CN109871156A - 触控面板、触控设备和制造触控面板的方法 - Google Patents

触控面板、触控设备和制造触控面板的方法 Download PDF

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Abstract

一种触控面板、具有该触控面板的触控设备和制造触控面板的方法。该触控面板包括衬底基板、触控结构和触控移位寄存器电路。所述触控结构包括:触控扫描电极,沿第一方向设置在所述衬底基板上;以及触控感应电极,沿第二方向设置在所述衬底基板上,所述第一方向与所述第二方向相交叉。所述触控移位寄存器电路设置在所述衬底基板上且与所述触控扫描电极电连接,配置为向所述触控扫描电极提供触控扫描信号。该触控面板可以解决触控扫描信号的引线受到侧边信号干扰而负载增大和引线长度不同造成的负载不同的问题,能够提高检测精度,降低对驱动信号的要求,有利于触控与显示驱动集成的实现。

Description

触控面板、触控设备和制造触控面板的方法
技术领域
本公开的实施例涉及一种触控面板、具有该触控面板的触控设备和制造触控面板的方法。
背景技术
随着技术的发展,触摸屏得到了越来越广泛的应用。触摸屏通过利用触觉反馈系统取代机械式的按钮面板,从而提供了简单、方便的人机交互方式。根据不同的工作原理,触摸屏包括电容式、电阻式、红外式和表面声波式等类型。电容式触摸屏利用人体的电流感应现象进行工作,支持多点触控,且具有耐磨损、寿命长、功耗低等优点,因此得到了较快发展,已经广泛应用到手机、平板电脑、笔记本电脑、电视机、显示器、数码相框、导航仪等电子产品中。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种触控面板,包括:衬底基板;触控结构,所述触控结构包括:触控扫描电极,沿第一方向设置在所述衬底基板上;以及触控感应电极,沿第二方向设置在所述衬底基板上,其中,所述第一方向与所述第二方向相交叉;以及触控移位寄存器电路,设置在所述衬底基板上且与所述触控扫描电极电连接,配置为向所述触控扫描电极提供触控扫描信号。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述触控扫描电极包括多个第一电极部分和多个第二电极部分,所述第一电极部分与所述触控感应电极位于同一层,所述第二电极部分位于不同层且构成连接相邻的第一电极部分的桥接部分,以使得所述触控扫描电极越过与所述触控扫描电极交叉的触控感应电极。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述触控移位寄存器电路包括至少一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述触控扫描电极的第一部分位于同一层,所述薄膜晶体管的栅极与所述触控扫描电极的第二电极部分位于同一层。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述第一电极部分相比于所述第二电极部分更远离所述衬底基板。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板包括显示结构,其中,所述显示结构与所述触控结构在垂直于所述触控面板板面的方向上层叠设置。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述显示结构和所述触控结构设置在所述衬底基板的同一侧,且所述触控结构相比于所述显示结构更远离所述衬底基板。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板包括薄膜封装层,其中,所述薄膜封装层设置在所述显示结构上,所述触控结构设置在所述薄膜封装层上。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述触控移位寄存器电路设置在所述薄膜封装层上。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述显示结构包括阵列基板,所述阵列基板作为所述衬底基板,所述触控移位寄存器电路设置在所述阵列基板上。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述薄膜封装层具有过孔,所述触控移位寄存器电路由所述薄膜封装层覆盖,且通过所述薄膜封装层中的过孔与所述触控扫描电极电连接。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述显示结构还包括显示移位寄存器电路,所述触控移位寄存器电路与所述显示移位寄存器电路并列设置在所述阵列基板上。