于提供一微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法,其中所述屏蔽罩具有至少两个相邻的屏蔽空间,其分别对应于所述驱动电路的不同电路模块,以允许所述屏蔽罩隔离所述驱动电路的相邻电路模块,从而抑制所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射对相邻电路模块的干扰。
本发明的一个目的在于提供一微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法,其中通过减小所述参考地和所述驱动电路的间隔距离的方式能够抑制所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射。
本发明的一个目的在于提供一微波探测器及其制造方法和杂散电磁波辐射抑制方法,其中所述屏蔽罩的至少一所述屏蔽空间进一步被设置有吸波材料,以藉由所述吸波材料对杂散电磁波辐射的吸收损耗降低所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射于所述屏蔽空间的二次反射对所述驱动电路和相邻电路模块造成干扰。
依本发明的一个方面,本发明提供一微波探测器,其包括:
一参考地;
一辐射源,其中所述辐射源具有一馈电点;
一驱动电路,其中所述驱动电路被电连接于所述辐射源的所述馈电点,其中所述辐射源、所述参考地和所述驱动电路沿着所述微波探测器的厚度方向被依次布置,并且所述辐射源和所述参考地相互间隔以形成一辐射缝隙于所述辐射源和所述参考地之间,和所述参考地和所述驱动电路之间的间隔距离尺寸大于或者等于1/128λ,λ为所述微波探测器的辐射波的波长;以及
至少一组抑制篱笆柱,其中一组所述抑制篱笆柱以每个所述抑制篱笆柱相互间隔地布置于所述驱动电路的侧部的方式环绕所述驱动电路。
根据本发明的一个实施例,所述微波探测器进一步包括一上基板和一下基板,其中所述上基板具有一附着面和对应于所述附着面的一贴装面,所述辐射源被保持于所述上基板的所述附着面,其中所述下基板具有一上表面和对应于所述上表面的一下表面,所述参考地被保持于所述下基板的所述上表面,和所述驱动电路被保持于所述下基板的所述下表面,以使所述下基板分隔所述参考地和所述驱动电路,其中所述上基板的所述贴装面被贴装于所述参考地,以允许所述上基板形成所述辐射缝隙。
根据本发明的一个实施例,所述微波探测器进一步包括一蚀刻板,其中所述蚀刻板包括一周边部分,所述周边部分以环绕所述驱动电路的方式层叠于所述下基板的所述下表面,其中一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱分别自所述周边部分向所述参考地方向延伸。
根据本发明的一个实施例,所述蚀刻板包括至少一分隔部分,所述分隔部分以分隔所述驱动电路的相邻电路模块的方式层叠于所述下基板的所述下表面,其中所述微波探测器进一步包括至少一列抑制坝,一列所述抑制坝以每个所述抑制坝相互间隔的方式自所述分隔部分向所述参考地方向延伸,以分隔所述驱动电路的相邻所述电路模块。
根据本发明的一个实施例,所述微波探测器进一步包括至少一列抑制坝,一列所述抑制坝以每个所述抑制坝相互间隔的方式自所述下基板的所述下表面向所述参考地方向延伸,以分隔所述驱动电路的相邻所述电路模块。
根据本发明的一个实施例,一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱分别自所述周边部分延伸至所述参考地。
根据本发明的一个实施例,一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱分别自所述周边部分延伸至所述参考地,和一列所述抑制坝中的每个所述抑制坝分别自所述分隔部分延伸至所述参考地。
根据本发明的一个实施例,一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱分别自所述周边部分延伸至所述参考地,和一列所述抑制坝中的每个所述抑制坝分别自所述下基板的所述下表面延伸至所述参考地。
根据本发明的一个实施例,所述上基板层叠于所述参考地。
根据本发明的一个实施例,所述微波探测器进一步包括一屏蔽罩,其中所述屏蔽罩包括一罩壁和具有被所述罩壁界定的一屏蔽空间,所述屏蔽罩被设置使所述罩壁对应于一组所述抑制篱笆柱,以允许所述驱动电路被保持于被所述抑制篱笆柱和参考地进一步界定所述屏蔽空间。
根据本发明的一个实施例,所述微波探测器进一步包括一屏蔽罩,其中所述屏蔽罩包括一罩壁和被设置于所述罩壁的至少一分隔板以及具有被所述罩壁和所述分隔板界定的至少两相互独立的屏蔽空间,所述屏蔽罩被设置使所述罩壁对应于一组所述抑制篱笆柱和使所述分隔板对应于一列所述抑制坝,以允许所述驱动电路的每个所述电路模块分别被保持于所述屏蔽罩的每个所述屏蔽空间。
依本发明的另一个方面,本发明进一步提供一微波探测器的制造方法,其中所述制造方法包括如下步骤:
蚀刻被附着于一下基板的一上表面的一第二金属层以允许所述第二金属层形成一缺口,和蚀刻被附着于所述下基板的一下表面的一第三金属层以允许所述第三金属层形成一驱动电路;
形成环绕所述驱动电路的侧部的至少一组抑制篱笆柱;
允许一附着面被附着有一第一金属层的一上基板的一贴装面被贴装于所述第二金属层;以及
形成自所述第一金属层经所述第二金属层的所述缺口延伸至所述驱动电路的一电气连接元件,以制得所述微波探测器,其中所述第一金属层形成所述微波探测器的一辐射源,所述第二金属层形成所述微波探测器的一参考地,所述上基板形成所述微波探测器的一辐射缝隙。
根据本发明的一个实施例,所述步骤(c)在所述步骤(d)之前,从而首先贴装所述上基板的所述贴装面于所述第二金属层,其次形成环绕所述驱动电路的侧部的一组所述抑制篱笆柱。
根据本发明的一个实施例,在所述步骤(a)中,蚀刻所述第三金属层的中部以使所述第三金属层的边缘形成环绕所述驱动电路的一周边部分,以在所述步骤(b)中,允许一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱相互间隔地自所述周边部分向所述第二金属层方向延伸。
根据本发明的一个实施例,在所述步骤(a)中,蚀刻所述第三金属层的中部以使所述第三金属层的中部形成分隔所述驱动电路的相邻电路模块的至少一分隔部分,以在所述步骤(c)之前,所述制造方法进一步包括步骤:(e)形成自所述分隔部分向所述第二金属层延伸的至少一列抑制坝。
根据本发明的一个实施例,在所述步骤(c)之前,所述制造方法进一步包括步骤:(f)形成自所述下基板的所述下表面向所述第二金属层方向延伸以分隔所述驱动电路的相邻电路模块的至少一列抑制坝。
根据本发明的一个实施例,所述步骤(b)和所述步骤(e)同时进行,以通过金属化过孔工艺同时形成一组所述抑制篱笆柱和一列所述抑制坝。
根据本发明的一个实施例,所述步骤(b)和所述步骤(f)同时进行,以通过金属化过孔工艺同时形成一组所述抑制篱笆柱和一列所述抑制坝。
根据本发明的一个实施例,所述制造方法进一步包括步骤:
(g)以一屏蔽罩的一罩壁对应于一组所述抑制篱笆柱的方式罩设所述屏蔽罩于所述驱动电路。
