CN109872948A - 激光晶化装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种激光晶化装置。激光晶化装置包括：激光发生器，用于产生入射激光束；光学系统，通过对入射激光束进行光转换来生成出射激光束；相移掩模(phase shift mask)，用于使出射激光束的相位在已设定的移动角度范围内移动；以及平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射出射激光束来被激光晶化。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶化装置，更具体而言，涉及一种激光晶化装置。
背景技术
一般而言，非晶硅(Amorphous Silicon)具有作为电荷载体的电子的迁移率低的缺点。相反，多晶硅(Polycrystalline Silicon)使得无法在基板上实现的由非晶硅制造的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的驱动电路能够实现在基板上。因此，由于由多晶硅制造的薄膜晶体管直接形成在基板上，不需要多个端子与驱动集成电路(Driver IC)之间的连接，从而能提高生产率和可靠性并能减小显示装置的厚度。
作为在低温条件下制造多晶硅薄膜晶体管的方法，一般利用准分子激光热处理法(Excimer Laser Annealing，ELA)。特别是，在有机发光显示装置(Organic LightEmitting display，OLED)或液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)的制造工艺中使用准分子激光热处理法(ELA)，该准分子激光热处理法利用具有高能量的激光束来进行晶化。
这种准分子激光热处理法(ELA)的激光晶化装置中使用的激光发生器为脉冲型激光发生器，射程(shot)之间的强度(intensity)均匀度很重要。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种利用相移掩模来减少出射激光束的峰值强度(peakintensity)偏差的激光晶化装置。
本发明的另一目的在于提供一种利用相移掩模及厚度不均匀的分束器来减少出射激光束的峰值强度偏差的激光晶化装置。
但是，本发明的目的并不限定于上述目的，在不脱离本发明的思想及领域的范围内能够进行各种扩展。
为了实现本发明的一目的，本发明的实施例的激光晶化装置可包括：激光发生器，用于产生入射激光束；光学系统，通过对所述入射激光束进行光转换来生成出射激光束；相移掩模(phase shift mask)，用于使所述出射激光束的相位在已设定的移动角度范围内移动；以及平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射所述出射激光束而被激光晶化。
根据一实施例，所述相移掩模可包括石英掩模，所述石英掩模被配置在作为所述出射激光束行进的方向的第一方向上且具有多个蚀刻部分。
根据一实施例，所述蚀刻部分在所述第一方向上的深度可不均匀。
根据一实施例，可在通过所述蚀刻部分的所述出射激光束的波长与通过所述石英掩模的未蚀刻部分的所述出射激光束的波长之间产生相位差。
根据一实施例，所述相移掩模可进一步包括电介质层，所述电介质层被配置在所述石英掩模的未蚀刻部分的至少一部分上。
根据一实施例，所述石英掩模的折射率和所述电介质层的折射率可彼此不同。
根据一实施例，所述光学系统可包括：分束器(splitter)，用于反射光束的一部分并使所述光束的剩余部分透射；以及多个反射镜(mirrors)，用于使所反射的所述光束的全部被反射。所述光学系统可利用所述分束器和所述反射镜来输出多个出射光束，并且通过混合所述出射光束来生成所述出射激光束。
根据一实施例，所述分束器可包括：第一平面，被照射所述入射激光束；以及第二平面，与所述第一平面的对面对应。所述分束器的所述第一平面与所述第二平面之间的厚度可不均匀。
