CN109935611A - 发光器件封装件 - Google Patents

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金容一
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Abstract

一种发光器件封装件包括：发光单元阵列，所述发光单元阵列包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，并且包括第一表面和设置为与所述第一表面相对的第二表面；多个金属柱，其设置在发光单元阵列的第一表面上并且电连接至第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；以及模塑部分，其包封所述发光单元阵列和所述多个金属柱，其中，所述多个金属柱包括导电层和设置在所述导电层下方的接合层，所述接合层与所述导电层之间的界面高于模塑部分的下表面。

Description

发光器件封装件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月19日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2017-0175436的优先权，所公开的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及发光器件封装件。
背景技术
例如半导体发光二极管(LED)的发光器件不仅用作照明装置中的光源，还用作各种电子产品中的光源。特别地，半导体LED已普遍用作各种装置和家用电器(例如，电视、移动电话、个人计算机、膝上型计算机和个人数字助理(PDA))的显示面板的光源。
相关技术的显示装置包含主要包括液晶显示器(LCD)和背光源的显示面板。然而，最近，已经开发出不具有单独的背光源并且使用LED器件作为单个像素的显示装置。与相关技术的LCD显示器相比，这种显示装置不仅可以是紧凑的，而且还可以实现具有更高发光效率的相对高亮度的显示装置。另外，由于显示屏幕的纵横比可以自由地改变并且可以实现为具有大面积，所以这种显示装置可以作为各种类型的大型显示器提供。
发明内容
所公开的一些实施例提供了芯片规模(chip-scale)发光器件封装件，其允许容易地进行表面安装工艺并实现全色光。
在一些实施例中，本公开涉及发光器件封装件，包括：发光单元阵列，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述发光单元阵列包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，其中第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元中的每一个具有第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；多个金属柱，其设置在发光单元阵列的第一表面上并电连接至第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；以及模塑部分，其包封所述发光单元阵列和所述多个金属柱，其中所述多个金属柱中的每一个包括导电层和接合层，所述导电层设置在所述发光单元阵列和所述接合层之间，并且其中接合层和导电层之间的界面处于比模塑部分的下表面更高的竖直水平处。
在一些实施例中，本公开涉及发光器件封装件，包括：发光单元阵列，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述发光单元阵列包括多个发光单元；多个金属柱，其设置在发光单元阵列的第一表面上并且电连接至所述多个发光单元，所述多个金属柱中的一个共同电连接至所述多个发光单元；以及模塑部分，其包封所述发光单元阵列和所述多个金属柱，其中所述多个金属柱中的每一个包括彼此堆叠的至少两个层，所述至少两个层中的每一个由不同的材料构成，并且其中，所述多个金属柱的下表面突出超过所述模塑部分的下表面。
在一些实施例中，本公开涉及一种发光器件封装件，包括：发光单元阵列，其具有第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面，所述发光单元阵列包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元中的每一个具有第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；四个金属柱，其设置在发光单元阵列的第一表面上并且电连接至第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；分区结构，其设置在发光单元阵列的第二表面上，并包括第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口，其中第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口分别对应于第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；第一光调节部分、第二光调节部分和第三光调节部分，其分别设置在第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口中，并分别构造为提供红光、蓝光和绿光；以及模塑部分，其包封发光单元阵列和四个金属柱，其中四个金属柱的下表面突出超过模塑部分的下表面，其中四个金属柱中的每一个包括导电层和接合层，导电层和接合层由不同材料形成，并且其中接合和导电层之间的界面处于比模塑部分的下表面更高的竖直水平处。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1和图2是根据示例实施例的发光器件封装件的示意性俯视图和示意性背视图；
图3是沿图1所示的发光器件封装件的线I-I’截取的截面图；1；
图4是根据示例实施例的发光器件封装件的截面图；
图5是根据示例实施例的发光器件封装件的截面图；
图6至图16是制造图1至图3的发光器件封装件的主要过程的示意图；以及
图17是根据示例实施例的包括发光器件封装件的显示面板的示意性立体图。
具体实施方式
图1和图2是根据示例实施例的发光器件封装件的示意性俯视图和示意性背视图，而图3是沿图1和图2所示的发光器件封装件的线I-I’截取的截面图。
