CN109888058B - 一种太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种太阳能电池的制造方法，包括：在硅衬底的表面形成绒面结构，硅衬底正面的电极区包括中心区域和两侧区域；在中心区域的至少部分区域内形成第一重掺杂区、在两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、在其他区域内形成轻掺杂区，第一重掺杂区的掺杂浓度大于等于第二重掺杂区的掺杂浓度；或者在中心区域的至少部分区域内形成第一重掺杂区，在两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、在其他区域内形成轻掺杂区，第一重掺杂区的掺杂浓度大于第二重掺杂区的掺杂浓度；形成减反射层、正面电极以及背面电极。本发明还提供了一种太阳能电池。实施本发明可以减少电池的表面复合，提高电池的转换效率。

Description

一种太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制造方法。
背景技术
在高效太阳能电池的制造过程中，为了实现电极与硅片之间的良好接触，往往会将电极通过丝网印刷的方式制备在硅片的特定区域上。例如，选择性发射极电池(Selective Emitter Solar Cell，下文简称为SE电池)、钝化发射极背部局域扩散电池(Passivated Emitter and Rear Locally-diffused，下文简称为PERL电池)、钝化发射极全背场扩散电池(Passivated Emitter and Rear Total-diffused，下文简称为PERT电池)。
SE电池包括硅衬底、减反射层、正面电极和背面电极。减反射层设置在硅衬底的正面，正面电极透过减反射层与硅衬底的正面形成欧姆接触，背面电极与硅衬底的背面形成欧姆接触。其中，正面电极制备在位于硅衬底正面的正面电极区内，该正面电极区的全部区域以相同的表面掺杂浓度被重掺杂。请参考图1(a)，图1(a)是现有SE电池正面局部结构的俯视示意图。需要说明的是，为了能清楚地示出正面电极与硅衬底中正面电极区之间的位置关系，此处省略了减反射层的绘制。在图1中，附图标记10代表硅衬底正面的局部区域，附图标记30代表正面电极，附图50代表正面电极区。
PERL/PERT电池包括硅衬底、减反射层、由钝化层和保护层构成的叠层膜、正面电极和背面电极。减反射层设置在硅衬底的正面，叠层膜设置在硅衬底的背面，正面电极透过减反射层与硅衬底的正面形成欧姆接触，背面电极透过叠层膜与硅衬底的背面形成欧姆接触。其中，背面电极制备在位于硅衬底背面的背面电极区内，该背面电极区的全部区域以相同的表面掺杂浓度被重掺杂。请参考图1(b)，图1(b)是现有PERL/PERT电池背面局部结构的俯视示意图。需要说明的是，为了能清楚地示出背面电极与硅衬底中背面电极区之间的位置关系，此处省略了叠层膜的绘制。在图1(b)中，附图标记20代表硅衬底背面的局部区域，附图标记40代表背面电极，附图60代表背面电极区。
针对于SE电池来说，若正面电极偏离正面电极区则会严重影响SE电池的性能。现有技术中，由于丝网印刷工艺的对位精度存在一定限制，因此需要将正面电极区设置的比较宽，才能确保正面电极不会偏离正面电极区。目前，SE电池中正面电极区的宽度(图中以L2表示)通常设置为正面电极宽度(图中以L1表示)的4～5倍。针对于PERL/PERT电池来说，若背面电极是铝电极，由于铝浆很难烧穿叠层膜，因此需要先对叠层膜进行激光开窗，然后印刷铝浆使之进入开窗区后进行烧结；若背面电极是银电极，则直接在叠层膜上印刷银浆并进行烧结。无论是激光开窗工艺还是丝网印刷工艺其对位精度都会存在一定限制，因此需要将背面电极区设置的比较宽，以确保背面电极不会偏离背面电极区。目前，PERL/PERT电池中背面电极区的宽度(图中以L5表示)通常设置为背面电极宽度(图中以L4表示)的4～5倍。
上述将电极区(包括正面电极区和背面电极区)设置的比较宽的方式，其优点在于可以有效地避免电极的偏离，但与此同时也存在一定的不足之处。具体地，由于电极区的宽度比较大，因此在电极区内形成电极后该电极区内的大部分区域未被电极所覆盖，而这部分未被电极所覆盖的区域由于存在重掺杂，因此导致这部分区域内存在严重复合，进而导致电池性能的降低以及制约着电池效率的提升。
发明内容
为了克服现有技术中的上述缺陷，本发明提供了一种太阳能电池的制造方法，该制造方法包括：
a1、提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
a2、在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
a3、在所述硅衬底的所述正面形成减反射层；
a4、在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触，所述背面电极与所述硅衬底的背面形成欧姆接触。
本发明还提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面。
本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法，该制造方法包括：
b1、提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
b2、在所述硅衬底的正面形成PN结；
b3、在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
b4、在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
b5、在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本发明还提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底背面用于印刷电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
PN结，形成于所述硅衬底的正面；
第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的部分区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的全部区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法，该制造方法包括：
c1、提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
c2、在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
c3、在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
c4、在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
c5、在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本发明还提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的部分区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的全部区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本发明所提供的太阳能电池及其制造方法在用于印刷金属电极的电极区的中心区域和两侧区域形成重掺杂，其中，两侧区域的表面掺杂浓度低于中心区域的表面掺杂浓度、又或者两侧区域仅局部重掺杂，如此一来，可以有效降低电极区两侧区域的表面掺杂浓度、或有效减小电极区两侧区域中重掺杂区的面积。与现有技术中全部电极区均以同一浓度进行重掺杂的太阳能电池相比，实施本发明可以有效降低电极区中未被金属电极所覆盖的区域内的复合程度，进而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1(a)是现有SE电池正面局部结构的俯视示意图；
图1(b)是现有PERL/PERT电池背面局部结构的仰视示意图；
图2是根据本发明的太阳能电池的制造方法的一个具体实施例的流程图；
图3(a)、图4(a)、图5(a)、图6(a)、图7(a)、图8(a)根据本发明的六个具体实施例在执行了图2所示步骤S102后硅衬底正面局部结构的俯视示意图；
图3(b)、图4(b)、图5(b)、图6(b)、图7(b)、图8(b)分别是在图3(a)、图4(a)、图5(a)、图6(a)、图7(a)、图8(a)所示结构上形成正面电极后的结构示意图；
图9是根据本发明的太阳能电池的制造方法的另一个具体实施例的流程图；
图10(a)、图11(a)、图12(a)、图13(a)、图14(a)、图15(a)根据本发明的六个具体实施例在执行了图9所示步骤S503后硅衬底背面局部结构的俯视示意图；
图10(b)、图11(b)、图12(b)、图13(b)、图14(b)、图15(b)分别是在图10(a)、图11(a)、图12(a)、图13(a)、图14(a)、图15(a)所示结构上形成背面电极后的结构示意图。
附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。
具体实施方式
为了更好地理解和阐释本发明，下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述。
实施例一：
本发明提供了一种太阳能电池的制造方法，该制造方法主要适用于SE电池的生产。请参考图2，图2是根据本发明的一个具体实施例的太阳能电池的制造方法流程图。如图所示，该制造方法包括：
在步骤S101中，提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
在步骤S102中，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S103中，在所述硅衬底的所述正面形成减反射层；
在步骤S104中，在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触，所述背面电极与所述硅衬底的背面形成欧姆接触。
具体地，下面对上述步骤S101至步骤S104进行详细说明。
在步骤S101中，首先提供硅衬底。材质方面，该硅衬底可以是单晶硅、多晶硅或准单晶硅；掺杂类型方面，该硅衬底可以是P型硅也可以是N型硅。接着在硅衬底的表面(通常是正面)形成绒面结构。在硅衬底的表面形成绒面结构有利于提高硅衬底的陷光效果。其中，可以利用腐蚀性溶液对硅衬底的表面进行腐蚀来形成绒面结构，也可以采用干法制绒的方式在硅衬底的表面形成绒面结构。
在制造太阳能电池之前，需要在硅衬底的正面预先确定用于印刷正面电极的区域。在本文中，将该区域称为正面电极区。优选地，正面电极区与正面电极的图案相同。但考虑到丝网印刷工艺的对位精度存在一定限制，为了确保正面电极不会偏离正面电极区，正面电极区的宽度大于正面电极的宽度。进一步地，正面电极区又分为中心区域(下文称为第一中心区域)以及位于该第一中心区域两侧的区域(下文称为第一两侧区域)。
在步骤S102中，在硅衬底表面形成绒面结构后，在硅衬底的正面形成选择发射极结构。
在一个具体实施例中，在硅衬底的正面形成选择性发射极结构的步骤为：在正面电极区第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在正面电极区第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在硅衬底正面位于第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第二重掺杂区的表面掺杂浓度。此处需要说明的是，第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区中的掺杂杂质与硅衬底中杂质类型相反。优选地，上述步骤可以通过扩散和激光掺杂的方式实现。下面以硅衬底是P型硅衬底为例进行说明。具体地，首先将P型硅衬底放置在充满POCl3、氧气和氮气的氛围中进行扩散，以实现对硅衬底正面的轻掺杂，其中，轻掺杂后硅衬底的表面掺杂浓度的范围是5×1019cm-3至5×1020cm-3；扩散后硅衬底正面形成第一玻璃，在本实施例中第一玻璃是磷硅玻璃(PSG，PhosphoSilicate Glass)，接着以磷硅玻璃为掺杂源，利用激光对第一中心区域的部分或全部区域进行扫描、以及利用激光对第一两侧区域的部分区域进行扫描，激光束的高能量密度使磷硅玻璃瞬间熔化，其中的磷原子快速扩散进入硅片，以提高激光扫描区域的表面掺杂浓度，从而在第一中心区域中的部分或全部区域形成第一重掺杂区、以及在第一两侧区域中的部分区域形成第二重掺杂区。此时，硅衬底正面除了第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域仍保持轻掺杂，下文中将该区域称为第一轻掺杂区。需要说明的是，通过控制激光扫描的图案来控制第一重掺杂区和第二重掺杂区的形状，通过激光参数的设置来控制第一重掺杂区和第二重掺杂区的表面掺杂浓度，使得第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第二重掺杂的表面掺杂浓度。在本实施例中，激光参数设置为：波长1064nm，功率10W-50W，脉冲频率50KHz-100KHz，扫描速度15m/s-30m/s。第一重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第二重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。本领域技术人员可以理解的是，除了通过扩散和激光掺杂的方式实现上述步骤之外，还可以通过其他方式在硅衬底的正面形成第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，为了简明起见，在此不再对所有可能的方式进行一一列举。在形成第一重掺杂区、第二重掺杂区和第一轻掺杂区后，去除扩散在硅衬底表面所形成的第一玻璃以及周边的PN结。