根据本发明的一个实施例,所述制造方法进一步包括步骤:
(h)以一屏蔽罩的一罩壁对应于一组所述抑制篱笆柱和一分隔板对应于一列所述抑制坝的方式罩设所述屏蔽罩于所述驱动电路。
依本发明的另一个方面,本发明进一步提供一微波探测器的杂散电磁波辐射抑制方法,其中所述杂散电磁波辐射抑制方法包括如下步骤:
(A)沿着所述微波探测器的一驱动电路的侧部布置环绕所述驱动电路的至少一组抑制篱笆柱;和
(B)在所述驱动电路自所述微波探测器的一辐射源的一馈电点提供微波激励电信号至所述辐射源时,一组所述抑制篱笆柱阻止所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射向所述驱动电路的侧部方向辐射,从而抑制所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射。
根据本发明的一个实施例,所述杂散电磁波辐射抑制方法进一步包括步骤:
(C)分隔所述驱动电路的相邻电路模块,以减弱所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射。
根据本发明的一个实施例,在所述步骤(C)中,在所述驱动电路的相邻电路模块之间形成至少一列抑制坝,以藉由一列所述抑制坝分隔所述驱动电路的相邻电路模块。
根据本发明的一个实施例,在所述步骤(C)中,分别保持所述驱动电路的每个电路模块于一屏蔽罩的独立的一屏蔽空间,以藉由所述屏蔽罩分隔所述驱动电路的相邻电路模块。
根据本发明的一个实施例,在所述步骤(C)中,分别保持所述驱动电路的每个电路模块于一屏蔽罩的独立的一屏蔽空间,以藉由所述屏蔽罩分隔所述驱动电路的相邻电路模块。
依本发明的另一个方面,本发明进一步提供一微波探测器,其包括:
一参考地;
一辐射源,其中所述辐射源具有一馈电点;
一驱动电路,其中所述驱动电路被电连接于所述辐射源的所述馈电点,其中所述辐射源、所述参考地和所述驱动电路沿着所述微波探测器的厚度方向被依次布置,并且所述辐射源和所述参考地相互间隔以形成一辐射缝隙于所述辐射源和所述参考地之间,和所述参考地和所述驱动电路之间的间隔距离尺寸小于1/128λ,λ为所述微波探测器的辐射波的波长。
根据本发明的一个实施例,所述微波探测器进一步包括一屏蔽罩,其中所述屏蔽罩被设置罩设所述驱动电路。
根据本发明的一个实施例,所述屏蔽罩具有至少两相互独立的屏蔽空间,所述驱动电路包括至少两电路模块,其中所述驱动电路的每个所述电路模块分别被容纳于所述屏蔽罩的每个所述屏蔽空间。
附图说明
图1示出了依本发明的一较佳实施例的一微波探测器的立体状态。
图2示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的分解状态。
图3A和图3B分别示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器在被去除一屏蔽罩后的立体状态。
图4示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器在被去除所述屏蔽罩后的剖视状态。
图5A示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之一的示意图。
图5B示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之二的示意图。
图5C示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之三的示意图。
图5D示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之四的示意图。
图5E示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之五的示意图。
图5F示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之六的示意图。
图5G示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的制造步骤之七的示意图。
图6示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的一个变形实施方式的立体状态。
图7示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的另一个变形实施方式的立体状态。
图8示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的分解状态。
图9示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器在被去除所述屏蔽罩后的立体状态。
图10示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的另一个变形实施方式的分解状态。
图11示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器在被去除所述屏蔽罩后的立体状态。
图12示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的另一个变形示例的立体状态。
图13示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器在被去除所述屏蔽罩后的剖视状态。
图14示出了依本发明的另一较佳实施例的一微波探测器的立体状态。
图15示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的分解状态。
图16A和图16B分别示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器在被去除一屏蔽罩后的立体状态。
图17示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器在被去除所述屏蔽罩后的剖视状态。
图18示出了依本发明的上述较佳实施例的所述微波探测器的一个变形示例的分解图。
具体实施方式
根据本发明的权利要求和说明书所公开的内容,本发明的技术方案具体如下文所述。
本领域技术人员应理解的是,在本发明的揭露中,术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系,其仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此上述术语不能理解为对本发明的限制。
可以理解的是,术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”,即在一个实施例中,一个元件的数量可以为一个,而在另外的实施例中,该元件的数量可以为多个,术语“一”不能理解为对数量的限制。
参考本发明的说明书附图之附图1至图4,依本发明的一较佳实施例的一微波探测器在接下来的描述中被揭露和被阐述,其中所述微波探测器包括一辐射源10、一参考地20、一驱动电路30以及至少一组抑制篱笆柱40。