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述显示结构还包括公共电极线,所述公共电极线与所述触控移位寄存器电路和所述显示移位寄存器电路并列设置在所述阵列基板上。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述显示结构还包括显示移位寄存器电路,所述触控移位寄存器电路与所述显示移位寄存器电路彼此一体形成,所述阵列基板上设置有触控扫描连接线,所述薄膜封装层具有过孔,所述触控移位寄存器电路通过所述触控扫描连接线和所述薄膜封装层中的过孔与所述触控扫描电极电连接。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述显示结构包括盖板,所述盖板作为所述衬底基板,所述显示结构和所述触控结构设置在所述盖板的两侧。
例如,在本公开一实施例提供的触控面板中,所述显示结构包括电致发光显示阵列。
本公开至少一个实施例还提供一种触控设备,包括本公开任一实施例所述的触控面板。
本公开至少一个实施例还提供一种制造触控面板的方法,包括:在衬底基板上形成触控移位寄存器电路和触控结构;其中,所述触控结构包括触控扫描电极和触控感应电极,所述触控扫描电极沿第一方向设置在所述衬底基板上,所述触控感应电极沿第二方向设置在所述衬底基板上,所述第一方向与所述第二方向相交叉,所述触控移位寄存器电路与所述触控扫描电极电连接。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为本公开一实施例提供的一种触控面板的平面示意图;
图2为本公开一实施例提供的一种触控面板的触控扫描移位寄存器电路结构示意图;
图3为本公开一实施例提供的一种触控面板的触控扫描移位寄存器电路信号时序图;
图4为本公开一实施例提供的一种触控面板的触控扫描移位寄存器电路的子电路结构图;
图5为本公开一实施例提供的一种触控面板的剖面示意图;
图6为本公开一实施例提供的另一种触控面板的剖面示意图;
图7为本公开一实施例提供的另一种触控面板的剖面示意图;
图8为本公开一实施例提供的另一种触控面板的剖面示意图;
图9为本公开一实施例提供的另一种触控面板的剖面示意图;
图10A为本公开一实施例提供的一种触控面板的2T1C像素电路结构图;
图10B为本公开一实施例提供的另一种触控面板的2T1C像素电路结构图;
图11为本公开一实施例提供的一种触控设备的外观示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
电容式触摸屏包括自电容式触摸屏和互电容式触摸屏。互电容式触摸屏一般包括两组电极,分别为触控扫描电极和触控感应电极。两组电极交叉设置在衬底基板上,在二者彼此交叉的位置形成电容。当手指触摸到屏幕时,影响触摸点附近触控扫描电极和触控感应电极之间通过交叉形成的电容的耦合,从而改变了电极之间的电容的电容量。触控驱动器通过其中的触控移位寄存器电路向触控扫描电极提供扫描信号,然后通过检测触控感应电极接收的感应信号来检测电容值的变化,从而判断触控位置。由于触控扫描电极的数量庞大,因此触控驱动器与触控面板之间的引线很多,引线受到侧边信号干扰负载增大,且引线的长度不同造成负载不同,从而干扰检测信号,影响检测精度,这种设置对驱动信号的要求较高。
本公开至少一实施例提供一种触控面板、具有该触控面板的触控设备和制造触控面板的方法。该触控面板通过将触控移位寄存器电路制作在设置有触控结构的衬底基板上,从而缩短了触控移位寄存器与触控扫描电极之间的引线的长度,减少了触控驱动器与触控面板之间的引线数量,由此可以解决引线受到侧边信号干扰而负载增大和引线长度不同造成的负载不同的问题,能够提高检测精度,降低对驱动信号的要求。而且,至少一个实施例的触控面板还可以降低对边框设计的影响,有利于实现触控与显示驱动集成和窄边框设计。
下面,将参考附图详细地说明本公开的实施例。应当注意的是,不同的附图中相同的附图标记将用于指代已描述的相同的元件。
本公开至少一实施例提供一种触控面板,包括衬底基板、触控结构和触控移位寄存器电路。所述触控结构包括触控扫描电极和触控感应电极,所述触控扫描电极沿第一方向设置在所述衬底基板上,所述触控感应电极沿第二方向设置在所述衬底基板上,所述第一方向与所述第二方向相交叉。所述触控移位寄存器电路设置在所述衬底基板上且与所述触控扫描电极电连接,配置为向所述触控扫描电极提供触控扫描信号。
图1为本公开一实施例提供的一种触控面板的平面示意图。参考图1,该触控面板001包括设置在衬底基板上的触控扫描电极004、触控感应电极005和触控移位寄存器电路210。