在另一个具体实施例中，在硅衬底的正面形成选择性发射极结构的步骤为：在正面电极区第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在正面电极区第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在硅衬底正面位于第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于第二重掺杂区的表面掺杂浓度。此处需要说明的是，第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区中的掺杂杂质与硅衬底中杂质类型相反。优选地，上述步骤可以通过扩散和激光掺杂的方式实现。下面仍以硅衬底是P型硅衬底为例进行说明。具体地，首先将P型硅衬底放置在充满POCl3、氧气和氮气的氛围中进行扩散，以实现对硅衬底正面的轻掺杂，其中，轻掺杂后硅衬底的表面掺杂浓度的范围是5×1019cm-3至5×1020cm-3；接着，以扩散后在硅衬底正面所形成的磷硅玻璃为掺杂源，利用激光对第一中心区域的部分或全部区域进行扫描、以及利用激光对第一两侧区域的全部区域进行扫描，激光束的高能量密度使磷硅玻璃瞬间熔化，其中的磷原子快速扩散进入硅片，以提高激光扫描区域的表面掺杂浓度，从而在第一中心区域中的部分或全部区域形成第一重掺杂区、以及在第一两侧区域中的全部区域形成第二重掺杂区。此时，硅衬底正面除了第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域为第一轻掺杂区。需要说明的是，通过控制激光扫描的图案来控制第一重掺杂区和第二重掺杂区的形状，通过激光参数的设置来控制第一重掺杂区和第二重掺杂区的表面掺杂浓度，使得第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于第二重掺杂的表面掺杂浓度。在本实施例中，激光参数设置为：波长1064nm，功率10W-50W，脉冲频率50KHz-100KHz，扫描速度15m/s-30m/s。第一重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第二重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。本领域技术人员可以理解的是，除了通过扩散和激光掺杂的方式实现上述步骤之外，还可以通过其他方式在硅衬底的正面形成第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，为了简明起见，在此不再对所有可能的方式进行一一列举。在形成第一重掺杂区、第二重掺杂区和第一轻掺杂区后，去除扩散在硅衬底表面所形成的第一玻璃以及周边的PN结。
针对于在正面电极区第一中心区域的部分区域内形成第一重掺杂区的情况来说，在本实施例中，第一重掺杂区包括多个第一掺杂单元，该第一掺杂单元离散地分布在第一中心区域内。本发明对于第一掺杂单元的形状没有任何限定，该第一掺杂单元的形状可以是规则几何图形，例如圆形、矩形、环形、三角形等，也可以是不规则几何图形。此外，构成第一重掺杂区的多个第一掺杂单元可以形状相同、也可以形状不同。
针对于在正面电极区第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区的情况来说，在本实施例中，第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元，该第二掺杂单元离散地分布在第一两侧区域内。本发明对于第二掺杂单元的形状没有任何限定，该第二掺杂单元的形状可以是规则几何图形，例如圆形、矩形、环形、三角形等，也可以是不规则几何图形。此外，构成第二重掺杂区的多个第二掺杂单元可以形状相同、也可以形状不同。
优选地，针对于第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元且该多个第二掺杂单元离散分布在第一两侧区域内的情况来说，靠近第一中心区域的第二掺杂单元密集排布、远离第一中心区域的第二掺杂单元稀疏排布，即，该多个第二掺杂单元的排列密度随着远离第一中心区域的方向减小。
优选地，针对于第一重掺杂区包括多个第一掺杂单元且该多个第一掺杂单元离散地分布在第一中心区域内、以及第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元且该多个第二掺杂单元离散地分布在第一两侧区域内的情况来说，第一掺杂单元的排列密度大于第二掺杂单元的排列密度，即，相较于第一两侧区域来说第一中心区域的重掺杂区排列的更为紧密。
下面，以具体实施例对第一重掺杂区和第二重掺杂区的多种情形进行说明。
请参考图3(a)，图3(a)是根据本发明的一个具体实施例在执行了图2所示步骤S102后硅衬底正面局部结构的俯视示意图。需要说明的是，附图标记10代表硅衬底正面的局部区域，附图标记501代表第一重掺杂区，附图502代表第二重掺杂区。如图所示，在本实施例中，正面电极区的第一中心区域全部被重掺杂以形成第一重掺杂区501，正面电极区的第一两侧区域全部被重掺杂以形成第二重掺杂区502。第一重掺杂区501的表面掺杂浓度大于第二重掺杂区502的表面掺杂浓度。
请参考图4(a)，图4(a)是根据本发明的另一个具体实施例在执行了图2所示步骤S102后硅衬底正面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，正面电极区的第一中心区域全部被重掺杂以形成第一重掺杂区501，正面电极区的第一两侧区域部分被重掺杂以形成第二重掺杂区502，其中，第二重掺杂区502由多个呈矩形状的第二掺杂单元构成，该多个矩形状第二掺杂单元平行于第二重掺杂区501排列，该多个矩形状第二掺杂单元之间的间距随着远离第一中心区域而逐渐增加。第一重掺杂区501的表面掺杂浓度大于等于第二重掺杂区502的表面掺杂浓度。
请参考图5(a)，图5(a)是根据本发明的又一个具体实施例在执行了图2所示步骤S102后硅衬底正面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，正面电极区的第一中心区域全部被重掺杂以形成第一重掺杂区501，正面电极区的第一两侧区域部分被重掺杂以形成第二重掺杂区502，其中，第二重掺杂区502由多个呈矩形状的第二掺杂单元构成，该多个矩形状第二掺杂单元垂直于第二重掺杂区501并以等间距的方式进行排列。第一重掺杂区501的表面掺杂浓度大于等于第二重掺杂区502的表面掺杂浓度。
请参考图6(a)，图6(a)是根据本发明的又一个具体实施例在执行了图2所示步骤S102后硅衬底正面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，正面电极区的第一中心区域全部被重掺杂以形成第一重掺杂区501，正面电极区的第一两侧区域部分被重掺杂以形成第二重掺杂区502，其中，第二重掺杂区502由多个呈圆形的第二掺杂单元构成，该多个圆形第二掺杂单元均匀分布在第一两侧区域内。第一重掺杂区501的表面掺杂浓度大于等于第二重掺杂区502的表面掺杂浓度。
请参考图7(a)，图7(a)是根据本发明的又一个具体实施例在执行了图2所示步骤S102后硅衬底正面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，正面电极区的第一中心区域部分被重掺杂以形成第一重掺杂区501，其中，第一重掺杂区501由多个呈圆形的第一掺杂单元构成，该多个圆形第一掺杂单元均匀分布在第一中心区域内。正面电极区的第一两侧区域全部被重掺杂以形成第二重掺杂区502。第一重掺杂区501的表面掺杂浓度大于第二重掺杂区502的表面掺杂浓度。
请参考图8(a)，图8(a)是根据本发明的又一个具体实施例在执行了图2所示步骤S102后硅衬底正面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，正面电极区的第一中心区域部分被重掺杂以形成第一重掺杂区501，其中，第一重掺杂区501由多个呈矩形状的第一掺杂单元构成，该多个矩形状第一掺杂单元在第一中心区域内等间距排列。正面电极区的第一两侧区域部分被重掺杂以形成第二重掺杂区502，其中，第二重掺杂区502由多个呈圆形的第二掺杂单元构成，该多个圆形第二掺杂单元均匀分布在第一两侧区域内。第一掺杂单元的排列密度大于第二掺杂单元的排列密度。第一重掺杂区501的表面掺杂浓度大于等于第二重掺杂区502的表面掺杂浓度。
本领域技术人员可以理解的是，第一重掺杂区和第二重掺杂区的形状以及分布并不仅仅限于上述示意性举例，为了简明起见，在此不再对第一重掺杂区和第二重掺杂区的所有可能进行一一列举。
在步骤S103中，利用诸如PECVD工艺等方式在硅衬底的正面形成减反射层。在本实施例中，减反射层是SixNy膜。在硅衬底的正面形成减反射层为本领域的常规技术手段，为了简明起见，在此不再赘述。
在步骤S104中，对硅衬底进行金属电极的丝网印刷以及烧结，以在硅衬底上形成正面电极和背面电极。其中，丝网印刷时尽可能对准正面电极区的第一中心区域印刷正面电极浆料，从而使得烧结后正面电极透过减反射层可以与正面电极区的第一中心区域形成欧姆接触。丝网印刷以及烧结以形成SE电池的正面电极和背面电极为本领域的常规技术手段，为了简明起见，在此不再赘述。图3(b)、图4(b)、图5(b)、图6(b)、图7(b)、图8(b)分别是在图3(a)、图4(a)、图5(a)、图6(a)、图7(a)、图8(a)所示结构上形成正面电极后的结构示意图。此处需要说明的是，为了示出正面电极与正面电极区之间的位置关系，图3(b)、图4(b)、图5(b)、图6(b)、图7(b)、图8(b)中省略了减反射层的绘制。如图所示，正面电极30形成在正面电极区的第一中心区域内，与第一重掺杂区501形成欧姆接触。还需要说明的是，图中所示的正面电极形成在正面电极区的第一中心区域内是最优情况，在实际生产中由于丝网印刷工艺的限制，正面电极还有可能偏离第一中心区域与第一两侧区域形成欧姆接触。
优选地，为了确保正面电极不会偏离正面电极区，正面电极区的宽度(图中以L2表示)设置为正面电极宽度(图中以L1表示)的3～5倍，第一中心区域的宽度(图中以L3表示)设置为正面电极宽度的1～2倍。本领域技术人员可以理解的是，正面电极区宽度以及第一中心区域宽度的设置可以根据实际设计需求来制定。
在本发明所提供的太阳能电池制造方法中，在对硅衬底正面的正面电极区进行重掺杂时，一种方式是在正面电极区第一中心区域的部分或全部区域形成第一重掺杂区、在正面电极区第一两侧区域的部分区域进行重掺杂形成第二重掺杂区、以及在第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域形成第一轻掺杂区，其中，第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第二重掺杂区的表面掺杂浓度；另一种方式是在正面电极区第一中心区域的部分或全部区域形成第一重掺杂区、在正面电极区第一两侧区域的全部区域进行重掺杂形成第二重掺杂区、以及在第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域形成第一轻掺杂区，其中，第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于第二重掺杂区的表面掺杂浓度。针对于上述两种方式来说，一方面，在正面电极区形成正面电极时，无论正面电极对准形成在第一中心区域上、还是偏离至第一两侧区域，由于正面电极区第一中心区域和第一两侧区域中的至少部分区域均存在重掺杂，因此可以有效地保证正面电极与硅衬底之间良好的欧姆接触；另一方面，由于正面电极区中第一两侧区域局部重掺杂、或全部重掺杂但是表面掺杂浓度低于第一中心区域的表面掺杂浓度，因此，与现有技术中正面电极区的全部区域以相同的浓度进行重掺杂相比，本发明可以有效地减小正面电极区中第一两侧区域中重掺杂区的面积、或降低正面电极区中第一两侧区域的表面掺杂浓度，从而有效降低正面电极区中未被正面电极所覆盖的区域内的复合程度，进而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。进一步地，针对于正面电极区中第一两侧区域局部重掺杂的情况来说，第一两侧区域中重掺杂区的排列密度随远离第一中心区域的方向减小、以及第一两侧区域中重掺杂区域的排列密度小于第一中心区域中重掺杂区的排列密度，可以更进一步降低第一两侧区域内的复合程度。
实施例二：
本发明还提供了一种太阳能电池，具体为SE电池。该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面包括用于印刷正面电极的正面电极区，该正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面。
下面，对上述太阳能电池的各个组成部分进行详细说明。
