CN203288219U - 一种amoled像素电路及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种AMOLED像素电路及显示装置，涉及显示技术领域，可以提高内嵌式触控电路与AMOLED驱动电路的集成度。所述AMOLED像素电路包括：发光模块、触控模块、控制模块以及驱动放大模块。本实用新型实施例用于制造AMOLED显示装置。

Description

一种AMOLED像素电路及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素电路及显示装置。

背景技术

随着显示技术的急速进步，具有触控功能的显示装置由于其所具有的可视化操作等优点而逐渐得到越来越多人们的欢迎。根据触控面板与显示面板相对位置的不同，一般可以将现有的具有触控功能的显示装置分为表面式(on cell)触控面板与内嵌式(in cell)触控面板两种。与表面式触控面板相比，内嵌式触控面板具有更薄的厚度与更高的光透过率。

而对于现有的显示装置而言，有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode，OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。OLED显示装置按照驱动方式的不同可分为PMOLED(Passive Matrix Driving OLED，无源矩阵驱动有机发光二极管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED，有源矩阵驱动有机发光二极管)两种，由于AMOLED显示器具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(liquid crystal display，液晶显示器)的下一代新型平面显示器。因此，具有内嵌式触控功能的AMOLED显示面板已得到越来越多人们的青睐。

在现有的AMOLED显示面板中，每个OLED均依靠阵列基板上一个像素单元内的多个TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)开关所组成的驱动电路驱动发光实现显示。而内嵌式触控面板(Touch ScreenPanel，简称TSP)是将用于触摸的传感器及驱动电路，同样利用阵列工艺制作在阵列基板上的每个像素单元内。如果将TSP的传感器及驱动电路叠加在AMOLED像素中，则需要加入一定数量的驱动电路TFT，从而需要额外占用一定像素单元的空间，而像素单元中空余空间有限，这极大地限制了内嵌式触控面板电路与AMOLED驱动电路的同时制作。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种AMOLED像素电路及其驱动方法、显示装置，可以提高内嵌式触控电路与AMOLED驱动电路的集成度。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本实用新型实施例的一方面，提供一种AMOLED像素电路，包括：发光模块、触控模块、控制模块以及驱动放大模块；

所述发光模块，分别连接所述控制模块以及第一电压端，用于在所述控制模块的控制下进行发光显示；

所述触控模块，分别连接所述控制模块以及第二信号线，用于接收输入的触控信号；

所述控制模块，还连接第一信号线、所述第二信号线、第三信号线、数据线以及第二电压端，用于根据信号线的输入信号控制所述发光模块和所述触控模块；

所述驱动放大模块，分别连接所述发光模块、所述触控模块、所述控制模块以及所述第二电压端，用于驱动所述发光模块或放大所述触控模块接收到的触控信号。

具体的，所述发光模块包括：

发光器件，所述发光器件的一端连接所述控制模块，其另一端连接所述第一电压端。

进一步地，所述控制模块包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述第一信号线，其第一极连接所述发光器件；

第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接所述第二信号线，其第一极连接所述第一晶体管的第二极，其第二极连接所述数据线；

第三晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述第三信号线，其第一极连接所述驱动放大模块，其第二极连接所述数据线；

第四晶体管，所述第四晶体管的栅极连接所述第一信号线，其第二极连接所述第二电压端；

第一电容，所述第一电容的一端连接所述第三晶体管的第一极，其另一端连接所述第二电压端；

第二电容，所述第二电容的一端连接所述第三晶体管的第一极，其另一端连接所述第四晶体管的第一极。

或者，所述控制模块包括：

第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接所述第二信号线，其第一极连接所述第一晶体管的第二极，其第二极连接所述数据线；

第三晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述第三信号线，其第一极连接所述驱动放大模块，其第二极连接所述数据线；