触控扫描电极004和触控感应电极005彼此绝缘且设置在触控有效区002内。触控扫描电极004沿第一方向(图中的横向)设置,触控感应电极005沿与第一方向交叉的第二方向(图中的纵向)设置,例如,第一方向与第二方向相互垂直,即第一方向与第二方向的夹角为90度,本公开的实施例并不限于此。
例如,在如图1所示的示例中,触控感应电极005包括多个第一电极部分0051和多个第二电极部分0052,而触控扫描电极004是连续延伸的。第一电极部分0051与触控扫描电极004位于同一层。第二电极部分0052位于不同层(可以在更接近衬底基板的层或更远离衬底基板的层)且构成连接相邻的第一电极部分0051的桥接部分,以使得触控感应电极005越过与其交叉的触控扫描电极004。需要说明的是,本公开的各实施例中,触控扫描电极004和触控感应电极005不局限于图中的菱形块状结构形式,可以为其他结构形式,例如矩形、三角形、圆形等。例如,在一个实施例的示例中,触控感应电极005与触控扫描电极004位于不同层,由此实现彼此交叉且绝缘,从而不需要桥接部分,该方式制作工艺简单,易于实现。例如,在另一个实施例的示例中,触控感应电极005是连续延伸的,触控扫描电极004可以包括第一电极部分和第二电极部分,第二电极部分构成桥接部分以使得触控扫描电极004越过与其交叉的触控感应电极005。这里,第一方向与第二方向可以为任意方向,且第一方向与第二方向的夹角不局限于90度。
触控移位寄存器电路210直接设置在衬底基板上且位于触控有效区002之外的周边区域中。该触控移位寄存器电路210包括多个级联的子电路(移位寄存器单元)SRn(其中,n≥1),该多个子电路SRn与多个彼此平行设置的触控扫描电极004一一对应且分别电连接,以在工作过程中向多个触控扫描电极004依次提供触控扫描信号TXn(其中,n≥1),例如以逐行扫描的方式提供触控扫描信号TXn。触控移位寄存器电路210的结构形式不受限制,可以包括多个薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件,也可以为其他适用的结构形式。薄膜晶体管可以是氧化物薄膜晶体管,也可以是其他类型的晶体管,例如非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管等。触控移位寄存器电路210在触控面板001上的设置位置不受限制,可以根据实际需求确定。
触控驱动器003可以设置在触控面板001之外,例如可以通过柔性印刷电路板等方式与触控移位寄存器电路210和触控感应电极005电连接。触控驱动器003用于控制触控面板001进行触控检测,例如,向触控移位寄存器电路210提供移位触发信号SR_IN,采集触控感应电极005的多个感应信号RXm(其中,m≥1)。触控驱动器003还可以包括处理电路,用以根据感应信号RXm判断触控位置在触控有效区002内的坐标。触控驱动器003的结构形式不受限制,可以为专用或通用芯片,也可以为专用驱动电路或专用驱动装置或其他适用的结构形式。
通过将触控移位寄存器电路210直接设置在触控面板001上,可以缩短触控移位寄存器电路210与触控扫描电极004之间的引线的长度,减少触控驱动器003与触控面板001之间的引线数量,可以解决引线受到侧边信号干扰而负载增大和引线长度不同造成的负载不同的问题,还能够提高检测精度,降低对驱动信号的要求。
该触控面板001的工作过程描述如下。进行触控检测时,设置在触控面板001之外的触控驱动器003输出移位触发信号SR_IN,触控移位寄存器电路210接收移位触发信号SR_IN之后,开始向触控扫描电极004例如逐行输出多个触控扫描信号TXn,触控驱动器003检测触控感应电极005上的多个感应信号RXm,从而根据感应信号RXm判断触控位置在触控有效区002内的坐标。
在一个实施例的示例中,触控移位寄存器电路210的结构如图2所示。触控移位寄存器电路210包括多个级联的子电路(移位寄存器单元)SRn(其中,n=1,2,3,4)。当然,子电路SRn的个数不局限于4个,可以为任意个数,可以根据触控扫描电极004的条数确定。输入信号包括时钟信号、开启信号STV(即移位触发信号SR_IN)、高电平信号VGH(图中未示出)和低电平信号VGL(图中未示出)。时钟信号根据需要可以包括第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2,用以为子电路SRn提供时钟。根据电路的不同结构,时钟信号不局限于两个,可以为一个或多个。高电平信号VGH和低电平信号VGL用于为触控移位寄存器电路210提供恒压信号。根据电路的不同结构,可以需要一个高电平信号VGH和一个低电平信号VGL,也可以需要多个高电平信号VGH和多个低电平信号VGL,还可以不需要高电平信号VGH和/或低电平信号VGL,本公开的实施例对此不作限制。开启信号STV输入到第一个子电路SR1。根据电路的不同结构,开启信号STV可以为一个或多个。触控扫描信号TX1、TX2、TX3、TX4分别是子电路SR1、SR2、SR3、SR4输出给相应的触控扫描电极004的扫描信号。并且,除了第一个子电路SR1和最后一个子电路SR4外,每一个子电路SRn的输出信号TXn还分别作为上一个子电路的复位信号和下一个子电路的输入信号。