具体地，材质方面，硅衬底可以是单晶硅、多晶硅或准单晶硅；掺杂类型方面，硅衬底可以是P型硅也可以是N型硅。在本实施例中，硅衬底的表面(通常是正面)具有绒面结构。硅衬底的正面包括用于印刷正面电极的正面电极区。正面电极区在硅衬底上的具体位置通常预先设计好，正面电极形成时只需位于该正面电极区内即可。进一步地，正面电极区又分为第一中心区域以及位于该第一中心区域两侧的第一两侧区域。
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区形成在硅衬底中。
在一个具体实施例中，第一重掺杂区形成于正面电极区第一中心区域的部分或全部区域内，第二重掺杂区形成于正面电极区第一两侧区域的部分区域内，第一轻掺杂区形成于硅衬底正面位于第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第二重掺杂区的表面掺杂浓度。此处需要说明的是，第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区中的掺杂杂质与硅衬底中杂质类型相反。在本实施例中，第一重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第二重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3，第一轻掺杂区的掺杂浓度范围是5×1019cm-3至5×1020cm-3。
在另一个具体实施例中，第一重掺杂区形成于正面电极区第一中心区域的部分或全部区域内，第二重掺杂区形成于正面电极区第一两侧区域的全部区域内，第一轻掺杂区形成于硅衬底正面位于第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，第一重掺杂区、第二重掺杂区和轻掺杂区中掺杂杂质的类型与硅衬底的类型相反，第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于第二重掺杂区的表面掺杂浓度。在本实施例中，第一重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第二重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3，第一轻掺杂区的掺杂浓度范围是5×1019cm-3至5×1020cm-3。
针对于在正面电极区第一中心区域的部分区域内形成第一重掺杂区的情况来说，在本实施例中，第一重掺杂区包括多个第一掺杂单元，该第一掺杂单元离散地分布在第一中心区域内。本发明对于第一掺杂单元的形状没有任何限定，该第一掺杂单元的形状可以是规则几何图形，例如圆形、矩形、环形、三角形等，也可以是不规则几何图形。此外，构成第一重掺杂区的多个第一掺杂单元可以形状相同、也可以形状不同。
针对于在正面电极区第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区的情况来说，在本实施例中，第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元，该第二掺杂单元离散地分布在第一两侧区域内。本发明对于第二掺杂单元的形状没有任何限定，该第二掺杂单元的形状可以是规则几何图形，例如圆形、矩形、环形、三角形等，也可以是不规则几何图形。此外，构成第二重掺杂区的多个第二掺杂单元可以形状相同、也可以形状不同。
优选地，针对于第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元且该多个第二掺杂单元离散分布在第一两侧区域内的情况来说，靠近第一中心区域的第二掺杂单元密集排布、远离第一中心区域的第二掺杂单元稀疏排布，即，该多个第二掺杂单元的排列密度随着远离第一中心区域的方向减小。
优选地，针对于第一重掺杂区包括多个第一掺杂单元且该多个第一掺杂单元离散地分布在第一中心区域内、以及第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元且该多个第二掺杂单元离散地分布在第一两侧区域内的情况来说，第一掺杂单元的排列密度大于第二掺杂单元的排列密度，即，相较于第一两侧区域来说第一中心区域的重掺杂区排列的更为紧密。
图3(a)、图4(a)、图5(a)、图6(a)、图7(a)、图8(a)是第一重掺杂区和第二重掺杂区不同情况的示意图。针对于图3(a)、图4(a)、图5(a)、图6(a)、图7(a)、图8(a)的描述可以参考实施例一中相应部分的内容。
减反射层设置在硅衬底的正面上。在本实施例中，减反射层是SixNy膜。
正面电极设置在硅衬底的正面、透过减反射层与正面电极区形成欧姆接触。图3(a)、图4(a)、图5(a)、图6(a)、图7(a)、图8(a)分别是在图3(b)、图4(b)、图5(b)、图6(b)、图7(b)、图8(b)所示结构上形成正面电极后的结构示意图。针对于图3(b)、图4(b)、图5(b)、图6(b)、图7(b)、图8(b)的描述可以参考实施例一中相应部分的内容。
优选地，为了确保正面电极不会偏离正面电极区，正面电极区的宽度(图中以L2表示)设置为正面电极宽度(图中以L1表示)的3～5倍，第一中心区域的宽度(图中以L3表示)设置为正面电极宽度的1～2倍。本领域技术人员可以理解的是，正面电极区宽度以及第一中心区域宽度的设置可以根据实际设计需求来制定。背面电极设置在硅衬底的背面。正面电极和背面电极的图案、材料等均为现有技术，为了简明起见，在此不再赘述。
本发明所提供的太阳能电池其用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域，第一重掺杂区形成于第一中心区域的部分或全部区域内，第二重掺杂区形成于第一两侧区域的部分区域内，第一轻掺杂区形成于硅衬底正面位于第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第二重掺杂区的表面掺杂浓度，又或者，第一重掺杂区形成于第一中心区域的部分或全部区域内，第二重掺杂区形成于第一两侧区域的全部区域内，第一轻掺杂区形成于硅衬底正面位于第一重掺杂区和第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于第二重掺杂区的表面掺杂浓度。基于上述结构的太阳能电池，一方面，正面电极形成在正面电极区上，无论正面电极对准形成在第一中心区域上、还是偏离至第一两侧区域，由于第一中心区域和第一两侧区域中的至少部分区域均存在重掺杂，因此可以有效地保证正面电极与硅衬底之间良好的欧姆接触；另一方面，由于正面电极区中第一两侧区域局部重掺杂、或全部重掺杂但是表面掺杂浓度低于第一中心区域的表面掺杂浓度，因此，与现有技术中正面电极区的全部区域以相同的浓度进行重掺杂的SE电池相比，本发明所提供的太阳能电池可以有效地减小正面电极区中第一两侧区域中重掺杂区的面积、或降低正面电极区中第一两侧区域的表面掺杂浓度，从而有效降低正面电极区中未被正面电极所覆盖的区域内的复合程度，进而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例三：
本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法，适用于SE-PERC电池的生产。该制造方法包括：
在步骤S201中，提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
在步骤S202中，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S203中，在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
在步骤S204中，在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述硅衬底的背面形成欧姆接触。
下面对上述步骤S201至步骤S204进行说明。
具体地，本实施例中的步骤S201和步骤S202与实施例一中的步骤S101至步骤S102相同，因此可以参考前文中相应部分的内容，为了简明起见，在此不再赘述。
在步骤S203中，在本实施例中，按照“减反射膜-钝化膜-保护膜”的顺序对硅衬底进行镀膜。其中，减反射膜的形成可以参考实施例一中步骤S104的内容，为了简明起见，在此不再重复说明。在本实施例中，钝化膜利用原子层淀积(ALD，Atomic Layer Deposition)工艺形成，保护膜利用PECVD工艺形成。优选地，钝化膜是Al2O3膜，保护膜是SixNy膜。在硅衬底的背面形成钝化膜和保护膜是本领域的常规技术手段，为了简明起见，在此不再赘述。在硅衬底背面形成钝化膜和保护膜，可以有效地降低太阳能电池表面的复合速率、以及提高太阳能电池的效率。
步骤S204中，正面电极的形成可以参考实施例一中步骤S104的内容，为了简明起见，在此不再重复说明。针对于背面电极来说，若硅衬底是P型、背面电极为铝电极的情况下，由于目前常用的铝浆很难烧穿叠层膜，因此需要对叠层膜进行激光开窗以露出硅衬底的背面，然后丝网印刷铝浆使其进入开窗区域，如此一来，烧结后所形成的铝电极可以与硅衬底的背面形成欧姆接触。若硅衬底是N型、背面电极为银电极的情况下则可以不用对叠层膜进行开窗，直接进行丝网印刷以及烧结，烧结后所形成的银电极透过叠层膜与硅衬底的背面形成欧姆接触。
本发明所提供的SE-PERC电池的制造方法可以有效降低正面电极区中未被正面电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例四：
本发明提供了一种太阳能电池，具体为SE-PERC电池。该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面包括用于印刷正面电极的正面电极区，该正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述硅衬底的背面形成欧姆接触。
本实施例中的太阳能电池与实施例二中的太阳能电池之间的区别在于：在本实施例中硅衬底背面还设置有叠层膜。为了简明起见，下面仅仅对叠层膜的结构进行说明，硅衬底、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区、减反射层以及正面电极的结构请参考实施例二中相应部分的内容，在此不再赘述。
在本实施例中，叠层膜包括钝化膜和保护膜，其中，钝化膜是Al2O3膜，保护膜是SixNy膜。在硅衬底背面形成钝化膜和保护膜，可以有效地降低太阳能电池表面的复合速率、以及提高太阳能电池的效率。
相应地，背面电极设置在硅衬底的背面、透过钝化膜和保护膜与硅衬底形成欧姆接触。
本发明所提供的SE-PERC电池可以有效降低正面电极区中未被正面电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例五：
本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法，适用于SE-PERL电池的生产。该制造方法包括：
在步骤S301中，提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
在步骤S302中，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S303中，对所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区进行重掺杂，其中，掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同；
在步骤S304中，在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
在步骤S305中，在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
下面，对上述步骤S301至步骤S305进行说明。
具体地，本实施例中的步骤S301和步骤S302与实施例三中的步骤S201至步骤S202相同，因此可以参考前文中相应部分的内容，为了简明起见，在此不再赘述。
在步骤S303中，硅衬底的背面包括用于印刷背面电极的区域，下文中将该区域称为背面电极区。背面电极区在硅衬底上的具体位置通常预先设计好，后续步骤中只要在该背面电极区内形成背面电极即可。优选地，背面电极区与背面电极的图案相同，且背面电极区的宽度大于背面电极的宽度(以保证背面电极不会偏离背面电极区)。对硅衬底背面的整个背面电极区进行重掺杂以实现对硅衬底背面的局部重掺杂，其中，掺杂杂质的类型与硅衬底的类型相同。举例说明，若硅衬底是P型，则对背面电极区进行P型杂质(例如硼)的重掺杂；反之，若硅衬底是N型，则对背面电极区进行N型杂质(例如磷)的重掺杂。本实施例中对硅衬底的背面电极区进行重掺杂的步骤与现有技术中PERL电池背面局部重掺杂的步骤相同，因此，重掺杂的实现方法以及所涉及的工艺参数(例如表面掺杂浓度等)可以参考现有技术中PERL电池中的相应工艺，为了简明起见，在此不再赘述。
本实施例中的步骤S304与实施例三中的步骤S203相同，因此可以参考前文中相应部分的内容，为了简明起见，在此不再赘述。
在步骤S305中，正面电极的形成可以参考实施例三中步骤S204的内容，为了简明起见，在此不再重复说明。针对于背面电极来说，若硅衬底是P型、背面电极为铝电极的情况下，在叠层膜与背面电极区对应的位置上进行激光开窗以露出硅衬底的背面电极区，然后丝网印刷铝浆使其进入开窗区域，如此一来，烧结后所形成的铝电极可以与硅衬底的背面电极区形成欧姆接触。若硅衬底是N型、背面电极为银电极的情况下则可以不用对叠层膜进行开窗，直接在叠层膜与背面电极区对应的位置上进行丝网印刷以及烧结，烧结后所形成的银电极透过叠层膜与硅衬底的背面电极区形成欧姆接触。