具体地,所述参考地20具有一第一侧21和对应于所述第一侧21的一第二侧22,其中所述辐射源10被保持于所述参考地20的所述第一侧21,并且所述辐射源10和所述参考地20相互间隔以形成所述微波探测器的一辐射缝隙50于所述辐射源10和所述参考地20之间,其中所述驱动电路30被保持于所述参考地20的所述第二侧22,并且所述驱动电路30被电连接于所述辐射源10的一馈电点11。一组所述抑制篱笆柱40以每个所述抑制篱笆柱40相互间隔地布置于所述驱动电路30的侧部的方式环绕所述驱动电路30。当所述驱动电路30自所述辐射源10的所述馈电点11提供微波激励电信号至所述辐射源10时,所述辐射源10和所述参考地20相互配合而使所述微波探测器产生辐射波,其中一组所述抑制篱笆柱40能够有效地抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射。
更具体地,在附图1至图4示出的所述微波探测器的这个较佳示例中,所述辐射源10具有一辐射源平面12,所述参考地20具有一参考地平面23,其中所述辐射源10的所述辐射源平面12和所述参考地20的所述参考地平面23相互平行,以使所述微波探测器呈平板状。换言之,附图1至图4示出的所述微波探测器是平板探测器。
值得一提的是,附图1至图4示出的所述微波探测器被示例性地描述为平板探测器,但其并不应被视为对本发明的所述微波探测器的内容和范围的限制,例如,在本发明的所述微波探测器的其他示例中,所述微波探测器是柱状探测器,即,所述辐射源10的延伸方向垂直于所述参考地20的所述参考地平面23。
继续参考附图1至图4,所述辐射源10的四周边缘形成的形状为长方形,从而使得所述辐射源10具有长度方向和宽度方向,所述参考地20的四周边缘形成的形状为长方形,从而使得所述参考地20具有长度方向和宽度方向,其中所述辐射源10的长度方向与所述参考地20的长度方向一致,相应地,所述辐射源10的宽度方向与所述参考地20的宽度方向一致。在附图6示出的所述微波探测器的一个变形示例中,所述辐射源10的长度方向与所述参考地20的宽度方向一致,相应地,所述辐射源10的宽度方向与所述参考地20的长度方向一致。
继续参考附图1至图4,所述微波探测器进一步包括一上板组件60和一下板组件70。所述上板组件60包括一上基板61和一第一金属层62,其中所述上基板61具有一附着面611和对应于所述附着面611的一贴装面612,所述第一金属层62被附着于所述上基板61的所述附着面611。所述下板组件70包括一下基板71、一第二金属层72以及一第三金属层73,其中所述下基板71具有一上表面711和对应于所述上表面711的一下表面712,其中所述第二金属层72被附着于所述下基板71的所述上表面711,所述第三金属层73被附着于所述下基板71的所述下表面712。
值得一提的是,所述第一金属层62、所述第二金属层72和所述第三金属层73可以是但不限于铜板,从而利用覆铜工艺能够使所述第一金属层62被附着于所述上基板61的所述附着面611、所述第二金属层72被附着于所述下基板71的所述上表面711、所述第三金属层73被附着于所述下基板71的所述下表面712。
参考附图3B,利用但不限于蚀刻被附着于所述下基板71的所述下表面712的所述第三金属层73的中部的方式能够形成所述驱动电路30,被蚀刻后的所述第三金属层73形成一蚀刻板74,其中所述蚀刻板74包括环绕所述驱动电路30的一周边部分741。换言之,本发明的所述微波探测器进一步包括所述蚀刻板74,其中所述蚀刻板74包括所述周边部分741,所述周边部分741以环绕所述驱动电路30的方式层叠于所述下基板71的所述下表面712。
优选地,所述驱动电路30包括至少两相互连接的电路模块31,所述电路模块31可以是但不限于振荡电路模块、混频电路模块、检波电路模块、放大电路模块等。所述蚀刻板74进一步包括至少一分隔部分742,其形成于所述驱动电路30的相邻两个所述电路模块31之间,以分隔所述驱动电路30的相邻两个所述电路模块31。例如,在本发明的所述微波探测器的一个具体示例中,通过蚀刻被附着于所述下基板71的所述下表面712的所述第三金属层73的中部的方式能够形成所述驱动电路30、环绕于所述驱动电路30的所述周边部分741和分隔所述驱动电路30的相邻两个所述电路模块31的所述分隔部分742。
所述上板组件60的所述上基板61的所述贴装面612被贴装于所述第二金属层72,并且所述驱动电路30被电连接于所述第一金属层62,从而所述第一金属层62形成所述辐射源10、所述第二金属层72形成所述参考地20、所述上基板61形成所述辐射缝隙50、所述第一金属层62与所述驱动电路30的连接位置形成所述辐射源10的所述馈电点11。
在本发明的所述微波探测器中,在所述上板组件60的所述上基板61的所述贴装面612被贴装于所述第二金属层72后,利用金属化过孔工艺可以导通地连接所述驱动电路30和所述第一金属层62。具体地,所述微波探测器进一步包括一电气连接元件80,其通过金属化过孔工艺形成,以在贯穿所述上板组件60和所述下板组件70后分别被电连接于所述辐射源10的所述馈电点11和所述驱动电路30,从而藉由所述电气连接元件80导通地连接所述辐射源10的所述馈电点11和所述驱动电路30。
在本发明的所述微波探测器中,所述参考地20由被附着于所述下基板71的所述上表面711的所述第二金属层72形成,所述驱动电路30由被附着于所述下基板71的所述下表面712的所述第三金属层73在被蚀刻后形成,从而所述下基板71隔离所述参考地20和所述驱动电路30,以使所述参考地20和所述驱动电路30之间具有间距。
在附图1至图4示出的所述微波探测器中,所述下基板71的厚度尺寸大于或者等于1/128λ,其中λ为所述微波探测器产生的辐射波的波长,从而所述参考地20和所述驱动电路30之间的距离大于或者等于1/128λ,其中一组所述抑制篱笆柱40以每个所述抑制篱笆柱40相互间隔地布置于所述驱动电路30的侧部的方式环绕所述驱动电路30,从而当所述驱动电路30自所述辐射源10的所述馈电点11提供微波激励电信号至所述辐射源10时,所述辐射源10和所述参考地20相互配合而使所述微波探测器产生辐射波,其中一组所述抑制篱笆柱40能够有效地抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射。
在附图1至图4示出的所述微波探测器中,所述下基板71的厚度尺寸与所述参考地20和所述驱动电路30之间的间隔距离尺寸一致。可选地,所述下基板71的厚度尺寸大于所述参考地20和所述驱动电路30之间的间隔距离尺寸。