根据一实施例，所述第二平面可相对于所述第一平面以已设定的角度倾斜。
根据一实施例，所述光学系统可进一步包括补偿器(compensator)，所述补偿器通过使从所述分束器反射的光束透射来修正所反射的所述光束的路径。
根据一实施例，所述分束器及所述补偿器中的至少一个可具有所述光束透射的平面彼此不平行的形状。
根据一实施例，所述相移掩模可包括：石英掩模，在作为所述出射激光束行进的方向的第一方向上具有均匀的厚度；以及电介质层，沿所述第一方向被图案化在所述石英掩模上方。
根据一实施例，通过所述相移掩模并移动的所述出射激光束的移动角度可包含在-45°至+45°之间的范围内。
为了实现本发明的一目的，本发明的实施例的激光晶化装置可包括：激光发生器，用于产生入射激光束；光学系统，包括用于反射光束的一部分并使所述光束的剩余部分透射的分束器(splitter)，所述光学系统通过对所述入射激光束进行光转换来生成出射激光束；以及平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射所述出射激光束而被激光晶化。所述分束器的被照射所述入射激光束的第一平面和与所述第一平面的对面对应的第二平面之间的厚度可不均匀。
根据一实施例，所述第二平面可相对于所述第一平面以已设定的角度倾斜。
根据一实施例，所述光学系统可进一步包括：补偿器(compensator)，通过使从所述分束器反射的光束透射来修正从所述分束器反射的光束的路径；以及多个反射镜(mirrors)，用于反射照射的光束的全部。所述光学系统可利用所述分束器、所述补偿器和所述反射镜来输出多个出射光束，并且通过混合所述出射光束来生成所述出射激光束。
根据一实施例，所述激光晶化装置可进一步包括相移掩模(phase shift mask)，所述相移掩模使所述出射激光束的相位在已设定的移动范围内移动。
根据一实施例，所述相移掩模可包括石英掩模，所述石英掩模在垂直于作为所述出射激光束行进的方向的第一方向的第二方向上具有多个蚀刻部分。
根据一实施例，所述相移掩模可进一步包括电介质层，所述电介质层被配置在所述石英掩模的未蚀刻部分的至少一部分上。
根据一实施例，所述激光晶化装置可进一步包括相移掩模，所述相移掩模通过使所述入射激光束的相位在已设定的移动范围内移动而传递给所述光学系统。
本发明的实施例的激光晶化装置可包括使光束透射的平面彼此不平行的分束器和/或补偿器。此外，激光晶化装置可包括相移掩模，所述相移掩模诱导激光束在规定的角度以下内相移。由此，去除或改善用于晶化工艺的激光束的相长干涉、相消干涉等的不期望的光学效果，从而能够改善由此导致的斑纹图案可视不良，例如横线斑点(Mura)可视不良。此外，能提高由本发明的实施例的激光晶化装置制造的显示装置的显示质量。
但是，本发明的效果并不限定于上述效果，在不脱离本发明的思想及领域的范围内能够进行各种扩展。
附图说明
图1是本发明的实施例的激光晶化装置的示意图。
图2是示意性地表示图1的激光晶化装置中所包括的相移掩模的一例的俯视图。
图3是表示图2的相移掩模的一部分的一例的剖面图。
图4是表示图2的相移掩模的一部分的另一例的剖面图
图5是表示图2的相移掩模的一部分的又一例的剖面图。
图6是表示图1的激光晶化装置中所包括的光学系统的一例的示意图。
图7是表示图6的光学系统中所包括的分束器剖面的一例的图。
图8是表示图6的光学系统中所包括的分束器和补偿器的一例的图。
图9是表示图6的光学系统中所包括的分束器和补偿器的另一例的图。
图10是表示对由现有的光学系统输出的出射激光束和由图6的光学系统输出的出射激光束进行比较的一例的图表。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的优选实施例进行更详细说明。对附图中的相同的结构要素使用相同的附图标记并对相同的结构要素省略重复的说明。
图1是本发明的实施例的激光晶化装置的示意图，图2是示意性地表示图1的激光晶化装置中所包括的相移掩模的一例的俯视图。