本发明所提供的SE-PERL电池的制造方法可以有效降低正面电极区中未被正面电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例六：
本发明还提供了一种太阳能电池，具体为SE-PERL电池。该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面和背面分别包括用于印刷正面电极的正面电极区和用于印刷背面电极的背面电极区，其中，所述正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
背面重掺杂区，所述背面重掺杂区形成于所述硅衬底背面与所述背面电极对应的区域内，所述背面重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本实施例中的太阳能电池与实施例四中的太阳能电池之间的区别在于：在本实施例中硅衬底背面设置有背面重掺杂区，背面电极透过叠层膜与该背面重掺杂区进行欧姆接触。为了简明起见，下面仅仅对背面重掺杂区的结构进行说明，硅衬底、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区、减反射层、叠层膜以及正面电极的结构请参考实施例四中相应部分的内容，在此不再赘述。
硅衬底的背面包括用于印刷背面电极的背面电极区域。背面电极区在硅衬底上的具体位置通常预先设计好，后续步骤中只要在该背面电极区内形成背面电极即可。优选地，背面电极区与背面电极的图案相同，且背面电极区的宽度大于背面电极的宽度。在本实施例中，通过对整个背面电极区进行重掺杂以形成背面重掺杂区(即背面重掺杂区形成于背面电极区的全部区域内)，其中，背面重掺杂区中掺杂杂质的类型与硅衬底的类型相反。本实施例中的背面重掺杂区与现有技术中PERL电池背面局部重掺杂区结构相同，因此，背面重掺杂区所涉及的工艺参数(例如表面掺杂浓度等)可以参考现有技术中PERL电池中相应结构的工艺参数，为了简明起见，在此不再赘述。
相应地，背面电极设置在硅衬底的背面、透过钝化膜和保护膜与硅衬底背面的背面重掺杂区形成欧姆接触。
本发明所提供的SE-PERL电池可以有效降低正面电极区中未被正面电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例七：
本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法，适用于SE-PERT电池的生产。该制造方法包括：
在步骤S401中，提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
在步骤402中，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S403中，对所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区进行重掺杂以及对所述硅衬底背面电极区之外的其他区域进行轻掺杂，其中，掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同；
在步骤S404中，在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
在步骤S405中，在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
需要说明的是，本实施例中的步骤S401、步骤S402、步骤S404以及步骤S405分别与实施例五中的步骤S301、步骤S302、步骤S304以及步骤S305相同，因此可以参考前文中相应部分的内容，为了简明起见，在此不再赘述。下面仅对步骤S403进行详细说明。
在步骤S403中，硅衬底的背面包括用于印刷背面电极的背面电极区。背面电极区在硅衬底上的具体位置通常预先设计好，后续步骤中只要在该背面电极区内形成背面电极即可。优选地，背面电极区与背面电极的图案相同，且背面电极区的宽度大于背面电极的宽度(以保证背面电极不会偏离背面电极区)。对整个背面电极区进行重掺杂以及对硅衬底背面位于背面电极区之外的其他区域进行轻掺杂，其中，掺杂杂质的类型与硅衬底的类型相同。本步骤与现有技术中PERT电池硅衬底背面轻掺杂、局部重掺杂的步骤相同，因此，本步骤的实现方法以及所涉及的工艺参数(例如表面掺杂浓度等)可以参考现有技术中PERT电池的相应工艺，为了简明起见，在此不再赘述。
本发明所提供的SE-PERT电池的制造方法可以有效降低正面电极区中未被正面电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例八：
本发明还提供了一种太阳能电池，具体为SE-PERT电池。该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面和背面分别包括用于印刷正面电极的正面电极区和用于印刷背面电极的背面电极区，其中，所述正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
背面重掺杂区和背面轻掺杂区，所述背面重掺杂区形成于所述硅衬底背面与所述背面电极对应的区域内，所述背面轻掺杂区形成于所述硅衬底背面位于所述背面重掺杂区之外的其他区域内，所述背面重掺杂区和所述背面轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本实施例中的太阳能电池与实施例四中的太阳能电池之间的区别在于：在本实施例中硅衬底背面设置有背面重掺杂区和背面轻掺杂区，背面电极透过叠层膜与该背面重掺杂区进行欧姆接触。为了简明起见，下面仅仅对背面重掺杂区和背面轻掺杂区的结构进行说明，硅衬底、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区、减反射层、叠层膜以及正面电极的结构请参考实施例四中相应部分的内容，在此不再赘述。
硅衬底的背面包括用于印刷背面电极的背面电极区域。背面电极区在硅衬底上的具体位置通常预先设计好，后续步骤中只要在该背面电极区内形成背面电极即可。优选地，背面电极区与背面电极的图案相同，且背面电极区的宽度大于背面电极的宽度。在本实施例中，通过对整个背面电极区进行重掺杂以形成背面重掺杂区(即背面重掺杂区形成于背面电极区的全部区域内)、以及通过对硅衬底背面位于背面电极区之外的其他区域进行轻掺杂以形成背面轻掺杂区(即背面轻掺杂区形成于硅衬底背面位于背面电极区之外的其他区域)，其中，背面重掺杂区和背面轻掺杂区中掺杂杂质的类型与硅衬底的类型相反。本实施例中的背面重掺杂区和背面轻掺杂区与现有技术中PERT电池硅衬底背面的轻掺杂区以及局部重掺杂区的结构相同，因此，本实施例中背面重掺杂区和背面轻掺杂区所涉及的工艺参数(例如表面掺杂浓度等)可以参考现有PERT电池中相应结构的工艺参数，为了简明起见，在此不再赘述。
相应地，背面电极设置在硅衬底的背面、透过钝化膜和保护膜与硅衬底背面的背面重掺杂区形成欧姆接触。
本发明所提供的SE-PERT电池可以有效降低正面电极区中未被正面电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例九：
本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法，适用于PERL电池的生产。请参考图9，图9是根据本发明的另一个具体实施例的太阳能电池的制造方法流程图。如图所示，该制造方法包括：
在步骤S501中，提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
在步骤S502中，在所述硅衬底的正面形成PN结；
在步骤S503中，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S504中，在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
在步骤S505中，在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
下面，对上述步骤S501至步骤S505进行详细说明。
具体地，在步骤S501中，首先提供硅衬底。材质方面，该硅衬底可以是单晶硅、多晶硅或准单晶硅；掺杂类型方面，该硅衬底可以是P型硅也可以是N型硅。接着在硅衬底的表面(通常是正面)形成绒面结构。在硅衬底的表面形成绒面结构有利于提高硅衬底的陷光效果。其中，可以利用腐蚀性溶液对硅衬底的表面进行腐蚀来形成绒面结构，也可以采用干法制绒的方式在硅衬底的表面形成绒面结构。
在制造太阳能电池之前，需要在硅衬底的背面预先确定用于印刷背面电极的背面电极区。优选地，背面电极区与背面电极的图案相同。为了确保背面电极不会偏离背面电极区，背面电极区的宽度大于背面电极的宽度。进一步地，背面电极区又分为中心区域(下文称为第二中心区域)以及位于该第二中心区域两侧的区域(下文称为第二两侧区域)。
在步骤S502中，在硅衬底表面形成绒面结构后，对硅衬底的正面进行掺杂以形成PN结，其中，掺杂杂质的类型与硅衬底的类型相反。PN结的形成是本领域的惯用技术手段，为了简明起见，在此不再赘述。
在步骤S503中，在一个具体实施例中，在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区，其中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。此处需要说明的是，第三重掺杂区和第四重掺杂区中的掺杂杂质与硅衬底中杂质类型相同。举例说明，若硅衬底是P型，则第三重掺杂区和第四重掺杂区中的掺杂杂质是N型；反之若硅衬底是N型，则第三重掺杂区和第四重掺杂区中的掺杂杂质是P型。针对于第三重掺杂区的表面掺杂浓度等于第四重掺杂区表面掺杂区浓度的情况，具体实现步骤如下：在硅衬底的背面形成掩膜层并对掩膜层进行激光开窗，其中，开窗使第二中心区域的部分或全部区域暴露、以及使第二两侧区域的部分区域暴露。接着对硅衬底的背面进行掺杂，由于掩膜层的存在，因此只能对背面电极区暴露的区域进行掺杂。掺杂结束后，清洗硅衬底的表面去除掩膜层。如此一来，实现了在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区以及在第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区、且第三重掺杂区的表面掺杂浓度等于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。针对于第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区表面掺杂区浓度的情况，具体实现步骤如下：先在硅衬底的背面形成第一掩膜层并对该第一掩膜层进行激光开窗，开窗使第二中心区域的部分或全部区域暴露、以及使第二两侧区域部分区域暴露；接着对硅衬底的背面进行掺杂，并在掺杂结束后去除第二掩膜层；然后在硅衬底的背面形成第二掩膜层并对该第二掩膜层进行激光开窗，开窗仅使第二中心区域的部分或全部区域暴露，其中，第二中心区域的暴露区域与第一掩膜层开窗后暴露的区域相同；接着对硅衬底的背面进行掺杂，并在掺杂结束后去除第二掩膜层。如此一来，实现了在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区以及在第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区、且第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。在本实施例中，在本实施例中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第四重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。
在另一个具体实施例中，在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区，其中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区的表面掺杂浓度相同。此处需要说明的是，第三重掺杂区和第四重掺杂区中的掺杂杂质与硅衬底中杂质类型相同。上述步骤可以利用掩膜层通过二次掺杂实现。首先在硅衬底的背面形成第一掩膜层并对该第一掩膜层进行激光开窗，开窗使第二中心区域的部分或全部区域暴露、以及使第二两侧区域全部区域暴露；接着对硅衬底的背面进行掺杂，并在掺杂结束后去除第二掩膜层；然后在硅衬底的背面形成第二掩膜层并对该第二掩膜层进行激光开窗，开窗仅使第二中心区域的部分或全部区域暴露，其中，第二中心区域的暴露区域与第一掩膜层开窗后暴露的区域相同；接着对硅衬底的背面进行掺杂，并在掺杂结束后去除第二掩膜层。如此一来，实现了在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区以及在第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区、且第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。在本实施例中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第四重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。
