JP6250342B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
すなわち、駆動回路をCOG実装されたドライバICに内蔵すると、ドライバICから対向電極までの配線が長くなりS/N比が小さくなる。駆動回路を対向電極の近傍のTFT基板上にCMOS(相補型)薄膜トランジスタを用いて形成すると製造プロセスが複雑になる。駆動回路を対向電極の近傍のTFT基板上に単チャネル薄膜トランジスタで形成すると駆動能力が小さくなる。
その他の課題と新規な特徴は、本開示の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、インセルタイプタッチパネルの駆動回路は、タッチ時に対向電極を駆動する信号を通すか否かを制御する薄膜トランジスタと表示時に対向電極電圧を通すか否かを制御する薄膜トランジスタとを有する。駆動回路は、駆動信号スルー時に薄膜トランジスタに印加されるゲート電圧を、対向電極電圧スルーに薄膜トランジスタに印加されるゲート電圧よりも高くする。
図1は本開示に先立って検討した液晶表示装置の基本構成を示す概略図である。同図に示すように、液晶表示装置100は、液晶表示パネル1と、駆動回路5と、フレキシブル基板70と、フロントパネル40と、収納ケース(図示せず)、バックライト(図示せず)とから構成される。
図4は実施の形態に係る表示装置を示す図である。表示装置100Zは、表示用電極とタッチセンス用電極とが共用するようにされる電極CTと、電極CTを駆動する駆動回路210Zとを有する。駆動回路210Zは、電極CTに接続される第1の薄膜トランジスタTR1と、電極CTに接続される第2の薄膜トランジスタTR2とを有する。第1および第2の薄膜トランジスタTR1,TR2は単チャネルの薄膜トランジスタである。第1の薄膜トランジスタTR1は電極CTをタッチセンス用として使用するときに導通して、第1の信号VC1を電極CTに伝送する。第2の薄膜トランジスタTR2は電極CTを表示用として使用するときに道通して、第2の信号VC2を電極CTに伝送する。第1の薄膜トランジスタTR1を第1の信号VC1が伝送するときにそのゲート電極G1に印加される電圧VG1は、第2の薄膜トランジスタTR2を第2の信号VC2が伝送するときにそのゲート電極G2に印加される電圧VG2より大きい。
図5は実施例に係る表示装置の実装例を模式的に表した図である。ドライバIC250はTFT基板2上にCOG(Chip On Glass)として実装され、配線を介して映像信号を表示領域Adにマトリックス状に配置された図示しない画素に送る。ゲートスキャン回路(ゲート駆動回路)220(220R,220L)は、TFT基板2上の画素部(表示領域)Adの近傍に、TFT素子を用いて形成されている。この例では、ゲートスキャン回路220は、図5において、TFT基板2の右側(220R)と左側(220L)に配置され、ドライバIC250から配線を介して制御信号等の供給を受ける。そして、画素部Adにマトリックス状に配置された図示しない画素を、両側から駆動することができるようになっている。
図7は実施例に係るコモンスキャン回路のブロック図である。コモンスキャン回路210は、シフトレジスタ部211とスイッチ部212とを備えている。シフトレジスタ部211は、n個のシフトレジスタSRi(i=1〜n)を有している。シフトレジスタ部211は、シフトレジスタSRiが出力信号線SROUTiを経由して縦列に接続されている。
(a)タイミングa
タイミングaにおいて、リセット信号線CM_RSTがハイ電圧にされると、すべてのシフトレジスタSRi(i=1〜n)はリセットされて、すべてのシフトレジスタSRiの出力信号線SROUTiがロー電圧になる。スイッチ回路CSWi(i=1〜n)のそれぞれのスイッチSW3,SW4はオフする。なお、図示していない初期化回路によって、スイッチSW1がオフし、スイッチSW2がオンする。
タイミングbにおいて、スタート信号線CMSTがハイ電圧にされると、シフトレジスタSRi(i=1)にハイ電圧が入力される。
タイミングcにおいて、クロック信号線CMCK1がハイ電圧にされると、スタート信号線CMSTのハイ電圧が伝達され、シフトレジスタSRi(i=1)の出力信号線SROUTi(i=1)がハイ電圧になる。これによって、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW3がオンする。第1の選択信号線VCOMSEL1がロー電圧であるので、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW1はオフのままである。また、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW4がオンする。第2の選択信号線VCOMSEL2がハイ電圧であるので、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW2はオンのままである。また、出力信号線SROUTi(i=1)のハイ電圧がシフトレジスタSRi(i=2)に入力される。