第四晶体管，所述第四晶体管的栅极连接所述第一信号线，其第二极连接所述第二电压端；

第一电容，所述第一电容的一端连接所述第三晶体管的第一极，其另一端连接所述第四晶体管的第一极；

第二电容，所述第二电容的一端连接所述第四晶体管的第一极，其另一端连接所述第四晶体管的第二极。

其中，所述触控模块可以包括：

第五晶体管，所述第五晶体管的栅极连接所述第二信号线，其第一极连接所述第三晶体管的第一极；

光电晶体管，所述光电晶体管的阳极连接所述第二电压端，其阴极连接所述第五晶体管的第二极。

或者，所述触控模块还可以包括：

第五晶体管，所述第五晶体管的栅极连接所述第二信号线，其第一极连接所述第三晶体管的第一极；

感应电极，所述感应电极与所述第五晶体管的第二极相连接。

进一步地，所述驱动放大模块包括：

第六晶体管，所述第六晶体管的栅极连接所述第三晶体管的第一极，其第一极连接所述第二电压端，其第二极连接所述第一晶体管的第二极。

需要说明的是，所述AMOLED像素电路中的晶体管均为N型晶体管，或所述AMOLED像素电路中的晶体管均为P型晶体管。

本实用新型实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上任一所述的AMOLED像素电路。

本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路及显示装置，通过在AMOLED像素电路中集成内嵌式触控电路，使得发光模块和触控模块共用控制模块和驱动放大模块。这样一来，在不增加驱动信号的基础上，通过调节信号的时序，对内嵌式触控电路和AMOLED像素电路进行分时驱动，从而大大提高了内嵌式触控电路与AMOLED驱动电路的集成度，实现了内嵌式触控面板电路与AMOLED驱动电路在有限的像素单元空间内的同时制作，显著提高了产品的质量，降低了产品的生产难度。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种AMOLED像素电路的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种AMOLED像素电路的电路结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的另一AMOLED像素电路的电路结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的另一AMOLED像素电路的电路结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的又一AMOLED像素电路的电路结构示意图；

图6为驱动如图2所示的一种AMOLED像素电路的信号波形示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是没有区别的。在本实用新型实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型晶体管或P型晶体管。在本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路中，所有晶体管均是以N型晶体管为例进行的说明，可以想到的是在采用P型晶体管实现时是本领域技术人员可在没有做出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本实用新型的实施例保护范围内的。

本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路，如图1所示，包括：发光模块11、触控模块12、控制模块13以及驱动放大模块14。

发光模块11，分别连接控制模块13以及第一电压端V1，用于在控制模块13的控制下进行发光显示。

触控模块12，分别连接控制模块13以及第二信号线S2，用于接收输入的触控信号。

控制模块13，还连接第一信号线S1、第二信号线S2、第三信号线S3、数据线DATA以及第二电压端V2，用于根据信号线的输入信号控制发光模块11和触控模块12。

驱动放大模块14，分别连接发光模块11、触控模块12、控制模块13以及第二电压端V2，用于驱动发光模块11或放大触控模块12接收到的触控信号。

本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路，通过在AMOLED像素电路中集成内嵌式触控电路，使得发光模块和触控模块共用控制模块和驱动放大模块。这样一来，在不增加驱动信号的基础上，通过调节信号的时序，对内嵌式触控电路和AMOLED像素电路进行分时驱动，从而大大提高了内嵌式触控电路与AMOLED驱动电路的集成度，实现了内嵌式触控面板电路与AMOLED驱动电路在有限的像素单元空间内的同时制作，显著提高了产品的质量，降低了产品的生产难度。

其中，第一电压端V1可以输入高电平VDD，第二电压端V2可以输入低电平VSS。该AMOLED像素电路中的发光模块11和触控模块12共用一条数据线DATA，该数据线DATA主要用于分时段向该AMOLED像素电路中输入发光控制信号或读取触控信号。

在本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路中，所有晶体管均是以N型晶体管为例进行的说明，其中，N型晶体管的第一极可以是源极，N型晶体管的第二极可以是漏极。可以想到的是在采用P型晶体管实现时是本领域技术人员可在没有做出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本实用新型的实施例保护范围内的。

具体的，如图2所示，在本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路中，发光模块11可以包括：

发光器件D1，该发光器件D1的一端连接控制模块13，其另一端连接第一电压端V1。

在本实用新型实施例中，发光器件D1可以是现有技术中包括LED(Light Emitting Diode，发光二极管)或OLED(Organic LightEmitting Diode，有机发光二极管)在内的多种电流驱动发光器件。在本实用新型实施例中，是以OLED为例进行的说明。