本领域的技术人员应当理解的是，除了上述步骤之外，还可以通过其他方式形成第三重掺杂区和第四重掺杂区，为了简明起见，在此不再对所有可能的方式进行一一列举。
针对于在背面电极区第二中心区域的部分区域内形成第三重掺杂区的情况来说，在本实施例中，第三重掺杂区包括多个第三掺杂单元，该第三掺杂单元离散地分布在第二中心区域内。本发明对于第三掺杂单元的形状没有任何限定，该第三掺杂单元的形状可以是规则几何图形，例如圆形、矩形、环形、三角形等，也可以是不规则几何图形。此外，构成第三重掺杂区的多个第三掺杂单元可以形状相同、也可以形状不同。
针对于在背面电极区第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区的情况来说，在本实施例中，第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元，该第四掺杂单元离散地分布在第二两侧区域内。本发明对于第四掺杂单元的形状没有任何限定，该第四掺杂单元的形状可以是规则几何图形，例如圆形、矩形、环形、三角形等，也可以是不规则几何图形。此外，构成第四重掺杂区的多个第四掺杂单元可以形状相同、也可以形状不同。
优选地，针对于第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元且该多个第四掺杂单元离散分布在第二两侧区域内的情况来说，靠近第二中心区域的第四掺杂单元密集排布、远离第二中心区域的第四掺杂单元稀疏排布，即，该多个第四掺杂单元的排列密度随着远离第二中心区域的方向减小。
优选地，针对于第三重掺杂区包括多个第三掺杂单元且该多个第三掺杂单元离散地分布在第二中心区域内、以及第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元且该多个第四掺杂单元离散地分布在第二两侧区域内的情况来说，第三掺杂单元的排列密度大于第四掺杂单元的排列密度，即，相较于第二两侧区域来说第二中心区域的重掺杂区排列的更为紧密。
下面，以具体实施例对第三重掺杂区和第四重掺杂区的多种情形进行说明。
请参考图10(a)，图10(a)是根据本发明的一个具体实施例在执行了图9所示步骤S503后硅衬底背面局部结构的俯视示意图。需要说明的是，附图标记20代表硅衬底背面的局部区域，附图标记601代表第三重掺杂区，附图602代表第四重掺杂区。如图所示，在本实施例中，背面电极区的第二中心区域全部被重掺杂以形成第三重掺杂区601，背面电极区的第二两侧区域全部被重掺杂以形成第四重掺杂区602。第三重掺杂区601的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区602的表面掺杂浓度。
请参考图11(a)，图11(a)是根据本发明的另一个具体实施例在执行了图9所示步骤S503后硅衬底背面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，背面电极区的第二中心区域全部被重掺杂以形成第三重掺杂区601，背面电极区的第二两侧区域部分被重掺杂以形成第四重掺杂区602，其中，第四重掺杂区602由多个呈矩形状的第四掺杂单元构成，该多个矩形状第四掺杂单元平行于第四重掺杂区602排列，该多个矩形状第四掺杂单元之间的间距随着远离第二中心区域而逐渐增加。第三重掺杂区601的表面掺杂浓度大于等于第四重掺杂区602的表面掺杂浓度。
请参考图12(a)，图12(a)是根据本发明的又一个具体实施例在执行了图9所示步骤S503后硅衬底背面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，背面电极区的第二中心区域全部被重掺杂以形成第三重掺杂区601，背面电极区的第二两侧区域部分被重掺杂以形成第四重掺杂区602，其中，第四重掺杂区602由多个呈矩形状的第四掺杂单元构成，该多个矩形状第四掺杂单元垂直于第四重掺杂区602并以等间距的方式进行排列。第三重掺杂区601的表面掺杂浓度大于等于第四重掺杂区602的表面掺杂浓度。
请参考图13(a)，图13(a)是根据本发明的又一个具体实施例在执行了图9所示步骤S503后硅衬底背面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，背面电极区的第二中心区域全部被重掺杂以形成第三重掺杂区601，背面电极区的第二两侧区域部分被重掺杂以形成第四重掺杂区602，其中，第四重掺杂区602由多个呈圆形的第四掺杂单元构成，该多个圆形第四掺杂单元均匀分布在第二两侧区域内。第三重掺杂区601的表面掺杂浓度大于等于第四重掺杂区602的表面掺杂浓度。
请参考图14(a)，图14(a)是根据本发明的又一个具体实施例在执行了图9所示步骤S503后硅衬底背面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，背面电极区的第二中心区域部分被重掺杂以形成第三重掺杂区601，其中，第三重掺杂区601由多个呈圆形的第三掺杂单元构成，该多个圆形第三掺杂单元均匀分布在第二中心区域内。背面电极区的第二两侧区域全部被重掺杂以形成第四重掺杂区602。第三重掺杂区601的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区602的表面掺杂浓度。
请参考图15(a)，图15(a)是根据本发明的又一个具体实施例在执行了图9所示步骤S503后硅衬底背面局部结构的俯视示意图。如图所示，在本实施例中，背面电极区的第二中心区域部分被重掺杂以形成第三重掺杂区601，其中，第三重掺杂区601由多个呈矩形状的第三掺杂单元构成，该多个矩形状第三掺杂单元在第二中心区域内等间距排列。背面电极区的第二两侧区域部分被重掺杂以形成第四重掺杂区602，其中，第四重掺杂区602由多个呈圆形的第四掺杂单元构成，该多个圆形第四掺杂单元均匀分布在第二两侧区域内。第三掺杂单元的排列密度大于第四掺杂单元的排列密度。第三重掺杂区601的表面掺杂浓度大于等于第四重掺杂区602的表面掺杂浓度。
本领域技术人员可以理解的是，第三重掺杂区和第四重掺杂区的形状以及分布并不仅仅限于上述示意性举例，为了简明起见，在此不再对第三重掺杂区和第四重掺杂区的所有可能进行一一列举。
在步骤S504中，在本实施例中，按照“减反射膜-钝化膜-保护膜”的顺序对硅衬底进行镀膜。其中，减反射膜利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD，Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)工艺实现，钝化膜利用原子层淀积(ALD，Atomic LayerDeposition)工艺形成，保护膜利用PECVD工艺形成。在本实施例中，减反射膜是SixNy膜，钝化膜是Al2O3膜，保护膜是SixNy膜。在硅衬底的正面形成减反射膜、以及在硅衬底的背面形成钝化膜和保护膜是本领域的常规技术手段，为了简明起见，在此不再赘述。
在步骤S505中，对硅衬底进行金属电极的丝网印刷以及烧结，以在硅衬底上形成正面电极和背面电极。其中，针对于背面电极来说，若硅衬底是P型、背面电极为铝电极的情况下，由于目前常用的铝浆很难烧穿叠层膜，因此需要对叠层膜进行激光开窗以露出硅衬底的背面，其中，开窗位置尽可能对准背面电极区的第二中心区域，然后丝网印刷铝浆使其进入开窗区域，如此一来，使得烧结后所形成的铝电极可以与背面电极区的第二中心区域形成欧姆接触。若硅衬底是N型、背面电极为银电极的情况下则可以不用对叠层膜进行开窗，直接进行丝网印刷以及烧结，其中，丝网印刷时尽可能对准背面电极区的第二中心区域印刷背面电极浆料，从而使得烧结后背面电极透过叠层膜可以与背面电极区的第二中心区域形成欧姆接触。图10(b)、图11(b)、图12(b)、图13(b)、图14(b)、图15(b)分别是在图10(a)、图11(a)、图12(a)、图13(a)、图14(a)、图15(a)所示结构上形成背面电极后的结构示意图。此处需要说明的是，为了示出背面电极与背面电极区之间的位置关系，图10(b)、图11(b)、图12(b)、图13(b)、图14(b)、图15(b)中省略了叠层膜的绘制。如图所示，背面电极40形成在背面电极区的第一中心区域内，与第三重掺杂区601欧姆接触。还需要说明的是，图中所示的背面电极形成在背面电极区的第二中心区域内是最优情况，在实际生产中由于激光开窗以及丝网印刷工艺的限制，背面电极还有可能偏离第二中心区域与第二两侧区域欧姆接触。
优选地，为了确保背面电极不会偏离背面电极区，背面电极区的宽度(图中以L5表示)设置为背面电极宽度(图中以L4表示)的3～5倍，第二中心区域的宽度(图中以L6表示)设置为背面电极宽度的1～2倍。本领域技术人员可以理解的是，背面电极区宽度以及第二中心区域宽度的设置可以根据实际设计需求来制定。
在本发明所提供的太阳能电池制造方法中，在对硅衬底背面的背面电极区进行重掺杂时，一种方式是在背面电极区第二中心区域的部分或全部区域形成第三重掺杂区、在背面电极区第二两侧区域的部分区域进行重掺杂形成第四重掺杂区，其中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第四重掺杂区的表面掺杂浓度；另一种方式是在背面电极区第二中心区域的部分或全部区域形成第三重掺杂区、在背面电极区第二两侧区域的全部区域进行重掺杂形成第四重掺杂区，其中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。针对于上述两种方式来说，一方面，在背面电极区形成背面电极时，无论背面电极对准形成在第二中心区域上、还是偏离至第二两侧区域，由于背面电极区第二中心区域和第二两侧区域中的至少部分区域均存在重掺杂，因此可以有效地保证背面电极与硅衬底之间良好的欧姆接触；另一方面，由于背面电极区中第二两侧区域局部重掺杂、或全部重掺杂但是表面掺杂浓度低于第二中心区域的表面掺杂浓度，因此，与现有技术中背面电极区的全部区域以相同的浓度进行重掺杂相比，本发明可以有效地减小背面电极区中第二两侧区域中重掺杂区的面积、或降低背面电极区中第二两侧区域的表面掺杂浓度，从而有效降低背面电极区中未被背面电极所覆盖的区域内的复合程度，进而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。进一步地，针对于背面电极区中第二两侧区域局部重掺杂的情况来说，第二两侧区域中重掺杂区的排列密度随远离第二中心区域的方向减小、以及第二两侧区域中重掺杂区域的排列密度小于第二中心区域中重掺杂区的排列密度，可以更进一步降低第二两侧区域内的复合程度。
实施例十：
本发明还提供了一种太阳能电池，具体为PERL电池。该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底背面用于印刷电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
PN结，形成于所述硅衬底的正面；
第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的部分区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的全部区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
下面，对上述太阳能电池的各个组成部分进行详细说明。
具体地，材质方面，硅衬底可以是单晶硅、多晶硅或准单晶硅；掺杂类型方面，硅衬底可以是P型硅也可以是N型硅。在本实施例中，硅衬底的表面(通常是正面)具有绒面结构。硅衬底的背面包括用于印刷背面电极的背面电极区。背面电极区在硅衬底上的具体位置通常预先设计好，背面电极形成时只需位于该背面电极区内即可。进一步地，背面电极区又分为第二中心区域以及位于该第二中心区域两侧的第二两侧区域。在硅衬底的正面形成有PN结。
第三重掺杂区和第四重掺杂区形成在硅衬底的背面。
在一个具体实施例中，第三重掺杂区形成于背面电极区第二中心区域的部分或全部区域内，第四重掺杂区形成于背面电极区第二两侧区域的部分区域内，其中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。此处需要说明的是，第三重掺杂区和第四重掺杂区中的掺杂杂质与硅衬底中杂质类型相同。在本实施例中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第四重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。
在另一个具体实施例中，第三重掺杂区形成于背面电极区第二中心区域的部分或全部区域内，第四重掺杂区形成于背面电极区第二两侧区域的全部区域内，其中，第三重掺杂区和第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与硅衬底的类型相同，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。在本实施例中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第四重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。
针对于在背面电极区第二中心区域的部分区域内形成第三重掺杂区的情况来说，在本实施例中，第三重掺杂区包括多个第三掺杂单元，该第三掺杂单元离散地分布在第二中心区域内。本发明对于第三掺杂单元的形状没有任何限定，该第三掺杂单元的形状可以是规则几何图形，例如圆形、矩形、环形、三角形等，也可以是不规则几何图形。此外，构成第三重掺杂区的多个第三掺杂单元可以形状相同、也可以形状不同。
针对于在背面电极区第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区的情况来说，在本实施例中，第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元，该第四掺杂单元离散地分布在第二两侧区域内。本发明对于第四掺杂单元的形状没有任何限定，该第四掺杂单元的形状可以是规则几何图形，例如圆形、矩形、环形、三角形等，也可以是不规则几何图形。此外，构成第四重掺杂区的多个第四掺杂单元可以形状相同、也可以形状不同。
优选地，针对于第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元且该多个第四掺杂单元离散分布在第二两侧区域内的情况来说，靠近第二中心区域的第四掺杂单元密集排布、远离第二中心区域的第四掺杂单元稀疏排布，即，该多个第四掺杂单元的排列密度随着远离第二中心区域的方向减小。
优选地，针对于第三重掺杂区包括多个第三掺杂单元且该多个第三掺杂单元离散地分布在第二中心区域内、以及第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元且该多个第四掺杂单元离散地分布在第二两侧区域内的情况来说，第三掺杂单元的排列密度大于第四掺杂单元的排列密度，即，相较于第二两侧区域来说第二中心区域的重掺杂区排列的更为紧密。
图10(a)、图11(a)、图12(a)、图13(a)、图14(a)、图15(a)是第三重掺杂区和第四重掺杂区不同情况的示意图。针对于图10(a)、图11(a)、图12(a)、图13(a)、图14(a)、图15(a)的描述可以参考实施例九中相应部分的内容。
减反射层设置在硅衬底的正面上。在本实施例中，减反射层是SixNy膜。
叠层膜依次包括钝化膜和保护膜，在本实施例中，钝化膜是Al2O3膜，保护膜是SixNy膜。叠层膜的形成可以有效地降低太阳能电池表面的复合速率、以及提高太阳能电池的效率。
正面电极设置在硅衬底的正面、透过减反射层与硅衬底的正面形成欧姆接触。背面电极设置在硅衬底的背面、透过叠层膜与背面电极区形成欧姆接触。图10(a)、图11(a)、图12(a)、图13(a)、图14(a)、图15(a)分别是在图10(b)、图11(b)、图12(b)、图13(b)、图14(b)、图15(b)所示结构上形成背面电极后的结构示意图。针对于图10(b)、图11(b)、图12(b)、图13(b)、图14(b)、图15(b)的描述可以参考实施例九中相应部分的内容。
优选地，为了确保背面电极不会偏离背面电极区，背面电极区的宽度(图中以L5表示)设置为背面电极宽度(图中以L4表示)的3～5倍，第二中心区域的宽度(图中以L6表示)设置为背面电极宽度的1～2倍。本领域技术人员可以理解的是，背面电极区宽度以及第二中心区域宽度的设置可以根据实际设计需求来制定。
本发明所提供的太阳能电池其用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域，第三重掺杂区形成于第二中心区域的部分或全部区域内，第四重掺杂区形成于第二两侧区域的部分区域内，其中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，第三重掺杂区形成于第二中心区域的部分或全部区域内，第四重掺杂区形成于第二两侧区域的全部区域内，其中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。一方面，背面电极形成在背面电极区上，无论背面电极对准形成在第二中心区域上、还是偏离至第二两侧区域，由于第二中心区域和第二两侧区域中的至少部分区域均存在重掺杂，因此可以有效地保证背面电极与硅衬底之间良好的欧姆接触；另一方面，由于背面电极区中第二两侧区域局部重掺杂、或全部重掺杂但是表面掺杂浓度低于第二中心区域的表面掺杂浓度，因此，与现有技术中背面电极区的全部区域以相同的浓度进行重掺杂的PERL电池相比，本发明所提供的太阳能电池可以有效地减小背面电极区中第二两侧区域中重掺杂区的面积、或降低背面电极区中第二两侧区域的表面掺杂浓度，从而有效降低背面电极区中未被背面电极所覆盖的区域内的复合程度，进而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例十一：
本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法，适用于PERT电池的生产。该制造方法包括：
在步骤S601中，提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
在步骤S602中，在所述硅衬底的正面形成PN结；
在步骤S603中，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、在所述第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区、以及在所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内形成第二轻掺杂区，其中，所述第三重掺杂区、所述第四重掺杂区和第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、在所述第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区、以及在所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内形成第二轻掺杂区，其中，所述第三重掺杂区、所述第四重掺杂区和所述第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S604中，在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
在步骤S605中，在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
需要说明的是，本实施例中的步骤S601、步骤S602、步骤S604以及步骤S605分别与实施例九中的步骤S501、步骤S502、步骤S504以及步骤S505相同，因此可以参考前文中相应部分的内容，为了简明起见，在此不再赘述。下面仅对本实施例中步骤S603进行说明。
具体地，在步骤S603中，在一个具体实施例中，在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、在第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区、以及在硅衬底背面位于第三重掺杂区和第四重掺杂区之外的其他区域形成第二轻掺杂区，其中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。此处需要说明的是，第三重掺杂区、第四重掺杂区和第二轻掺杂区中的掺杂杂质与硅衬底中杂质类型相同。针对于第三重掺杂区的表面掺杂浓度等于第四重掺杂区表面掺杂区浓度的情况，具体实现步骤如下：首先对硅衬底背面进行轻掺杂。然后在硅衬底的背面形成掩膜层并对掩膜层进行激光开窗，其中，开窗使第二中心区域的部分或全部区域暴露、以及使第二两侧区域的部分区域暴露。接着对硅衬底的背面进行掺杂，由于掩膜层的存在，因此只能对背面电极区暴露的区域进行掺杂。掺杂结束后，清洗硅衬底的表面去除掩膜层。如此一来，实现了在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、在第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区以及在硅衬底背面位于第三重掺杂区和第四重掺杂区之外的其他区域形成第二轻掺杂区，且第三重掺杂区的表面掺杂浓度等于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。针对于第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区表面掺杂区浓度的情况，具体实现步骤如下：首先对硅衬底背面进行轻掺杂。然后在硅衬底的背面形成第一掩膜层并对该第一掩膜层进行激光开窗，开窗使第二中心区域的部分或全部区域暴露、以及使第二两侧区域部分区域暴露；接着对硅衬底的背面进行掺杂，并在掺杂结束后去除第二掩膜层；然后在硅衬底的背面形成第二掩膜层并对该第二掩膜层进行激光开窗，开窗仅使第二中心区域的部分或全部区域暴露，其中，第二中心区域的暴露区域与第一掩膜层开窗后暴露的区域相同；接着对硅衬底的背面进行掺杂，并在掺杂结束后去除第二掩膜层。如此一来，实现了在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、在第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区以及在硅衬底背面位于第三重掺杂区和第四重掺杂区之外的其他区域形成第二轻掺杂区，且第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。在本实施例中，在本实施例中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第四重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3，第二轻掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1019cm-3至5×1020cm-3。
在另一个具体实施例中，在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、在第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区以及在硅衬底背面位于第三重掺杂区和第四重掺杂区之外的其他区域形成第二轻掺杂区，其中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区的表面掺杂浓度相同。此处需要说明的是，第三重掺杂区、第四重掺杂区和第二轻掺杂区中的掺杂杂质与硅衬底中杂质类型相同。具体实现步骤如下：首先对硅衬底背面进行轻掺杂。然后在硅衬底的背面形成第一掩膜层并对该第一掩膜层进行激光开窗，开窗使第二中心区域的部分或全部区域暴露、以及使第二两侧区域全部区域暴露；接着对硅衬底的背面进行掺杂，并在掺杂结束后去除第二掩膜层；然后在硅衬底的背面形成第二掩膜层并对该第二掩膜层进行激光开窗，开窗仅使第二中心区域的部分或全部区域暴露，其中，第二中心区域的暴露区域与第一掩膜层开窗后暴露的区域相同；接着对硅衬底的背面进行掺杂，并在掺杂结束后去除第二掩膜层。如此一来，实现了在第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、在第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区以及在硅衬底背面位于第三重掺杂区和第四重掺杂区之外的其他区域形成第二轻掺杂区，且第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于第四重掺杂区的表面掺杂浓度。在本实施例中，第三重掺杂区的表面掺杂浓度范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3，第四重掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3，第二轻掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1019cm-3至5×1020cm-3。
本发明所提供的PERT电池的制造方法可以有效降低背面电极区中未被背面电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例十二：
本发明还提供了一种太阳能电池，具体为PERT电池。该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底背面用于印刷电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
PN结，形成于所述硅衬底的正面；
第三重掺杂区、第四重掺杂区和第二轻掺杂区，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的部分区域内，第二轻掺杂区形成于所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第三重掺杂区、所述第四重掺杂区和所述第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的全部区域内，第二轻掺杂区形成于所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第三重掺杂区、所述第四重掺杂区和所述第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本实施例中的太阳能电池与实施例十中的太阳能电池之间的区别在于：在本实施例中硅衬底背面还有第二轻掺杂区。该第二轻掺杂区形成于硅衬底背面位于第三重掺杂区和第四重掺杂区之外的其他区域内，该第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同。在本实施例中，第二轻掺杂区的表面掺杂浓度范围是5×1019cm-3至5×1020cm-3。为了简明起见，硅衬底、PN结、第三重掺杂区、第四重掺杂区、减反射层、叠层膜、正面电极以及背面电极的结构请参考实施例十中相应部分的内容，在此不再赘述。