图3为本公开一实施例提供的触控面板中的触控移位寄存器电路的信号时序图。参考图3,触控扫描开始后,触控驱动器003对触控移位寄存器电路210输入开启信号STV、第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2。第一个子电路SR1接收到开启信号STV,在对应的第一时钟信号CLK1为高电平时,输出高电平方波,即为第一触控扫描信号TX1。第一触控扫描信号TX1不仅用于扫描对应的触控扫描电极004,还作为输入信号作用于下一个子电路SR2。从第二个子电路SR2开始,后续子电路SRn接收到前一个子电路提供的输入信号,在各自对应的时钟信号为高电平时,输出高电平方波,即为触控扫描信号TXn。该触控扫描信号TXn不仅用于扫描对应的触控扫描电极004,也作为输入信号作用于下一个子电路,还作为复位信号作用于上一个子电路。如此直至最后一个子电路SR4输出结束为止。每个子电路SRn会在其开始输出时,关闭上一个子电路的输出,其下一个子电路也将在该子电路SRn输出结束之后开始输出并关闭该子电路SRn的输出。由此,各个子电路SRn即可实现顺序输出,实现了移位寄存器的功能。当然,触控移位寄存器电路210的输入信号和输出信号的个数不局限于该实施例描述的个数,可以为任意个数,可以根据实际需求确定。
在一个实施例的示例中,子电路SR3的电路结构如图4所示。参考图4,子电路SR3包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和电容C1。例如,第一晶体管T1的第一极连接第一时钟信号CLK1,第二极连接第二晶体管T2的第一极并输出第三驱动扫描信号TX3。第一晶体管T1的栅极连接第三晶体管T3的第一极以及第四晶体管T4的第二极。第二晶体管T2的第二极连接第三晶体管T3的第二极以及低电平信号VGL。第二晶体管T2的栅极连接第三晶体管T3的栅极以及第四驱动扫描信号TX4。第四晶体管T4的第一极和其栅极相连,并连接第二驱动扫描信号TX2。电容C1的一端连接第一晶体管T1的栅极,另一端连接第一晶体管T1的第二极。该电路工作时,当第二驱动扫描信号TX2为高电平,则第四晶体管T4和第一晶体管T1接通,因此第三驱动扫描信号TX3等于第一时钟信号CLK1,即当第一时钟信号CLK1为高电平时第三驱动扫描信号TX3也输出高电平。当第四驱动扫描信号TX4为高电平时,第二驱动晶体管T2和第三驱动晶体管T3接通,因此第三驱动扫描信号TX3等于低电平信号VGL,即达到复位的效果。由于上述各个晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏极可以互换。第一极可以为源极或者漏极,第二极可以为漏极或者源极。例如,上述各个晶体管为N型晶体管。当然,上述各个晶体管不限于N型晶体管,也可以为P型晶体管,由此相应的开启信号STV的极性进行相应地改变即可。
需要说明的是,本公开的各实施例中,子电路SR3的结构不局限于上面描述的结构,子电路SR3可以为任意结构,也可以包括更多或更少的晶体管和/或电容,例如加入用于实现上拉节点控制、下拉节点控制、降噪等功能的子电路等。同样地,子电路SRn可以为上面描述的结构,也可以为任意适用的结构,本公开的实施例对此不作限制。
图5为本公开一实施例提供的一种触控面板的剖面示意图。参考图5,该触控面板包括衬底基板100、栅绝缘层120、触控移位寄存器电路210、触控扫描电极130、触控感应电极230和保护层140。
例如,触控移位寄存器电路210包括多个薄膜晶体管、电容等。至少一个薄膜晶体管包括栅极211、有源层212和源极/漏极213。该栅极211设置在衬底基板100上,由栅绝缘层120覆盖。有源层212设置在栅绝缘层120上,以形成沟道区域。源极/漏极213设置在栅绝缘层120上,如图5所示直接搭接在有源层212的两端;或者,在有源层212上覆盖有层间绝缘层的情形,源极/漏极213也可以通过两个过孔分别与有源层212电接触。这里,栅极211、有源层212和源极/漏极213构成了底栅型薄膜晶体管。当然,本公开的实施例不局限于此,触控移位寄存器电路210可以包括底栅型薄膜晶体管,也可以包括顶栅型薄膜晶体管,或者同时包括底栅型薄膜晶体管和顶栅型薄膜晶体管。这里,衬底基板100可以为玻璃基板、塑料基板等,并且还可以在衬底基板100上先形成无机缓冲层,然后在无机缓冲层上形成上述电路构造。栅极211和源极/漏极213可以采用金属、透明导电材料或其他适用的材料。有源层212可以采用非晶硅、多晶硅、金属氧化物或其他适用的材料。栅绝缘层120可以采用硅氮化物或其他适用的材料。