进一步地，如图2所示，控制模块13可以包括：

第一晶体管T1，该第一晶体管T1的栅极连接第一信号线S1，其第一极连接发光器件D1。

第二晶体管T2，该第二晶体管T2的栅极连接第二信号线S2，其第一极连接第一晶体管T1的第二极，其第二极连接数据线DATA。

第三晶体管T3，该第三晶体管T3的栅极连接第三信号线S3，其第一极连接驱动放大模块14，其第二极连接数据线DATA。

第四晶体管T4，该第四晶体管T4的栅极连接第一信号线S1，其第二极连接第二电压端V2。

第一电容C1，该第一电容C1的一端连接第三晶体管T3的第一极，其另一端连接第二电压端V2。

第二电容C2，该第二电容C2的一端连接第三晶体管T3的第一极，其另一端连接第四晶体管T4的第一极。

或者，如图3所示，控制模块13还可以包括：

第一晶体管T1，该第一晶体管T1的栅极连接第一信号线S1，其第一极连接发光器件D1。

第二晶体管T2，该第二晶体管T2的栅极连接第二信号线S2，其第一极连接第一晶体管T1的第二极，其第二极连接数据线DATA。

第三晶体管T3，该第三晶体管T3的栅极连接第三信号线S3，其第一极连接驱动放大模块14，其第二极连接数据线DATA。

第四晶体管T4，该第四晶体管T4的栅极连接第一信号线S1，其第二极连接第二电压端V2。

第一电容C1，该第一电容C1的一端连接第三晶体管T3的第一极，其另一端连接第四晶体管T4的第一极。

第二电容C2，该第二电容C2的一端连接第四晶体管T4的第一极，其另一端连接第四晶体管T4的第二极。

需要说明的是，以上两种结构的控制模块13均可以通过各个信号的时序输入实现对发光模块11和触控模块12的分时控制。因此在实际应用的过程中，以上两种结构的控制模块13可以根据实际需要进行选择或替代。

进一步地，如图2所示，触控模块12可以包括：

第五晶体管T5，该第五晶体管T5的栅极连接第二信号线S2，其第一极连接第三晶体管T3的第一极。

光电晶体管D2，该光电晶体管的阳极连接第二电压端V2，其阴极连接第五晶体管T5的第二极。

采用这样一种结构的触控模块12，当用户进行触控操作时，光电晶体管D2的受光量将由于用户在触控时所产生的遮光的影响而发生变化，光电晶体管D2根据受光量的不同将产生不同的漏电流，通过考察显示面板不同像素区域漏电流的不同即可准确的实现触控位置的检测。

当然，本实用新型实施例所提供的AMOLED像素电路中的触控模块12并不局限于感光式触控模块，其他各种已知的触控电路结构同样可以适用于本实用新型。例如，在如图4所示的AMOLED像素电路中，触控模块12的结构还可以包括：

第五晶体管T5，该第五晶体管T5的栅极连接第二信号线S2，其第一极连接第三晶体管T3的第一极。

感应电极C3，该感应电极与第五晶体管T5的第二极相连接。

采用这样一种结构的触控模块12，当用户进行触控操作时，用户的手指或其他触控装置将会与感应电极C3之间形成感应电容值，通过测量该感应电容的位置同样可以精确的实现触控位置的检测。

实际应用的过程中，以上两种结构的触控模块12同样可以根据实际需要进行选择或替代。

可以想到，这样一种电容式触控模块同样可以分别搭配上述两种结构的控制模块进行组合。在如图4所示的AMOLED像素电路中，控制模块12的结构与图2中所示的控制模块12的结构相同；或者在如图5所示AMOLED像素电路中，同样采用如图4所示的电容式触控模块，而控制模块12的结构则可以与图3中所示的控制模块12的结构相同。

在如图2所示的AMOLED像素电路中，驱动放大模块14可以包括：

第六晶体管T6，该第六晶体管T6的栅极连接第三晶体管T3的第一极，其第一极连接第二电压端V2，其第二极连接第一晶体管T1的第二极。

采用本实用新型实施例提供的这样一种结构的AMOLED像素电路，可以在不增加驱动信号的基础上，通过调节信号的时序，对内嵌式触控电路和AMOLED像素电路进行分时驱动，从而大大提高了内嵌式触控电路与AMOLED驱动电路的集成度，实现了内嵌式触控面板电路与AMOLED驱动电路在有限的像素单元空间内的同时制作，显著提高了产品的质量，降低了产品的生产难度。

