CN109887955A - 有机发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示设备。有机发光显示设备包括：包括显示区域和非显示区域的基板；位于显示区域中的基板上的薄膜晶体管；覆盖薄膜晶体管的平坦化层；位于显示区域中的平坦化层上的第一电极，第一电极连接到薄膜晶体管；覆盖第一电极的像素限定层，像素限定层包括第一开口，第一开口暴露第一电极的一部分以限定发射区域；位于像素限定层上的第一遮光层，第一遮光层包括光致变色材料，第一遮光层的颜色在暴露于紫外光时能可逆地改变；位于第一电极上的有机发光层；以及位于有机发光层上的第二电极。

Description

有机发光显示设备
技术领域
实施例涉及显示设备。更具体地，实施例涉及包括遮光层的有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法。
背景技术
有机发光显示设备可以具有有机发光元件，该有机发光元件包括空穴注入层、电子注入层以及形成在空穴注入层和电子注入层之间的有机发光层。在有机发光显示设备中，随着激子(其为从空穴注入层注入的空穴与从电子注入层注入的电子的结合)从激发态下降到基态，可以产生光。有机发光显示设备可以省略用于产生光的单独的光源，并且因此有机发光显示设备可以具有相对小的厚度和轻的重量以及相对低的功耗。此外，有机发光显示设备可以具有相对宽的视角、高对比度和高响应速度等。
发明内容
实施例涉及有机发光显示设备，有机发光显示设备包括：包括显示区域和非显示区域的基板；位于显示区域中的基板上的薄膜晶体管；覆盖薄膜晶体管的平坦化层；位于显示区域中的平坦化层上的第一电极，第一电极连接到薄膜晶体管；覆盖第一电极的像素限定层，像素限定层包括第一开口，第一开口暴露第一电极的一部分以限定发射区域；位于像素限定层上的第一遮光层，第一遮光层包括光致变色材料，第一遮光层的颜色在暴露于紫外光时能可逆地改变；位于第一电极上的有机发光层；以及位于有机发光层上的第二电极。
像素限定层和第一遮光层可以在显示区域和非显示区域两者中位于基板之上。
光致变色材料可以包括螺吡喃、螺萘并噁嗪染料、二芳基乙烯衍生物、二氢吡啶、呋喃基俘精酸酐衍生物和偶氮苯衍生物中的至少一种。
第一遮光层可以在暴露于紫外光时变得不透明。
第一遮光层可以包括与第一开口对应的第二开口。
有机发光显示设备可以进一步包括位于第二电极上的封装构件。
有机发光显示设备可以进一步包括位于平坦化层与像素限定层之间的第二遮光层。第二遮光层的颜色可以在暴露于紫外光时能可逆地改变。
第二遮光层可以包括与第一遮光层相同的材料。
第二遮光层可以在暴露于紫外光时变得不透明。
有机发光显示设备可以进一步包括位于像素限定层与第一遮光层之间的隔离物。隔离物可以包括第二开口，第二开口具有大于第一开口的宽度的宽度。
第一遮光层可以包括与第二开口对应的第三开口。
实施例还涉及制造有机发光显示设备的方法，该方法包括：制备包括显示区域和非显示区域的基板；在显示区域中的基板上形成薄膜晶体管；在基板上形成覆盖薄膜晶体管的平坦化层；在显示区域中的平坦化层上形成连接到薄膜晶体管的第一电极；在平坦化层上形成覆盖第一电极并且包括第一开口的像素限定层，第一开口暴露第一电极的一部分以限定发射区域；在像素限定层上形成包括光致变色材料的第一遮光层，第一遮光层的颜色在暴露于紫外光时能可逆地改变；在第一电极上形成有机发光层；以及在有机发光层上形成第二电极。
像素限定层和第一遮光层可以形成在显示区域和非显示区域两者中的基板之上。
形成像素限定层和形成第一遮光层可以包括：在平坦化层上依次形成覆盖第一电极的预备像素限定层和预备第一遮光层，以及通过光刻法同时形成像素限定层的第一开口和与第一开口对应的第一遮光层的第二开口。
形成像素限定层可以包括：在平坦化层上形成覆盖第一电极的预备像素限定层；以及通过光刻法形成像素限定层的第一开口。形成第一遮光层可以包括：形成第一遮光层以包括与第一开口对应的第二开口。
该方法可以进一步包括：在平坦化层与像素限定层之间形成第二遮光层，第二遮光层的颜色在暴露于紫外光时能可逆地改变。
形成平坦化层以及形成第二遮光层可以包括：在基板上依次形成平坦化层和第二遮光层以覆盖薄膜晶体管；以及通过光刻法在平坦化层中和在第二遮光层中形成暴露薄膜晶体管的一部分的接触孔。
该方法可以进一步包括：在第二电极上形成封装构件。