在该示例中,触控扫描电极130包括第一电极部分131和第二电极部分132。第一电极部分131设置在栅绝缘层120上,且最靠近源极/漏极213的第一电极部分131与源极/漏极213电连接,由此可以接收触控移位寄存器电路210输出的触控扫描信号TXn。第二电极部分132设置在衬底基板100上。栅绝缘层120上具有第一过孔121。第一电极部分131通过第一过孔121与第二电极部分132电连接,第二电极部分132构成桥接部分以连接相邻的两个第一电极部分131。这里,第一电极部分131与源极/漏极213位于同一层,第二电极部分132与栅极211位于同一层,因此可以在制作触控移位寄存器电路210的同时制作触控扫描电极130,从而可以简化工艺,降低成本。第一电极部分131和第二电极部分132的结构形式不受限制,也可以将第一电极部分131设置在衬底基板100上,将第二电极部分132设置在栅绝缘层120上,或者采用其他适用的结构形式。第一电极部分131和第二电极部分132可以采用金属、透明导电材料或其他适用的材料。
在该示例中,触控感应电极230设置在栅绝缘层120上,与第一电极部分131位于同一层且交叉排列。触控感应电极230的设置位置不受限制,可以与第一电极部分131位于同一层,也可以与第一电极部分131位于不同层。触控感应电极230可以采用金属、透明导电材料或其他适用的材料。
保护层140形成在触控移位寄存器电路210、触控扫描电极130和触控感应电极230上,主要作用包括保护、绝缘。保护层140的材料不受限制,可以是无机绝缘材料如硅氧化物、硅氮化物,或有机绝缘材料例如树脂,或者其他适用的材料。
该实施例中,触控驱动器003例如可以通过柔性印刷电路板等方式与该触控面板的触控移位寄存器电路210和触控感应电极230电连接。
如图5所示的触控面板可以与其他产品、结构结合,例如附着在液晶显示面板、OLED显示面板的显示侧上,从而形成例如外挂式(On-cell)触控显示设备;在这种结构中,显示面板例如可以包括阵列基板和与该阵列基板相对设置的对置基板,二者例如彼此结合以形成容纳液晶材料或OLED器件的空间。触控结构例如直接形成在对置基板上,此时显示面板的对置基板作为设置触控结构的衬底基板,触控结构和显示结构形成在该衬底基板的不同侧。例如,触控驱动器003可以与显示控制器一体形成,或者由显示控制器形成等。
图6为本公开一实施例提供的另一种触控面板的剖面示意图。参考图6,除了还进一步包括显示结构110和薄膜封装层180外,该实施例的触控面板与图5中描述的触控面板基本上相同。在该实施例中,由于显示结构110与触控结构例如触控扫描电极130和触控感应电极230彼此组合,由此可以提供触控显示面板。该显示结构110例如包括多个按照阵列排布的子像素单元以及为这些子像素单元提供显示扫描信号的栅线、数据信号的数据线、电压信号的电源线(图中未示出)等,更具体地,该显示结构110包括阵列基板101以及形成在阵列基板101上的像素电路150、电致发光元件160、阴极层170、显示移位寄存器电路190和公共电极线200等。例如,像素电路150、显示移位寄存器电路190和公共电极线200并列设置在阵列基板101上。子像素单元的像素电路150用于驱动、控制电致发光元件160发光,可以包括多个薄膜晶体管或场效应管或其他器件(例如电容),也可以为其他适用的结构形式。显示移位寄存器电路190用于为阵列排布的子像素单元的像素电路150提供多个显示扫描、控制信号等,例如以逐行扫描的方式提供显示扫描信号,从而可以逐行开启子像素单元以进行显示。显示移位寄存器电路190可以包括多个薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件,也可以为其他适用的结构形式。公共电极线200与阴极层170电连接,用于提供公共电压信号(例如电压信号VSS),其材料可以采用金属或其他适用的材料。电致发光元件160设置在像素电路150上,可以包括但不局限于有机发光二极管,例如可以包括阳极、阴极和夹置在二者之间的有机发光层,该实施例的触控面板的其他结构或部件作相应调整即可。阴极层170设置在子像素单元的电致发光元件160上,用于为子像素阵列提供公共阴极。阴极层170的材料可以采用金属、透明导电材料或其他适用的材料。薄膜封装层180设置在显示结构110上,主要作用包括保护、绝缘。薄膜封装层180的材料不受限制,可以为无机或有机薄膜,或其他适用的材料。在该实施例中,触控移位寄存器电路210与触控结构直接形成在薄膜封装层180上,即薄膜封装层180既对显示结构110进行保护、绝缘,又作为触控移位寄存器电路210和触控结构的衬底基板以起到支撑作用。