本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括有机发光显示器，其他显示器等。所述显示装置包括如上所述的任意一种AMOLED像素电路。所述显示装置可以包括多个AMOLED像素单元阵列，每一个AMOLED像素单元包括如上所述的任意一个AMOLED像素电路。具有与本实用新型前述实施例提供的像素电路相同的有益效果，由于像素电路在前述实施例中已经进行了详细说明，此处不再赘述。

具体的，本实用新型实施例所提供的显示装置可以是包括LED显示器或OLED显示器在内的具有电流驱动发光器件的显示装置。

本实用新型实施例提供的显示装置，包括AMOLED像素电路，通过在AMOLED像素电路中集成内嵌式触控电路，使得发光模块和触控模块共用控制模块和驱动放大模块。这样一来，在不增加驱动信号的基础上，通过调节信号的时序，对内嵌式触控电路和AMOLED像素电路进行分时驱动，从而大大提高了内嵌式触控电路与AMOLED驱动电路的集成度，实现了内嵌式触控面板电路与AMOLED驱动电路在有限的像素单元空间内的同时制作，显著提高了产品的质量，降低了产品的生产难度。

本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路驱动方法，可以应用于前述实施例中所提供的各种AMOLED像素电路，包括：

S101、关闭发光模块，数据线输入初始化信号，控制模块根据所述初始化信号初始化触控模块以及驱动放大模块。

S102、触控模块接收触控信号。

S103、关闭触控模块，驱动放大模块将触控信号放大输出至数据线。

S104、关闭发光模块，数据线输入的数据信号通过控制模块对驱动放大模块预充电。

S105、关闭触控模块，开启发光模块，驱动放大模块驱动发光模块实现发光显示。

本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路驱动方法，通过在AMOLED像素电路中集成内嵌式触控电路，使得发光模块和触控模块共用控制模块和驱动放大模块。这样一来，在不增加驱动信号的基础上，通过调节信号的时序，对内嵌式触控电路和AMOLED像素电路进行分时驱动，从而大大提高了内嵌式触控电路与AMOLED驱动电路的集成度，实现了内嵌式触控面板电路与AMOLED驱动电路在有限的像素单元空间内的同时制作，显著提高了产品的质量，降低了产品的生产难度。

以下以图2所示的AMOLED像素电路为例对本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路驱动方法进行详细说明，其中，用于驱动该AMOLED像素电路的各条数据信号线的时序波形可以如图6所示。需要说明的是，在本实用新型实施例中，第一晶体管T1与第四晶体管T4的栅极均连接第一信号线S1，输入信号S1_n；第二晶体管T2和第五晶体管T5的栅极均连接第二信号线S2，不同的是第二晶体管T2的栅极输入信号S2_n，而第五晶体管T5的栅极则输入信号S2_n-1，其中，信号S2_n-1的波形经过时延即得到信号S2_n的波形；第三晶体管T3的栅极连接第三信号线S3，输入信号S3_n。

在如图2所示的AMOLED像素电路中，晶体管可以均为N型晶体管，或也可以均为P型晶体管，在本实用新型实施例中是以晶体管均为N型晶体管为例进行的说明，可以想到的是，当晶体管均为P型晶体管时，只需通过将时序控制信号的高低电平进行相应的调整即可以实现同样的功能。

具体的，本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路驱动方法具体可以包括：

初始化阶段(INITIAL)：在此阶段下，信号S1_n与S2_n均为低电平，信号S3_n与S2_n-1均为高电平。此时，第一晶体管T1截止将发光器件关闭，第五晶体管T5导通，将触控模块12接入第六晶体管T6的栅极，第一电容C1作为第六晶体管T6的存储电容，第三晶体管T3导通，第二晶体管T2和第四晶体管T4截止，数据线DATA输入初始化信号VINI，将第一电容C1预充该初始化信号。

这样一来，通过对触控模块12的初始化，可以将第一电容C1预充该初始化信号，从而可以保证下一个阶段中晶体管T6工作于饱和放大状态。

触控阶段(PHOTO)：在此阶段下，信号S1_n、S2_n以及S3_n均为低电平，信号S2_n-1为高电平。此时，第二晶体管T2和第三晶体管T3截止，触控模块12接收触控信号。

其中，触控模块12的结构可以如图2或图3所示，该触控模块12包括光电晶体管D2，采用这样一种结构的触控模块12，当用户进行触控操作时，光电晶体管D2的受光量将由于用户在触控时所产生的遮光的影响而发生变化，光电晶体管D2根据受光量的不同将产生不同的漏电流，通过考察显示面板不同像素区域漏电流的不同即可准确的实现触控位置的检测。

当然，本实用新型实施例所提供的AMOLED像素电路中的触控模块12并不局限于感光式触控模块，其他各种已知的触控电路结构同样可以适用于本实用新型。例如，触控模块12的结构还可以如图4或图5所示，该触控模块12包括感应电极C3，采用这样一种结构的触控模块12，当用户进行触控操作时，用户的手指或其他触控装置将会与感应电极C3之间形成感应电容值，通过测量该感应电容的位置同样可以精确的实现触控位置的检测。

实际应用的过程中，以上两种结构的触控模块12同样可以根据实际需要进行选择或替代。

具体的可以以感光式触控模块为例，对触控阶段进行详细的说明。当第二晶体管T2和第三晶体管T3截止时，光电晶体管D2检测显示面板的触摸状态。当显示面板被用户的手指触摸时，外部光源无法照射到光电晶体管D2，则D2的受光量较少，此时的光感应漏电流较小，则PHOTO阶段第一电容C1电压因为漏电产生的电平变化也较小；当显示面板未被触摸时，外部光源可以照射到光电晶体管D2，则D2的受光量较多，产生较大的光感应漏电流，则PHOTO阶段第一电容C1电压因为漏电产生较大电平变化。因此，如果被触摸，则放大晶体管的栅极电压相对初始电压变化小；如果未被触摸，则放大晶体管的栅极电压相对初始电压变化大。

读取阶段(READ)：在此阶段下，信号S1_n、S3_n以及S2_n-1均为低电平，信号S2_n为高电平。此时，第二晶体管T2导通，第三晶体管T3和第五晶体管T5截止，使得触控模块12关闭，第六晶体管T6将其栅极电压放大输出到数据线DATA。

这样一来，数据线DATA此时用作触控结果输出电压的读出线，放大晶体管T6将其栅极电压放大输出到数据线DATA，从而将触控结果输出给设置于显示面板外围的触控信号读取电路。

以上3个阶段为触控功能电路的工作过程，通过检测触摸信号并读取，从而实现触控功能。

写入阶段(WRITE)：在此阶段下，信号S1_n和S2_n-1为低电平，信号S2_n和S3_n为高电平。此时，第一晶体管T1和第四晶体管T4截止，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，数据线DATA输入的灰阶电流将第六晶体管T6的栅极和第一电容C1充电。

由于AMOLED为电流驱动元件，数据线DATA输入灰阶电流I_DATA，第六晶体管T6的栅极和漏极连接，此时T6实为一个二极体进入饱和状态，T6的栅极电平由输入灰阶电流I_DATA决定，同时存储电容C1被充电到T6的栅极电平。即

则 $V_{C1}=V_{\mathrm{GS}\_T1}=\sqrt{\frac{2}{k}\·I_{\mathrm{DATA}}}+V_{\mathrm{TH}\_T1}.$

发光阶段(OLED)：在此阶段下，信号S2_n、S3_n以及S2_n-1均为低电平，信号S1_n为高电平。此时，第二晶体管T2、第三晶体管T3和第五晶体管T5截止，第一晶体管T1和第四晶体管T4导通，第六晶体管T6工作于饱和区，驱动发光器件D1实现发光显示。

具体的，存储电容C1由C_ST＝C₁变为C′_ST＝C₁+C₂；

由 $V_{\mathrm{GS}}=\frac{Q}{C_1}$ 和 ${V^{\′}}_{\mathrm{GS}}=\frac{Q}{C_1+C_2},$

第六晶体管T6的漏电流为 $I_{\mathrm{DS}\_T1}=I_{\mathrm{OLED}}=\frac{1}{2}\·k\·{({V^{\′}}_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}\_T1})}^2;$