参照图1及图2，激光晶化装置1000可包括激光发生器100、光学系统200、相移掩模300和平台400。
激光发生器100可产生入射激光束1。由激光发生器100产生的入射激光束1为诱导对象薄膜20的相位变化的准分子激光束等，该入射激光束1被转换为出射激光束1'而使形成于基板10的对象薄膜20进行晶化。
在一实施例中，对象薄膜20可以是非晶硅层，对象薄膜20可通过低压化学沉积法、常压化学沉积法、PECVD法(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积)、溅射法、真空沉积法(vacuum evaporation)等方法来形成。
基板10可安装在平台400上。平台400可支撑及固定包含对象薄膜20的基板10，该对象薄膜20被照射出射激光束1'而被晶化。
光学系统200可通过对入射激光束1进行光转换来生成出射激光束1'。光学系统200可包括脉冲扩展模块等，该脉冲扩展模块在增加入射激光束1的波长持续时间的同时，使入射激光束1的波长反转或使入射激光束1的波长的相位移动。例如，光学系统200或包含在该光学系统200中的脉冲扩展模块可包括分束器(splitter)和多个反射镜(mirror)。分束器可以使光束的一部分反射并使光束的剩余部分透射。反射镜可以使光束的全部被反射。可通过混合由分束器及反射镜输出的多个出射光束来生成出射激光束1'。关于光学系统200的具体结构及操作将参照图6至图9进行详细描述。
在现有的激光晶化装置中，由于输出的多个激光束的光学干涉及衍射，在输出的激光束的强度上产生较大的偏差。由此，在基板10的点亮检查时会检测出能看到横线斑点(mura)等斑纹的不良，尤其能看到低灰阶区域中的画质不良。
为了改善由这种光学特征带来的斑纹可视不良，使用使激光晶化装置1000在长轴方向(例如，激光行进方向)上振动的微平滑(micro smoothing)方式。即，微平滑方式通过使激光晶化装置1000自身振动以混合比较固定的斑纹图案来使其相消，从而从视觉上改善斑纹可视。例如，可通过设定使斑纹可视不良最小化的激光晶化装置1000的振动频率和振幅大小来执行微平滑。
但是，微平滑方式因与激光晶化装置1000的周边频率之间的共振(resonance)、随激光晶化装置1000自身的振动产生的短轴方向上的振动等而能看到不期望的二次斑纹图案，为了防止该二次斑纹图案，限制用于微平滑的可用频率范围。此外，由于随着激光晶化装置1000及包含在该激光晶化装置1000中的光学系统200的大型化，关于振动及微平滑的限制因素有可能进一步增加，因此需要用于减少斑纹产生的根本解决方式。
相移掩模300能够使出射激光束1'的相位在已设定的移动角度范围内移动。相移掩模300可包括石英掩模，该石英掩模被配置为与作为出射激光束1'行进的方向的第一方向DR1垂直(例如，沿第二方向DR2)。石英掩模可包括多个蚀刻部分。即，相移掩模300可实现为具有随机形状的图案的石英掩模。即，相移掩模300在第一方向DR1上的厚度可不均匀，并且沿图案的轮廓(profile)不同。
图案可通过对石英掩模进行蚀刻来形成。即，石英掩模可包含多个蚀刻部分EP和未蚀刻部分NEP。在一实施例中，蚀刻部分EP在第一方向DR1上的深度可彼此均匀。在另一实施例中，蚀刻部分EP在第一方向DR1上的深度中的至少一部分深度也可不同并彼此不均匀。换言之，蚀刻部分EP在石英掩模中可以以随机位置及随机形状形成。
出射激光束1'的波长可根据介质变化而不同。由于相移掩模300的厚度不均匀，因此可根据出射激光束1'通过相移掩模300的位置而产生出射激光束1'的波长的相位差。在此，出射激光束1'的相位差最多可小于90°。例如，出射激光束1'在通过石英掩模的同时移动的移动角度可包含在-45°至+45°之间的范围内。因此，能够将因相移导致的波长相长干涉或相消干涉发生的可能性最小化，并且将波长强度(intensity)偏差最小化。由此，能确保对象薄膜20的晶化时所需要的能量不存在较大的偏差。
此外，能改善伴随由现有的激光晶化装置中产生的光束干涉现象和衍射现象引起的波长峰值强度的急剧增加产生的斑纹图案可视不良，例如横线斑点可视不良。
