CN109950290A - Amoled显示屏、显示设备及移动终端 - Google Patents
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- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 title claims abstract description 74
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- ONHLADAAONREIV-UHFFFAOYSA-N [In].[Sn].[In] Chemical compound [In].[Sn].[In] ONHLADAAONREIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000013461 design Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 208000007578 phototoxic dermatitis Diseases 0.000 description 3
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
本发明提供了一种AMOLED显示屏、显示设备及移动终端，该AMOLED显示屏包括多个像素，其中至少一个像素为第一像素，所述第一像素包括第一走线层和第二走线层，所述第一走线层和第二走线层分隔设置，所述第一走线层上形成有第一电极走线和第一电极片，所述第二走线层上形成有第二电极走线和第二电极片，所述第一电极片和所述第二电极片至少部分重叠形成第一存储电容，所述第一电极走线、第二电极走线和第一存储电容中的至少一项采用透光导电材料制成。本发明实施例高了第一像素区域的透光度。因此可以满足感光元件或者光源等部件的透光性需求，感光元件和发光元件等部件可以集成到屏下，利于整体结构布局。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED显示屏、显示设备及移动终端。
背景技术
随着通信技术的发展，为了提高移动终端显示屏的视觉效果，目前移动终端比如手机已发展到全面屏的阶段。全面屏手机的显示界面被显示屏完全覆盖，感光元件或者光源等部件均采用屏下设计。如图1所示，现有的有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(Active-matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)显示屏的像素的结构具体包括：玻璃基板1、缓冲层2、多晶硅层3、第一栅极绝缘层4、gate1走线5、第二栅极绝缘层6、gate2走线7、层间绝缘层8、M2源漏极走线层9、PLN平坦化层10、阳极11、存储电容第一电极12和存储电容第二电极13。通常采用金属材料钼Mo形成gate1走线、gate2走线层以及对应每一像素设置的存储电容。由于Mo金属材料的透光性能较差，导致无法满足感光元件或者光源等部件的透光性需求，感光元件或者发光元件等部件无法集成到屏下，不利于整体结构布局。
发明内容
本发明实施例提供一种AMOLED显示屏、显示设备移动终端，以解决显示屏无法满足透光性需求，导致感光元件或者发发光元件等部件无法集成到屏下，不利于整体结构布局的问题。
为了解决上述技术问题，本发明是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种AMOLED显示屏，包括多个像素，其中至少一个像素为第一像素，所述第一像素包括第一走线层和第二走线层，所述第一走线层和第二走线层分隔设置，所述第一走线层上形成有第一电极走线和第一电极片，所述第二走线层上形成有第二电极走线和第二电极片，所述第一电极片和所述第二电极片至少部分重叠形成第一存储电容，所述第一电极走线、第二电极走线和第一存储电容中的至少一项采用透光导电材料制成。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示设备，该显示设备包括上述AMOLED显示屏。
第三方面，本发明实施例提供了一种移动终端，包括显示屏和感光元件，所述显示屏上述AMOLED显示屏，所述感光元件设于所述AMOLED显示屏下方，所述AMOLED显示屏对应所述感光元件位置的像素均为所述第一像素。
第四方面，本发明实施例提供了一种移动终端，包括显示屏和发光元件，所述显示屏为上述AMOLED显示屏，所述发光元件设于所述AMOLED显示屏下方，所述AMOLED显示屏对应所述发光元件位置的像素均为所述第一像素。