タイミングdにおいて、第2の選択信号線VCOMSEL2がロー電圧にされると、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW4がオンしているので、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW2はオフする。
タイミングeにおいて、第1の選択信号線VCOMSEL1がハイ電圧にされると、出力信号線SROUTi(i=1)がハイ電圧であり、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW3がオンしているので、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW1はオンする。これによって、対向電極信号Ci(i=1)として、交流駆動信号線VCOMACの信号が対向電極信号線CLi(i=1)に出力可能とされる。
タイミングfにおいて、交流駆動信号線VCOMACがハイ電圧にされ、その後ハイ電圧とロー電圧を繰り返して、対向電極信号線CLi(i=1)に出力される。
タイミングgにおいて、第1の選択信号線VCOMSEL1がロー電圧にされると、出力信号線SROUTi(i=1)がハイ電圧であり、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW3がオンしているので、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW1はオフする。これによって、対向電極信号Ci(i=1)として、交流駆動信号線VCOMACの信号が対向電極信号線CLi(i=1)に出力されなくなる。
タイミングhにおいて、第2の選択信号線VCOMSEL2がハイ電圧にされると、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW4がオンしているので、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW2はオンする。これによって、対向電極信号Ci(i=1)として、直流駆動信号線VCOMDCの信号が対向電極信号線CLi(i=1)に出力される。
タイミングiにおいて、クロック信号線CMCK1がロー電圧にされると、シフトレジスタSRi(i=1)の出力信号線SROUTi(i=1)がロー電圧になる。これによって、スイッチ回路CSWi(i=1)のスイッチSW3,SW4はオフする。
タイミングjにおいて、クロック信号線CMCK2がハイ電圧にされると、出力信号線SROUTi(i=1)のハイ電圧が伝達され、シフトレジスタSRi(i=2)の出力信号SROUTi(i=2)がハイ電圧になる。これによって、スイッチ回路CSWi(i=2)のスイッチSW3がオンする。第1の選択信号線VCOMSEL1がロー電圧であるので、スイッチ回路CSWi(i=2)のスイッチSW1はオフする。また、出力信号線SROUTi(i=2)のハイ電圧がシフトレジスタSRi(i=3)に入力される。
タイミングjからタイミングkまでの間、タイミングd〜タイミングjの動作を繰り返して、対向電極信号線CLi(i=n)まで走査する。タイミングk以降はタイミングa以降と同じ動作である。
また、画素書込みは、タイミングhとタイミングiとの間に行われる。
(構成)
図9は実施例に係るスイッチ回路の詳細回路図である。スイッチ回路CSWi(i=1〜n)は、薄膜トランジスタT3,T4,T9,T10,T11,T12,T13,T14,T15,T16,T17,T18,T19、保持容量C1,C2,C3,C4を有する。破線で囲まれた薄膜トランジスタT3,T4,T9,T10,T11,T12,T13,T14,T15,T16,T17は、それぞれ薄膜トランジスタが直列に2つ接続されて構成されている。しかし、複雑な説明を回避するため、以降1つの薄膜トランジスタとして扱って説明している。これは、ソース・ドレイン間の電圧を緩和するためのものである。薄膜トランジスタのソース・ドレイン間の耐圧は15V程度である。なお、交流駆動信号線VCOMACの信号を除いて、各信号のハイ電圧は12V、ロー電圧は−8Vである。直流駆動信号線VCOMDCの信号は0V〜6Vの間の電圧である。交流駆動信号線VCOMACはおおよそ0Vと5Vの間を動くような振幅にて駆動されてもよく、おおよそ0Vと10Vの間を動くような振幅にて駆動されてもよい。