优选地,一组所述抑制篱笆柱40中的每个所述抑制篱笆柱40分别自所述蚀刻板74的所述周边部分741向所述参考地20方向延伸,从而使得一组所述抑制篱笆柱40以每个所述抑制篱笆柱40相互间隔地布置于所述驱动电路30的侧部的方式环绕所述驱动电路30,通过这样的方式,一组所述抑制篱笆柱40能够阻止所述驱动电路30产生的电磁波向所述周边部分741的外侧方向辐射,以抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射。优选地,一组所述抑制篱笆柱40中的相邻两个所述抑制篱笆柱40之间的距离小于或者等于1/16λ,更优选的,一组所述抑制篱笆柱40中的相邻两个所述抑制篱笆柱40之间的距离小于或者等于1/128λ,以有效地阻止所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射向所述周边部分741的外侧方向辐射,从而抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射。
在附图1至图4示出的所述微波探测器的这个较佳示例中,一组所述抑制篱笆柱40中的每个所述抑制篱笆柱40分别自所述蚀刻板74的所述周边部分741延伸至所述参考地20。例如,利用但不限于金属化过孔工艺能够于所述下板组件70形成自所述蚀刻板74的所述周边部分741延伸至所述参考地20的一组所述抑制篱笆柱40。在本发明的所述微波探测器的另一个示例中,一组所述抑制篱笆柱40中的至少一个所述抑制篱笆柱40与所述参考地20之间具有间距,并且所述抑制篱笆柱40与所述参考地20之间的距离小于或者等于1/128λ。
继续参考附图1至图4,所述微波探测器进一步包括至少一列抑制坝90,其中一列所述抑制坝90以每个所述抑制坝90相互间隔的方式自所述蚀刻板74的所述分隔部分742向所述参考地20方向延伸,以藉由一列所述抑制坝90分隔所述驱动电路30的相邻两个所述电路模块31,从而减弱所述驱动电路30产生的电磁波。例如,一列所述抑制坝90能够分隔所述驱动电路30的振荡电路模块和混频电路模块、一列所述抑制坝90能够分隔所述驱动电路30的振荡电路模块和检波电路模块、一列所述抑制坝90能够分隔所述驱动电路30的振荡电路模块和放大电路模块、一列所述抑制坝90能够分隔所述驱动电路30的混频电路模块和检波电路模块、一列所述抑制坝90能够分隔所述驱动电路30的混频电路模块和放大电路模块、一列所述抑制坝90能够分隔所述驱动电路30的检波电路模块和放大电路模块。
在附图1至图4示出的所述微波探测器的这个较佳示例中,一列所述抑制坝90中的每个所述抑制坝90分别自所述蚀刻板74的所述分隔部分742延伸至所述参考地20。例如,利用但不限于金属化过孔工艺能够于所述下板组件70形成自所述蚀刻板74的所述分隔部分742延伸至所述参考地20的一列所述抑制坝90。在本发明的所述微波探测器的另一个示例中,一列所述抑制坝90中的至少一个所述抑制坝90与所述参考地20之间具有间距,并且所述抑制坝90与所述参考地20之间的距离小于或者等于1/128λ。
优选地,一组所述抑制篱笆柱40和一列所述抑制坝90可以藉由同一道金属化过孔工艺形成于所述下板组件70。
继续参考附图1至图4,所述微波探测器进一步包括一屏蔽罩100,其具有一屏蔽空间101,其中所述屏蔽罩100被设置罩设所述驱动电路30,以使所述驱动电路30被保持于所述屏蔽罩100的所述屏蔽空间101,从而所述屏蔽罩100通过阻挡所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射向所述屏蔽罩100的外部辐射的方式抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射。
具体地,所述屏蔽罩100被设置于所述下板组件70的所述蚀刻板74,并且所述屏蔽罩100的用于界定所述屏蔽空间101的一罩壁102对应于一组所述抑制篱笆柱40,通过这样的方式,形成被所述抑制篱笆柱40和所述参考地20进一步界定的所述屏蔽空间101,则一组所述抑制篱笆柱40和所述屏蔽罩100能够相互配合而阻止所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射向所述屏蔽罩100的外部辐射并抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射。
特别地,在本发明的一些实施例中,其中所述屏蔽空间101进一步被设置有吸波材料,以藉由所述吸波材料对杂散电磁波辐射的吸收损耗降低所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射于所述屏蔽空间101的二次反射对所述驱动电路30造成干扰,例如但不限定于高磁损耗型吸波材料、高介电损耗型吸波材料、高电阻性损耗吸波材料。
附图5A至图5G示出了所述微波探测器的制造过程。
参考附图5A,结合图1至图4对所述微波探测器的结构示意,提供所述上板组件60,其中所述上板组件60包括所述上基板61和被附着于所述上基板61的所述附着面611的所述第一金属层62。
具体地,在本发明的所述微波探测器的制造过程的一个具体示例中,首先提供一个基板,其次在基板的表面附着一个金属层以形成一个拼板单元,然后在切割拼板单元后形成所述上板组件60,其中被切割的基板形成所述上板组件60的所述上基板61,和被切割的金属层形成所述上板组件60的所述第一金属层62。
在本发明的所述微波探测器的制造过程的另一个具体示例中,首先提供一个所述上基板61,其次提供一个所述第一金属层62,然后附着所述第一金属层62于所述上基板61的所述附着面611,以形成所述上板组件60。
值得一提的是,附着金属层至基板的表面以允许金属层和基板形成拼板单元的附着方式在本发明的所述微波探测器中不受限制,例如通过在金属层和基板之间设置胶水等粘合剂的方式可以附着金属层至基板的表面以允许金属层和基板形成拼板单元。相应地,附着所述第一金属层62至所述上基板61的所述附着面611的附着方式在本发明的所述微波探测器中不受限制,例如通过在第一金属层62和所述上基板61的所述附着面611之间设置胶水等粘合剂的方式可以附着所述第一金属层62至所述上基板61的所述附着面611而形成所述上板组件60。
参考附图5B,提供所述下板组件70,其中所述下板组件70包括所述下基板71以及被附着于所述下基板71的所述上表面711的所述第二金属层72和被附着于所述下基板71的所述下表面712的所述第三金属层73。
具体地,在本发明的所述微波探测器的制造过程的一个具体示例中,首先提供一个基板,其次在基板的两个表面分别附着一个金属层以形成一个拼板单元,然后在切割拼板单元后形成所述下板组件70,其中被切割的基板形成所述下板组件70的所述下基板71,和被切割的金属层分别形成所述下板组件70的所述第二金属层72和所述第三金属层73。
在本发明的所述微波探测器的制造过程的另一个具体示例中,首先提供一个所述下基板71,其次提供一个所述第二金属层72和一个所述第三金属层73,然后分别附着所述第二金属层72于所述下基板71的所述上表面711和附着所述第三金属层73于所述下基板71的所述上表面712,以形成所述下板组件70。
值得一提的是,附着金属层至基板的表面以允许金属层和基板形成拼板单元的附着方式在本发明的所述微波探测器中不受限制,例如通过在金属层和基板之间设置胶水等粘合剂的方式可以附着金属层至基板的表面以允许金属层和基板形成拼板单元。相应地,附着所述第二金属层72于所述下基板71的所述上表面711和附着所述第三金属层73于所述下基板71的所述上表面711的附着方式在本发明的所述微波探测器中不受限制,例如通过在所述第二金属层72和所述下基板71的所述上表面711与所述第三金属层73和所述下基板71的所述下表面712之间设置胶水等粘合剂的方式可以附着所述第二金属层72于所述下基板71的所述上表面711和附着所述第三金属层73于所述下基板71的所述下表面712。