本实施例中，由于将第一像素中的第一电极走线、第二电极走线和第一存储电容中至少一项采用透光导电材料制成，这样可以提高第一像素区域的透光度。因此可以满足感光元件或者光源等部件的透光性需求，感光元件和发光元件等部件可以集成到屏下，利于整体结构布局。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为传统AMOLED显示屏的像素结构示意图；
图2为多晶硅像素版图；
图3为gate1像素版图；
图4为AMOLED像素单元用于制作形成gate2栅极以及像素电路存储电容的像素版图；
图5为AMOLED像素单元中设置层间绝缘层开孔的像素版图；
图6为本发明实施例提供的AMOLED显示屏中像素分布结构示意图；
图7为本发明实施例提供的AMOLED显示屏中第一像素和第二像素连接结构图之一；
图8为本发明实施例提供的AMOLED显示屏中第一像素和第二像素连接结构剖面示意图；
图9为本发明实施例提供的AMOLED显示屏中第一像素和第二像素连接结构图之二；
图10为本发明实施例提供的AMOLED显示屏中第一像素和第二像素连接结构图之三。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
为了方便理解，以下对本发明实施例涉及的一些内容进行说明：
现有的部分移动终端为非全面屏设计，例如，在非全面屏手机中，手机上的摄像头，LED灯等都是设置在屏幕外面。为了进一步满足大屏占比的需求，手机屏幕逐渐从非全面屏进入到了全面屏时代。
在全面屏手机中，全面屏占据了手机正面的绝大部分面积，手机上的摄像头和LED灯等发光元件设置在了屏幕的下方。屏幕下方的灯发出的光(包括可见光在内的各波段的光)需要穿过屏幕发射出去，另外外面的光线需要穿过屏幕被摄像头、光敏传感器或红外线传感器等感光元件接收到。光线包括可见光、红外光和X光等，光线需要穿过AMOLED像素，因此需要AMOLED显示屏的透光率越高越好。AMOLED像素设计包括LTPS TFT像素驱动电路部分，以及OLED发光二极管部分。光线通过的路径主要为：1、通过像素的没有金属走线遮光的缝隙区域；2、有机发光二极管具有一定的透光性，穿透发光二极管区域。
相关技术中，AMOLED屏幕像素设计以及工艺制造过程主要有以下步骤：
一、在玻璃或者柔性聚酰亚胺PI材质上制作SiOx材质的缓冲层，厚度约300nm左右。之后在缓冲层上利用化学气相沉积法形成约50nm厚度的非晶硅层，通过激光退火的方式形成多晶硅层。之后完成光刻、刻蚀、去胶的图形化工艺流程，主要步骤为：在多晶硅层上涂上光刻胶，利用图2的多晶硅像素版图设计的mask曝光、显影，形成像素版图设计的图形；然后利用等离子体刻蚀技术形成多晶硅图形，之后去光刻胶，即形成图2设计的多晶硅图形。
二、在多晶硅图形上化学气相沉积约60nm厚度SiOx膜层以及约60nm厚度的SiNx膜层作为栅极绝缘层。然后物理气相沉积约200nm厚度的Mo金属层，利用图3中gate1走线层的像素版图设计的mask，利用光刻、刻蚀、去胶流程完成gate1栅极图形化过程，制作gate1栅极以及像素电路存储电容的第一电极。
三、在以上基础上沉积约130nm厚度SiNx作为栅极绝缘层2，之后物理气相沉积约250nm厚度的Mo金属层作为gate2走线层，利用光刻、显影、刻蚀、去胶工艺完成其图形化过程。制作gate2栅极以及像素电路存储电容的第二电极，具体如图4所示。
四、化学气相沉积约250nm厚度SiN、约300nm厚度SiOx作为层间绝缘层，利用图5的设计，完成层间绝缘层开孔的图形化制程，形成连接孔。
五、物理气相沉积50nm Ti、500nm厚度Al、100nm厚度Ti的M2金属层，利用版图设计的图形，完成源漏电极层的图形化过程，即M2层。形成数据线走线等各种电气连线。
六、利用版图设计的图形mask，在涂布工艺制作的厚约1.5μm的平坦化有机膜层上，利用光刻技术形成过孔，用于电连接。
七、物理气相沉积约50nm厚ITO膜层、15nm厚度Ag膜层、50nm厚度ITO膜层，并且完成其图形化过程，制作阳极，用于有机发光二极管的正电极。
八、涂布约1.5μm厚度的透明有机膜层作为像素定义层，完成其图形化过程。像素定义层去掉的部分，露出的阳极，即为有机发光二极管正电极电流注入的有效区域。
九、涂布约1.5μm厚度的透明有机膜层作为像素定义层，完成其图形化过程。像素定义层去掉的部分，露出的阳极，即为有机发光二极管正电极电流注入的有效区域。
10、按照版图设计制作的金属网格的mask，利用热蒸镀的方式，将OLED有机层蒸镀在像素定义层露出的阳极上。
11、利用热蒸发的方式，将金属Mg、Ag合金蒸发到有机层上作为阴极。
通过以上现有设计及工艺过程制造的AMOLED屏幕，会有以下问题发生：