该方法可以进一步包括：在像素限定层与第一遮光层之间形成隔离物，隔离物具有小于像素限定层的宽度的宽度。
形成像素限定层、形成隔离物以及形成第一遮光层可以包括：在平坦化层上依次形成覆盖第一电极的预备像素限定层和预备第一遮光层；以及通过光刻法同时形成像素限定层的第一开口、隔离物的第二开口以及第一遮光层的第三开口，第二开口具有大于第一开口的宽度的宽度，并且第三开口对应于第二开口。
附图说明
通过参考附图具体描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得显而易见，附图中：
图1图示了根据实施例的有机发光显示设备的平面图。
图2图示了根据实施例的有机发光显示设备的截面图。
图3A和图3B图示了制造图2中的有机发光显示设备的示例性方法的各阶段的截面图。
图4A、图4B和图4C图示了制造图2中的有机发光显示设备的另一示例性方法的各阶段的截面图。
图5图示了根据实施例的有机发光显示设备的截面图。
图6A和图6B图示了制造图5中的有机发光显示设备的方法的各阶段的截面图。
图7图示了根据实施例的有机发光显示设备的截面图。
图8A和图8B图示了制造图7中的有机发光显示设备的方法的各阶段的截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述示例实施例，然而，这些实施例可以以不同的形式体现，并且不应当被解释为限于本文所提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
在附图中，为了说明的清楚，层和区域的尺寸可被夸大。还将理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板“上”时，其可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此外，将理解，当层被称为在两个层“之间”时，其可以是这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。
下文将参考图1描述根据实施例的有机发光显示设备的平面结构。
图1图示了根据实施例的有机发光显示设备的平面图。
参考图1，根据实施例的有机发光显示设备100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。多个像素可以被布置在显示区域DA中。显示区域DA可以显示图像。非显示区域NDA可以位于显示区域DA的至少一侧。用于将信号施加到显示区域DA以显示图像的驱动电路可以被布置在非显示区域NDA中。
显示区域DA可以包括多个发射区域EA和非发射区域NEA。发射区域EA中的每个可以对应于像素中的一个。发射区域EA可以被排列成矩阵形式。发射区域EA中的每个可以包括有机发光元件，从而发光。非发射区域NEA可以围绕发射区域EA。光不从非发射区域NEA发射。
下文将参考图2描述根据实施例的有机发光显示设备的截面结构。
图2是图示根据实施例的有机发光显示设备的截面图。例如，图2可以是沿图1中的线I-I'和线II-II'截取的截面图。
参考图2，根据实施例的有机发光显示设备100可以包括基板110、缓冲层111、薄膜晶体管TFT、栅绝缘层112、绝缘夹层113、平坦化层114、有机发光元件OLED、外围电极155、像素限定层131、第一遮光层141和封装构件160。薄膜晶体管TFT可以包括有源图案121、栅电极122、源电极123和漏电极124。有机发光元件OLED可以包括第一电极151、有机发光层152和第二电极153。
基板110可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。基板110可以由玻璃、石英、塑料等形成。
缓冲层111可以被布置在基板110上。缓冲层111可以防止杂质通过基板110渗透。此外，缓冲层111可以在基板110之上提供平坦化的上表面。在一些实施方式中，缓冲层111可以被省略。
薄膜晶体管TFT可以被布置在显示区域DA中的缓冲层111上。薄膜晶体管TFT可以将电流施加到有机发光元件OLED。在一些实施方式中，有机发光显示设备100可以包括具有顶栅结构的薄膜晶体管。在一些实施方式中，有机发光显示设备100可以包括具有底栅结构的薄膜晶体管。
有源图案121可以被布置在缓冲层111上。有源图案121可以包括非晶硅、多晶硅等。在一些实施方式中，有源图案121可以包括氧化物半导体。
栅绝缘层112可以被布置在缓冲层111上，并且可以覆盖有源图案121。栅绝缘层112可以将栅电极122与有源图案121绝缘。栅绝缘层112可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等。
栅电极122可以被布置在栅绝缘层112上。栅电极122可以与有源图案121重叠。作为示例，栅电极122可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)或钛(Ti)。
覆盖栅电极122的绝缘夹层113可以被布置在栅绝缘层112上。绝缘夹层113可以将源电极123和漏电极124与栅电极122绝缘。绝缘夹层113可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等。
源电极123和漏电极124可以被布置在绝缘夹层113上。源电极123和漏电极124可以接触有源图案121。例如，源电极123和漏电极124可以分别通过形成在栅绝缘层112和绝缘夹层113中的接触孔接触有源图案121。源电极123和漏电极124可以包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo或Ti。例如，源电极123和漏电极124可以被形成为多层结构，诸如，Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。
平坦化层114可以被布置在绝缘夹层113上，并且可以覆盖薄膜晶体管TFT。平坦化层114可以在绝缘夹层113和薄膜晶体管TFT之上提供平坦化的表面。平坦化层114可以包括光敏有机材料。例如，平坦化层114可以由光刻胶、聚丙烯酸酯类树脂、聚酰亚胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等形成。
有机发光元件OLED可以被布置在显示区域DA中的平坦化层114上。有机发光元件OLED可以基于从薄膜晶体管TFT施加的电流发光。举例说明了根据实施例的有机发光显示设备100包括具有正面发射结构的有机发光元件。然而，在一些实施方式中，有机发光显示设备100可以包括具有背面发射结构或双面发射结构的有机发光元件。
第一电极151可以被布置在显示区域DA中的平坦化层114上。第一电极151可以针对每个像素被图案化。第一电极151可以接触漏电极124。例如，第一电极151可以通过形成在平坦化层114中的接触孔CH接触漏电极124。第一电极151可以是反射电极。第一电极151可以包括反射层和透射层，反射层由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)等形成，透射层由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等形成。例如，第一电极151可以被形成为多层结构，诸如，ITO/Ag/ITO。
外围电极155可以被布置在非显示区域NDA中的平坦化层114上。外围电极155可以连接到第二电极153的一端，并且可以将公共电压施加到第二电极153。外围电极155可以包括与第一电极151的材料基本相同的材料。
像素限定层131可以被布置在平坦化层114上，并且可以覆盖第一电极151和外围电极155。像素限定层131可以包括第一开口OP1，第一开口OP1通过暴露第一电极151的一部分来限定发射区域EA。像素限定层131可以包括光敏有机材料。例如，像素限定层131可以由光刻胶、聚丙烯酸酯类树脂、聚酰亚胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等形成。
如果外部光入射到像素限定层131和/或平坦化层114上，则像素限定层131和/或平坦化层114可能产生脱气。如果脱气被转移到有机发光元件OLED，则存在有机发光元件OLED可能退化的可能性。
为了防止外部光入射到像素限定层131上和/或入射到平坦化层114上，第一遮光层141可以被布置在像素限定层131上。通过暴露于紫外光，第一遮光层141的颜色可以可逆地改变。
第一遮光层141可以包括光致变色材料。光致变色材料可以包括有机材料，诸如，螺吡喃、螺萘并噁嗪染料、二芳基乙烯衍生物、二氢吡啶、呋喃基俘精酸酐衍生物或偶氮苯衍生物。
光致变色材料的有机分子结构可以根据紫外(UV)光是否被吸收而改变。光致变色材料的颜色可以根据有机分子结构的改变而改变。因此，包括光致变色材料的第一遮光层141的透过率可以根据紫外光是否入射在光致变色材料上而改变。当紫外光未入射在光致变色材料上时，第一遮光层141可以是透明的。当紫外光入射在光致变色材料上时，第一遮光层141可以具有黑色，并且可以变得不透明。第一遮光层141可以在紫外光入射的区域上由于暴露于紫外光而变得不透明，并且不透明的第一遮光层141可以防止紫外光入射在像素限定层131和/或平坦化层114上。换句话说，入射在第一遮光层141的一部分上的UV光可以使得第一遮光层141的全部不透明。
第一遮光层141可以包括第二开口OP2。第一遮光层141的第二开口OP2可以对应于像素限定层131的第一开口OP1。例如，第一遮光层141的第二开口OP2的宽度可以基本等于像素限定层131的第一开口OP1的宽度。当第一遮光层141包括第二开口OP2时，可以避免从有机发光层152发射的光被第一遮光层141阻挡。
像素限定层131和第一遮光层141可以位于显示区域DA和非显示区域NDA两者中的基板110之上。当第一遮光层141位于非显示区域NDA以及显示区域DA中时，有机发光显示设备100在室外环境中的可视性可以进一步被改善，并且可以防止从布置在非显示区域NDA中的像素限定层131脱气。
有机发光层152可以被布置在第一电极151上。有机发光层152可以被布置在像素限定层131的第一开口OP1内部。
第二电极153可以被布置在有机发光层152上。可以共同地为多个像素提供第二电极153。第二电极153可以是透射电极。例如，第二电极153可以由金属、金属合金、金属氮化物、透明金属氧化物、透明导电材料等形成。
空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)可以进一步被布置在第一电极151与有机发光层152之间。电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)可以进一步被布置在有机发光层152与第二电极153之间。
封装构件160可以被布置在第二电极153上。封装构件160可以封装有机发光元件OLED，从而防止氧、湿气等从外部渗透到有机发光元件OLED中。封装构件160可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。例如，封装构件160可以包括第一无机层、第二无机层以及置于第一无机层和第二无机层之间的有机层。
下文将参考图2、图3A和图3B描述根据实施例的制造有机发光显示设备的方法的示例。
图3A和图3B图示了制造图2中的有机发光显示设备的示例性方法的各阶段的截面图。
参考图3A，包括显示区域DA和非显示区域NDA的基板110可以被制备，并且薄膜晶体管TFT、平坦化层114和第一电极151可以依次形成在基板110上。
缓冲层111可以形成在基板110上，并且有源图案121可以形成在显示区域DA中的缓冲层111上。覆盖有源图案121的栅绝缘层112可以形成在缓冲层111上，并且与有源图案121重叠的栅电极122可以形成在栅绝缘层112上。覆盖栅电极122的绝缘夹层113可以形成在栅绝缘层112上，并且分别暴露有源图案121的相对端的接触孔可以形成在栅绝缘层112和绝缘夹层113中。分别填充接触孔的源电极123和漏电极124可以形成在绝缘夹层113上。
覆盖源电极123和漏电极124的平坦化层114可以形成在绝缘夹层113上，并且暴露漏电极124的接触孔CH可以形成在平坦化层114中。填充接触孔CH的第一电极151可以形成在显示区域DA中的平坦化层114上，并且外围电极155可以形成在非显示区域NDA中的平坦化层114上。第一电极151和外围电极155可以基本同时被形成。
覆盖第一电极151和外围电极155的预备像素限定层131'可以形成在平坦化层114上。预备像素限定层131'可以由光敏有机材料形成。
预备第一遮光层141'可以形成在预备像素限定层131'上。预备第一遮光层141'可以由光敏光致变色有机材料形成。
参考图3A和图3B，开口可以通过光刻法形成在预备像素限定层131'和预备第一遮光层141'中。
首先，掩模181可以被布置在预备第一遮光层141'之上。掩模181可以包括遮光部分181a和透光部分181b。例如，遮光部分181a的透光率可以基本为0％，并且透光部分181b的透光率可以基本为100％。掩模181可以被布置使得透光部分181b与像素限定层131的第一开口OP1和第一遮光层141的第二开口OP2对应。
然后，光可以从掩模181的顶部向预备第一遮光层141'照射，以形成像素限定层131的第一开口OP1和第一遮光层141的第二开口OP2。第一开口OP1和第二开口OP2可以基本同时被形成。第一开口OP1和第二开口OP2可以通过一次光刻工艺同时被形成，使得制造有机发光显示设备的时间和成本可以降低。
参考图2，有机发光层152和第二电极153可以依次形成在第一电极151上。
有机发光层152可以形成在第一电极151上。有机发光层152可以形成在像素限定层131的第一开口OP1内部。可以通过诸如喷嘴印刷、喷墨印刷等的印刷工艺沉积有机发光层152。第二电极153可以形成在有机发光层152上。第二电极153可以覆盖有机发光层152和第一遮光层141。
封装构件160可以形成在第二电极153上。
下文将参考图4A、图4B和图4C描述根据实施例的制造有机发光显示设备的方法的另一示例。与参考图2、图3A和图3B的制造有机发光显示设备的方法的描述基本相同或相似的参考图4A、图4B和图4C的制造有机发光显示设备的方法的各方面的描述将不再重复。
图4A、图4B和图4C图示了制造图2中的有机发光显示设备的另一示例性方法的各阶段的截面图。
参考图4A，覆盖第一电极151和外围电极155的预备像素限定层131'可以形成在平坦化层114上。预备像素限定层131'可以由光敏有机材料形成。
参考图4A和图4B，开口可以通过光刻法形成在预备像素限定层131'中。
首先，掩模182可以被布置在预备像素限定层131'之上。掩模182可以包括遮光部分182a和透光部分182b。例如，遮光部分182a的透光率可以基本为0％，并且透光部分182b的透光率可以基本为100％。掩模182可以被布置使得透光部分182b对应于像素限定层131的第一开口OP1。
然后，光可以从掩模182的顶部向预备像素限定层131'照射，以形成像素限定层131中的第一开口OP1。
参考图4C，第一遮光层141可以形成在像素限定层131上。可以通过诸如喷嘴印刷、喷墨印刷等的印刷工艺沉积第一遮光层141。第一遮光层141可以选择性地沉积在像素限定层131上，使得第一遮光层141包括与第一开口OP1对应的第二开口OP2。
下文将参考图5描述根据实施例的有机发光显示设备的截面结构。
图5图示了根据实施例的有机发光显示设备的截面图。例如，图5可以是沿图1中的线I-I'和线II-II'截取的截面图。
参考图5，根据实施例的有机发光显示设备200可以包括基板210、缓冲层211、薄膜晶体管TFT、栅绝缘层212、绝缘夹层213、平坦化层214、第二遮光层242、有机发光元件OLED、外围电极255、像素限定层231、第一遮光层241和封装构件260。薄膜晶体管TFT可以包括有源图案221、栅电极222、源电极223和漏电极224。有机发光元件OLED可以包括第一电极251、有机发光层252和第二电极253。
与根据图2所示实施例的有机发光显示设备100的描述基本相同或相似的根据图5所示实施例的有机发光显示设备200的元件的描述将不再重复。
第二遮光层242可以被布置在平坦化层214与像素限定层231之间。通过暴露于紫外光，第二遮光层242的颜色可以可逆地改变。
第二遮光层242可以包括光致变色材料。第二遮光层242可以包括与第一遮光层241的材料基本相同的材料。
光致变色材料的有机分子结构可以根据紫外光是否被吸收而改变。光致变色材料的颜色可以根据有机分子结构的改变而改变。因此，包括光致变色材料的第二遮光层242的透过率可以根据紫外光是否入射在其上而改变。当紫外光未入射在其上时，第二遮光层242可以是透明的。当紫外光入射在其上时，第二遮光层242可以具有黑色，并且可以是不透明的。换句话说，第二遮光层242可以在紫外光入射的区域上由于暴露于紫外光而变得不透明，并且不透明的第二遮光层242可以防止紫外光入射在平坦化层214上。
下文将参考图6A和图6B描述根据实施例的制造有机发光显示设备的方法。与参考图2、图3A和图3B的制造有机发光显示设备的方法的细节描述基本相同或相似的参考图6A和图6B的制造有机发光显示设备的方法的细节描述将不再重复。
图6A和图6B图示了描绘制造图5中的有机发光显示设备的方法的各阶段的截面图。
参考图6A，首先，覆盖源电极223和漏电极224的平坦化层214可以形成在绝缘夹层213上。平坦化层214可以由光敏有机材料形成。
然后，第二遮光层242可以沉积在平坦化层214上。第二遮光层242可以由光敏光致变色有机材料形成。
参考图6A和图6B，接触孔CH可以通过光刻法形成在平坦化层214和第二遮光层242中。
首先，掩模283可以被布置在第二遮光层242之上。掩模283可以包括遮光部分283a和透光部分283b。例如，遮光部分283a的透光率可以基本为0％，并且透光部分283b的透光率可以基本为100％。掩模283可以被布置使得透光部分283b对应于接触孔CH。
然后，光可以从掩模283的顶部向第二遮光层242照射，以在平坦化层214和第二遮光层242中形成接触孔CH。接触孔CH可以通过一次光刻工艺形成在平坦化层214和第二遮光层242中，使得制造有机发光显示设备的时间和成本可以降低。
下文将参考图7描述根据实施例的有机发光显示设备的截面结构。
图7图示了根据实施例的有机发光显示设备的截面图。例如，图7可以是沿图1中的线I-I'和线II-II'截取的截面图。
参考图7，根据实施例的有机发光显示设备300可以包括基板310、缓冲层311、薄膜晶体管TFT、栅绝缘层312、绝缘夹层313、平坦化层314、有机发光元件OLED、外围电极355、像素限定层331、隔离物332、第一遮光层341和封装构件360。薄膜晶体管TFT可以包括有源图案321、栅电极322、源电极323和漏电极324。有机发光元件OLED可以包括第一电极351、有机发光层352和第二电极353。
与根据图2所示实施例的有机发光显示设备100的描述基本相同或相似的根据图7所示实施例的有机发光显示设备300的各方面的描述将不再重复。
隔离物332可以被布置在像素限定层331与第一遮光层341之间。隔离物332的宽度可以小于像素限定层331的宽度。隔离物332可以与像素限定层331一起形成。
隔离物332可以包括第二开口OP2。隔离物332的第二开口OP2的宽度可以大于像素限定层331的第一开口OP1的宽度。
第一遮光层341可以包括第三开口OP3。第一遮光层341的第三开口OP3可以对应于隔离物332的第二开口OP2。例如，第一遮光层341的第三开口OP3的宽度可以基本等于隔离物332的第二开口OP2的宽度。当第一遮光层341包括第三开口OP3时，从有机发光层352发射的光可以不被第一遮光层341阻挡。
下文将参考图8A和图8B描述根据实施例的制造有机发光显示设备的方法。与参考图2、图3A和图3B的制造有机发光显示设备的方法的细节描述基本相同或相似的图8A和图8B所示的制造有机发光显示设备的方法的细节描述将不再重复。
图8A和图8B图示了描绘制造图7中的有机发光显示设备的方法的各阶段的截面图。
参考图8A和图8B，开口可以通过光刻法形成在预备像素限定层331'和预备第一遮光层341'中。
首先，掩模381可以被布置在预备第一遮光层341'之上。掩模381可以包括遮光部分381a、透光部分381b和半透光部分381c。例如，遮光部分381a的透光率可以基本为0％，透光部分381b的透光率可以基本为100％，并且半透光部分381c的透光率可以为从大约0％至大约100％。掩模381可以被布置使得透光部分381b对应于像素限定层331的第一开口OP1，并且透光部分381b和半透光部分381c与隔离物332的第二开口OP2和第一遮光层341的第三开口OP3对应。
然后，光可以从掩模381的顶部向预备第一遮光层341'照射，以形成像素限定层331的第一开口OP1、隔离物332的第二开口OP2以及第一遮光层341的第三开口OP3。第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以基本同时被形成。第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以通过一次光刻工艺同时被形成，使得制造有机发光显示设备的时间和成本可以降低。
根据实施例的有机发光显示设备可以应用于包含在计算机、笔记本、移动电话、智能电话、智能平板、PMP、PDA、MP3播放器等中的显示设备。
通过总结和回顾，当外部光的强度强时，外部光可以被有机发光显示设备反射，并且由有机发光显示设备显示的图像可能无法被清楚地观察到。为了防止外部光的反射，偏振器、黑矩阵等可以被布置在有机发光显示设备中。然而，这些组件可增加有机发光显示设备的厚度。
此外，当外部光入射到有机发光显示设备上时，由于被外部光促进的反应，脱气可以从有机发光显示设备的有机绝缘层被排出，并且有机发光显示设备的像素可能由于脱气的影响而退化。
实施例提供了包括遮光层的有机发光显示设备。遮光层可以被布置在像素限定层上，并且可以包括光致变色材料。遮光层的颜色可以通过暴露于紫外光而能可逆地改变。因此，室外环境中的可视性可以被改善，并且从像素限定层引起脱气的外部光可以被阻挡。
实施例提供了制造有机发光显示设备的方法。在根据实施例的制造有机发光显示设备的方法中，像素限定层和遮光层可以基本同时被形成。因此，制造有机发光显示设备的时间和成本可以降低。
在本文中已经公开了示例实施例，尽管采用了特定的术语，但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如在递交本申请时对本领域普通技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，也可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员应理解，在不脱离随附权利要求所阐述的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上作出各种改变。

Claims (10)

1.一种有机发光显示设备，包括：
包括显示区域和非显示区域的基板；
位于所述显示区域中的所述基板上的薄膜晶体管；
覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；
位于所述显示区域中的所述平坦化层上的第一电极，所述第一电极连接到所述薄膜晶体管；
覆盖所述第一电极的像素限定层，所述像素限定层包括第一开口，所述第一开口暴露所述第一电极的一部分以限定发射区域；
位于所述像素限定层上的第一遮光层，所述第一遮光层包括光致变色材料，所述第一遮光层的颜色在暴露于紫外光时能可逆地改变；
位于所述第一电极上的有机发光层；以及
位于所述有机发光层上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述像素限定层和所述第一遮光层位于所述显示区域和所述非显示区域两者中的所述基板之上。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述光致变色材料包括螺吡喃、螺萘并噁嗪染料、二芳基乙烯衍生物、二氢吡啶、呋喃基俘精酸酐衍生物和偶氮苯衍生物中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述第一遮光层在暴露于紫外光时变得不透明。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述第一遮光层包括与所述第一开口对应的第二开口。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：
位于所述平坦化层与所述像素限定层之间的第二遮光层，所述第二遮光层的颜色在暴露于紫外光时能可逆地改变。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，所述第二遮光层包括与所述第一遮光层相同的材料。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，所述第二遮光层在暴露于紫外光时变得不透明。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：
位于所述像素限定层与所述第一遮光层之间的隔离物，所述隔离物包括第二开口，所述第二开口具有大于所述第一开口的宽度的宽度。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中，所述第一遮光层包括与所述第二开口对应的第三开口。
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