该实施例的触控面板整合了用于实现触控功能的部件和用于实现显示功能的部件,从而既具有触控功能,又具有显示功能,并且不影响现有的显示部件的结构,还可以降低对边框设计的影响,有利于实现触控与显示驱动集成和窄边框设计。
需要说明的是,本公开的各实施例中,显示结构110不局限于上述结构形式,可以为任意结构形式,也可以包括更多或更少的部件,本公开的实施例对此不作限制。
图7为本公开一实施例提供的另一种触控面板的剖面示意图。参考图7,除了触控感应电极230、触控扫描电极130和触控移位寄存器电路210的设置方式之外,该实施例的触控面板可以与图6中描述的触控面板基本上相同。在该实施例中,触控感应电极230设置在薄膜封装层180上。触控扫描电极130包括第一电极部分131和第二电极部分132。第一电极部分131设置在薄膜封装层180上,且与触控感应电极230位于同一层。第二电极部分132设置在绝缘层125上。绝缘层125具有第二过孔122。第一电极部分131通过第二过孔122与第二电极部分132电连接。第二电极部分132构成桥接部分以使触控扫描电极130越过与其交叉的触控感应电极230。在该实施例中,触控移位寄存器电路210设置在阵列基板101上,并且例如与公共电极线200和显示移位寄存器电路190位于同一层,由此在该实施例中阵列基板101为用于触控结构的衬底基板的一个示例。薄膜封装层180具有第三过孔181。触控移位寄存器电路210通过第三过孔181与第一电极部分131电连接,从而可以向触控扫描电极130输出触控扫描信号TXn。本实施例中,显示结构110和触控结构设置在衬底基板的同一侧,且触控结构相比于显示结构110更远离衬底基板。将触控移位寄存器电路210设置在显示结构110的阵列基板101上,可以降低对工艺温度的要求,有利于提高触控移位寄存器电路210的性能,且可以与显示移位寄存器电路190和像素电路150同时制作,减少了工艺步骤,降低了生产成本。需要说明的是,本公开的各实施例中,触控移位寄存器电路210在阵列基板101上的设置位置不受限制,可以根据实际需求确定。触控感应电极230、第一电极部分131和第二电极部分132的设置位置不受限制,可以根据实际需求确定。
图8为本公开一实施例提供的另一种触控面板的剖面示意图。参考图8,除了触控移位寄存器电路210、显示移位寄存器电路190、触控扫描连接线220和公共电极线200外,该实施例的触控面板与图7中描述的触控面板基本上相同。在该实施例中,触控移位寄存器电路210和显示移位寄存器电路190彼此一体形成于阵列基板101上,且由阴极层170覆盖。触控扫描连接线220设置在阵列基板101上,并与上述一体形成的电路电连接。触控扫描连接线220的材料可以采用金属、透明导电材料或其他适用的材料。公共电极线200部分层叠地设置在触控扫描连接线220上且与触控扫描连接线220彼此绝缘。薄膜封装层180具有第三过孔181。该一体形成的电路中的触控扫描移位寄存器电路210通过触控扫描连接线220和第三过孔181与触控扫描电极130的第一电极部分131电连接,用于向触控扫描电极130输出触控扫描信号TXn。该一体形成的电路中的显示移位寄存器电路190与像素电路150电连接,用于为阵列排布的子像素单元的像素电路150提供多个显示扫描信号等。
由于触控移位寄存器电路210和显示移位寄存器电路190彼此一体形成,因此显示移位寄存器电路190可以复用作为触控移位寄存器电路210。例如,将显示移位寄存器电路190输出的栅信号复用为触控移位寄存器电路210输出的触控扫描信号TXn。通过信号复用的方式,可以简化电路结构,提高可靠性。需要说明的是,本公开的各实施例中,显示移位寄存器电路190的输出信号的数量不受限制,可以被触控移位寄存器电路210复用的信号的种类也不受限制,可以选择任意信号进行复用。
图9为本公开一实施例提供的另一种触控面板的剖面示意图。参考图9,除了盖板102外,该实施例的触控面板与图6中描述的触控面板基本上相同。在该实施例中,显示结构110包括盖板102。盖板102设置在阴极层170上,主要作用包括保护、绝缘、支撑。盖板102的材料可为玻璃、塑料、陶瓷材料或其他适用的材料。触控移位寄存器电路210、触控扫描电极130和触控感应电极230设置在盖板102上,即在该实施例中盖板102为衬底基板的一个示例,显示结构110和触控结构设置在衬底基板的两侧。由于将触控移位寄存器电路210设置在盖板102上,可以降低对工艺温度的要求,有利于提高触控移位寄存器电路210的性能,并且不影响现有的显示结构的制作工艺。在本公开的实施例中,显示结构110可以为OLED面板,该OLED面板的每个子像素单元的基本像素电路通常为2T1C像素电路,即利用两个TFT(薄膜晶体管)和一个存储电容Cs来实现驱动OLED发光的基本功能。图10A和图10B分别为两种2T1C像素电路的示意图。