但是，这是示例性的，相移掩模300也可被配置在激光发生器100与光学系统200之间。在一实施例中，相移掩模300可被配置在传递入射激光束1的光传递路径上。由此，相移掩模300可通过使入射激光束1的相位在已设定的移动范围内移动而传递给光学系统200。光学系统200可基于此而生成及输出出射激光束1'。
在一实施例中，相移掩模300可进一步包括电介质层，该电介质层沿第一方向DR1被图案化在石英掩模上方。电介质层在第一方向DR1上的厚度也可不均匀。此外，石英掩模的折射率和电介质层的折射率可彼此不同。因此，可产生通过相移掩模300的出射激光束1'的相移。
图3是表示图2的相移掩模的一部分的一例的剖面图。
参照图2及图3，相移掩模300A可包括石英掩模320。
石英掩模320可在与作为出射激光束1'行进的方向的第一方向DR1垂直的第二方向DR2上包含多个蚀刻部分EP。在一实施例中，蚀刻部分EP在第一方向DR1上的深度可实质上相同。在另一实施例中，蚀刻部分EP在第一方向DR1上的深度可不均匀。例如，石英掩模320的未蚀刻部分NEP的厚度D1、D3可不均匀，蚀刻部分EP的厚度D2、D4也可彼此不同。蚀刻部分EP的图案可以是四边形图案。但是，这是示例性的，蚀刻部分EP的图案并不限定于此。例如，蚀刻部分EP的图案可具有圆形、椭圆形、多边形等多种形状，蚀刻部分EP的侧壁也可具有相对于第一方向DR1倾斜或弯曲的形状。
石英掩模320可具有与周边不同的折射率。例如，石英掩模320的周边可以是空气或真空且具有第一折射率n1，石英掩模320具有与第一折射率n1不同的第二折射率n2。因此，出射激光束1'在石英掩模320和周边中的波长彼此不同。
在通过蚀刻部分EP的出射激光束1'的波长与通过石英掩模320的未蚀刻部分NEP的出射激光束1'的波长之间可产生相位差PS。例如，出射激光束1'可通过未蚀刻部分NEP和蚀刻部分EP。由于未蚀刻部分NEP与蚀刻部分EP之间的厚度差，可在彼此不同的瞬间产生出射激光束1'的相移。因此，可产生出射激光束1'之间的相位差PS。在此，相位差PS可小于90°。例如，出射激光束1'在通过石英掩模320的同时移动的移动角度可包含在-45°至+45°之间的范围内。因此，能够将由相移引起的波长相长干涉或相消干涉发生的可能性最小化，并且将波长强度(intensity)偏差可被最小化。由此，能确保对象薄膜20的晶化时所需要的能量不存在较大的偏差。
图4是表示图2的相移掩模的一部分的另一例的剖面图。
在图4中，对参照图3所说明的结构要素使用相同的附图标记，并省略关于这种结构要素的重复说明。此外，图4的相移掩模300B除电介质层340以外，可具有与图3的相移掩模300A实质上相同或相似的结构。
参照图2及图4，相移掩模300B可包括石英掩模320及电介质层340。
石英掩模320可垂直于作为出射激光束11'、11”、11”'行进的方向的第一方向DR1而包括多个蚀刻部分EP。在一实施例中，蚀刻部分EP在第一方向DR1上的深度可实质上相同。在另一实施例中，蚀刻部分EP在第一方向DR1上的深度可不均匀。
在通过蚀刻部分EP的出射激光束11'的波长与通过石英掩模320的未蚀刻部分NEP的出射激光束11”的波长之间可产生相位差PS2。在此，相位差PS2可小于90°。例如，相位差PS2可以是约10°。
电介质层340可被配置在石英掩模320的未蚀刻部分NEP的至少一部分上。在一实施例中，电介质层340为半导体电介质层，可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟化镁等电介质物质。但是，这是示例性的，电介质层340并不限定于此。例如，电介质层340可包含具有与石英不同的折射率的电介质物质。在一实施例中，电介质层340在第一方向DR1上的厚度可均匀。在另一实施例中，电介质层340在第一方向DR1上的厚度也可不均匀。
由此，相移掩模300B的蚀刻部分EP、未蚀刻部分NEP中的配置有电介质层340的部分以及未蚀刻部分NEP中的剩余部分在第一方向DR1上的厚度可不同。因此，出射激光束11'、11”、11”'可根据照射的位置以规定的角度产生相移。