参考附图5C和图5D,蚀刻所述第二金属层72的中部以使所述第二金属层72具有一缺口721,和蚀刻所述第三金属层73以使所述第三金属层73形成所述驱动电路30、环绕于所述驱动电路30的四周的所述蚀刻板74的所述周边部分741和分隔所述驱动电路30的相邻所述电路模块31的所述蚀刻板74的所述分隔部分742。
值得一提的是,蚀刻所述第二金属层72和所述第三金属层73的顺序在本发明的所述微波探测器的制造过程中不受限制。例如,在一个较佳示例中,首先蚀刻所述第二金属层72,其次蚀刻所述第三金属层73;在另一个较佳示例中,首先蚀刻所述第三金属层73,其次蚀刻所述第二金属层72;在另一个较佳示例中,同时蚀刻所述第二金属层72和所述第三金属层73。
参考附图5E,通过金属化过孔工艺形成至少一组所述抑制篱笆柱40和至少一列所述抑制坝90于所述下板组件70,其中一组所述抑制篱笆柱40以每个所述抑制篱笆柱40分别相互间隔地自所述蚀刻板74的所述周边部分741向所述第二金属层72方向延伸的方式形成于所述驱动电路30的侧部,以使一组所述抑制篱笆柱40环绕所述驱动电路30,其中一列所述抑制坝90以每个所述抑制坝90分别相互间隔地自所述蚀刻板74的所述分隔部分742向所述第二金属层72方向延伸的方式形成于所述驱动电路30的相邻所述电路模块31之间,以使一列所述抑制坝90分隔所述驱动电路30的相邻所述电路模块31。优选地,一组所述抑制篱笆柱40的每个所述抑制篱笆柱40分别自所述蚀刻板74的所述周边部分741延伸至所述第二金属层72,和一列所述抑制坝90的每个所述抑制坝90分别自所述蚀刻板74的所述分隔部分742延伸至所述第二金属层72。
值得一提的是,形成所述抑制篱笆柱40和所述抑制坝90的顺序在本发明的所述微波探测器的制造过程中不受限制。例如,在一个较佳示例中,首先形成所述抑制篱笆柱40,其次形成所述抑制坝90;在另一个较佳示例中,首先形成所述抑制坝90,其次形成所述抑制篱笆柱40;在另一个较佳示例中,同时形成所述抑制篱笆柱40和所述抑制坝90。
参考附图5F,贴合所述上板组件60的所述上基板61的所述贴装面612于所述下板组件70的所述第二金属层72,通过金属化过孔工艺形成自所述上板组件60的所述第一金属层62经所述下板组件70的所述第二金属层72的所述缺口721延伸至所述驱动电路30的所述电气连接元件80,从而所述上板组件60的所述第一金属层62形成所述辐射源10、所述下板组件70的所述第二金属层72形成所述参考地20、所述上板组件60的所述上基板61形成所述辐射缝隙50。可以理解的是,通过在所述下板组件70的所述第二金属层72形成所述缺口721的方式,在所述电气连接元件80形成后能够阻止所述电气连接元件80导通所述参考地20。
参考附图5G,安装所述屏蔽罩100于所述下板组件70,以使所述屏蔽罩100的所述罩壁102对应于一组所述抑制篱笆柱40,从而所述驱动电路30被保持在所述屏蔽罩100的所述罩壁102界定的所述屏蔽空间101。
值得一提的是,安装所述屏蔽罩100于所述下板组件70的方式在本发明的所述微波探测器中不受限制,例如,所述下板组件70具有至少一安装孔75,其中所述安装孔75自所述蚀刻板74的所述周边部分741延伸至所述参考地20,所述屏蔽罩100设有至少一安装臂104,其中所述屏蔽罩100的每个所述安装臂104分别被安装于所述下板组件70的所述安装孔75,以安装所述屏蔽罩100于所述下板组件70。
依本发明的另一个方面,本发明进一步提供所述微波探测器的制造方法,其中所述制造方法包括如下步骤:
(a)蚀刻被附着于所述下基板71的所述上表面711的所述第二金属层72以允许所述第二金属层72形成一个所述缺口721,和蚀刻被附着于所述下基板71的所述下表面712的所述第三金属层73以允许所述第三金属层73形成所述驱动电路30;
(b)形成环绕所述驱动电路30的侧部的至少一组所述抑制篱笆柱40;
(c)允许所述附着面611被附着有所述第一金属层62的所述上基板61的所述贴装面612被贴装于所述第二金属层72;以及
(d)形成自所述第一金属层62经所述第二金属层72的所述缺口721延伸至所述驱动电路30的所述电气连接元件80,以制得所述微波探测器,其中所述第一金属层62形成所述微波探测器的所述辐射源10,所述第二金属层72形成所述微波探测器的所述参考地20,所述上基板61形成所述微波探测器的所述辐射缝隙50。
附图7至图9示出了本发明的所述微波探测器的一个变形示例,与附图1至图4示出的所述微波探测器不同的是,在附图7至图9示出的所述微波探测器的这个具体示例中,所述微波探测器包括两组所述抑制篱笆柱40,每组所述抑制篱笆柱40分别环绕所述驱动电路30,其中一组所述抑制篱笆柱40位于内侧而形成一组内侧抑制篱笆柱41,另一组所述抑制篱笆柱40位于外侧而形成一组外侧抑制篱笆柱42,其中一组所述内侧抑制篱笆柱41以每个所述内侧抑制篱笆柱41被相互间隔地布置于所述驱动电路30的侧部的方式环绕所述驱动电路30,其中一组所述外侧抑制篱笆柱42以每个所述外侧抑制篱笆柱42被相互间隔地布置于所述驱动电路30的侧部的方式环绕所述驱动电路30。优选地,一组所述内侧抑制篱笆柱41中的每个所述内侧抑制篱笆柱41和一组所述外侧抑制篱笆柱42中的每个所述外侧抑制篱笆柱42被相互错位地设置,例如,任意一个所述内侧抑制篱笆柱41对应于形成在相邻两个所述外侧抑制篱笆柱42之间的空间,和任意一个所述外侧抑制篱笆柱42对应于形成在相邻两个所述内侧抑制篱笆柱41之间的空间。可选地,一个所述内侧抑制篱笆柱41和一个所述外侧抑制篱笆柱42相互对应。
继续参考附图7至图9,所述驱动电路30包括三个所述电路模块31,其分别被命名为混频检波电路模块、振荡电路模块和低频放大电路模块。所述微波探测器包括两列所述抑制坝90,其分别被命名为一列第一抑制坝91和一列第二抑制坝92,其中一列所述第一抑制坝91以每个所述第一抑制坝91相互间隔的方式自所述周边部分741的一个端部延伸至另一个端部,以使所述低频放大电路模块被保持于一列所述第一抑制坝91的一侧和使所述混频检波电路模块与所述振荡电路模块被保持于一列所述第一抑制坝91的另一侧,其中一列所述第二抑制坝92以每个所述第二抑制坝92相互间隔的方式自所述周边部分741的一侧延伸至所述第一抑制坝91,以使所述混频检波电路模块被保持于一列所述第二抑制坝92的一侧和使所述振荡电路模块被保持于一列所述第二抑制坝92的另一侧。换言之,一列所述第一抑制坝91用于分隔所述驱动电路30的相邻所述电路模块31,和一列所述第二抑制坝92用于分隔所述驱动电路30的相邻所述电路模块31。
优选地,参考附图8和图9,一列所述第一抑制坝91中的每个所述第一抑制坝91和一列所述第二抑制坝92中的每个所述第二抑制坝92分别自所述下基板71延伸至所述参考地20。