本发明所提供的PERT电池可以有效降低背面电极区中未被背面电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例十三：
本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法，适用于SE-PERL电池的生产。该制造方法包括：
在步骤S701中，提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
在步骤S702中，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S703中，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S704中，在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
在步骤S705中，在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本实施例中的步骤S701和步骤S702分别与实施例一中的步骤S101和步骤S102相同，本实施例中的步骤S703、步骤S704和步骤S705分别与实施例九中的步骤S503、步骤S504和步骤S505相同，为了简明起见，在此不再赘述。
本发明所提供的SE-PERL电池的制造方法可以有效降低电极区(包括正面电极区和背面电极区)中未被电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例十四：
本发明还提供了一种太阳能电池，具体为SE-PERL电池。该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的部分区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的全部区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本实施例中硅衬底、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区的结构请参考实施例二中相应部分的内容，第三重掺杂区、第四重掺杂区、减反射层、叠层膜以及背面电极的结构请参考实施例十中相应部分的内容，在此不再赘述。
本发明所提供的SE-PERL电池可以有效降低电极区(包括正面电极区和背面电极区)中未被电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例十五：
本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法，适用于SE-PERT电池的生产。该制造方法包括：
在步骤S801中，提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
在步骤S802中，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S803中，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、在所述第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区、以及在所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内形成第二轻掺杂区，其中，所述第三重掺杂区、所述第四重掺杂区和第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、在所述第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区、以及在所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内形成第二轻掺杂区，其中，所述第三重掺杂区、所述第四重掺杂区和第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
在步骤S804中，在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
在步骤S805中，在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本实施例中的步骤S801和步骤S802分别与实施例一中的步骤S101和步骤S102相同，本实施例中的步骤S803、步骤S804和步骤S805分别与实施例十一中的步骤S603、步骤S604和步骤S605相同，为了简明起见，在此不再赘述。
本发明所提供的SE-PERT电池的制造方法可以有效降低电极区(包括正面电极区和背面电极区)中未被电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
实施例十六：
本发明还提供了一种太阳能电池，具体为SE-PERT电池。该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
第三重掺杂区、第四重掺杂区以及第二轻掺杂区，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的部分区域内，所述第二轻掺杂区形成于所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第三重掺杂区、所述第四重掺杂区和所述第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的全部区域内，所述第二轻掺杂区形成于所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第三重掺杂区、所述第四重掺杂区和所述第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
本实施例中硅衬底、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第一轻掺杂区的结构请参考实施例二中相应部分的内容，第三重掺杂区、第四重掺杂区、第二轻掺杂区、减反射层、叠层膜以及背面电极的结构请参考实施例十二中相应部分的内容，在此不再赘述。
本发明所提供的SE-PERT电池可以有效降低电极区(包括正面电极区和背面电极区)中未被电极所覆盖的区域内的复合程度，从而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，显然“包括”一词不排除其他部件、单元或步骤，单数不排除复数。系统权利要求中陈述的多个部件、单元或装置也可以由一个部件、单元或装置通过软件或者硬件来实现。
本发明所提供的太阳能电池及其制造方法在用于印刷金属电极的电极区的中心区域和两侧区域形成重掺杂，其中，两侧区域的表面掺杂浓度低于中心区域的表面掺杂浓度、又或者两侧区域仅局部重掺杂，如此一来，可以有效降低电极区两侧区域的表面掺杂浓度、或有效减小电极区两侧区域中重掺杂区的面积。与现有技术中全部电极区均以同一浓度进行重掺杂的太阳能电池相比，实施本发明可以有效降低电极区中未被金属电极所覆盖的区域内的复合程度，进而有利于提高太阳能电池的性能以及提升太阳能电池的效率。
以上所揭露的仅为本发明的一些较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (49)

1.一种太阳能电池的制造方法，该制造方法包括如下步骤：
a1、提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
a2、在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
a3、在所述硅衬底的所述正面形成减反射层；
a4、在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触，所述背面电极与所述硅衬底的背面形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述步骤a2包括：
a21、对所述硅衬底进行扩散以实现所述硅衬底正面的轻掺杂，以扩散后在所述硅衬底正面所形成的第一玻璃中的杂质为掺杂源，利用激光掺杂的方式对所述第一中心区域的部分或全部区域进行重掺杂以形成第一重掺杂区、以及对所述第一两侧区域的部分区域进行重掺杂以形成第二重掺杂区，所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的区域为第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；又或者对所述硅衬底进行扩散以实现硅衬底正面的轻掺杂，以扩散后在所述硅衬底正面所形成的第一玻璃中的杂质为掺杂源，利用激光掺杂的方式对所述第一中心区域的部分区域或全部进行重掺杂以形成第一重掺杂区、以及对所述第一两侧区域的全部区域进行重掺杂以形成第二重掺杂区，所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的区域为第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
a22、去除扩散在所述硅衬底表面形成的第一玻璃以及周边的PN结。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其中：
所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3；
所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其中：
所述正面电极区的宽度是所述正面电极宽度的3倍至5倍；
所述正面电极区的第一中心区域的宽度是所述正面电极宽度的1倍至2倍。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中：
所述第一重掺杂区包括多个第一掺杂单元，该多个第一掺杂单元离散地分布在所述第一中心区域内。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述第一掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其中：
所述第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元，该多个第二掺杂单元离散地分布在所述第一两侧区域内。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述第二掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述多个第二掺杂单元的排列密度随着远离所述第一中心区域的方向减小。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其中：
所述第一重掺杂区包括多个第一掺杂单元，该多个第一掺杂单元离散地分布在所述第一中心区域内；
所述第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元，该多个第二掺杂单元离散地分布在所述第一两侧区域内；
所述多个第一掺杂单元的排列密度大于所述多个第二掺杂单元的排列密度。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的制造方法，其中：
所述步骤a3还包括：在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
所述步骤a4中，所述背面电极透过所述叠层膜与所述硅衬底的背面形成欧姆接触。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的制造方法，其中：
在所述步骤a2之后该方法还包括：对所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区进行重掺杂，其中，掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同；
所述步骤a3还包括：在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
所述步骤a4中，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的制造方法，其中：
在所述步骤a2之后该方法还包括：对所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区进行重掺杂以及对所述硅衬底背面电极区之外的其他区域进行轻掺杂，其中，掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同；
所述步骤a3还包括：在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
所述步骤a4中，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
