CN109830257A - 一种NAND Flash弱块筛选的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种NAND Flash弱块筛选的方法,包括以下步骤:S01)、选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber;S02)、从NAND Flash序号为0的块开始进行筛选,直到最后一个块;S03)、将块磨损N次,N为正整数;S04)、将块写入数据模型X的数据;S05)、读取块中每页数据,获得RBER;S06)、判断每页的REER是都大于REER阈值THrber;S07)、每页的REER若大于REER阈值THrber,说明该块为弱块,进行标注,并进行下一个块的筛选,重复步骤S03至S08;S08)、若不大于,则选取下一种数据模型进行测试,重复步骤S04至S08。
Description
技术领域
本发明涉及一种NAND Flash弱块筛选的方法,属于信息存储领域。
背景技术
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质,基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,电荷被储存在浮栅中,它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。
NAND Flash是从原始的硅材料加工出来的,硅材料被加工成晶圆(Wafer)。芯片未封装前的晶粒称为Die,它是从Wafer上用激光切割而成的小片,每个晶粒(Die)就是一个独立的功能芯片,它由无数个晶体管电路组成,最终被作为一个单位封装起来成为闪存颗粒芯片。
由于制作工艺和硬件电气特性的影响,NAND Flash会存在一部分的坏块(BadBlock),厂商会将这部分坏块(Bad Block)进行标注。此外仍会存在另一部分块(Block)的某些页的RBER(Raw Bit Error Rate)比较高,RBER (Raw Bit Error Rate)指没有经过纠错时出现一个Bit位发生错误的几率,RBER是衡量NAND品质的一项指标。这些块(Block)在未来的使用中呈现出比较差的特性,这些块(Block)即为弱块(Weak Block)。所以在使用NAND Flash前需要筛选出这些存在的弱块(Weak Block),并且进行标注。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种NAND Flash弱块筛选的方法,在一定环境下通过多种数据模型读写辨别出弱块的存在,基于该筛选的结果,NAND Flash存储器的使用者可以采取不同的应对方案,规避使用弱块带来的影响。
为了解决所述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种NAND Flash弱块筛选的方法,包括以下步骤:S01)、选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber;S02)、从NAND Flash序号为0的块开始进行筛选,直到最后一个块;S03)、将块磨损N次,N为正整数;S04)、将块写入数据模型X的数据;S05)、读取块中每页数据,获得RBER;S06)、判断每页的REER是都大于REER阈值THrber;S07)、每页的REER若大于REER阈值THrber,说明该块为弱块,进行标注,并进行下一个块的筛选,重复步骤S03至S08;S08)、若不大于,则选取下一种数据模型进行测试,重复步骤S04至S08。
进一步的,所述数据模型X包括但不限于0、0xFF、0x55、0xAA、0x5A、随机数。
进一步的,环境温度T小于等于70°C,RBER阈值THrber≤800。
本发明的有益效果:本发明充分考虑了环境温度、磨损次数(PE cycles)、数据模型、RBER阈值等因素影响,可以筛选出存在于NAND Flash内特性不佳的弱块(Weak Block)。用户在使用经过筛选的NAND Flash时可以识别出已经标注的弱块,避免在因为使用了弱块(Weak Block)导致一系列不稳定的问题出现,提升了产品的稳定性。
附图说明
图1为实施例1的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1
本实施例公开一种NAND Flash弱块筛选的方法,如图1所示为其流程图,包括以下步骤:
首先,选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber等关键数值,其中T<=70℃,N<=10K,数据模型为常用数据模型,包括但不限于0、0xFF、0x55、0xAA、0x5A、随机数等,THrber<=800。
其次,进行坏块筛除。
第三,从NAND Flash的块(Block)序号Y为0开始进行筛选,直到最后一个块(Block)。
第四,将块(Block)Y磨损N次。
第五,将块(Block)Y写入数据模型X的数据。
第六,读取块(Block)Y中每页(Page)数据,获得RBER。
第七,判断每页(Page)的RBER是否大于RBER阈值THrber。
第八,若大于RBER阈值THrber说明该块(Block)为弱块,进行标注;并且进行下一个块(Block)的筛选,重复步骤四~步骤九。
第九,若不大于,则选取下一种数据模型进行测试,重复步骤五~步骤九。
第十,根据自身需求处理标注出的弱块(Weak Block)。
本发明充分考虑了环境温度、磨损次数(PE cycles)、数据模型、RBER阈值等因素影响,可以筛选出存在于NAND Flash内特性不佳的弱块(Weak Block)。用户在使用经过筛选的NAND Flash时可以识别出已经标注的弱块,避免在因为使用了弱块(Weak Block)导致一系列不稳定的问题出现,提升了产品的稳定性。
以上描述的仅是本发明的基本原理和优选实施例,本领域技术人员根据本发明做出的改进和替换,属于本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种NAND Flash弱块筛选的方法,其特征在于:包括以下步骤:S01)、选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber;S02)、从NAND Flash序号为0的块开始进行筛选,直到最后一个块;S03)、将块磨损N次,N为正整数;S04)、将块写入数据模型X的数据;S05)、读取块中每页数据,获得RBER;S06)、判断每页的REER是都大于REER阈值THrber;S07)、每页的REER若大于REER阈值THrber,说明该块为弱块,进行标注,并进行下一个块的筛选,重复步骤S03至S08;S08)、若不大于,则选取下一种数据模型进行测试,重复步骤S04至S08。
2.根据权利要求1所述的NAND Flash弱块筛选的方法,其特征在于:所述数据模型X包括但不限于0、0xFF、0x55、0xAA、0x5A、随机数。
3.根据权利要求1所述的NAND Flash弱块筛选的方法,其特征在于:环境温度T小于等于70°C,RBER阈值THrber≤800。
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