继续参考附图7至图9,所述屏蔽罩100包括所述罩壁102和两分隔板103,其中一个所述分隔板103被命名为一第一分隔板1031,所述第一分隔板1031在所述罩壁102界定的空间自所述罩壁102的一个端部延伸至另一个端部,其中另一个所述分隔板103被命名为一第二分隔板1032,所述第二分隔板1032在所述罩壁102界定的空间自所述罩壁102的一侧延伸至所述第一分隔板1031,以藉由所述罩壁102、所述第一分隔板1031和所述第二分隔板1032界定三个相邻且相互独立的所述屏蔽空间101。
所述屏蔽罩100被安装于所述下板组件70,其中所述屏蔽罩100的所述罩壁102对应于一组所述抑制篱笆柱40、所述屏蔽罩100的所述第一分隔板1031对应于一列所述第一抑制坝91、所述屏蔽罩100的所述第二分隔板1032对应于一列所述第二抑制坝92,以使所述驱动电路30的低频放大电路模块对应于所述罩壁102和所述第一分隔板1031界定的所述屏蔽空间101、所述驱动电路30的混频检波电路模块对应于所述罩壁102、所述第一分隔板1031和所述第二分隔板1032界定的所述屏蔽空间101、所述驱动电路30的所述振荡电路模块对应于所述罩壁102、所述第一分隔板1031和所述第二分隔板1032界定的所述屏蔽空间101,通过这样的方式,所述屏蔽罩100能够隔离所述驱动电路30的相邻所述电路模块31,以抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射并降低所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射对相邻所述电路模块31的干扰。
优选地,所述屏蔽罩100是一体式结构,即,所述屏蔽罩100的所述罩壁102、所述第一分隔板1031和所述第二分隔板1032可以一体式形成。
附图10和图11示出了本发明的所述微波探测器的一个变形示例,与附图7至图9示出的所述微波探测器不同的是,在附图10和图11示出的所述微波探测器的这个具体示例中,所述驱动电路30包括两个所述电路模块31,其分别被命名为振荡电路模块和混频检波放大电路模块,其中一列所述第一抑制坝91自所述周边部分741的一个端部向另一个端部方向延伸,一列所述第二抑制坝92自所述周边部分741的一个侧部向另一个侧部方向延伸,并且一列所述第一抑制坝91和一列所述第二抑制坝92相互对应,以藉由一列所述第一抑制坝91和一列所述第二抑制坝92分隔所述振荡电路模块和所述混频检波放大电路模块。
所述屏蔽罩100的所述第一分隔板1031在所述罩壁102界定的空间自所述罩壁102的一个端部向另一个端部方向延伸,所述第二分隔板1032在所述罩壁102界定的空间自所述罩壁102的一个侧部向另一个侧部方向延伸,并且所述第一分隔板1031和所述第二分隔板1032相互连接,以藉由所述罩壁102、所述第一分隔板1031和所述第二分隔板1032界定两个相邻且相互独立的所述屏蔽空间101。
所述屏蔽罩100被安装于所述下板组件70,其中所述屏蔽罩100的所述罩壁102对应于一组所述抑制篱笆柱40、所述屏蔽罩100的所述第一分隔板1031对应于一列所述第一抑制坝91、所述屏蔽罩100的所述第二分隔板1032对应于一列所述第二抑制坝92,以使所述驱动电路30的所述振荡电路模块对应于所述罩壁102、所述第一分隔板1031和所述第二分隔板1032界定的一个所述屏蔽空间101、所述驱动电路30的所述混频检波放大电路模块对应于所述罩壁102、所述第一分隔板1031和所述第二分隔板1032界定的另一个所述屏蔽空间101,通过这样的方式,所述屏蔽罩100能够隔离所述驱动电路30的相邻所述电路模块31,以抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射并降低所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射对相邻所述电路模块31的干扰。
特别地,在本发明的一些实施例中,其中至少一所述屏蔽空间101进一步被设置有吸波材料,以藉由所述吸波材料对杂散电磁波辐射的吸收损耗降低所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射于所述屏蔽空间101的二次反射对所述驱动电路30和/或相邻所述电路模块31造成干扰,例如但不限定于高磁损耗型吸波材料、高介电损耗型吸波材料、高电阻性损耗吸波材料。
附图12和图13示出了所述微波探测器的一个变形示例,与附图1至图4示出的所述微波探测器不同的是,在附图12和图13示出的所述微波探测器的具体示例中,所述上板组件60的所述上基板61层叠于所述下板组件70的所述第二金属层72,从而避免所述下板组件70的所述第二金属层72形成的所述参考地20裸露。换言之,在附图12和图13示出的所述微波探测器中,所述抑制篱笆柱40在外观视觉上不可见。
区别于附图1至图4示出的所述微波探测器的制造过程,在附图12和图13示出的所述微波探测器的制造过程中,首先提供一个基板,其次在基板的表面附着一个金属层以形成一个拼板单元,然后在切割拼板单元后蚀刻金属层以形成所述上板组件60,其中被切割的基板形成所述上板组件60的所述上基板61,被切割和被蚀刻的金属层形成所述上板组件60的所述第一金属层62。
依本发明的另一个方面,本发明进一步提供所述微波探测器的杂散电磁波辐射抑制方法,其中所述杂散电磁波辐射抑制方法包括如下步骤:
(A)沿着所述微波探测器的所述驱动电路30的侧部布置环绕所述驱动电路30的至少一组所述抑制篱笆柱40;和
(B)在所述驱动电路30自所述微波探测器的所述辐射源10的所述馈电点11提供微波激励电信号至所述辐射源10时,一组所述抑制篱笆柱40阻止所述驱动电路30产生的电磁波向所述驱动电路30的侧部方向辐射,以抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射。
进一步地,所述杂散电磁波辐射抑制方法进一步包括步骤:
(C)分隔所述驱动电路30的相邻所述电路模块31,以减弱所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射。
具体地,在本发明的所述杂散电磁波辐射抑制方法的一个较佳示例中,在所述步骤(C)中,在所述驱动电路30的相邻所述电路模块31之间形成至少一列所述抑制坝90,以藉由一列所述抑制坝90分隔所述驱动电路30的相邻所述电路模块31抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射并降低所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射对相邻所述电路模块31的干扰。在本发明的所述杂散电磁波辐射抑制方法的另一个较佳示例中,在所述步骤(C)中,分别保持所述驱动电路30的每个所述电路模块31于所述屏蔽罩100的独立的所述屏蔽空间101,以藉由所述屏蔽罩100分隔所述驱动电路30的相邻所述电路模块31,从而抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射并降低所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射对相邻所述电路模块31的干扰。