14.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中：
所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3；
所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。
16.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中：
所述正面电极区的宽度是所述正面电极宽度的3倍至5倍；
所述正面电极区的第一中心区域的宽度是所述正面电极宽度的1倍至2倍。
17.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中：
所述第一重掺杂区包括多个第一掺杂单元，该多个第一掺杂单元离散地分布在所述第一中心区域内。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池，其中，所述第一掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
19.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中：
所述第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元，该多个第二掺杂单元离散地分布在所述第一两侧区域内。
20.根据权利要求19所述的太阳能电池，其中，所述第二掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
21.根据权利要求19所述的太阳能电池，其中，所述多个第二掺杂单元的排列密度随着远离所述第一中心区域的方向减小。
22.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中：
所述第一重掺杂区包括多个第一掺杂单元，该多个第一掺杂单元离散地分布在所述第一中心区域内；
所述第二重掺杂区包括多个第二掺杂单元，该多个第二掺杂单元离散地分布在所述第一两侧区域内；
所述多个第一掺杂单元的排列密度大于所述多个第二掺杂单元的排列密度。
23.根据权利要求14至22中任一项所述的太阳能电池，其中：
所述太阳能电池还包括叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
所述背面电极透过所述叠层膜与所述硅衬底的背面形成欧姆接触。
24.根据权利要求14至22中任一项所述的太阳能电池，其中：
所述太阳能电池还包括背面重掺杂区，所述背面重掺杂区形成于所述硅衬底背面与所述背面电极对应的区域内，所述背面重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同；
所述太阳能电池还包括叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
25.根据权利要求14至22中任一项所述的太阳能电池，其中：
所述太阳能电池还包括背面重掺杂区和背面轻掺杂区，所述背面重掺杂区形成于所述硅衬底背面与所述背面电极对应的区域内，所述背面轻掺杂区形成于所述硅衬底背面位于所述背面重掺杂区之外的其他区域内，所述背面重掺杂区和所述背面轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同；
所述太阳能电池还包括叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
26.一种太阳能电池的制造方法，该制造方法包括如下步骤：
b1、提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
b2、在所述硅衬底的正面形成PN结；
b3、在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
b4、在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
b5、在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
27.根据权利要求26所述的制造方法，其中：
所述步骤b3中除了形成第三重掺杂区和第四重掺杂区之外，还在所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内形成第二轻掺杂区，该第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同。
28.根据权利要求26或27所述的制造方法，其中：
所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3；
所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。
29.根据权利要求26或27所述的制造方法，其中：
所述背面电极区的宽度是所述背面电极宽度的3倍至5倍；
所述背面电极区的第二中心区域的宽度是所述背面电极宽度的1倍至2倍。
30.根据权利要求26或27所述的制造方法，其中：
所述第三重掺杂区包括多个第三掺杂单元，该多个第三掺杂单元离散地分布在所述第二中心区域内。
31.根据权利要求30所述的制造方法，其中，所述第三掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
32.根据权利要求26或27所述的制造方法，其中：
所述第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元，该多个第四掺杂单元离散地分布在所述第二两侧区域内。
33.根据权利要求32所述的制造方法，其中，所述第四掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
34.根据权利要求32所述的制造方法，其中，所述多个第四掺杂单元的排列密度随着远离所述第二中心区域的方向减小。
35.根据权利要求26或27所述的制造方法，其中：
所述第三重掺杂区包括多个第三掺杂单元，该多个第三掺杂单元离散地分布在所述第二中心区域内；
所述第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元，该多个第四掺杂单元离散地分布在所述第二两侧区域内；
所述多个第三掺杂单元的排列密度大于所述多个第四掺杂单元的排列密度。
36.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底背面用于印刷电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
PN结，形成于所述硅衬底的正面；
第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的部分区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的全部区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
37.根据权利要求36所述的太阳能电池，其中：
所述太阳能电池还包括第二轻掺杂区，该第二轻掺杂区形成于所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内，该第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同。
38.根据权利要求36或37所述的太阳能电池，其中：
所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是6×1020cm-3至9×1021cm-3；
所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度的范围是5×1020cm-3至8×1021cm-3。
39.根据权利要求36或37所述的太阳能电池，其中：
所述背面电极区的宽度是所述背面电极宽度的3倍至5倍；
所述背面电极区的第二中心区域的宽度是所述背面电极宽度的1倍至2倍。
40.根据权利要求36或37所述的太阳能电池，其中：
所述第三重掺杂区包括多个第三掺杂单元，该多个第三掺杂单元离散地分布在所述第二中心区域内。
41.根据权利要求40所述的太阳能电池，其中，所述第三掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
42.根据权利要求36或37所述的太阳能电池，其中：
所述第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元，该多个第四掺杂单元离散地分布在所述第二两侧区域内。
43.根据权利要求42所述的太阳能电池，其中，所述第四掺杂单元的形状是圆形、矩形、环形、三角形或不规则形状。
44.根据权利要求42所述的太阳能电池，其中，所述多个第四掺杂单元的排列密度随着远离所述第二中心区域的方向减小。
45.根据权利要求36或37所述的太阳能电池，其中：
所述第三重掺杂区包括多个第三掺杂单元，该多个第三掺杂单元离散地分布在所述第二中心区域内；
所述第四重掺杂区包括多个第四掺杂单元，该多个第四掺杂单元离散地分布在所述第二两侧区域内；
所述多个第三掺杂单元的排列密度大于所述多个第四掺杂单元的排列密度。
46.一种太阳能电池的制造方法，该制造方法包括如下步骤：
c1、提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
c2、在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
c3、在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的部分区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第二中心区域的部分或全部区域内形成第三重掺杂区、以及在所述第二两侧区域的全部区域内形成第四重掺杂区，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
c4、在所述硅衬底的所述正面形成减反射层、以及在所述硅衬底的背面形成叠层膜，其中，该叠层膜包括钝化膜以及在该钝化膜上形成的保护膜；
c5、在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触，所述背面电极透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
47.根据权利要求46所述的制造方法，其中：
所述步骤c3中除了形成第三重掺杂区和第四重掺杂区之外，还在所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内形成第二轻掺杂区，该第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同。
48.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：
硅衬底，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域，所述硅衬底背面用于印刷背面电极的背面电极区包括第二中心区域和第二两侧区域；
第一重掺杂区、第二重掺杂区以及第一轻掺杂区，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的部分区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第一重掺杂区形成于所述第一中心区域的部分或全部区域内，所述第二重掺杂区形成于所述第一两侧区域的全部区域内，所述第一轻掺杂区形成于所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；
第三重掺杂区和第四重掺杂区，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的部分区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，所述第三重掺杂区形成于所述第二中心区域的部分或全部区域内，所述第四重掺杂区形成于所述第二两侧区域的全部区域内，其中，所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同，所述第三重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第四重掺杂区的表面掺杂浓度；
减反射层，所述减反射层设置在所述硅衬底的正面；
叠层膜，所述叠层膜包括设置在所述硅衬底的背面的钝化膜以及设置在该钝化膜上的保护膜；
正面电极，所述正面电极设置在所述硅衬底的正面、透过所述减反射层与所述硅衬底的正面形成欧姆接触；
背面电极，所述背面电极设置在所述硅衬底的背面、透过所述叠层膜与所述背面电极区形成欧姆接触。
49.根据权利要求48所述的太阳能电池，其中：
所述太阳能电池还包括第二轻掺杂区，该第二轻掺杂区形成于所述硅衬底背面位于所述第三重掺杂区和所述第四重掺杂区之外的其他区域内，该第二轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相同。
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