図8のタイミング図を参照しながらスイッチ回路CSWi(i=1〜n)の動作を以下に説明する。
(a)タイミングa
タイミングaにおいて、リセット信号線CM_RSTがハイ電圧にされると、すべての出力信号線SROUTiがロー電圧になる。薄膜トランジスタT3,T4はそれぞれオン状態にされて、出力信号線SROUTiのロー電圧によって第4および第5のノードNd,Neがロー電圧にされる。薄膜トランジスタT9,T10はそれぞれオフ状態にされる。リセット信号線CM_RSTのハイ電圧が薄膜トランジスタT12を介して第2のノードNbに伝達され、保持容量C2が充電される。第1のノードNaが薄膜トランジスタT15,T17によってロー電圧にされる。また、第3のノードNcが薄膜トランジスタT14によってロー電圧にされる。薄膜トランジスタT18はオフ状態に、薄膜トランジスタT19はオン状態にされる。したがって、直流駆動信号線VCOMDCの信号が対向電極信号線CLi(i=1〜n)に出力される。
タイミングcにおいて、クロック信号線CMCK(CMCK1)がハイ電圧にされると、出力信号線SROUTi(i=1)がハイ電圧にされる。これによって、薄膜トランジスタT3を経由して保持容量C3が充電され、薄膜トランジスタT9がオン状態にされる。第1の選択信号線VCOMSEL1がロー電圧であるので、薄膜トランジスタT18はオフ状態のままにされる。また、薄膜トランジスタT4を経由して保持容量C4が充電され、薄膜トランジスタT10がオン状態にされる。第2の選択信号線VCOMSEL2がハイ電圧であるので、薄膜トランジスタT19はオン状態のままにされる。したがって、直流駆動信号線VCOMDCの信号が対向電極信号線CLi(i=1〜n)に出力される。
タイミングdにおいて、第2の選択信号線VCOMSEL2がロー電圧にされると、スイッチ回路CSWi(i=1)の薄膜トランジスタT10がオン状態になっているので、第4のノードNbが放電されて薄膜トランジスタT19はオフ状態にされる。
タイミングeにおいて、第2の選択信号線VCOMSEL1がハイ電圧にされると、スイッチ回路CSWi(i=1)の薄膜トランジスタT9のゲート電圧が保持容量C3によって昇圧されて、電圧降下がないハイ電圧が第3のノードNcに印加される。第3のノードNcのハイ電圧が薄膜トランジスタT16によって、薄膜トランジスタT18のゲートおよび保持容量C1に印加され、保持容量C1が充電される。これによって、薄膜トランジスタT18はオン状態にされ、交流駆動信号線VCOMACの信号が対向電極信号線CLi(i=1)に出力可能とされる。
タイミングfにおいて、交流駆動信号線VCOMACがハイ電圧にされることにより、スイッチ回路CSWi(i=1)の薄膜トランジスタT18のゲート電圧が保持容量C1によって昇圧されて、電圧降下がないハイ電圧が対向電極信号線CLi(i=1)に出力される。第1のノードNaは保持容量C1によってハイ電圧が維持されているので、交流駆動信号線VCOMACがハイ電圧になるたびに、薄膜トランジスタT18のゲート電圧が保持容量C1によって昇圧されて、電圧降下がないハイ電圧が対向電極信号線CLi(i=1)に出力される。
タイミングgにおいて、第1の選択信号線VCOMSEL1がロー電圧にされると、出力信号線SROUTi(i=1)がハイ電圧であり、スイッチ回路CSWi(i=1)の薄膜トランジスタT9がオン状態になっているので、第3のノードNcはロー電圧にされる。しかし、ダイオード接続された薄膜トランジスタT16があるので、第1のノードNaはロー電圧にはされない。したがって、薄膜トランジスタT18はオン状態のままにされる。
タイミングhにおいて、第2の選択信号線VCOMSEL2がハイ電圧にされると、スイッチ回路CSWi(i=1)の薄膜トランジスタT10のゲート電圧が保持容量C4によって昇圧されて、電圧降下がないハイ電圧が第2のノードNbに印加されて、薄膜トランジスタT19はオン状態にされる。また、第2のノードNbがハイ電圧にされると、薄膜トランジスタT15,T17によって、第1のノードNaがロー電圧にされ、薄膜トランジスタT18はオフ状態にされる。また、薄膜トランジスタT14によっても第3のノードNcがロー電圧にされる。これによって、直流駆動信号線VCOMDCの信号が対向電極信号線CLi(i=1)に出力される。