参考本发明的说明书附图之附图14至图17,依本发明的另一较佳实施例的一微波探测器在接下来的描述中被揭露和被阐述,其中所述微波探测器包括一辐射源10A、一参考地20A以及一驱动电路30A。
具体地,所述参考地20A具有一第一侧21A和对应于所述第一侧21A的一第二侧22A,其中所述辐射源10A被保持于所述参考地20A的所述第一侧21A,并且所述辐射源10A和所述参考地20A相互间隔以形成所述微波探测器的一辐射缝隙50A于所述辐射源10A和所述参考地20A之间,其中所述驱动电路30A被保持于所述参考地20A的所述第二侧22A,并且所述驱动电路30A被电连接于所述辐射源10A的一馈电点11A。所述参考地20A和所述驱动电路30A之间的间距距离尺寸小于1/128λ,其中λ为所述微波探测器的辐射波的波长。当所述驱动电路30A自所述辐射源10A的所述馈电点11A提供微波激励电信号至所述辐射源10A时,所述辐射源10A和所述参考地20A相互配合而使所述微波探测器产生辐射波,其中通过使所述参考地20A和所述驱动电路30A之间的间距尺寸小于1/128λ的方式能够抑制所述驱动电路30A产生的杂散电磁波辐射。
更具体地,在附图14至图17示出的所述微波探测器的这个较佳示例中,所述辐射源10A具有一辐射源平面12A,所述参考地20A具有一参考地平面23A,其中所述辐射源10A的所述辐射源平面12A和所述参考地20A的所述参考地平面23A相互平行,以使所述微波探测器呈平板状。换言之,附图14至图17示出的所述微波探测器是平板探测器。
值得一提的是,附图14至图17示出的所述微波探测器被示例性地描述为平板探测器,但其并不应被视为对本发明的所述微波探测器的内容和范围的限制,例如,在本发明的所述微波探测器的其他示例中,所述微波探测器是柱状探测器,即,所述辐射源10A的延伸方向垂直于所述参考地20A的所述参考地平面23A。
继续参考附图14至图17,所述辐射源10A的四周边缘形成的形状为长方形,从而使得所述辐射源10A具有长度方向和宽度方向,所述参考地20A的四周边缘形成的形状为长方形,从而使得所述参考地20A具有长度方向和宽度方向,其中所述辐射源10A的长度方向与所述参考地20A的长度方向一致,相应地,所述辐射源10A的宽度方向与所述参考地20A的宽度方向一致。可选地,在所述微波探测器的一个变形示例中,所述辐射源10A的长度方向与所述参考地20A的宽度方向一致,相应地,所述辐射源10A的宽度方向与所述参考地20A的长度方向一致。
继续参考附图14至图17,所述微波探测器进一步包括一上板组件60A和一下板组件70A。所述上板组件60A包括一上基板61A和一第一金属层62A,其中所述上基板61A具有一附着面611A和对应于所述附着面611A的一贴装面612A,所述第一金属层62A被附着于所述上基板61A的所述附着面611A。所述下板组件70A包括一下基板71A、一第二金属层72A以及一第三金属层73A,其中所述下基板71A具有一上表面711A和对应于所述上表面711A的一下表面712A,其中所述第二金属层72A被附着于所述下基板71A的所述上表面711A,所述第三金属层73A被附着于所述下基板71A的所述下表面712A。
值得一提的是,所述第一金属层62A、所述第二金属层72A和所述第三金属层73A可以是但不限于铜板,从而利用覆铜工艺能够使所述第一金属层62A被附着于所述上基板61A的所述附着面611A、所述第二金属层72A被附着于所述下基板71A的所述上表面711A、所述第三金属层73A被附着于所述下基板71A的所述下表面712A。
参考附图16,利用但不限于蚀刻被附着于所述下基板71A的所述下表面712A的所述第三金属层73A的中部的方式能够形成所述驱动电路30A,被蚀刻后的所述第三金属层73A形成一蚀刻板74A,其中所述蚀刻板74A包括环绕所述驱动电路30A的一周边部分741A。
所述上板组件60A的所述上基板61A的所述贴装面612A被贴装于所述第二金属层72A,并且所述驱动电路30A被电连接于所述第一金属层62A,从而所述第一金属层62A形成所述辐射源10A、所述第二金属层72A形成所述参考地20A、所述上基板61A形成所述辐射缝隙50A、所述第一金属层62A与所述驱动电路30A的连接位置形成所述辐射源10A的所述馈电点11A。
在本发明的所述微波探测器中,在所述上板组件60A的所述上基板61A的所述贴装面612A被贴装于所述第二金属层72A后,利用金属化过孔工艺可以导通地连接所述驱动电路30A和所述第一金属层62A。具体地,所述微波探测器进一步包括一电气连接元件80A,其通过金属化过孔工艺形成,以在贯穿所述上板组件60A和所述下板组件70A后分别被电连接于所述辐射源10A的所述馈电点11A和所述驱动电路30A,从而藉由所述电气连接元件80A导通地连接所述辐射源10A的所述馈电点11A和所述驱动电路30A。
在本发明的所述微波探测器中,所述参考地20A由被附着于所述下基板71A的所述上表面711A的所述第二金属层72A形成,所述驱动电路30A由被附着于所述下基板71A的所述下表面712A的所述第三金属层73A在被蚀刻后形成,从而所述下基板71A隔离所述参考地20A和所述驱动电路30A,以使所述参考地20A和所述驱动电路30A之间具有间距。
在附图14至图17示出的所述微波探测器中,所述下基板71A的厚度尺寸小于1/128λ,其中λ为所述微波探测器产生的辐射波的波长,从而所述参考地20A和所述驱动电路30A之间的距离小于1/128λ,进而当所述驱动电路30A自所述辐射源10A的所述馈电点11A提供微波激励电信号至所述辐射源10A时,所述辐射源10A和所述参考地20A相互配合而使所述微波探测器产生辐射波,其中通过使所述参考地20A和所述驱动电路30A之间的间距尺寸小于1/128λ的方式能够抑制所述驱动电路30A产生杂散电磁波辐射。
继续参考附图14至图17,所述微波探测器进一步包括一屏蔽罩100A,其具有一屏蔽空间101A,其中所述屏蔽罩100A被设置罩设所述驱动电路30A,以使所述驱动电路30A被保持于所述屏蔽罩100A的所述屏蔽空间101A,从而抑制所述驱动电路30产生的杂散电磁波辐射并阻挡所述驱动电路30A产生的杂散电磁波辐射向所述屏蔽罩100A的外部辐射。
附图18示出了本发明的所述微波探测器的一个变形示例,与附图14至图17示出的所述微波探测器不同的是,在附图18示出的所述微波探测器的这个较佳示例中,所述屏蔽罩100A具有至少两个相互独立的所述屏蔽空间101A,所述驱动电路30A包括至少两电路模块31A,其中所述驱动电路30A的每个所述电路模块31分别被容纳于所述屏蔽罩100A的每个所述屏蔽空间101A,以藉由所述屏蔽罩100A分隔所述驱动电路30A的相邻所述电路模块31A,从而抑制所述驱动电路30A产生的杂散电磁波辐射。
本领域的技术人员可以理解的是,以上实施例仅为举例,其中不同实施例的特征可以相互组合,以得到根据本发明揭露的内容很容易想到但是在附图中没有明确指出的实施方式。