比较I_OLED和I_DATA的关系：

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{1}{2}\·k\·{(\frac{Q}{C_1+C_2}-V_{\mathrm{TH}\_T1})}^2$

$I_{\mathrm{DATA}}=\frac{1}{2}\·k\·{(\frac{Q}{C_1}-V_{\mathrm{TH}\_T1})}^2$

$\frac{I_{\mathrm{DATA}}}{I_{\mathrm{OLED}}}=\frac{\frac{1}{2}k{(\frac{Q}{C_1}-V_{\mathrm{TH}\_T1})}^2}{\frac{1}{2}k{(\frac{Q}{C_1+C_2}-V_{\mathrm{TH}\_T1})}^2}={\left(\frac{\frac{Q}{C1}-V_{\mathrm{TH}\_T1}}{\frac{Q}{C1+C2}-V_{\mathrm{TH}\_T1}}\right)}^2={\left(\frac{\frac{Q}{C1+C2}+\frac{C2}{C1}\·\frac{Q}{C1+C2}-V_{\mathrm{TH}\_T1}}{\frac{Q}{C1+C2}-V_{\mathrm{TH}\_T1}}\right)}^2$

$={(\frac{\frac{C2}{C1}\·\frac{Q}{C1+C2}}{\frac{Q}{C1+C2}-V_{\mathrm{TH}\_T1}}+1)}^2={(\frac{\frac{C2}{C1}{V}_{\mathrm{GS}}^{\′}}{V_{\mathrm{GS}}^{\′}-V_{\mathrm{TH}\_T1}}+1)}^2={(\frac{C2}{C1}\·\frac{\sqrt{\frac{2I_{\mathrm{OLED}}}{k1}}+V_{\mathrm{TH}\_T1}}{\sqrt{\frac{{2I}_{\mathrm{OLED}}}{k1}}}+1)}^2$

$={(\frac{C2}{C1}\·\frac{V_{\mathrm{TH}\_T1}\sqrt{k1}}{\sqrt{{2I}_{\mathrm{OLED}}}}+\frac{C1}{C2}+1)}^2={\frac{k1}{2}\left(\frac{{C2V}_{\mathrm{TH}\_T1}}{C1}\right)}^2{[\frac{1}{\sqrt{I_{\mathrm{OLED}}}}+(1+\frac{C1}{C2})\frac{\sqrt{2}}{V_{\mathrm{TH}\_T1}\sqrt{k1}}]}^2=a{(\frac{1}{\sqrt{I_{\mathrm{OLED}}}}+b)}^2$

其中 $a=\frac{k1}{2}{\left(\frac{C2\·V_{\mathrm{TH}\_T1}}{C1}\right)}^2,$ $b=(1+\frac{C1}{C2})\frac{\sqrt{2}}{V_{\mathrm{TH}\_T1}\sqrt{k1}},$ k1为T1管电流系数， $k1={\mathrm{\μ}}_1{C}_{\mathrm{OX}}\frac{W1}{L1}$

因此， $I_{\mathrm{DATA}}=a\·{(1+b\sqrt{I_{\mathrm{OLED}}})}^2=>\sqrt{I_{\mathrm{OLED}}}=\frac{1}{b\sqrt{a}}\·\sqrt{I_{\mathrm{DATA}}}-\frac{1}{b}$

I_DLED的平方根与I_DATA的平方根成线性关系，则I_DLED与I_DATA成正比对应关系。通过对外部驱动IC的各灰阶输入驱动电流I_DATA调节，可将I_OLED与I_DATA关系作线性化，从而实现OLED像素的灰阶显示。

电流缩放比I_DATA/I_OLED随I_OLED的可变，与I_OLED大小成相反变化。即在低灰阶下，像素有很小驱动电流I_OLED情况下，电流缩放比较大，可以有较大的I_DATA，加快存储电容的充电速度；在高灰阶下，像素有较大驱动电流I_OLED情况下，电流缩放比较小，仍然可维持一个较大I_DATA，保证对存储电容的充电速度，即不会造成I_DATA过大而增大驱动功耗。从而可以使得发光器件D1发光直到下一帧。