参照图1至图3，根据示例实施例的发光器件封装件10可以包括：发光单元阵列CA，其具有第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3；第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173,其设置在发光单元阵列CA的上表面上以分别对应于第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3；以及分区结构165，其将第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173彼此分离。第一金属柱151至第四金属柱154可以设置在发光单元阵列CA的下表面上，该下表面与其上形成有分区结构165的上表面相对。
第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3可以包括外延层，例如图3所示的第一导电类型(例如，n型)的半导体层113、有源层115和第二导电类型(例如，p型)的半导体层117。第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3可以包括位于第一导电类型的半导体层113上的缓冲层111。第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的有源层115可以构造为发出相同波长的光。例如，有源层115可以发出蓝光或紫外光。
发光器件封装件10可以包括围绕第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的第一绝缘层121和第二绝缘层123。第一绝缘层121和第二绝缘层123可以覆盖第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的顶表面和侧表面，并且可以允许第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3彼此电分离。如图3所示，第一绝缘层121的一部分可以与第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的上表面共面。第一绝缘层121可以与分区结构165接触。
第一绝缘层121和第二绝缘层123可以被提供为具有电绝缘性质的材料。例如，第一绝缘层121和第二绝缘层123可以被提供为氧化硅、氧氮化硅或氮化硅。可替代地，第一绝缘层121和第二绝缘层123可以包括具有反射性的材料或反射结构。第一绝缘层121和第二绝缘层123可以阻挡第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3之间的相互光学干涉。第一绝缘层121和第二绝缘层123可以包括具有不同折射率的多个绝缘层交替堆叠的分布式布拉格反射器(DBR)结构。在DBR结构中，具有不同折射率的多个绝缘层可以重复堆叠，例如，堆叠2至100次。
发光器件封装件10可以包括电极部分，其设置在发光单元阵列CA的下表面上，并且电连接至第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3。发光单元阵列CA的下表面可以设置成与其上表面相对。电极部分可以构造成选择性地驱动第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3。如本文中所用，被描述为“电连接”的项构造为使得电信号可以从一个项传递到另一个项，并且被描述为“电隔离”的项构造为使得防止电信号从一个项传递到另一个项。
电极部分可以包括分别连接至第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的第一电极焊盘141、第二电极焊盘142和第三电极焊盘143，并且可以包括共同连接至第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的第四电极焊盘144。电极部分可以包括分别连接至第一电极焊盘141、第二电极焊盘142和第三电极焊盘143的第一金属柱151、第二金属柱152和第三金属柱153以及连接至第四电极焊盘144的第四金属柱154。
为了便于参照，在图1中，第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3用实线示出，第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154用较短的虚线示出，并且第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144用较长的虚线示出。在图2中，第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3用较短的虚线示出，第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154用实线示出，并且第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144用较长的虚线示出。
第一电极焊盘141、第二电极焊盘142和第三电极焊盘143可以通过第一电极131分别独立地连接至第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的第一导电类型的半导体层113。第四电极焊盘144可以通过第二电极134共同地连接至第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的第二导电类型的半导体层117。第四电极焊盘144的形式可以不同于第一电极焊盘141、第二电极焊盘142和第三电极焊盘143的形式。例如，当在平面图中观察时，第一电极焊盘141、第二电极焊盘142和第三电极焊盘143可以具有四边形形状。在矩形形状的情况下，四个顶点可以具有曲率。第四电极焊盘144可以与第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的第二电极134重叠，并且可以具有弯曲形状或L形形状的形式。例如，第四电极焊盘144可以包括四边形焊盘区域和从四边形焊盘区域延伸的分支区域。分支区域可以与第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3重叠。第四电极焊盘144可以用作第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的公共端子。