本领域的技术人员应理解,上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明,在没有背离所述原理下,本发明的实施方式可以有任何变形或修改。
Claims (19)
1.一微波探测器,其特征在于,包括:
一参考地;
一辐射源,其中所述辐射源具有一馈电点;
一驱动电路,其中所述驱动电路被电连接于所述辐射源的所述馈电点,其中所述辐射源、所述参考地和所述驱动电路沿着所述微波探测器的厚度方向被依次布置,并且所述辐射源和所述参考地相互间隔以形成一辐射缝隙于所述辐射源和所述参考地之间,和所述参考地和所述驱动电路之间的间隔距离尺寸大于或者等于1/128λ,λ为所述微波探测器的辐射波的波长;
至少一组抑制篱笆柱,其中一组所述抑制篱笆柱以每个所述抑制篱笆柱相互间隔地布置于所述驱动电路的侧部的方式环绕所述驱动电路;
一上基板和一下基板,其中所述上基板具有一附着面和对应于所述附着面的一贴装面,所述辐射源被保持于所述上基板的所述附着面,其中所述下基板具有一上表面和对应于所述上表面的一下表面,所述参考地被保持于所述下基板的所述上表面,和所述驱动电路被保持于所述下基板的所述下表面,以使所述下基板分隔所述参考地和所述驱动电路,其中所述上基板的所述贴装面被贴装于所述参考地,以允许所述上基板形成所述辐射缝隙;以及
一蚀刻板,其中所述蚀刻板包括一周边部分,所述周边部分以环绕所述驱动电路的方式层叠于所述下基板的所述下表面,其中一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱分别自所述周边部分向所述参考地方向延伸。
2.根据权利要求1所述的微波探测器,其中所述蚀刻板包括至少一分隔部分,所述分隔部分以分隔所述驱动电路的相邻电路模块的方式层叠于所述下基板的所述下表面,其中所述微波探测器进一步包括至少一列抑制坝,一列所述抑制坝以每个所述抑制坝相互间隔的方式自所述分隔部分向所述参考地方向延伸,以分隔所述驱动电路的所述相邻电路模块。
3.根据权利要求2所述的微波探测器,进一步包括至少一列抑制坝,一列所述抑制坝以每个所述抑制坝相互间隔的方式自所述下基板的所述下表面向所述参考地方向延伸,以分隔所述驱动电路的所述相邻电路模块。
4.根据权利要求1所述的微波探测器,其中一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱分别自所述周边部分延伸至所述参考地。
5.根据权利要求2所述的微波探测器,其中一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱分别自所述周边部分延伸至所述参考地,和一列所述抑制坝中的每个所述抑制坝分别自所述分隔部分延伸至所述参考地。
6.根据权利要求3所述的微波探测器,其中一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱分别自所述周边部分延伸至所述参考地,和一列所述抑制坝中的每个所述抑制坝分别自所述下基板的所述下表面延伸至所述参考地。
7.根据权利要求5所述的微波探测器,其中所述上基板层叠于所述参考地。
8.根据权利要求1至7中任一所述的微波探测器,进一步包括一屏蔽罩,其中所述屏蔽罩包括一罩壁和具有被所述罩壁界定的一屏蔽空间,所述屏蔽罩被设置使所述罩壁对应于一组所述抑制篱笆柱,以允许所述驱动电路被保持于被所述抑制篱笆柱和参考地进一步界定的所述屏蔽空间。
9.根据权利要求8所述的微波探测器,其中所述屏蔽空间被设置有吸波材料,以藉由所述吸波材料对杂散电磁波辐射的吸收损耗降低所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射于所述屏蔽空间的二次反射对所述驱动电路造成干扰。
10.根据权利要求2至7中任一所述的微波探测器,进一步包括一屏蔽罩,其中所述屏蔽罩包括一罩壁和被设置于所述罩壁的至少一分隔板以及具有被所述罩壁和所述分隔板界定的至少两相互独立的屏蔽空间,所述屏蔽罩被设置使所述罩壁对应于一组所述抑制篱笆柱和使所述分隔板对应于一列所述抑制坝,以允许所述驱动电路的每个所述电路模块分别被保持于所述屏蔽罩的每个所述屏蔽空间。
11.根据权利要求10所述的微波探测器,其中至少一所述屏蔽空间被设置有吸波材料,以藉由所述吸波材料对杂散电磁波辐射的吸收损耗降低所述驱动电路产生的杂散电磁波辐射于所述屏蔽空间的二次反射对相应的所述电路模块造成干扰。
12.一微波探测器的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步骤:
(a)蚀刻被附着于一下基板的一上表面的一第二金属层以允许所述第二金属层形成一缺口,和蚀刻被附着于所述下基板的一下表面的一第三金属层以允许所述第三金属层形成一驱动电路;
(b)形成环绕所述驱动电路的侧部的至少一组抑制篱笆柱;
(c)允许一附着面被附着有一第一金属层的一上基板的一贴装面被贴装于所述第二金属层;以及
(d)形成自所述第一金属层经所述第二金属层的所述缺口延伸至所述驱动电路的一电气连接元件,以制得所述微波探测器,其中所述第一金属层形成所述微波探测器的一辐射源,所述第二金属层形成所述微波探测器的一参考地,所述上基板形成所述微波探测器的一辐射缝隙;
其中在所述步骤(a)中,蚀刻所述第三金属层的中部以使所述第三金属层的边缘形成环绕所述驱动电路的一周边部分,以在所述步骤(b)中,允许一组所述抑制篱笆柱中的每个所述抑制篱笆柱相互间隔地自所述周边部分向所述第二金属层方向延伸。
13.根据权利要求12所述的制造方法,其中所述步骤(c)在所述步骤(d)之前,从而首先贴装所述上基板的所述贴装面于所述第二金属层,其次形成环绕所述驱动电路的侧部的一组所述抑制篱笆柱。
14.根据权利要求12所述的制造方法,其中在所述步骤(a)中,蚀刻所述第三金属层的中部以使所述第三金属层的中部形成分隔所述驱动电路的相邻电路模块的至少一分隔部分,以在所述步骤(c)之前,所述制造方法进一步包括步骤:(e)形成自所述分隔部分向所述第二金属层延伸的至少一列抑制坝。
15.根据权利要求12所述的制造方法,其中在所述步骤(c)之前,所述制造方法进一步包括步骤:(f)形成自所述下基板的所述下表面向所述第二金属层方向延伸以分隔所述驱动电路的相邻电路模块的至少一列抑制坝。
16.根据权利要求14所述的制造方法,其中所述步骤(b)和所述步骤(e)同时进行,以通过金属化过孔工艺同时形成一组所述抑制篱笆柱和一列所述抑制坝。
17.根据权利要求15所述的制造方法,其中所述步骤(b)和所述步骤(f)同时进行,以通过金属化过孔工艺同时形成一组所述抑制篱笆柱和一列所述抑制坝。
18.根据权利要求12至17中任一所述的制造方法,进一步包括步骤:
(g)以一屏蔽罩的一罩壁对应于一组所述抑制篱笆柱的方式罩设所述屏蔽罩于所述驱动电路。
19.根据权利要求14至17中任一所述的制造方法,进一步包括步骤:
(h)以一屏蔽罩的一罩壁对应于一组所述抑制篱笆柱和一分隔板对应于一列所述抑制坝的方式罩设所述屏蔽罩于所述驱动电路。
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