在通过配置有电介质层340的区域的出射激光束11”'的波长与通过石英掩模320的未蚀刻部分NEP的出射激光束11”的波长之间可产生相位差PS1。在此，相位差PS1可小于90°。例如，相位差PS1可以是约10°。在通过配置有电介质层340的区域的出射激光束11”'的波长与通过石英掩模320的蚀刻部分EP的出射激光束11'的波长之间也存在相位差PS1+PS2。
可在电介质层340被沉积到整个石英掩模320上之后，对电介质层340和石英掩模320进行蚀刻。由此，相移掩模300B可具有随机形状的图案。但是，这是示例性的，相移掩模300B也可具有规则图案。
在一实施例中，石英掩模320的折射率n2和电介质层340的折射率n3可彼此不同。此外，相移掩模300B周边的折射率n1也可与石英掩模320的折射率n2和电介质层340的折射率n3不同。因此，可根据激光束通过的部分来变更激光束的波长。
出射激光束11'、11”、11”'的相移角度可包含在-45°至+45°之间的范围内。因此，能够将由相移引起的波长相长干涉或相消干涉发生的可能性最小化，并且将波长强度偏差最小化。由此，能确保对象薄膜20的晶化时所需要的能量不存在较大的偏差。
图5是表示图2的相移掩模的一部分的又一例的剖面图。
在图5中，对参照图4所说明的结构要素使用相同的附图标记，并省略关于这种结构要素的重复说明。此外，图5的相移掩模300C除石英掩模320及电介质层342、344以外，可具有与图4的相移掩模300B实质上相同或相似的结构。
参照图2及图5，相移掩模300C可包括石英掩模320及电介质层342、344。
在一实施例中，石英掩模320可在作为出射激光束行进的方向的第一方向DR1上具有实质上均匀的厚度。
电介质层342、344可沿第一方向DR1图案化而形成在石英掩模320上方。在一实施例中，电介质层342、344可由多个层构成。例如，电介质层342、344可包括图案化到石英掩模320上的第一电介质层342以及图案化到第一电介质层342上的第二电介质层344。
第一电介质层342和第二电介质层344可分别包含折射率彼此不同的电介质物质。但是，这是示例性的，第一电介质层342和第二电介质层344也可包含相同的电介质物质。
由此，相移掩模300C具有随机形状的图案，并且相移掩模300C在第一方向DR1上的厚度可不均匀。由于这种相移掩模300C的厚度变化及折射率变化，出射激光束的相位可以以多种角度移动。在此，相移角度可包含在从最初出射激光束的波长起-45°至+45°之间的范围内。因此，能够将由相移引起的波长相长干涉或相消干涉发生的可能性最小化，并且将波长强度(intensity)偏差最小化。由此，能确保对象薄膜20的晶化时所需要的能量不存在较大的偏差。
图6是表示图1的激光晶化装置中所包括的光学系统的一例的示意图。
参照图1及图6，光学系统200可包括分束器220及多个反射镜262、264、266、268。光学系统200可进一步包括执行光路修正的补偿器240。
入射激光束1为诱导对象薄膜20的相位变化的准分子激光束等，该入射激光束1通过转换为出射激光束1'而使形成于基板10的对象薄膜20进行晶化。
光学系统200可利用分束器220和反射镜262、264、266、268将入射激光束1制作成多个出射光束1A、1B、1C，并且通过混合出射光束1A、1B、1C来生成出射激光束1'。出射激光束1'可被直接照射到对象薄膜20上，或者通过相移掩模300而被照射到对象薄膜20上。
分束器220可通过反射入射光束的一部分来生成反射光束，并且通过使入射光束的剩余部分透射而生成透射光束(例如，第一至第三出射光束1A、1B、1C)。例如，分束器220可反射入射光束的约50％并使剩余约50％光束透射。作为一例，分束器220可通过反射入射激光束1的一部分并使入射激光束1的剩余部分透射而生成第一出射光束1A。
