CN109901316A - 阵列基板、显示面板及配线断线的修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板、显示面板及配线断线的修复方法。配线断线的修复方法包括:检测配线是否发生断线,其中,配线上设置有多个间隔排布的突出部,突出部相对于其所连接的所述配线呈预设角度设置;当配线发生断线时,在配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线,以使配线的断线区域两侧连通,本发明能够提高配线断线修复的成功率。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及配线断线的修复方法。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器等平面显示装置因具有体积薄、重量轻、画面质量优异、功耗低、寿命长、数字化和无辐射等优点在各种大、中、小的产品上得到广泛应用,几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品。液晶显示面板的结构是由一彩色滤光片基板、一薄膜晶体管阵列基板以及一配置于两基板间的液晶层所构成。目前在阵列基板的制作过程当中,由于生产工序复杂,受生产工艺及厂房环境因素的影响,阵列基板的中的配线,例如数据线、栅线等经常会发生断线缺陷,导致在显示画面中产生黑线,严重影响画面显示质量,此时需要对阵列基板中发生断线的配线进行修复。
现有的配线断线修复方法主要是在断线处的两侧形成金属线将断线的配线连接起来,具体的,以栅线发生断线为例来进行说明,如图1所示,在衬底81的上表面上设有栅线82和辅助电容用配线83,栅线82和辅助电容用配线83平行且间距预设距离设置,当在栅线82的中部发生断线时,可以在该断线处进行金属沉积形成较长的金属连接线84将发生断线的栅线82连接起来。如图中所示,该金属连接线84的两个端部形成在栅线82上。
然而,现有的配线修复方法中,金属连接线84容易在其端部和栅线82的交界处发生金属扩散,导致栅线82和其附近的辅助电容用配线83发生短路,导致修复成功率低。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板及配线断线的修复方法,能够提高配线断线修复的成功率。
第一方面,本发明提供一种阵列基板,包括第一绝缘层和配线层,配线层位于第一绝缘层的上表面,配线层包括第一配线,第一配线上有多个间隔设置的突出部,突出部相对于其所连接的第一配线呈预设角度设置,突出部的底端与第一配线连接,突出部的顶端向第一配线外侧伸出,突出部用于搭接修复线,修复线用于连通第一配线位于两个突出部之间的断线区域。
第二方面,本发明提供一种显示面板,包括彩膜基板、液晶层和上述的阵列基板,液晶层夹设在彩膜基板和阵列基板之间。
第三方面,本发明提供一种配线断线的修复方法,该方法包括:检测配线是否发生断线,其中,配线上设置有多个间隔排布的突出部,突出部相对于其所连接的配线呈预设角度设置;当配线发生断线时,在配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线,以使配线的断线区域两侧连通。
本发明的阵列基板、显示面板及配线断线的修复方法,配线断线的修复方法包括:检测配线是否发生断线,其中,配线上设置有多个间隔排布的突出部,突出部相对于其所连接的配线呈预设角度设置;当配线发生断线时,在配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线,以使配线的断线区域两侧连通。这样修复,在配线的某处发生断线时,只要将配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线就可以使配线的断线区域的两侧连通,即使在修复线和两个突出部的交界处发生金属扩散,但由于该发生金属扩散的部位距离发生断线的配线有一定距离,与现有技术中金属扩散就位于发生断线的配线上相比,减少了金属扩散到与该发生断线的配线相邻的配线上的几率,因此提高了修复的成功率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中配线断线修复结构的示意图;
图2是现有技术中一种结构的阵列基板的俯视示意图;
图3是沿图2的A-A线的剖视图;
图4是本发明实施例一提供的配线断线的修复方法的流程示意图;
图5是采用了紫外线诱导多区域垂直配向技术的垂直配向型液晶显示面板中子像素单元内部产生的暗纹示意图;
图6是本发明实施例一提供的配线断线的修复结果的结构示意图;
图7是本发明实施例一提供的配线断线的修复方法的另一种方式的修复过程示意图;