如图10A所示,一种2T1C像素电路包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cs。例如,该开关晶体管T0的栅极连接栅线(扫描线)以接收扫描信号(Scan1),例如源极连接到数据线以接收数据信号(Vdata),漏极连接到驱动晶体管N0的栅极;驱动晶体管N0的源极连接到第一电源端(Vdd,高压端),漏极连接到OLED的正极端;存储电容Cs的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极,另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第一电源端;OLED的负极连接到第二电源端(Vss,低压端),例如接地。该2T1C像素电路的驱动方式是将像素的明暗(灰阶)经由两个TFT和存储电容Cs来控制。当通过栅线施加扫描信号Scan1以开启开关晶体管T0时,数据驱动电路通过数据线送入的数据电压(Vdata)将经由开关晶体管T0对存储电容Cs充电,由此将数据电压存储在存储电容Cs中,且此存储的数据电压控制驱动晶体管N0的导通程度,由此控制流过驱动晶体管N0以驱动OLED发光的电流大小,即此电流决定该像素发光的灰阶。在图10A所示的2T1C像素电路中,开关晶体管T0为N型晶体管而驱动晶体管N0为P型晶体管。
如图10B所示,另一种2T1C像素电路也包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cs,但是其连接方式略有改变,且驱动晶体管N0为N型晶体管。更具体而言,图10B的像素电路相对于图10A的变化之处包括:OLED的正极端连接到第一电源端(Vdd,高压端)而负极端连接到驱动晶体管N0的漏极,驱动晶体管N0的源极连接到第二电源端(Vss,低压端),例如接地。存储电容Cs的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极,另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第二电源端。该2T1C像素电路的工作方式与图10A所示的像素电路基本相同,这里不再赘述。
此外,对于图10A和图10B所示的像素电路,开关晶体管T0不限于N型晶体管,也可以为P型晶体管,由此控制其导通或截止的扫描信号(Scan1)的极性进行相应地改变即可。
像素电路在上述2T1C的基本像素电路的基础上还可以包括其他具有补偿功能的电路结构。补偿功能可以通过电压补偿、电流补偿或混合补偿来实现,具有补偿功能的像素电路例如可以为4T1C或4T2C等。例如,在具有补偿功能的像素电路中,数据写入电路和补偿电路配合将携带有数据电压以及驱动晶体管的阈值电压信息的电压值写入到驱动晶体管的控制极且通过电压存储电路存储。具体的补偿电路的示例,这里不再详述。
本公开至少一实施例还提供一种触控设备,该触控设备包括本公开任一实施例所述的触控面板。该触控设备可以缩短触控移位寄存器电路与触控扫描电极之间的引线的长度,减少触控驱动器与触控面板之间的引线数量,解决引线受到侧边信号干扰而负载增大和引线长度不同造成的负载不同的问题,能够提高检测精度,降低对驱动信号的要求,且包括显示结构的至少一个实施例可以降低对边框设计的影响,有利于实现触控与显示驱动集成和窄边框设计。
图11为本公开一实施例提供的一种触控设备的外观示意图。参考图11,该触控设备为电视机300。电视机300包括触控面板301。触控面板301为本公开任一实施例提供的具有显示结构的触控面板。触控面板301既能根据影像信号进行显示,又能进行触控检测。
需要说明的是,本公开的各实施例中,触控设备不局限于电视机300,还可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、电子书、游戏机、显示器、数码相框、导航仪等任何具有触控功能的产品或部件。触控面板301的集成位置不受限制,可以集成在触控设备的正面、侧面或者其他适用的位置上。
本公开至少一实施例还提供一种制造触控面板的方法,该方法包括在衬底基板上形成触控移位寄存器电路和触控结构。所述触控结构包括触控扫描电极和触控感应电极,所述触控扫描电极沿第一方向设置在所述衬底基板上,所述触控感应电极沿第二方向设置在所述衬底基板上,所述第一方向与所述第二方向相交叉,所述触控移位寄存器电路与所述触控扫描电极电连接。该方法可制造如上所述任一实施例的触控面板,可以解决触控扫描信号的引线受到侧边信号干扰而负载增大和引线长度不同造成的负载不同的问题,能够提高检测精度,降低对驱动信号的要求,且包括显示结构的至少一个实施例可以降低对边框设计的影响,有利于实现触控与显示驱动集成和窄边框设计。