分束器220可包括被照射入射激光束1的第一平面及与第一平面的对面对应的第二平面。第二平面可以是被照射从第四反射镜268反射的光束的平面。在一实施例中，分束器220的第一平面与第二平面之间的厚度可不均匀。例如，第二平面可与第一平面不平行，而是可具有相对于第一平面以已设定的角度倾斜的形状。因此，激光束的波长相位可根据被照射激光束的位置而不同。
补偿器240可通过使从分束器220反射的光束透射而修正光束的路径。补偿器240可通过以从分束器220反射的光束向第一反射镜262准确地照射的方式使光束折射而修正光束的路径。补偿器240可以使入射光束全部透射。
在一实施例中，补偿器240中的光束透射的平面可彼此不平行。即，被照射从分束器220反射的光束的第一平面与作为该第一平面的对面平面的第二平面之间的厚度可不均匀。例如，补偿器240可具有第一平面和第二平面不平行的梯形形状。因此，激光束的波长相位可根据被照射从分束器220反射的光束的位置而不同。
反射镜262、264、266、268可由用于反射全部光束的第一至第四反射镜262、264、266、268构成。从补偿器240输出的光束可经由第一反射镜262、第三反射镜266、第二反射镜264和第四反射镜268这一顺序的反射回路而再次传递到分束器220。分束器220可通过使按这种回路路径行进的光束的一部分反射而依次生成多个出射光束1B、1C。此外，分束器220可以使剩余部分光束向补偿器240透射。
图7是表示图6的光学系统中所包括的分束器剖面的一例的图。
参照图7，分束器220可包括被照射激光束的第一平面S1及与第一平面S1的对面对应的第二平面S2。作为第一平面S1与第二平面S2之间的距离的分束器220的厚度T可不均匀。在一实施例中，第二平面S2可具有相对于第一平面S1以已设定的角度ANG倾斜的形状。例如，倾斜角度ANG可以是约1°左右。由此，分束器220的第一平面S1与第二平面S2之间的厚度T可根据位置而不同。
可根据分束器220的厚度变化而在彼此不同的时刻产生激光束的波长变化，并且根据分束器220中的位置而产生微小的相移。因此，可生成具有-45°至+45°之间的范围的移动角度的相位差PS1、PS2。能够通过这种不规则的波长相移而去除由激光束的干涉和/或衍射引起的相长及相消现象。因此，能够改善由于相长/相消干涉等而激光束波长的峰值强度急剧增加或减少的现象。
图8是表示图6的光学系统中所包括的分束器和补偿器的一例的图，图9是图6的光学系统中所包括的分束器和补偿器的另一例的图。
参照图8及图9，分束器220A、220B及补偿器240A、240B中的至少一个可具有激光束透射的平面彼此不平行的形状。
在一实施例中，如图8所示，分束器220A可具有激光束透射的平面彼此不平行的形状。例如，分束器220A的一部分上的第一厚度T1和另一部分上的第二厚度T2可彼此不同。作为一例，分束器220A的剖面可以是激光束透射的平面彼此不平行的梯形形状。与此相反，补偿器240A可具有激光束透射的平面实质上平行的矩形形状。
由此，虽然在通过补偿器240A的激光束之间不会产生相位差，但在通过分束器220A的激光束之间可产生相位差。
在一实施例中，如图9所示，分束器220B可具有激光束透射的平面实质上平行的形状，补偿器240B可具有激光束透射的平面彼此不平行的形状。作为一例，补偿器240B的剖面可以是梯形形状，分束器220B的剖面可以是矩形形状。
由此，虽然在通过分束器220B的激光束之间不会产生相位差，但在通过补偿器240B的激光束之间可产生相位差。
但是，这是示例性的，分束器220A、220B及补偿器240A、240B的形状并不限定于此。例如，分束器220A、220B及补偿器240A、240B均可以是梯形形状。
如此，通过随分束器220A、220B和/或补偿器240A、240B的厚度变化产生的微小的相移，能够将出射激光束的波长强度偏差最小化。即，能够最小化或去除作为斑纹可视不良的根本原因的激光束的光学干涉和衍射现象本身，并且将由此导致的斑纹图案可视不良例如横线斑点可视不良最小化。
图10是表示对由现有的光学系统输出的出射激光束和由图6的光学系统输出的出射激光束进行比较的一例的图表。
参照图10，由现有的光学系统输出的出射激光束B1有可能在规定的频率范围内振幅(amplitude)急剧上升。这种振幅上升的主要因素可能是光学干涉和/或衍射现象。此外，上述振幅上升诱发斑纹图案可视不良。
本发明的实施例的光学系统200及包括它的激光晶化装置1000可包括使光束透射的平面彼此不平行的分束器220和/或补偿器240。此外，激光晶化装置1000可进一步包括诱导激光束的相移的相移掩模300。由此，在出射激光束B2中产生已设定的角度以下的相移，并且能去除相长干涉或相消干涉等的不期望的光学效果。
因此，如图10所示，出射激光束B2的振幅及随频率变化产生的振幅偏差与现有相比大幅减少。因此，改善或去除作为斑纹可视不良(例如，横线斑点)的根本原因的激光束的光学干涉及衍射现象本身，从而能够提高由本发明的实施例的激光晶化装置制造的显示装置的显示质量。
以上参照本发明的实施例进行了说明，但本发明所属技术领域的技术人员应能理解，本发明可在不脱离所附的权利要求书中记载的本发明的思想及领域的范围内进行各种修改及变更。
Claims (10)
1.一种激光晶化装置，包括：
激光发生器，用于产生入射激光束；
光学系统，通过对所述入射激光束进行光转换来生成出射激光束；
相移掩模，用于使所述出射激光束的相位在已设定的移动角度范围内移动；以及
平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射所述出射激光束而被激光晶化。
2.根据权利要求1所述的激光晶化装置，其特征在于，
所述相移掩模包括石英掩模，所述石英掩模被配置在作为所述出射激光束行进的方向的第一方向上且具有多个蚀刻部分。
3.根据权利要求2所述的激光晶化装置，其特征在于，
所述相移掩模进一步包括电介质层，所述电介质层被配置在所述石英掩模的未蚀刻部分的至少一部分上。
4.根据权利要求2所述的激光晶化装置，其特征在于，
所述光学系统包括：
分束器，用于反射光束的一部分并使所述光束的剩余部分透射；以及
多个反射镜，用于使所反射的所述光束的全部被反射，
所述光学系统利用所述分束器和所述反射镜来输出多个出射光束，并且通过混合所述出射光束来生成所述出射激光束。
5.根据权利要求4所述的激光晶化装置，其特征在于，
所述分束器包括：
第一平面，被照射所述入射激光束；以及
第二平面，与所述第一平面的对面对应，
所述分束器的所述第一平面与所述第二平面之间的厚度不均匀。
6.根据权利要求5所述的激光晶化装置，其特征在于，
所述光学系统进一步包括补偿器，所述补偿器通过使从所述分束器反射的光束透射来修正所反射的所述光束的路径，
所述分束器及所述补偿器中的至少一个具有所述光束透射的平面彼此不平行的形状。
7.根据权利要求1所述的激光晶化装置，其特征在于，
所述相移掩模包括：
石英掩模，在作为所述出射激光束行进的方向的第一方向上具有均匀的厚度；以及
电介质层，沿所述第一方向被图案化在所述石英掩模上方。
8.根据权利要求1所述的激光晶化装置，其特征在于，
通过所述相移掩模并移动的所述出射激光束的移动角度包含在-45°至+45°之间的范围内。
9.一种激光晶化装置，其特征在于，包括：
激光发生器，用于产生入射激光束；
光学系统，包括用于反射光束的一部分并使所述光束的剩余部分透射的分束器，所述光学系统通过对所述入射激光束进行光转换来生成出射激光束；以及
平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射所述出射激光束而被激光晶化，
所述分束器的被照射所述入射激光束的第一平面和与所述第一平面的对面对应的第二平面之间的厚度不均匀。
10.根据权利要求9所述的激光晶化装置，其特征在于，
进一步包括相移掩模，所述相移掩模使所述出射激光束的相位在已设定的移动范围内移动，
所述相移掩模包括石英掩模，所述石英掩模在垂直于作为所述出射激光束行进的方向的第一方向的第二方向上具有多个蚀刻部分。
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