需要说明的是，以上也仅是以图2所示的AMOLED像素电路为例，对本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路驱动方法进行的说明。本实用新型实施例提供的AMOLED像素电路驱动方法同样可以适用于如图3-5任一所述的AMOLED像素电路，具体的过程可以参照上述实施例，不再一一赘述。

采用本实用新型实施例提供的这样一种结构的AMOLED像素电路驱动方法，可以在不增加驱动信号的基础上，通过调节信号的时序，对内嵌式触控电路和AMOLED像素电路进行分时驱动，从而大大提高了内嵌式触控电路与AMOLED驱动电路的集成度，实现了内嵌式触控面板电路与AMOLED驱动电路在有限的像素单元空间内的同时制作，显著提高了产品的质量，降低了产品的生产难度。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种AMOLED像素电路，其特征在于，包括：发光模块、触控模块、控制模块以及驱动放大模块；

所述发光模块，分别连接所述控制模块以及第一电压端，用于在所述控制模块的控制下进行发光显示；

所述触控模块，分别连接所述控制模块以及第二信号线，用于接收输入的触控信号；

所述控制模块，还连接第一信号线、所述第二信号线、第三信号线、数据线以及第二电压端，用于根据信号线的输入信号控制所述发光模块和所述触控模块；

所述驱动放大模块，分别连接所述发光模块、所述触控模块、所述控制模块以及所述第二电压端，用于驱动所述发光模块或放大所述触控模块接收到的触控信号。

2.根据权利要求1所述的AMOLED像素电路，其特征在于，所述发光模块包括：

发光器件，所述发光器件的一端连接所述控制模块，其另一端连接所述第一电压端。

3.根据权利要求2所述的AMOLED像素电路，其特征在于，所述控制模块包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述第一信号线，其第一极连接所述发光器件；

第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接所述第二信号线，其第一极连接所述第一晶体管的第二极，其第二极连接所述数据线；

第三晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述第三信号线，其第一极连接所述驱动放大模块，其第二极连接所述数据线；

第四晶体管，所述第四晶体管的栅极连接所述第一信号线，其第二极连接所述第二电压端；

第一电容，所述第一电容的一端连接所述第三晶体管的第一极，其另一端连接所述第二电压端；

第二电容，所述第二电容的一端连接所述第三晶体管的第一极，其另一端连接所述第四晶体管的第一极。

4.根据权利要求2所述的AMOLED像素电路，其特征在于，所述控制模块包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述第一信号线，其第一极连接所述发光器件；

第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接所述第二信号线，其第一极连接所述第一晶体管的第二极，其第二极连接所述数据线；

第三晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述第三信号线，其第一极连接所述驱动放大模块，其第二极连接所述数据线；

第四晶体管，所述第四晶体管的栅极连接所述第一信号线，其第二极连接所述第二电压端；

第一电容，所述第一电容的一端连接所述第三晶体管的第一极，其另一端连接所述第四晶体管的第一极；

第二电容，所述第二电容的一端连接所述第四晶体管的第一极，其另一端连接所述第四晶体管的第二极。

5.根据权利要求2所述的AMOLED像素电路，其特征在于，所述触控模块包括：

第五晶体管，所述第五晶体管的栅极连接所述第二信号线，其第一极连接所述第三晶体管的第一极；

光电晶体管，所述光电晶体管的阳极连接所述第二电压端，其阴极连接所述第五晶体管的第二极。

6.根据权利要求2所述的AMOLED像素电路，其特征在于，所述触控模块包括：

第五晶体管，所述第五晶体管的栅极连接所述第二信号线，其第一极连接所述第三晶体管的第一极；

感应电极，所述感应电极与所述第五晶体管的第二极相连接。

7.根据权利要求2所述的AMOLED像素电路，其特征在于，所述驱动放大模块包括：

第六晶体管，所述第六晶体管的栅极连接所述第三晶体管的第一极，其第一极连接所述第二电压端，其第二极连接所述第一晶体管的第二极。

8.根据权利要求2至7任一所述的AMOLED像素电路，其特征在于，所述AMOLED像素电路中的晶体管均为N型晶体管，或所述AMOLED像素电路中的晶体管均为P型晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一所述的AMOLED像素电路。

Images