通过该方法,触控移位寄存器电路和触控结构的制作顺序不受限制。例如,在一个实施例的示例中,先开始在衬底基板上制作触控移位寄存器电路,然后再在衬底基板上制作触控结构。例如,在另一个实施例的示例中,可以将触控移位寄存器电路和触控结构同时制作。需要说明的是,本公开的各实施例中,制造触控面板的方法不局限于上面描述的步骤和顺序,还可以包括更多的步骤,各个步骤之间的顺序可以根据实际需求确定。例如,制造触控面板的方法还可以包括在衬底基板上形成显示结构的步骤。
有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图只涉及到本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种触控面板,包括:
衬底基板;
触控结构,所述触控结构包括:
触控扫描电极,沿第一方向设置在所述衬底基板上;以及
触控感应电极,沿第二方向设置在所述衬底基板上,其中,所述第一方向与所述第二方向相交叉;以及
触控移位寄存器电路,设置在所述衬底基板上且与所述触控扫描电极电连接,配置为向所述触控扫描电极提供触控扫描信号。
2.根据权利要求1所述的触控面板,其中,所述触控扫描电极包括多个第一电极部分和多个第二电极部分,
所述第一电极部分与所述触控感应电极位于同一层,所述第二电极部分位于不同层且构成连接相邻的第一电极部分的桥接部分,以使得所述触控扫描电极越过与所述触控扫描电极交叉的触控感应电极。
3.根据权利要求2所述的触控面板,其中,所述触控移位寄存器电路包括至少一个薄膜晶体管,
所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述触控扫描电极的第一部分位于同一层,所述薄膜晶体管的栅极与所述触控扫描电极的第二电极部分位于同一层。
4.根据权利要求3所述的触控面板,其中,所述第一电极部分相比于所述第二电极部分更远离所述衬底基板。
5.根据权利要求1-4任一所述的触控面板,还包括显示结构,其中,所述显示结构与所述触控结构在垂直于所述触控面板板面的方向上层叠设置。
6.根据权利要求5所述的触控面板,其中,所述显示结构和所述触控结构设置在所述衬底基板的同一侧,且所述触控结构相比于所述显示结构更远离所述衬底基板。
7.根据权利要求5所述的触控面板,还包括薄膜封装层,其中,所述薄膜封装层设置在所述显示结构上,所述触控结构设置在所述薄膜封装层上。
8.根据权利要求7所述的触控面板,其中,所述触控移位寄存器电路设置在所述薄膜封装层上。
9.根据权利要求7所述的触控面板,其中,所述显示结构包括阵列基板,所述阵列基板作为所述衬底基板,所述触控移位寄存器电路设置在所述阵列基板上。
10.根据权利要求9所述的触控面板,其中,所述薄膜封装层具有过孔,所述触控移位寄存器电路由所述薄膜封装层覆盖,且通过所述薄膜封装层中的过孔与所述触控扫描电极电连接。
11.根据权利要求10所述的触控面板,其中,所述显示结构还包括显示移位寄存器电路,所述触控移位寄存器电路与所述显示移位寄存器电路并列设置在所述阵列基板上。
12.根据权利要求11所述的触控面板,其中,所述显示结构还包括公共电极线,所述公共电极线与所述触控移位寄存器电路和所述显示移位寄存器电路并列设置在所述阵列基板上。
13.根据权利要求9所述的触控面板,其中,所述显示结构还包括显示移位寄存器电路,
所述触控移位寄存器电路与所述显示移位寄存器电路彼此一体形成,所述阵列基板上设置有触控扫描连接线,所述薄膜封装层具有过孔,所述触控移位寄存器电路通过所述触控扫描连接线和所述薄膜封装层中的过孔与所述触控扫描电极电连接。
14.根据权利要求5所述的触控面板,其中,所述显示结构包括盖板,所述盖板作为所述衬底基板,所述显示结构和所述触控结构设置在所述盖板的两侧。
15.根据权利要求5所述的触控面板,其中,所述显示结构包括电致发光显示阵列。
16.一种触控设备,包括根据权利要求1-15任一所述的触控面板。
17.一种制造触控面板的方法,包括:
在衬底基板上形成触控移位寄存器电路和触控结构;
其中,所述触控结构包括触控扫描电极和触控感应电极,所述触控扫描电极沿第一方向设置在所述衬底基板上,所述触控感应电极沿第二方向设置在所述衬底基板上,所述第一方向与所述第二方向相交叉,所述触控移位寄存器电路与所述触控扫描电极电连接。
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