1、当包括可见光在内的光线从上穿过屏幕，例如需要被屏下的摄像头接收时，AMOLED像素中的金属会阻挡光线，导致摄像头接收不到足够的光。
2、当屏下的LED灯发出光线需要穿透屏幕时，金属层也会阻挡光线穿透屏幕。
基于上述问题，本发明利用透光导电材料制作连接线，设计了一种高透过率的新像素，在需要高穿透率的区域设置高穿透率新像素，其他区域设置传统的像素。从而不影响整体显示效果的情况下，达到应用例如屏下摄像头等目的。
下面详细描述本发明实施例的AMOLED显示屏。
参见图6至图10所示，本发明实施例提供了一种AMOLED显示屏，包括多个像素，其中至少一个像素为第一像素101，所述第一像素101包括第一走线层和第二走线层，所述第一走线层和第二走线层分隔设置，所述第一走线层上形成有第一电极走线1011和第一电极片，所述第二走线层上形成有第二电极走线1012和第二电极片，所述第一电极片和所述第二电极片至少部分重叠形成第一存储电容1013，所述第一电极走线1011、第二电极走线1012和第一存储电容1013中的至少一项采用透光导电材料制成。
本发明实施例提供的AMOLED显示屏包括多个像素，该多个像素可以呈矩阵设置，该AMOLED显示屏的部分或者全部像素都可以设计为第一像素。上述第一电极走线1011为第一像素中gate1走线；上述第二电极走线1012为第一像素中gate2走线。
应当说明的是，上述透光导电材料的具体类型可以根据实际需要进行设置，例如在一可选实施例中，上述透明导电材料可以为透明氧化铟锡ITO导电薄膜。
在本实施例中，上述第一像素可以包括多种设计方案，以下通过四个具体实例进行详细说明：
方案1：如图7所示，第一电极走线1011采用透光导电材料制成，上述第二电极走线1012和第一存储电容1013采用金属材料钼Mo制成；这样由于增强了第一电极走线1011的透光性，从而增加了第一像素101的透光性。
方案2：如图9所示，第二电极走线1012采用透光导电材料制成，上述第一电极走线1011和第一存储电容1013采用金属材料钼Mo制成；这样由于增强了第二电极走线1012的透光性，从而增加了第一像素101的透光性。
方案3，如图10所示，第一存储电容1013采用透光导电材料制成，第一电极走线1011和第二电极走线1012采用金属材料钼Mo制成。这样由于增强了第一存储电容1013的透光性，从而增加了第一像素101的透光性。
方案4，第一电极走线1011、第二电极走线1012和第一存储电容1013均采用透光导电材料制成，这样可以最大限度地增加了第一像素101的透光性。
本实施例中，由于将第一像素中的第一电极走线1011、第二电极走线1012和第一存储电容1013中至少一项采用透光导电材料制成，这样可以提高第一像素区域的透光度。因此可以满足感光元件或者光源等部件的透光性需求，感光元件和发光元件等部件可以集成到屏下，利于整体结构布局。
进一步的，基于上述实施例，本实施例中，上述多个像素中至少一个像素为第二像素102，所述第二像素102包括第三走线层和第四走线层，所述第三走线层上形成有第三电极走线1021和第三电极片，所述第四走线层上形成有第四电极走线1022和第四电极片，所述第三电极片和所述第四电极片至少部分重叠形成第二存储电容1023；所述第一电极走线1011和第三电极走线1021位于同一层，且所述第一电极走线1011与所述第三电极走线1021导电连接；所述第二电极走线1012和所述第四电极走线1022位于同一层，且所述第二电极走线1012和所述第四电极走线1022导电连接。
应当说明的是，上述第三电极走线1021、第四电极走线1022和所述第二存储电容1023所采用的材质可以根据实际需要进行设置，例如，在本实施例中，第三电极走线1021、第四电极走线1022和所述第二存储电容1023可以均采用金属材料钼Mo制成。
上述第三电极走线1021为第二像素中gate1走线；上述第四电极走线1032为第二像素中gate2走线。
上述第一电极走线1011与所述第三电极走线1021导电连接的方式可以根据实际需要进行设置，例如，在本实施例中，可以第一电极走线1011与所述第三电极走线1021部分重叠，且所述第一电极走线1011与所述第三电极走线1021在重叠部位导电连接。
在一可选实施例中，可以首先做第三电极走线1021，具体流程为：首先做MO金属层，然后光刻、刻蚀、去胶形成gate1的金属走线(即第三电极走线)；接着形成ITO的薄膜，最后通过光刻、刻蚀、去胶形成ITO的走线(即上述第一电极走线)，ITO走线搭接在Mo走线上形成导电连接。
本实施例中，由于将第一电极走线1011与所述第三电极走线1021部分重叠，且所述第一电极走线1011与所述第三电极走线1021在重叠部位导电连接，这样可以在制作完第三电极走线1021后直接制作第一电极走线1011，利用第一电极走线1011与第三电极走线1021搭接从而实现导电连接，这样制作工艺简单，降低了AMOLED显示屏的制造难度。