タイミングiにおいて、クロック信号線CMCK1がロー電圧にされると、出力信号線SROUTi(i=1)がロー電圧になる。これによって、スイッチ回路CSWi(i=1)の薄膜トランジスタT9,T10はオフ状態にされる。クロック信号線CMCK1がロー電圧にされると、逆相クロック信号CMCKはハイ電圧にされ、薄膜トランジスタT11によって、保持容量C2が充電されて第2のノードNbがハイ電圧にされて薄膜トランジスタT19はオン状態のままにされる。これによって、直流駆動信号線VCOMDCの信号が対向電極信号線CLi(i=1)に出力されたままになる。
図10は変形例1に係るスイッチ回路の詳細回路図である。変形例1に係るスイッチ回路CSWAiは図9の実施例に係るスイッチ回路CSWiに対して、ソース・ドレイン間の電圧緩和のための薄膜トランジスタT21を追加したものである。薄膜トランジスタT21を第2のノードNbと、薄膜トランジスタT11の第2の電極および薄膜トランジスタT12の第2の電極との間に配置している。薄膜トランジスタT21のゲート電極は高電圧電源線VDHに接続されている。高電圧電源線VDHに印加される電圧は、高電圧電源線VGHに印加される電圧よりも低い。これによって、薄膜トランジスタT11のソース・ドレイン間の電圧および薄膜トランジスタT12のソース・ドレイン間の電圧を緩和することができる。上記以外は図9のスイッチ回路CSWiと同じであるので、重複する説明は省略する。
図11は変形例2に係るスイッチ回路の詳細回路図である。変形例2に係るスイッチ回路CSWBiは図9の実施例に係るスイッチ回路CSWiに対して、薄膜トランジスタT16のゲート電極の接続を変更したものである。薄膜トランジスタT16のゲート電極は高電圧信号線VGHに接続されている。第3のノードNcの電圧がハイ電圧になると、薄膜トランジスタT16を介してノードNaを充電する。交流駆動信号線VCOMACがハイ電圧にされることにより、薄膜トランジスタT18のゲート電圧が保持容量C1によって昇圧されて、電圧降下がないハイ電圧が対向電極信号線CLi(i=1)に出力される。薄膜トランジスタT16は双方に電流が流れることができるので、第1のノードNaと第3のノードNcが導通することができる。したがって、スイッチ回路CSWiで放電回路を構成していた薄膜トランジスタT15,T17が不要となる。これによって、スイッチ回路を縮小することができる。上記以外は図9のスイッチ回路CSWiと同じであるので、重複する説明は省略する。
図12は変形例3に係るスイッチ回路の詳細回路図である。変形例3に係るスイッチ回路CSWCiは図9の実施例に係るスイッチ回路CSWiに対して、出力信号線SROUT_iからの入力回路を変更したものである。すなわち、薄膜トランジスタT3,T4の替りにダイオード接続された薄膜トランジスタT22,T23が用いられている。薄膜トランジスタT22,T23は入力回路を構成している。したがって、第4および第5のノードNd,Neを放電する放電回路(リセット回路)が必要となり、薄膜トランジスタT24,T25が追加になっている。
図13は変形例4に係るスイッチ回路の詳細回路図である。変形例4に係るスイッチ回路CSWDiは図12の変形例3に係るスイッチ回路CSWCiに対して、初期化回路を追加したものである。すなわち、薄膜トランジスタT26,T27が追加になっている。薄膜トランジスタT26の第1の電極は第4のノードNdに、ゲート電極はリセット信号線CM_RSTに、第2の電極は低電圧信号線VGLに接続されている。また、薄膜トランジスタT27の第1の電極は第5のノードNeに、ゲート電極はリセット信号線CM_RSTに、第2の電極は低電圧電源線VGLに接続されている。初期状態で、リセット信号線CM_RSTの信号がハイ電圧にされると、薄膜トランジスタT9,T10のゲート電極の電圧を低電圧にして初期化することにより、回路の安定性を向上することができる。上記以外の構成は、スイッチ回路CSWCiと同じであるので、重複説明は省略する。なお、保持容量C1、C2,C3,C4は図示されていないが、スイッチ回路CSWDiには、スイッチ回路CSWiと同じ位置に保持容量C1、C2,C3,C4が配置されていることも、スイッチ回路CSWCiと同じである。
図14は変形例5に係るスイッチ回路の詳細回路図である。変形例5に係るスイッチ回路CSWEiは図12の変形例3に係るスイッチ回路CSWCiに対して、出力信号線SROUT_iからの入力部を簡略化したものである。すなわち、2つの薄膜トランジスタT22,T23を1つの薄膜トランジスタT28に、2つの薄膜トランジスタT24,T25を1つの薄膜トランジスタT29に、2つの低電圧電源線VGLを1つの低電圧電源線VGLに替えている。