第一金属柱151可以通过第一电极焊盘141和第一电极131电连接至第一发光单元C1；第二金属柱152可以通过第二电极焊盘142和第一电极131电连接至第二发光单元C2；第三金属柱153可以通过第三电极焊盘143和第一电极131电连接至第三发光单元C3。第四金属柱154可以通过第四电极焊盘144和第二电极134共同地电连接至第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3。第四电极焊盘144可以用作第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的公共端子。第一金属柱151可以包括第一导电层151a和设置在第一导电层151a下方的第一接合层151b。第二金属柱152可以包括第二导电层152a和设置在第二导电层152a下方的第二接合层152b。第三金属柱153可以包括第三导电层153a和设置在第三导电层153a下方的第三接合层153b。第四金属柱154可以包括第四导电层154a和设置在第四导电层154a下方的第四接合层154b。第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b的厚度可以小于第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a的厚度。第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b在水平方向上的宽度可以等于第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a在水平方向上的宽度。第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a可以由例如铜(Cu)形成。另外，第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b可以由银锡(AgSn)合金、锡(Sn)和锡银铜(SnAgCu)合金中的至少一者形成。
发光器件封装件10可以包括模塑部分160，其包封发光单元阵列CA并暴露第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154的一部分。模塑部分160可以包封第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144以及第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154的一部分。例如，模塑部分可以围绕第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a的侧表面，并且暴露第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b的下部分的侧表面。模塑部分160可具有相对高的杨氏模量，以便牢固地支撑发光器件封装件10，并为发光器件封装件10提供稳定性。另外，模塑部分160可以包括具有相对高导热率的材料，以便有效地发出来自第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的热量。例如，模塑部分160可以包括环氧树脂或硅树脂。另外，模塑部分160可包括反射光的光反射颗粒。二氧化钛(TiO2)或氧化铝(Al2O3)可用作光反射颗粒，但本公开不限于此。
第一导电层151a和第一接合层151b之间、第二导电层152a和第二接合层152b之间、第三导电层153a和第三接合层153b之间以及第四导电层154a和第四接合层154b之间的相应界面可以高于模塑部分160的下表面。第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b的下表面可以低于模塑部分160的下表面。例如，第一导电层至第四导电层151a、152a、153a和154a在相应的第一接合层至第四接合层151b、152b、153b和154b与第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3之间，并且第一接合层至第四接合层151b、152b、153b和154b从模塑部分160突出。第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b的侧表面的至少一部分可以分别与第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a的侧表面共面。当发光器件封装件10安装在电路板上时，第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b可以用作焊料凸块。
分区结构165可以包括分别与第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3对应的位置处的第一发光窗口W1、第二发光窗口W2和第三发光窗口W3。第一发光窗口W1、第二发光窗口W2和第三发光窗口W3可以设置为用以分别形成第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173的空间。分区结构165可以执行遮光功能，使得透过第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173的光的一些部分可以不相互干涉。例如，分区结构165可以由单晶硅(Si)形成。可替代地，分区结构165可以由黑矩阵形成。如图3所示，分区结构165的上表面可以与第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173的表面共面。
第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173可以调节由第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3发射的光的一些部分，以转换成具有不同颜色的光。
第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173可以构造为分别提供红光、蓝光和绿光。第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173的各自的上表面可以是平坦的。
第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173中的每一个可以具有多层结构。第一光调节部分171可以包括第一荧光体层171a和第一透明树脂层171b。第二光调节部分172可以包括第二荧光体层172a和第二透明树脂层172b。第三光调节部分173可以包括第三荧光体层173a和第三透明树脂层173b。在一些实施例中，如图3所示，第一光调节部分171可以包括位于第一荧光体层171a和第一透明树脂层171b之间的第一光学滤波层171c。第三光调节部分173可以包括位于第三荧光体层173a和第三透明树脂层173b之间的第三光学滤波层173c。虽然未示出，但是在一些实施例中，第二光调节部分172可以包括位于第二荧光体层172a和第二透明树脂层172b之间的第二光学滤波层172c。
第一荧光体层171a可以由包括红色荧光体的透明树脂形成，而第三荧光体层173a可以由包括绿色荧光体的透明树脂形成。
第二荧光体层172a可以由未与荧光体混合的透明树脂形成，或者可以包括蓝色荧光体或青色荧光体(例如，将光转换为具有在480nm至520nm范围内的波长)以控制蓝光的色坐标。包含在第二荧光体层172a中的荧光体的量可以小于混合在第一荧光体层171a和第三荧光体层173a中的荧光体的量。
第一光学滤波层171c和第三光学滤波层173c可以选择性地阻挡有源层115发射的光。
在一些实施例中，可以进一步在第一光调节部分171和第三光调节部分173上设置第一彩色滤光层181和第三彩色滤光层183，第一彩色滤光层181和第三彩色滤光层183中的每一个单独地并且选择性地透射期望波段内的光。可以分别使用第一彩色滤光层181和第三彩色滤光层183仅提供期望波段内的绿光和红光。此外，虽然在图3中未示出，但是为了防止荧光体劣化，可以在第一光调节部分171、第二光调节部分172和第三光调节部分173的上表面上进一步设置树脂层。图4是根据示例实施例的发光器件封装件的示图。
参照图4的发光器件封装件10A，第一导电层151a和第一接合层151b'之间、第二导电层152a和第二接合层152b'之间、第三导电层153a和第三接合层153b'之间以及第四导电层154a和第四接合层154b'之间的相应界面可以高于模塑部分160的下表面。第一接合层151b'、第二接合层152b'、第三接合层153b'和第四接合层154b'中的每一个可以包括具有与模塑部分160接触的侧表面的第一区域(上部区域)和具有凸曲面的第二区域(下部区域)。第二区域可以突出超过模塑部分160的下表面。第一接合层151b'、第二接合层152b'、第三接合层153b'和第四接合层154b'的第二区域的侧表面可以分别与第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a的侧表面共面。第一接合层151b'、第二接合层152b'、第三接合层153b'和第四接合层154b'的第一区域在水平方向上的宽度可以等于第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a在水平方向上的宽度。在示例实施例中，第二区域在水平方向上的最大宽度可以大于第一区域在水平方向上的最大宽度。第一接合层151b'、第二接合层152b'、第三接合层153b'和第四接合层154b'可以包括使用回流工艺具有凸曲面的第二区域。
图5是根据示例实施例的发光器件封装件的示图。
参照图5的发光器件封装件10B，第一导电层151a和第一接合层151b”之间、第二导电层152a和第二接合层152b”之间、第三导电层153a和第三接合层153b”之间以及第四导电层154a和第四接合层154b”之间的相应界面可以高于模塑部分160的下表面。第一接合层151b”、第二接合层152b”、第三接合层153b”和第四接合层154b”在水平方向上的宽度可以大于第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a在水平方向上的宽度。在一些实施例中，第一接合层151b”、第二接合层152b”、第三接合层153b”和第四接合层154b”中的每一个的底表面可以是平坦的并且是平面，并且低于模塑部分160的底表面。在另一示例实施例中，虽然在图5中未示出，但是第一接合层151b”、第二接合层152b”、第三接合层153b”和第四接合层154b”的下部区域可以以类似于图4的方式具有凸曲面。
参照图6至图16，将描述示例实施例的制造发光器件封装件10的方法。图6至图16是制造图1至图3所示的发光器件封装件10的主要过程的示意性截面图。下面将参照图6至图16描述的制造发光器件封装件10的方法涉及制造晶元级封装件的方法。在图6至图16中，为了方便起见，示出了对应于单个发光器件封装件的区域。
本文中，为了便于描述，可以使用空间相对术语，例如“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上面”等，以描述图中所示的一个元件或特征与另一个(或多个)元件或特征的关系。应当理解，除了图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括使用或操作中的器件的不同取向。例如，如果图中的器件被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下部”的元件将被定向为在其他元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以包括上方和下方两种取向。器件可以以其他方式定向(旋转90度或以其他取向)，并且可以由本文使用的空间相对描述符相应地解释。例如，图6至图14的截面图被呈现为相对于图15和图16的截面图是倒置的。
参照图6，在生长衬底101上顺序地生长缓冲层111、第一导电类型的半导体层113、有源层115和第二导电类型的半导体层117之后，可以移除第二导电类型的半导体层117和有源层115的一部分，以形成多个台面结构。
根据一些实施例，绝缘衬底、导电衬底或半导体衬底可以用作生长衬底101。例如，生长衬底101可以由蓝宝石、SiC、Si、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2或GaN形成。
缓冲层111、第一导电类型的半导体层113、有源层115和第二导电类型的半导体层117可以被提供为基于III族氮化物的半导体层的外延层。第一导电类型的半导体层113可以被提供为满足InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1,0≤y<1,0≤x+y<1)的n型氮化物半导体层。另外，n型杂质可以被提供为Si、锗(Ge)、硒(Se)、碲(Te)等。有源层115可以具有量子阱层和量子势垒层交替堆叠的多量子阱(MQW)结构。例如，量子阱层和量子势垒层可以被提供为具有不同组成的InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)。在特定示例实施例中，量子阱层可以被提供为InxGa1-xN(0<x≤1)，而量子势垒层可以被提供为GaN或AlGaN。第二导电类型的半导体层117可以被提供为满足InxAlyGa1-x-yN(0≤x<1,0≤y<1,0≤x+<1)的p型氮化物半导体层。另外，p型杂质可以被提供为镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)等。缓冲层111可以被提供为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1)。例如，缓冲层111可以被提供为AlN、AlGaN或InGaN。根据一些实施例，缓冲层111可以通过组合具有不同组成的多个层来形成，或者可以由其组成逐渐改变的单个层形成。
参照图7，可以执行分离多个台面结构的隔离工艺。
可以在多个台面结构的边界上蚀刻第一导电类型的半导体层113和缓冲层111，从而形成隔离区域Is和子隔离区域Ia，以暴露生长衬底101的一部分。可以使用上述工艺在生长衬底101上形成多个发光单元C1、C2和C3。可以在每三个发光单元C1、C2和C3中形成隔离区域Is。可以在第一发光单元C1和第三发光单元C3之间形成隔离区域Is。可以在第一发光单元C1和第二发光单元C2之间以及第二发光单元C2和第三发光单元C3之间形成子隔离区域Ia。第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3可以具有相对于生长衬底101的上表面倾斜的侧表面。
参照图8，可以形成覆盖多个发光单元C1、C2和C3的第一绝缘层121。另外，可以形成穿透第一绝缘层121以连接至第一导电类型的半导体层113的第一电极131以及穿透第一绝缘层121以连接至第二导电类型的半导体层117的第二电极134。
第一绝缘层121可以覆盖隔离区域Is和子隔离区域Ia的多个发光单元C1、C2和C3的侧表面，并且可以电分离多个发光单元C1、C2和C3。第一绝缘层121可以具有电绝缘特性，并且可以使用具有相对低的光吸收率的材料。第一绝缘层121可以是例如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其组合。可替代地，在示例实施例中，第一绝缘层121可以具有多层反射结构，其中具有不同折射率的多个绝缘层交替堆叠。多层反射结构可以被提供为DBR，其中具有第一折射率的第一绝缘层和具有第二折射率的第二绝缘层交替地堆叠。在该多层反射结构中，具有不同折射率的多个绝缘层可以重复堆叠，例如，堆叠2至100次。
随后，在移除第一绝缘层121的一些部分之后，可以形成由导电材料形成的第一电极131和第二电极134。可以通过例如蚀刻工艺或提供选择性移除第一绝缘层121的另一工艺来移除第一绝缘层121的一些部分。第一电极131和第二电极134可以被提供为反射电极，其包括银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)、金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)以及包括Ag、Al、Ni、Cr、Ti、Cu、Au、Pd、Pt、Sn、W、Rh、Ir、Ru、Mg和Zn的合金材料中的至少一个。
参照图9，可以形成覆盖第一绝缘层121、第一电极131和第二电极134的第二绝缘层123。第二绝缘层123可以包括暴露多个发光单元C1、C2和C3的第一电极131的区域的第一接触孔H1和暴露第二电极134的区域的第二接触孔H2。可以通过例如蚀刻工艺或提供选择性移除第二绝缘层123的另一工艺移除第二绝缘层123的一些部分来提供第一接触孔H1和第二接触孔H2。
第二绝缘层123可以由与第一绝缘层121的材料相同或相似的材料形成。
参照图10，可以在生长衬底101上形成种金属层140。种金属层140可以覆盖第二绝缘层123的表面，并且可以通过第一接触孔H1与第一电极131接触以及通过第二接触孔H2与第二电极134接触。可以在隔离区域Is和子隔离区域Ia中覆盖第二绝缘层123的表面。种金属层140可以由例如Cu形成。
参照图11，可以在种金属层140上形成第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144。
在形成第一光刻胶图案P1之后，可以使用电镀工艺形成第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144。
第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144可以由例如Cu形成。第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144可以形成为例如具有约10μm的厚度。在完成电镀工艺之后，可以移除第一光刻胶图案P1。
第一电极焊盘141可以与第一发光单元C1的第一电极131重叠，第二电极焊盘142可以与第二发光单元C2的第一电极131重叠，并且第三电极焊盘143可以与第三发光单元C3的第一电极131重叠。第四电极焊盘144可以与第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的第二电极134重叠。第四电极焊盘144的形式可以不同于第一电极焊盘141、第二电极焊盘142和第三电极焊盘143的形式。第一电极焊盘141、第二电极焊盘142和第三电极焊盘143可以具有四边形形状。第四电极焊盘144可以具有弯曲形式。第四电极焊盘144可以用作第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的公共端子。
参照图12，可以在第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144上分别形成第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154。
在形成第二光刻胶图案P2之后，可以使用电镀工艺形成第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154。在完成电镀工艺之后，可以移除第二光刻胶图案P2。
形成在第一电极焊盘141上的第一金属柱151可以包括第一导电层151a和第一接合层151b。形成在第二电极焊盘142上的第二金属柱152可以包括第二导电层152a和第二接合层152b。形成在第三电极焊盘143上的第三金属柱153可以包括第三导电层153a和第三接合层153b。形成在第四电极焊盘144上的第四金属柱154可以包括第四导电层154a和第四接合层154b。第四金属柱154可以以与第四电极焊盘144相同的方式用作第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的公共端子。
第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a可以由例如铜(Cu)形成。第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b可以由例如AgSn合金、Sn、SnAgCu合金等形成。
第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154可以形成为例如具有约70μm的厚度。第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a可以形成为例如具有约40μm的厚度，而第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b可以形成为例如具有约30μm的厚度。
在图5的实施例中，其中第一接合层151b”、第二接合层152b”、第三接合层153b”和第四接合层154b”分别具有比第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a更宽的宽度，在工艺中的此时可以仅形成第一导电层151a，第二导电层152a，第三导电层153a和第四导电层154a。例如，可以提供第二光刻胶图案P2，并且可以使用电镀工艺形成第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a。在完成电镀工艺之后，可以移除第二光刻胶图案P2。随后，如下面结合图14进一步讨论的，可以沉积模塑部分160以覆盖第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144、以及第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a。在沉积之后，可以对模塑部分160进行抛光工艺(例如研磨)，以暴露第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a的顶表面。随后，可以提供第三光刻胶图案(未示出)，第三光刻胶图案比第二光刻胶图案P2窄，可以使用电镀工艺形成第一接合层151b”、第二接合层152b”、第三接合层153b”和第四接合层154b”。随后可以移除第三光刻胶图案。可选地，在一些实施例中，可以提供第二模塑部分(未示出)以覆盖模塑部分160、第一接合层151b”、第二接合层152b”、第三接合层153b”和第四接合层154b”。在这样的实施例中，可以使用回蚀工艺移除第二模塑部分(未示出)的一部分，使得可以暴露第一接合层151b”、第二接合层152b”、第三接合层153b”以及第四接合层154b”中的一个或多个。
参照图13，可以移除种金属层140的一些部分以暴露第二绝缘层123。因此，第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144可以彼此电隔离。第一电极焊盘141可以电连接至第一发光单元C1的第一电极131，第二电极焊盘142可以电连接至第二发光单元C2的第一电极131，并且第三电极焊盘143可以电连接至第三发光单元C3的第一电极131。第四电极焊盘144可以电连接至第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3的第二电极134。
参照图14，可以形成覆盖第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144以及第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154的模塑部分160。
形成模塑部分160的工艺可包括涂覆模塑材料以覆盖第一电极焊盘141、第二电极焊盘142、第三电极焊盘143和第四电极焊盘144以及第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154的工艺，并且可以包括例如研磨的抛光工艺，以暴露第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154的端部。
由于模塑部分160应该能够支撑发光结构，因此模塑部分160应该具有高的杨氏模量。另外，可以使用具有相对高导热率的材料来发射在发光结构中产生的热量。模塑部分160可包括例如环氧树脂或硅树脂。模塑部分160可包括反射光的光反射颗粒。二氧化钛(TiO2)和/或氧化铝(Al2O3)可以用作光反射颗粒，但是本公开不限于此。
随后，可以使用回蚀工艺移除模塑部分160的一部分，使得可以暴露第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154中的一个或多个。可以暴露第一金属柱151、第二金属柱152、第三金属柱153和第四金属柱154的第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b的一部分。模塑部分160的上表面可以低于第一接合层151b、第二接合层152b、第三接合层153b和第四接合层154b的上表面,并且可以高于第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a的上表面。模塑部分160可以不暴露第一导电层151a、第二导电层152a、第三导电层153a和第四导电层154a。
参照图15，可以蚀刻生长衬底101的与第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3对应的区域，从而形成包括第一发光窗口W1、第二发光窗口W2和第三发光窗口W3的分区结构165。在一些实施例中，可以在蚀刻生长衬底101之前使用研磨工艺移除其一部分。
参照图16，可以将与诸如绿色荧光体的波长转换材料混合的透光液体树脂分配到第一发光窗口W1，从而形成第一荧光体层171a。可以将与诸如红色荧光体的波长转换材料混合的透光液体树脂分配到第三发光窗口W3，从而形成第三荧光体层173a。
另外，可以将与由有源层115发射的蓝光的波长不同的波长(例如，波长为480μm至520μm)的蓝色荧光体或青色荧光体混合的透光液体树脂分配到第二发光窗口W2，从而形成第二荧光体层172a。根据示例实施例，可以仅将未与荧光体混合的透光液体树脂分配到第二发光窗口W2。
在一些实施例中，可以分别在第一发光窗口W1和第三发光窗口W3中形成选择性地阻挡由有源层115发射的光的第一光学滤波层171c和第三光学滤波层173c。
参照图3，可以涂覆透明树脂层以覆盖分区结构165的上端，然后，可以对分区结构165和透明树脂层进行抛光以具有预定高度。透明树脂层可以形成透明树脂层171b、172b和173b。例如，透明树脂层可以包括环氧树脂或硅树脂。随后，可以分别在第一发光窗口W1和第三发光窗口W3中形成彩色滤光层181和183。在一些实施例中，可以使用旋涂法进一步涂覆透明树脂层。
随后，可以以使用上述制造工艺制造的晶元级封装件被切割成单独的封装件单元的方式制造芯片规模发光器件封装件10。
上述制造发光器件封装件的方法涉及制造晶元级芯片规模封装件的方法。芯片规模封装件可以基本上具有与半导体发光器件的封装件尺寸相等的封装件尺寸。因此，在芯片规模封装件用于显示面板的情况下，可以通过减小像素尺寸和像素间距来制造高分辨率显示面板。另外，由于所有工艺都以晶元级执行，因此上述制造发光器件封装件的方法适合于大量生产，并且具有可以将例如包括荧光体和滤光器的光调节部分的光学结构与发光单元一起集成制造的优点。
图17是根据示例实施例的包括发光器件封装件的显示面板的示意性立体图。
参照图17，显示面板30可包括电路板330和布置在电路板330上的发光器件模块320。
根据示例实施例的发光器件模块320可以包括选择性地发射红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)的多个发光器件封装件10。多个发光器件封装件10中的每一个可以形成显示面板30的单个像素310，并且可以以行和列的方式布置在电路板330上。在示例实施例中，为了便于说明，示出了发光器件封装件10被布置为具有15×15的尺寸的构造。实际上，可以根据所需的分辨率布置更大数量的发光器件封装件(例如，1024×768,1920×1080等)。
电路板330可以包括驱动单元和控制单元，驱动单元构造为向发光器件模块320的每个发光器件封装件10供电，控制单元控制发光器件封装件10。例如，每个发光器件封装件10可以对应于单色像素，并且第一发光单元C1、第二发光单元C2和第三发光单元C3中的每一个可以是单色像素的子像素。每个子像素可以单独操作以发射显示器的像素阵列的像素的颜色。
在一些实施例中，显示面板30还可包括设置在电路板330上的黑矩阵，以限定安装发光器件封装件10的区域。黑矩阵不限于黑色，并且可以根据产品的应用而改变为具有其他颜色，例如白色矩阵或绿色矩阵。在一些实施例中，也可以使用由透明材料形成的矩阵。白色矩阵还可包括反射材料或光散射材料。
如上所述，根据示例实施例，芯片规模发光器件封装件可以包括形成在金属柱下方的接合层，从而允许容易地进行在电路板上安装发光器件封装件的工艺，同时可以不执行单独的焊料印刷工艺，并且可以最小化晶元级上的凸块的高度差异，从而允许安装发光器件封装件而不存在发光器件封装件被扭曲的问题。
虽然上面已经示出和描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是，可以在不脱离由所附权利要求限定的本发明构思的范围的情况下进行修改和变化。

Claims (20)

1.一种发光器件封装件，包括：
发光单元阵列，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述发光单元阵列包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，其中，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元中的每一个具有第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；
多个金属柱，其设置在所述发光单元阵列的第一表面上，并且电连接至所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元；
模塑部分，其包封所述发光单元阵列和所述多个金属柱，
其中，所述多个金属柱中的每一个包括导电层和接合层，所述导电层设置在所述发光单元阵列和所述接合层之间，并且
其中，所述接合层和所述导电层之间的界面位于比所述模塑部分的下表面更高的竖直水平处。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述接合层的下表面位于比所述模塑部分的下表面更低的竖直水平处。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，至少所述接合层的侧表面与所述导电层的侧表面共面。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述接合层在竖直方向上的厚度小于所述导电层在竖直方向上的厚度。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述接合层包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有与所述模塑部分接触的侧表面，所述第二区域具有凸曲面。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述接合层在水平方向上的宽度大于所述导电层在水平方向上的宽度。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中，所述多个金属柱包括电连接至所述第一发光单元的第一金属柱、电连接至所述第二发光单元的第二金属柱、电连接至所述第三发光单元的第三金属柱以及共同电连接至所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元的第四金属柱。
8.根据权利要求7所述的发光器件封装件，还包括：
第一电极焊盘，其将所述第一金属柱连接至所述第一发光单元；
第二电极焊盘，其将所述第二金属柱连接至所述第二发光单元；
第三电极焊盘，其将所述第三金属柱连接至所述第三发光单元；以及
第四电极焊盘，其将所述第四金属柱连接至所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元。
9.根据权利要求8所述的发光器件封装件，其中，所述第四电极焊盘的形式不同于所述第一电极焊盘、所述第二电极焊盘和所述第三电极焊盘的形式。
10.根据权利要求1所述的发光器件封装件，还包括：
分区结构，其设置在所述发光单元阵列的第二表面上，并且包括分别与所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元对应的第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口；以及
第一光调节部分、第二光调节部分和第三光调节部分，其分别设置在所述第一发光窗口、所述第二发光窗口和所述第三发光窗口上，并且构造为分别提供红光、蓝光和绿光。
11.根据权利要求10所述的发光器件封装件，还包括：
绝缘层，其覆盖所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元的侧表面，所述绝缘层与所述分区结构接触。
12.根据权利要求10所述的发光器件封装件，其中，所述分区结构由单晶硅(Si)形成。
13.一种发光器件封装件，包括：
发光单元阵列，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述发光单元阵列包括多个发光单元；
多个金属柱，其设置在所述发光单元阵列的第一表面上并且电连接至所述多个发光单元，所述多个金属柱中的一个共同地电连接至所述多个发光单元；以及
模塑部分，其包封所述发光单元阵列和所述多个金属柱，
其中，所述多个金属柱的每一个包括彼此堆叠的至少两层，所述至少两层中的每一层包括不同的材料，并且
其中，所述多个金属柱的下表面突出超过所述模塑部分的下表面。
14.根据权利要求13所述的发光器件封装件，其中，所述多个金属柱中的每一个的所述至少两层包括导电层和接合层，所述导电层设置在所述发光单元阵列和所述接合层之间，并且
其中，所述接合层和所述导电层之间的界面位于比所述模塑部分的下表面更高的竖直水平处。
15.根据权利要求14所述的发光器件封装件，其中，所述接合层的下表面位于比所述模塑部分的下表面更低的竖直水平处。
16.根据权利要求14所述的发光器件封装件，其中，所述接合层的厚度小于所述导电层的厚度，并且
其中，所述接合层包括第一区域和第二区域，所述第一区域具有与所述模塑部分接触的侧表面，所述第二区域具有凸曲面。
17.根据权利要求13所述的发光器件封装件，还包括：
多个电极焊盘，其分别连接至所述多个金属柱，其中，所述多个电极焊盘中的一个的形式与其余电极焊盘的形式不同。
18.根据权利要求13所述的发光器件封装件，还包括：
多个光调节部分，其构造为调节所述多个发光单元发射的光，以分别提供红光、蓝光和绿光。
19.一种发光器件封装件，包括：
发光单元阵列，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述发光单元阵列包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，其中，所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元中的每一个具有第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；
四个金属柱，其设置在所述发光单元阵列的第一表面上，并且电连接至所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元；
分区结构，其设置在所述发光单元阵列的第二表面上，并且包括第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口，其中，所述第一发光窗口、所述第二发光窗口和所述第三发光窗口分别与所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发光单元对应；
第一光调节部分、第二光调节部分和第三光调节部分，其分别设置在所述第一发光窗口、所述第二发光窗口和所述第三发光窗口中，并且构造为分别提供红光、蓝光和绿光；以及
模塑部分，其包封所述发光单元阵列和所述四个金属柱，
其中，所述四个金属柱的下表面突出超过所述模塑部分的下表面，
其中，所述四个金属柱中的每一个包括导电层和接合层，所述导电层和所述接合层由不同的材料形成，并且
其中，所述接合层和所述导电层之间的界面位于比所述模塑部分的下表面更高的竖直水平处。
20.根据权利要求19所述的发光器件封装件，其中，所述接合层的侧表面与所述导电层的侧表面共面。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019140327A2 (en) * 2018-01-11 2019-07-18 Ecosense Lighting Inc. Display lighting systems with circadian effects
WO2019140309A1 (en) 2018-01-11 2019-07-18 Ecosense Lighting Inc. Switchable systems for white light with high color rendering and biological effects
TWI676851B (zh) * 2018-08-22 2019-11-11 隆達電子股份有限公司 畫素陣列封裝結構及顯示面板
US20220001200A1 (en) 2018-11-08 2022-01-06 Ecosense Lighting Inc. Switchable bioactive lighting
US11355686B2 (en) * 2019-03-29 2022-06-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Unit pixel having light emitting device, pixel module and displaying apparatus
CN113556882B (zh) * 2020-04-23 2022-08-16 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 透明电路板的制作方法以及透明电路板
EP4160679B1 (en) * 2020-04-28 2024-01-31 Nichia Corporation Light-emitting device
DE102020215562A1 (de) * 2020-12-09 2022-06-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements, verfahren zur herstellung elektrischer kontakte und optoelektronisches halbleiterbauelement

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7335908B2 (en) * 2002-07-08 2008-02-26 Qunano Ab Nanostructures and methods for manufacturing the same
JP2013140942A (ja) * 2011-12-07 2013-07-18 Toshiba Corp 半導体発光装置

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