本实施例，由于在AMOLED显示屏上同时存在第一像素101和第二像素102，这样，可以避免屏幕全面采用ITO材料，导致gate1走线电阻过大导致显示不良的问题。
同样的，上述第二电极走线1012与所述第四电极走线1022部分重叠，且在重叠部位导电连接。具体的，第二电极走线1012与第四电极走线1022的制作过程可以参照第一电极走线1011与第三电极走线1021的制作过程，在此不再赘述。
本实施例，由于在AMOLED显示屏上同时存在第一像素101和第二像素102，这样，可以避免屏幕全面采用ITO材料，导致gate2走线电阻过大导致显示不良的问题。
在上述方案3中，将第一存储电容1013设置为ITO材料，具体的将第一存储电容的gate1电极和/或gate2电极同时设置为ITO材料。由于第一存储电容1013的面积较大，将第一存储电容1013采用ITO材料制作成透明电极可以大幅度增加第一像素101的透光率。
应当说明的，上述第一像素101和第二像素102的数量可以根据实际需要进行设置，例如，在本实施例中，上述第一像素101的数量小于所述第二像素102电极的数量。
在本实施例中，可以将小区域内的像素设置的第一像素101，其余部分的像素设置为第二像素102，如图6所示，A区域的4个像素为第一像素101，其余像素为第二像素102。这样保证小部分像素的第一电极走线1011和/或第二电极走线1012和/或第一存储电容1013采用ITO材料，使得小块的部分区域使用高穿透率像素，对屏幕整体的显示影响较小，同时大幅度提高屏下器件屏区域的透光率。
进一步的，基于上述实施例，本实施例中，上述AMOLED显示屏还包括源漏极走线，所述源漏极走线采用所述透光导电材料制成。
需要说明的是，本发明实施例中介绍的多种可选的实施方式，彼此可以相互结合实现，也可以单独实现，对此本发明实施例不作限定。
本发明实施例还提供一种显示设备，该显示设备包括AMOLED显示屏。该AMOLED显示屏为上述实施例中的AMOLED显示屏，其结构可以参照上述实施例中的AMOLED显示屏。由于采用上述实施例中的AMOLED显示屏，因此本发明实施例提供的显示设也同样具有上述实施例中AMOLED显示屏全部的有益效果，在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种移动终端，该移动终端包括AMOLED显示屏和感光元件，所述感光元件设于所述AMOLED显示屏下方，所述AMOLED显示屏对应所述感光元件位置的像素均为所述第一像素。该AMOLED显示屏为上述实施例中的AMOLED显示屏，其结构可以参照上述实施例中的AMOLED显示屏。由于采用上述实施例中的AMOLED显示屏，因此本发明实施例提供的移动终端由于将感光元件位置对于的像素设置为第一像素，从而可以满足感光元件的透光性需求，从而使得感光元件可以集成到屏下，利于整体结构布局。
可以理解的是，上述感光元件可以为摄像头、光敏传感器或红外线传感器。
本发明实施例还提供一种移动终端，该移动终端包括AMOLED显示屏和发光元件，所述发光元件设于所述AMOLED显示屏下方，所述AMOLED显示屏对应所述发光元件位置的像素均为所述第一像素。该AMOLED显示屏为上述实施例中的AMOLED显示屏，其结构可以参照上述实施例中的AMOLED显示屏。由于采用上述实施例中的AMOLED显示屏，因此本发明实施例提供的移动终端由于将发光元件位置对于的像素设置为第一像素，从而可以满足发光元件的透光性需求，从而使得发光元件可以集成到屏下，利于整体结构布局。
需说明的是，本发明实施例中的移动终端包括但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载终端、可穿戴设备以及计步器等。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。
Claims (11)
1.一种AMOLED显示屏，其特征在于，包括多个像素，其中至少一个像素为第一像素，所述第一像素包括第一走线层和第二走线层，所述第一走线层和第二走线层分隔设置，所述第一走线层上形成有第一电极走线和第一电极片，所述第二走线层上形成有第二电极走线和第二电极片，所述第一电极片和所述第二电极片至少部分重叠形成第一存储电容，所述第一电极走线、第二电极走线和第一存储电容中的至少一项采用透光导电材料制成。