210Z…駆動回路
CL…電極信号線
CT…電極
DL…ドレイン線
G1、G2…ゲート電極
GL…ゲート線
PT…画素電極
TR、TR1、TR2…薄膜トランジスタ
TDL…検出電極信号線
TDT…検出電極
VC1…第1の信号
VC2…第2の信号
VG1、VG2…ゲート電圧
Claims (17)
- 表示装置は、
表示用電極とタッチセンス用電極とが共用するようにされる電極と、
前記電極を駆動する駆動回路と、
を有し、
前記駆動回路は、
単チャネル薄膜トランジスタで構成され、
前記電極に接続される第1の薄膜トランジスタと、
前記電極に接続される第2の薄膜トランジスタと、
前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧を昇圧する第1の回路と、
を有し、
前記第1の回路は、ダイオード接続された第3の薄膜トランジスタを含み、
前記第3の薄膜トランジスタのカソード電極は前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第1の薄膜トランジスタは前記電極をタッチセンス用として使用するときに導通して、第1の信号を前記電極に伝送し、
前記第2の薄膜トランジスタは前記電極を表示用として使用するときに導通して、第2の信号を前記電極に伝送し、
前記第1の回路は、前記第1の薄膜トランジスタを前記第1の信号が伝送するときにそのゲート電極に印加される電圧は、前記第2の薄膜トランジスタを前記第2の信号が伝送するときにそのゲート電極に印加される電圧より大きくすることを特徴とする表示装置。 - 請求項1の表示装置は、さらに
前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極と前記第3の薄膜トランジスタのカソード電極とが接続された第1のノードを放電する第2の回路を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項2の表示装置は、さらに
第4の薄膜トランジスタと、
第5の薄膜トランジスタと、
を有し、
前記第4および第5の薄膜トランジスタのゲート電極にはシフトレジスタの出力信号が印加され、
前記第4の薄膜トランジスタの第1の電極はタッチ用駆動信号を選択する第1の選択信号線に接続され、
前記第4の薄膜トランジスタの第2の電極は前記第3の薄膜トランジスタのアノード電極に接続され、
前記第5の薄膜トランジスタの第1の電極は表示用対向電圧を選択する第2の選択信号線に接続され、
前記第5の薄膜トランジスタの第2の電極は前記第2の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項3の表示装置は、さらに
前記第2の薄膜トランジスタのゲート電極と前記第5の薄膜トランジスタの一方電極とが接続される第2のノードを放電する第3の回路と、
前記第3の薄膜トランジスタのアノード電極と前記第4の薄膜トランジスタの第2の電極とが接続される第3のノードを放電する第4の回路と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項4の表示装置は、さらに
前記第2のノードを初期化する第5の回路と、
前記第2のノードを安定化する第6の回路と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項5の表示装置は、さらに
前記シフトレジスタの出力信号を受ける入力回路を有し、
前記入力回路は前記第4および第5の薄膜トランジスタのそれぞれのゲート電極に接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項6の表示装置において、
前記入力回路は第6および第7の薄膜トランジスタを有し、
前記第6の薄膜トランジスタの第1の電極は前記シフトレジスタの出力信号線に接続され、
前記第6の薄膜トランジスタの第2の電極は前記第4の薄膜トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第7の薄膜トランジスタの第1の電極は前記シフトレジスタの出力信号線に接続され、
前記第7の薄膜トランジスタの第2の電極は前記第5の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項7の表示装置において、
前記第6の薄膜トランジスタの前記第1の電極とゲート電極とが接続され、
前記第7の薄膜トランジスタの前記第1の電極とゲート電極とが接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項の表示装置において、
前記駆動回路は前記電極の両側に配置され、前記電極は両側の前記駆動回路によって駆動されることを特徴とする表示装置。 - 表示装置は、
画素用薄膜トランジスタと、
表示用電極とタッチセンス用電極とが共用するようにされる対向電極と、
前記対向電極を駆動する駆動回路と、
を有し、
前記駆動回路は、
前記画素用薄膜トランジスタと同じチャネル型の薄膜トランジスタで構成され、
前記対向電極に接続される第1の薄膜トランジスタと、
前記対向電極に接続される第2の薄膜トランジスタと、
前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧を昇圧する第1の回路と、
を有し、
前記第1の回路は、ダイオード接続された第3の薄膜トランジスタを含み、
前記第3の薄膜トランジスタのカソード電極は前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第1の薄膜トランジスタは前記対向電極をタッチセンス用として使用するときに導通して、駆動信号を前記対向電極に伝送し、
前記第2の薄膜トランジスタは前記対向電極を表示用として使用するときに導通して、対向電圧を前記対向電極に伝送し、
前記第1の回路は、前記第1の薄膜トランジスタを前記駆動信号が伝送するときにそのゲート電極に印加される電圧を、前記第2の薄膜トランジスタを前記対向電圧が伝送するときにそのゲート電極に印加される電圧より大きくすることを特徴とする表示装置。 - 請求項10の表示装置は、さらに
第4の薄膜トランジスタと、
第5の薄膜トランジスタと、
を有し、
前記第4および第5の薄膜トランジスタのゲート電極にはシフトレジスタの出力信号が印加される入力回路が接続され、
前記第4の薄膜トランジスタの第1の電極はタッチ用駆動信号を選択する第1の選択信号線に接続され、
前記第4の薄膜トランジスタの第2の電極は前記第3の薄膜トランジスタのアノード電極に接続され、
前記第5の薄膜トランジスタの第1の電極は表示用対向電圧を選択する第2の選択信号線に接続され、
前記第5の薄膜トランジスタの第2の電極は前記第2の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項11の表示装置は、さらに
前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極と前記第3の薄膜トランジスタのカソード電極とが接続された第1のノードを放電する第2の回路を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項12の表示装置は、さらに
前記第2の薄膜トランジスタのゲート電極と前記第5の薄膜トランジスタの一方電極とが接続される第2のノードを放電する第3の回路と、
前記第3の薄膜トランジスタのアノード電極と前記第4の薄膜トランジスタの第2の電極とが接続される第3のノードを放電する第4の回路と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項13の表示装置は、さらに
前記第2のノードを初期化する第5の回路と、
前記第2のノードを安定化する第6の回路と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項11の表示装置において、
前記入力回路は第6および第7の薄膜トランジスタを有し、
前記第6の薄膜トランジスタの第1の電極は前記シフトレジスタの出力信号線に接続され、
前記第6の薄膜トランジスタの第2の電極は前記第4の薄膜トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第7の薄膜トランジスタの第1の電極は前記シフトレジスタの出力信号線に接続され、
前記第7の薄膜トランジスタの第2の電極は前記第5の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項15の表示装置において、
前記第6の薄膜トランジスタの前記第1の電極とゲート電極とが接続され、
前記第7の薄膜トランジスタの前記第1の電極とゲート電極とが接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項10から請求項16のいずれか1項の表示装置において、
前記駆動回路は前記対向電極の両側に配置され、前記対向電極は両側の前記駆動回路によって駆動されることを特徴とする表示装置。
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