图8是图7的沿C-C线的侧剖视图;
图9是本发明实施例一提供的配线断线的修复方法的另一种方式的修复过程示意图;
图10是图9的沿D-D线的侧剖视图;
图11是本发明实施例一提供的配线断线的再一种修复方法中待修复的基板的结构俯视图;
图12是沿图11的B-B线的剖视图。
附图标记说明:
10—突出部;20—修复线;21、23—导电部;22—导电线;30、40—连通孔;81—衬底;83—辅助电容用配线;84—金属连接线;101、82—栅线;102—数据线;103—子像素区域;104—薄膜晶体管;105—钝化层;106—像素电极;107—栅极;108—栅极绝缘层;109—有源层;110—源极;111—漏极;112—贯通孔;113—辅助电容用配线;114—断线区域;115—暗纹;116—子像素区域的沿栅线的边缘;117—子像素区域的沿数据线的边缘;118—缺口。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
图2是现有技术中一种结构的阵列基板的俯视示意图;图3是沿图2的A-A线的剖视图。下面以图2和图3所示的背沟道蚀刻型阵列基板为例来介绍阵列基板的基本结构,当然,本发明中所提到的阵列基板不限于此,还可以是其它类型。此外,需要说明的是,图2中以阵列基板上设置三个子像素区域为例进行说明,为了便于说明,其仅仅图示了阵列基板的一部分,实际中可以根据需要设置子像素区域的个数。另外,本发明中的其它附图也是类似,仅仅图示出了完整阵列基板中的局部结构,此处不再赘述。
如图2、3所示,阵列基板包括多条栅线101和多条数据线102,这些栅线101和数据线102彼此交叉以限定多个像素区域103。每个像素区域103包括薄膜晶体管104以及设置于钝化层105上方的像素电极106。如图3所示,薄膜晶体管104包括栅极107、栅极绝缘层108、有源层109、源极110和漏极111,栅极107设置在衬底81上,栅极绝缘层108设置在栅极107以及衬底81之上,有源层109覆盖部分栅极绝缘层108,源极110和漏极111均设置在有源层109和栅极绝缘层108之上,在栅极绝缘层108、有源层109、源极110和漏极111上还设置有钝化层105和像素电极106。具体的,在栅极绝缘层108、有源层109、源极110和漏极111上形成钝化层105,在钝化层105上对应于漏极111的位置处还形成有贯通孔112,此外,在钝化层105上形成像素电极106,像素电极106经由贯通孔112中的导电金属材料与漏极111连接。
在上述阵列基板中,栅极107与栅线101一体设置,可以在同一道工序中一体地形成,二者统称为栅极扫描线,源极110可以与数据线102在同一道工序中同时形成,漏极111与像素电极106例如通过贯通孔112电连接。该阵列基板还可以包括辅助电容用配线等,该辅助电容用配线例如与栅线101同层设置。
如上所述,现有技术的阵列基板中,包括多种配线,例如栅线、数据线、辅助电容用配线以及其它信号线等等,然而,在阵列基板的制作过程中,经常会发生配线的断线缺陷,因而在相应的配线形成工序之后要进行检测,当检测到发生配线断线时,要进行针对断线缺陷的修复工序。
图4是本发明实施例一提供的配线断线的修复方法的流程示意图,如图4所示,本实施例提供一种配线断线的修复方法,该方法包括:
S10、检测配线是否发生断线,其中,配线上设置有多个间隔排布的突出部,突出部相对于其所连接的配线呈预设角度设置;
S20、当配线发生断线时,在配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线,以使配线的断线区域两侧连通。
上述方法中,通过在配线上设置多个间隔排布的突出部,且突出部相对于其所连接的配线呈预设角度设置,因此在配线的某处发生断线时,只要将配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线就可以使配线的断线区域的两侧连通,即使在修复线和两个突出部的交界处发生金属扩散,但由于该发生金属扩散的部位距离发生断线的配线有一定距离,与现有技术中金属扩散就位于发生断线的配线上相比,减少了金属扩散到与该发生断线的配线相邻的配线上的几率,因此提高了修复的成功率。
具体的,配线和突出部需要在同一道工序中形成,这样不需要专门设置形成突出部的工序,在修复断线时,只需要在配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线即可完成修复,与现有技术中需要形成整个修复路径相比,减少了耗时。此外,优选在形成了配线、突出部的工序后,立即进行检测配线是否发生断线的工序,以防止进行了后续工序、例如在配线上再层叠一层第二绝缘层后,发现已经配置好的配线存在断线情况,由于第二绝缘层的遮挡,出现不便于修复的情况。另外,由于要在配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线,具体可以用修复线分别连接两个突出部的中部,也可以用修复线分别连接两个突出部的中部和端部,其中,优选在配线的位于断线区域两侧的两个突出部的顶部之间连接修复线。而突出部相对于其所连接的配线呈预设角度设置,具体是指突出部要相对于其所连接的配线倾斜预设角度设置,即二者不平行。该预设角度优选为90°,即突出部与其所在的配线垂直设置。
可选的,突出部间隔设置在由栅线和数据线定义出的子像素区域内。具体到图2中,由栅线101和数据线102彼此交叉限定出若干个子像素区域103,可以在每个子像素区域103内各设有一个突出部。此外,对于相邻两个突出部之间的间距,可以选择使相邻两个突出部之间的间距为一个子像素间距。一个子像素间距具体指上述子像素区域103的宽度,即子像素区域103在沿栅线101的方向上的宽度,这样可以保证配线上的突出部在每个像素区域103的范围内均设置有一个。
另外,对于采用了紫外线诱导多区域垂直配向(ultraviolet induced multi-domain vertical alignment,UV2A)技术的垂直配向型液晶显示面板中,在阵列基板的具体配向过程中,一般将每个子像素分别划分成四个相同大小的配向子区域,且同一子像素中相邻两配向子区域间的配向方向相互垂直,从而不可避免地会在每一子像素的四个配向子区域之间的交界处、即子像素的中间处形成如图5所示的大致十字状的暗纹115。因此可以考虑将突出部设置在所述暗纹115的下方,以避免突出部对光线透过率造成影响。具体可选的,当突出部设置在某个子像素区域103内时,可以使突出部位于与该突出部所在的子像素区域103的中心对应的位置处。当配线为栅线时,突出部位于栅线上、且与该突出部所在的子像素区域的中心对应的位置处,具体是指突出部位于栅线上,与子像素区域的靠近该栅线的边缘的中央位置相对应的位置处,具体到图5中,以位于子像素区域103的下方的栅线101为例来进行说明,突出部可以优选设置在下方的栅线101上,并且与子像素区域103的沿栅线的下侧的边缘116的中央位置对应的位置处,并且突出部的突出方向朝向该突出部所在的子像素区域103内部。或者,当配线为数据线时,突出部位于数据线上、且与该突出部所在的子像素区域的中心相对应的位置处,具体是指突出部位于数据线上,与子像素区域的靠近该数据线的边缘的中央位置相对应的位置处,具体到图5中,以位于子像素区域103的左侧的数据线102为例来进行说明,突出部可以优选设置在左侧数据线102上,并且与子像素区域103的沿数据线的左侧的边缘117的中央位置对应的位置处,并且突出部的突出方向朝向该突出部所在的子像素区域103内部。
在上述方案中,需要使突出部的伸出方向背离与其所对应的配线位于同一层上、并且相邻的配线,具体的,对于设有突出部的配线,以及与该设有突出部的配线位于同一层的其它配线而言,如果设有突出部的配线的一侧未设置其它配线,另一侧设置有与其紧邻的其它配线,则突出部的伸出方向背离与突出部所连接的配线位于同一层上、并且紧邻的其它配线,即,突出部朝向没有设置其它配线的那一侧伸出。而对于设有突出部的配线,其紧邻的两侧均设置有其它配线、例如距离该设有突出部的配线较近的第二配线和较远的第三配线的情况,可以使突出部朝向距离该设有突出部的配线较远的其它配线的方向伸出,即,使突出部朝向第三配线的方向伸出,以尽量增大修复线距离第二配线的距离,防止修复线端部的金属扩散到该第二配线上。
本实施例的方法适用于阵列基板中所包括的各种配线的断线修复,只要在配线上形成如上所述的突出部,并在位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线即可完成修复。
下面以栅线101的修复为例来进行说明,对于其它类型的配线,其修复方法和修复结构与此类似,此处不再赘述。图6是本发明实施例一提供的配线断线的修复结果的结构示意图,在图6中示出了栅线101发生断线的修复过程。如图6所示,在衬底81的一侧表面上具有栅线101,以及与栅线101平行且相邻配置的辅助电容用配线113。在栅线101上设置有多个间隔排布的突出部10,突出部10的伸出方向背离与其所对应的栅线101位于同一层上、并且相邻的辅助电容用配线113,即突出部10朝向栅线101未设置有其它配线的上侧伸出。
此处的栅线101、突出部10以及辅助电容用配线113在同一道工序中形成,当检测出栅线101发生断线时,在栅线101的位于断线区域114两侧的两个突出部10之间连接修复线20,以使栅线101的断线区域114两侧恢复电连接。
而对于在配线的位于断线区域两侧的突出部之间连接修复线的具体实施方式取决于在哪个工序中检测到发生配线断线。具体的,若在刚形成配线和突出部,并未进行其它工序时就检测配线是否发生断线,并检测到配线已发生断线时,在配线的位于断线区域两侧的突出部之间连接修复线具体包括,在两个突出部之间利用激光化学气相沉积(LaserChemical Vapor Deposition,Laser CVD)进行金属(例如金属钨)沉积形成可导电的金属线,此时进行的修复较为简单,耗时较短。
除了上述直接利用化学气相沉积形成修复线的方式外,还可以利用预先形成好的导电线连接所述突出部。可选的,在配线的位于断线区域两侧的突出部之间连接修复线具体包括:在配线所连接的、位于其下方的绝缘层上开设连通孔,连通孔的底端与绝缘层下方或绝缘层中的导电线连接,且连通孔与突出部具有重叠区域;在连通孔内设置导电部,以连接突出部和导电线,其中,导电线的两端分别连接不同突出部。
具体的,可以在配线所连接的、位于其下方的绝缘层中或者绝缘层的下方形成导电线,并在配线所连接的、位于其下方的绝缘层上开设连通孔,由于连通孔与突出部具有重叠区域,并且连通孔的底端与导电线连接,因此在连通孔中设置导电部时,导电部就可以将突出部和导电线电连接起来,以完成配线断线的修复。
下面以数据线102的修复为例来进行说明,对于其它类型的配线,其修复方法和修复结构与此类似,此处不再赘述。图7是本发明实施例一提供的配线断线的修复方法的另一种方式的修复过程示意图;图8是图7的沿C-C线的侧剖视图;图9为本发明实施例一提供的配线断线的修复方法的另一种方式的修复过程示意图;图10是图9的沿D-D线的侧剖视图;如图7~图10所示,在衬底81上设置有栅极绝缘层108(栅极107以及与栅极107同层的其它配线未图示),在栅极绝缘层108上表面设有数据线102,在栅极绝缘层108中设有可导电的连接线、即导电线22,可选的,导电线22可以设置在衬底81的上表面,和栅极107以及栅线101设置在同一层,并在同一个工序中形成。此处在未进行断线修复时,导电线22和数据线102在阵列基板厚度方向上具有间距,二者由于栅极绝缘层108的间隔而呈绝缘状态,突出部10和数据线102设置在同一层,并在同一个工序中形成,突出部的具体结构和设置方式与上述类似,并已在上述已经进行过详细论述,此处不再赘述。另外,导电线22与突出部10在阵列基板厚度方向上的投影具有重叠区域。具体进行修复时,在数据线102所连接的、位于数据线102下方的栅极绝缘层108上形成连通孔30,连通孔30的底端栅极绝缘层108中的导电线22(或者也可以是导电线22位于栅极绝缘层108下方)连接,且连通孔30与突出部10具有重叠区域;然后可以在连通孔内形成导电部21,以连接突出部10和导电线22,其中,导电线22的两端分别连接不同突出部10,具体到图中可以是导电线22的两端分别通过导电部21和位于断线区域114两侧的突出部10电连接,以此对断线区域114进行了修复,在本方法中,导电部21和导电线22共同构成修复线20。
以上介绍了刚形成好配线、还未进行其它工序时就进行断线检测,若发现断线时可以采取的修复方式,然而,实际操作过程中,有可能出现在形成配线和突出部,并在所述配线和突出部之上再形成其它层之后发现配线存在断线的情况,此时,由于其它层的遮挡,并不能直接利用上述的方法直接修复配线。因此可以采用在发生遮挡的层上形成连通孔的方式进行修复,具体可选的,当配线所连接的、位于其下方的绝缘层上方还设有第二绝缘层时,第二绝缘层覆盖配线,在配线的位于断线区域两侧的突出部之间连接修复线具体包括:在第二绝缘层和配线所连接的、位于其下方的绝缘层上开设贯穿第二绝缘层和配线所连接的、位于其下方的绝缘层的连通孔,连通孔的底端与绝缘层中的导电线连接,且连通孔与突出部具有重叠区域;在连通孔内设置导电部,以连接突出部和导电线,其中,导电线的两端分别连接不同突出部。
具体的,可以在配线所连接的、位于其下方的绝缘层中或者绝缘层的下方形成导电线,并在配线所连接的、位于其下方的绝缘层和第二绝缘层上开设连通孔,由于连通孔与突出部具有重叠区域,并且连通孔的底端与导电线连接,因此在连通孔中设置导电部时,导电部就可以将突出部和导电线电连接起来,以完成配线断线的修复。
下面以数据线102的修复为例来进行说明,对于其它类型的配线,其修复方法和修复结构与此类似,此处不再赘述。图11是本发明实施例一提供的配线断线的再一种修复方法中待修复的基板的结构俯视图;图12是沿图11的B-B线的剖视图。需要注意的是,图11、12中以在一个子像素范围内设置两个突出部10为例进行说明,但本发明不限于此,实际中,各个突出部的设置间距和设置位置可以根据实际需要选择。如图11、12所示,在衬底81上设置有栅极绝缘层108(栅极107以及与栅极107同层的其它配线未图示),在栅极绝缘层108上表面设有数据线102,在栅极绝缘层108中设有可导电的连接线、即导电线22,可选的,导电线22可以设置在衬底81的上表面,和栅极107以及栅线101设置在同一层,并在同一个工序中形成。并且,为了防止导电线22和栅线101干涉,可以使导电线22沿着数据线102的形成方向延伸。此处在未进行断线修复时,导电线22和数据线102在阵列基板厚度方向上具有间距,二者由于栅极绝缘层108的间隔而呈绝缘状态,突出部10和数据线102设置在同一层,并在同一个工序中形成,突出部的具体结构和设置方式与上述类似,并已在上述已经进行过详细论述,此处不再赘述。另外,导电线22与突出部10在阵列基板厚度方向上的投影具有重叠区域。具体进行修复时,在数据线102所连接的、位于数据线102下方的栅极绝缘层108和第二绝缘层、即钝化层105上形成连通孔40,连通孔40的底端与栅极绝缘层108下方或栅极绝缘层108中的导电线22连接,且连通孔40与突出部10具有重叠区域;然后可以在连通孔40内形成导电部23,以连接突出部10和导电线22,其中,导电线22的两端分别连接不同突出部10,具体到图中可以是导电线22的两端分别通过导电部23和位于断线区域114两侧的突出部10电连接,以此对断线区域114进行了修复,在本方法中,导电部23和导电线22共同构成修复线20。
此外,可选的,导电部23和像素电极106采用相同的材料形成,像素电极的材料一般为氧化铟锡ITO。此外需要注意的是,上述方法尤其可以选择在形成了平坦层105之后进行,这是由于像素电极的形成过程中,包括了形成贯通孔112,再形成像素电极106、并将像素电极106的一部分形成到所述贯通孔112中,以使漏极111和像素电极106电连接的过程,因此上述方法可以和像素电极106在同一个工序中形成。省去了专门的修复工序,可以减少修复工序的耗时,提高效率。另外,上述方法也可以在形成了像素电极106之后进行,具体的,为了防止形成在连通孔40中的导电部23和像素电极106发生短路,导致修复失败,可以如图11所示那样,对像素电极106靠近连通孔40的部分切割掉。
本实施例中,配线断线的修复方法包括:检测配线是否发生断线,其中,配线上设置有多个间隔排布的突出部,突出部相对于其所连接的配线呈预设角度设置;当配线发生断线时,在配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线,以使配线的断线区域两侧连通。这样修复,在配线的某处发生断线时,只要将配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线就可以使配线的断线区域的两侧连通,即使在修复线和两个突出部的交界处发生金属扩散,但由于该发生金属扩散的部位距离发生断线的配线有一定距离,与现有技术中金属扩散就位于发生断线的配线上相比,减少了金属扩散到与该发生断线的配线相邻的配线上的几率,因此提高了修复的成功率。
实施例二
本实施例提供一种阵列基板,其在制作的过程中采用了实施例一所述的配线断线的修复方法进行修复。关于配线断线的修复方法的具体过程和详细内容已在实施例一中进行了详细描述,此处不再赘述。
本实施例的阵列基板包括第一绝缘层和配线层,配线层位于第一绝缘层的上表面,配线层包括第一配线,第一配线上设置有多个间隔设置的突出部,突出部相对于其所连接的第一配线呈预设角度设置,突出部的底端与第一配线连接,突出部的顶端向第一配线外侧伸出,突出部用于搭接修复线,修复线用于连通第一配线位于两个突出部之间的断线区域。
这样设置,通过在配线层中的第一配线上设置多个间隔排布的突出部,且突出部相对于其所连接的第一配线呈预设角度设置,因此在第一配线的某处发生断线时,只要将第一配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线就可以使第一配线的断线区域的两侧连通,即使在修复线和两个突出部的交界处发生金属扩散,但由于该发生金属扩散的部位距离发生断线的第一配线有一定距离,与现有技术中金属扩散就位于发生断线的第一配线上相比,减少了金属扩散到与该发生断线的第一配线相邻的配线上的几率,因此提高了修复的成功率。
具体的,第一配线和突出部需要在同一道工序中形成,这样不需要专门设置形成突出部的工序,在修复断线时,只需要在第一配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线即可完成修复,与现有技术中需要形成整个修复路径相比,减少了耗时。另外,由于要在配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线,具体可以用修复线分别连接两个突出部的中部,也可以用修复线分别连接两个突出部的中部和端部,其中,优选在配线的位于断线区域两侧的两个突出部的顶部之间连接修复线。而突出部相对于其所连接的第一配线呈预设角度设置,具体是指突出部要相对于其所连接的第一配线倾斜预设角度设置,即二者不平行。该预设角度优选为90°,即突出部与其所在的第一配线垂直设置。此外,修复线用于连通所述第一配线位于两个所述突出部之间的断线区域是指,可以用修复线连通与断线区域紧相邻的两个突出部,以修复断线区域。
可选的,突出部间隔设置在由栅线和数据线定义出的子像素区域内。具体到图2中,由栅线101和数据线102彼此交叉限定出若干个子像素区域103,可以在每个子像素区域103内各设有一个突出部。此外,对于相邻两个突出部之间的间距,可以选择使相邻两个突出部之间的间距为一个子像素间距。一个子像素间距具体指上述子像素区域103的宽度,即子像素区域103在沿栅线101的方向上的宽度,这样可以保证配线上的突出部在每个像素区域103的范围内均设置有一个。
另外,对于采用了紫外线诱导多区域垂直配向(ultraviolet induced multi-domain vertical alignment,UV2A)技术的垂直配向型液晶显示面板中,在阵列基板的具体配向过程中,一般将每个子像素分别划分成四个相同大小的配向子区域,且同一子像素中相邻两配向子区域间的配向方向相互垂直,从而不可避免地会在每一子像素的四个配向子区域之间的交界处、即子像素的中间处形成如图5所示的大致十字状的暗纹115。因此可以考虑将突出部设置在所述暗纹115的下方,以避免突出部对光线透过率造成影响。具体可选的,当突出部设置在某个子像素区域103内时,可以使突出部位于与该突出部所在的子像素区域103的中心对应的位置处。当第一绝缘层为阵列基板的衬底,第一配线为栅线时,突出部位于栅线上、且与该突出部所在的子像素区域的中心相对应的位置处,具体是指突出部位于栅线上,与子像素区域的靠近该该栅线的边缘的中央位置相对应的位置处,具体到图5中,以位于子像素区域103的下方的栅线101为例来进行说明,突出部可以优选设置在下方的栅线101上,并且与子像素区域103的沿栅线的下侧的边缘116的中央位置对应的位置处,并且突出部的突出方向朝向该突出部所在的子像素区域103内部。或者,当第一绝缘层为位于栅线上方的栅极绝缘层,配线为数据线时,突出部位于数据线上、且与该突出部所在的子像素区域的中心相对应的位置处,具体是指突出部位于数据线上,与子像素区域的靠近该数据线的边缘的中央位置相对应的位置处,具体到图5中,以位于子像素区域103的左侧的数据线102为例来进行说明,突出部可以优选设置在左侧的数据线102上,并且与子像素区域103的沿数据线的左侧的边缘117的中央位置对应的位置处,并且突出部的突出方向朝向该突出部所在的子像素区域103内部。
在上述方案中,需要使突出部的伸出方向背离与其所对应的第一配线位于同一层上、并且相邻的配线,具体的,对于设有突出部的第一配线,以及与该设有突出部的第一配线位于同一层的其它配线而言,如果设有突出部的第一配线的一侧未设置其它配线,另一侧设置有与其紧邻的其它配线,则突出部的伸出方向背离与突出部所连接的第一配线相邻、且位于同一层的其它配线,即,突出部朝向没有设置其它配线的那一侧伸出。而对于设有突出部的第一配线,其紧相邻的两侧均设置有其它配线、例如距离第一配线较近的第二配线和较远的第三配线的情况,可以使突出部朝向距离该第一配线较远的其它配线的方向伸出。即,使突出部朝向第三配线的方向伸出,以尽量增大修复线距离第二配线的距离,防止修复线端部的金属扩散到该第二配线上。另外,配线层可以包括设置有突出部的第一配线,也可以包括未设有突出部的其它配线。此外,本实施例所述的阵列基板的制造过程中,并不是每个第一配线都发生断线缺陷,因此该修复线只在发生了断线缺陷的第一配线附近才存在。
本实施例阵列基板中包括栅线、数据线等各种配线,可以在各种配线上均设置上述突出部,从而当检测到配线断线时,只要在第一配线上位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线即可完成修复。例如,可以在栅线101上形成上述突出部,具体参照图6,当然,突出部设置在栅线101上的具体结构与实施例一相同,并在实施例一中已经进行了详细描述,此处不再赘述。
可选的,修复线位于配线层,为激光气相沉积形成的金属线。这里所述的激光气相沉积可以是采用激光进行焊接点熔融的方法。对应于实施例一中的修复方法中,即在刚形成配线层,还未进行其它工序时,就检测出来配线断线,因此可以直接在第一配线上位于断线区域两侧的两个突出部之间利用激光化学气相沉积形成金属线,即可完成修复。当然,除了激光化学气相沉积之外,也可以采用激光物理气相沉积形成金属线。
此外,当第一绝缘层为位于栅线上方的栅极绝缘层,配线为数据线时,阵列基板还包括可导电的连接线,连接线位于第一绝缘层、即栅极绝缘层中,连接线和第一配线在阵列基板厚度方向上具有间距,连接线与突出部在阵列基板厚度方向上的投影具有重叠区域,且至少部分连接线和突出部之间通过连通孔连接,连通孔内设置有导电部,导电部的两端分别与连接线和突出部接触,导电部和连接线共同构成修复线。另外,可以优选将连接线形成在栅极绝缘层下方的衬底的上表面上,栅极绝缘层覆盖衬底的上表面,从而将连接线形成在栅极绝缘层中靠下的位置处。
可以在第一配线所连接的、位于其下方的第一绝缘层中或者第一绝缘层的下方形成连接线,并在第一配线所连接的、位于其下方的第一绝缘层上开设连通孔,由于连通孔与突出部具有重叠区域,并且连通孔的底端与连接线连接,因此在连通孔中设置导电部时,导电部就可以将突出部和连接线电连接起来,以完成配线断线的修复。具体的,可以参照图9、图10所示的阵列基板结构。对于该图9、10所示的阵列基板的说明在实施例一中已经进行了详细介绍,此处不再赘述。另外需要说明的是,本实施例所述的阵列基板的制造过程中,并不是每个数据线102都发生断线缺陷,甚至没有数据线发生过断线缺陷,因此该连通孔、导电部不是必须的,只在发生了断线缺陷的数据线102附近才存在连通孔和导电部。
此外,可选的,阵列基板还包括和第一绝缘层相邻的第二绝缘层,第二绝缘层覆盖配线层,设有导电部的连通孔贯穿第二绝缘层。这是由于实际操作过程中,有可能出现在形成第一配线和突出部,并在所述第一配线和突出部之上再形成其它层之后发现配线存在断线的情况,此时,由于其它层的遮挡,并不能直接修复配线。因此可以采用在发生遮挡的层即第二绝缘层上形成连通孔,具体可选的,当第一配线所连接的、位于其下方的第一绝缘层上方还设有第二绝缘层时,第二绝缘层覆盖第一配线,所述设有导电部的连通孔贯穿第二绝缘层,以使导电部将突出部和连接线电连接起来。
对于上述具有第二绝缘层的阵列基板的结构,可以参考图11、图12所示的阵列基板结构。对于该图11、12所示的阵列基板的说明在实施例一中已经进行了详细介绍,此处不再赘述。另外需要说明的是,本实施例所述的阵列基板的制造过程中,并不是每个数据线102都发生断线缺陷,甚至没有数据线发生过断线缺陷,因此该连通孔、导电部不是必须的,只在发生了断线缺陷的数据线102附近才存在连通孔和导电部。
此外,可选的,导电部23和像素电极106采用相同的材料形成,像素电极的材料一般为氧化铟锡ITO。此外需要注意的是,通过上述导电部23连接突出部和导电线22的阵列基板中,为了防止形成在连通孔40中的导电部23和像素电极106发生短路,导致修复失败,可以如图11所示那样,在像素电极106靠近连通孔40的部分处形成缺口118。
本实施例的阵列基板包括第一绝缘层和配线层,配线层位于第一绝缘层的上表面,配线层包括第一配线,第一配线上有多个间隔设置的突出部,突出部相对于其所连接的第一配线呈预设角度设置,突出部的底端与第一配线连接,突出部的顶端向第一配线外侧伸出,突出部并用于搭接修复线,修复线用于连通第一配线位于两个突出部之间的断线区域。这样设置,在第一配线的某处发生断线时,只要将第一配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线就可以使第一配线的断线区域的两侧连通,即使在修复线和两个突出部的交界处发生金属扩散,但由于该发生金属扩散的部位距离发生断线的第一配线有一定距离,与现有技术中金属扩散就位于发生断线的第一配线上相比,减少了金属扩散到与该发生断线的第一配线相邻的配线上的几率,因此提高了修复的成功率。
实施例三
本实施例一方面提供一种显示面板,其包括彩膜基板、液晶层和如实施例二所述的阵列基板,液晶层夹设在彩膜基板和阵列基板之间,其中,阵列基板的具体结构以及功能均已在前述实施例二中进行了详细说明,因而此处不再赘述。并且,该阵列基板制作过程中发生配线断线时的修复方法可以参照实施例一所述的方法,这里不再赘述。
本实施例的另一方面还提供一种显示装置,包括上述显示面板,显示装置可以为柔性显示装置,其中,本实施例中,显示装置可以为电子纸、平板电脑、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机等任何具有显示功能的部件。
本实施例提供的显示面板和显示装置,由于在它们所包括的阵列基板包括第一绝缘层和配线层,配线层位于第一绝缘层的上表面,配线层包括第一配线,第一配线上设置有多个间隔设置的突出部,突出部相对于其所连接的第一配线呈预设角度设置,突出部的底端与第一配线连接,突出部的顶端向第一配线外侧伸出,突出部用于搭接修复线,修复线用于连通第一配线位于两个突出部之间的断线区域。这样设置,在第一配线的某处发生断线时,只要将第一配线的位于断线区域两侧的两个突出部之间连接修复线就可以使第一配线的断线区域的两侧连通,即使在修复线和两个突出部的交界处发生金属扩散,但由于发生金属扩散的部位距离发生断线的第一配线有一定距离,与现有技术中金属扩散就位于发生断线的第一配线上相比,减少了金属扩散到与该发生断线的第一配线相邻的配线上的几率,因此提高了修复的成功率,因而本实施例所提供的显示面板和显示装置的可靠性较高。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“相连”、“固定”、“安装”等应做广义理解,例如可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接连接,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定、对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括第一绝缘层和配线层,所述配线层位于所述第一绝缘层的上表面,所述配线层包括第一配线,所述第一配线上有多个间隔设置的突出部,所述突出部相对于其所连接的所述第一配线呈预设角度设置,所述突出部的底端与所述第一配线连接,所述突出部的顶端向所述第一配线外侧伸出,所述突出部用于搭接修复线,所述修复线用于连通所述第一配线位于两个所述突出部之间的断线区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述突出部间隔设置在由栅线和数据线定义出的子像素区域内。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述修复线位于所述配线层,为激光气相沉积形成的金属线。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当所述第一绝缘层为位于栅线上方的栅极绝缘层,所述第一配线为数据线时,所述阵列基板还包括可导电的连接线,所述连接线位于所述第一绝缘层中,所述连接线和所述第一配线在所述阵列基板厚度方向上具有间距,所述连接线与所述突出部在所述阵列基板厚度方向上的投影具有重叠区域,且至少部分所述连接线和所述突出部之间通过连通孔连接,所述连通孔内设置有导电部,所述导电部的两端分别与所述连接线和所述突出部接触,所述导电部和所述连接线共同构成所述修复线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括和所述第一绝缘层相邻的第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述配线层,设有导电部的所述连通孔贯穿所述第二绝缘层。
6.一种显示面板,其特征在于,包括彩膜基板、液晶层和如权利要求1-5任一项所述的阵列基板,所述液晶层夹设在所述彩膜基板和所述阵列基板之间。
7.一种配线断线的修复方法,其特征在于,所述方法包括:
检测配线是否发生断线,其中,所述配线上设置有多个间隔排布的突出部,所述突出部相对于其所连接的所述配线呈预设角度设置;
当所述配线发生断线时,在所述配线的位于断线区域两侧的两个所述突出部之间连接修复线,以使所述配线的断线区域两侧连通。
8.根据权利要求7所述的配线断线的修复方法,其特征在于,所述在所述配线的位于断线区域两侧的突出部之间连接修复线具体包括,在两个所述突出部之间利用激光化学气相沉积形成可导电的金属线。
9.根据权利要求7所述的配线断线的修复方法,其特征在于,所述在所述配线的位于断线区域两侧的突出部之间连接修复线具体包括:
在所述配线所连接的、位于其下方的绝缘层上开设连通孔,所述连通孔的底端与所述绝缘层下方或所述绝缘层中的导电线连接,且所述连通孔与所述突出部具有重叠区域;
在所述连通孔内设置导电部,以连接所述突出部和所述导电线,其中,所述导电线的两端分别连接不同所述突出部。
10.根据权利要求7所述的配线断线的修复方法,其特征在于,在配线所连接的、位于其下方的绝缘层上方还设有第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述配线,所述在所述配线的位于断线区域两侧的突出部之间连接修复线具体包括:
在所述第二绝缘层和所述配线所连接的、位于其下方的绝缘层上开设贯穿所述第二绝缘层和所述配线所连接的、位于其下方的绝缘层的连通孔,所述连通孔的底端与所述绝缘层中的导电线连接,且所述连通孔与所述突出部具有重叠区域;
在所述连通孔内设置导电部,以连接所述突出部和所述导电线,其中,所述导电线的两端分别连接不同所述突出部。
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