2.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述透光导电材料为透明氧化铟锡ITO导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述多个像素中至少一个像素为第二像素，所述第二像素包括第三走线层和第四走线层，所述第三走线层上形成有第三电极走线和第三电极片，所述第四走线层上形成有第四电极走线和第四电极片，所述第三电极片和所述第四电极片至少部分重叠形成第二存储电容；所述第一电极走线和第三电极走线位于同一层，且所述第一电极走线与所述第三电极走线导电连接；所述第二电极走线和所述第四电极走线位于同一层，且所述第二电极走线和所述第四电极走线导电连接。
4.根据权利要求3所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述第三电极走线、第四电极走线和所述第二存储电容均采用金属材料钼制成。
5.根据权利要求3所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述第一电极走线与所述第三电极走线部分重叠，且所述第一电极走线与所述第三电极走线在重叠部位电连接。
6.根据权利要求3所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述第二电极走线与所述第四电极走线部分重叠，且所述第二电极走线与所述第四电极走线在重叠部位电连接。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述AMOLED显示屏还包括源漏极走线，所述源漏极走线采用所述透光导电材料制成。
8.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的AMOLED显示屏。
9.一种移动终端，其特征在于，包括显示屏和感光元件，所述显示屏为根据权利要求1-7中任一项所述的AMOLED显示屏，所述感光元件设于所述AMOLED显示屏下方，所述AMOLED显示屏对应所述感光元件位置的像素均为所述第一像素。
10.根据权利要求9所述的移动终端，其特征在于，所述感光元件为摄像头、光敏传感器或红外线传感器。
11.一种移动终端，其特征在于，包括显示屏和发光元件，所述显示屏为根据权利要求1-7中任一项所述的AMOLED显示屏，所述发光元件设于所述AMOLED显示屏下方，所述AMOLED显示屏对应所述发光元件位置的像素均为所述第一像素。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910266309.8A CN109950290B (zh) | 2019-04-03 | 2019-04-03 | Amoled显示屏、显示设备及移动终端 |
| PCT/CN2020/082076 WO2020200168A1 (zh) | 2019-04-03 | 2020-03-30 | Amoled显示屏、显示设备及移动终端 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910266309.8A CN109950290B (zh) | 2019-04-03 | 2019-04-03 | Amoled显示屏、显示设备及移动终端 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109950290A true CN109950290A (zh) | 2019-06-28 |
| CN109950290B CN109950290B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=67013555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910266309.8A Active CN109950290B (zh) | 2019-04-03 | 2019-04-03 | Amoled显示屏、显示设备及移动终端 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109950290B (zh) |
| WO (1) | WO2020200168A1 (zh) |
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Also Published As
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| CN109950290B (zh) | 2023-04-07 |
| WO2020200168A1 (zh) | 2020-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |