CN109830257A - 一种NAND Flash弱块筛选的方法 - Google Patents

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曹成
王彬
吴斌
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Abstract

本发明公开一种NAND Flash弱块筛选的方法，包括以下步骤：S01）、选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber；S02）、从NAND Flash序号为0的块开始进行筛选，直到最后一个块；S03）、将块磨损N次，N为正整数；S04）、将块写入数据模型X的数据；S05）、读取块中每页数据，获得RBER；S06）、判断每页的REER是都大于REER阈值THrber；S07）、每页的REER若大于REER阈值THrber，说明该块为弱块，进行标注，并进行下一个块的筛选，重复步骤S03至S08；S08）、若不大于，则选取下一种数据模型进行测试，重复步骤S04至S08。

Description

一种NAND Flash弱块筛选的方法
技术领域
本发明涉及一种NAND Flash弱块筛选的方法，属于信息存储领域。
背景技术
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。
NAND Flash是从原始的硅材料加工出来的，硅材料被加工成晶圆(Wafer)。芯片未封装前的晶粒称为Die，它是从Wafer上用激光切割而成的小片，每个晶粒（Die）就是一个独立的功能芯片，它由无数个晶体管电路组成，最终被作为一个单位封装起来成为闪存颗粒芯片。
由于制作工艺和硬件电气特性的影响，NAND Flash会存在一部分的坏块（BadBlock），厂商会将这部分坏块（Bad Block）进行标注。此外仍会存在另一部分块（Block）的某些页的RBER（Raw Bit Error Rate）比较高，RBER (Raw Bit Error Rate)指没有经过纠错时出现一个Bit位发生错误的几率，RBER是衡量NAND品质的一项指标。这些块（Block）在未来的使用中呈现出比较差的特性，这些块（Block）即为弱块（Weak Block）。所以在使用NAND Flash前需要筛选出这些存在的弱块（Weak Block），并且进行标注。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种NAND Flash弱块筛选的方法，在一定环境下通过多种数据模型读写辨别出弱块的存在，基于该筛选的结果，NAND Flash存储器的使用者可以采取不同的应对方案，规避使用弱块带来的影响。
为了解决所述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种NAND Flash弱块筛选的方法，包括以下步骤：S01）、选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber；S02）、从NAND Flash序号为0的块开始进行筛选，直到最后一个块；S03）、将块磨损N次，N为正整数；S04）、将块写入数据模型X的数据；S05）、读取块中每页数据，获得RBER；S06）、判断每页的REER是都大于REER阈值THrber；S07）、每页的REER若大于REER阈值THrber，说明该块为弱块，进行标注，并进行下一个块的筛选，重复步骤S03至S08；S08）、若不大于，则选取下一种数据模型进行测试，重复步骤S04至S08。
进一步的，所述数据模型X包括但不限于0、0xFF、0x55、0xAA、0x5A、随机数。
进一步的，环境温度T小于等于70°C，RBER阈值THrber≤800。
本发明的有益效果：本发明充分考虑了环境温度、磨损次数（PE cycles）、数据模型、RBER阈值等因素影响，可以筛选出存在于NAND Flash内特性不佳的弱块（Weak Block）。用户在使用经过筛选的NAND Flash时可以识别出已经标注的弱块，避免在因为使用了弱块（Weak Block）导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。
附图说明
图1为实施例1的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1
本实施例公开一种NAND Flash弱块筛选的方法，如图1所示为其流程图，包括以下步骤：
首先，选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber等关键数值，其中T<=70℃，N<=10K，数据模型为常用数据模型，包括但不限于0、0xFF、0x55、0xAA、0x5A、随机数等，THrber<=800。
其次，进行坏块筛除。
第三，从NAND Flash的块（Block）序号Y为0开始进行筛选，直到最后一个块（Block）。
第四，将块（Block）Y磨损N次。
第五，将块（Block）Y写入数据模型X的数据。
第六，读取块（Block）Y中每页（Page）数据，获得RBER。
第七，判断每页（Page）的RBER是否大于RBER阈值THrber。
第八，若大于RBER阈值THrber说明该块（Block）为弱块，进行标注；并且进行下一个块（Block）的筛选，重复步骤四~步骤九。
第九，若不大于，则选取下一种数据模型进行测试，重复步骤五~步骤九。
第十，根据自身需求处理标注出的弱块（Weak Block）。
本发明充分考虑了环境温度、磨损次数（PE cycles）、数据模型、RBER阈值等因素影响，可以筛选出存在于NAND Flash内特性不佳的弱块（Weak Block）。用户在使用经过筛选的NAND Flash时可以识别出已经标注的弱块，避免在因为使用了弱块（Weak Block）导致一系列不稳定的问题出现，提升了产品的稳定性。
以上描述的仅是本发明的基本原理和优选实施例，本领域技术人员根据本发明做出的改进和替换，属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种NAND Flash弱块筛选的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber；S02）、从NAND Flash序号为0的块开始进行筛选，直到最后一个块；S03）、将块磨损N次，N为正整数；S04）、将块写入数据模型X的数据；S05）、读取块中每页数据，获得RBER；S06）、判断每页的REER是都大于REER阈值THrber；S07）、每页的REER若大于REER阈值THrber，说明该块为弱块，进行标注，并进行下一个块的筛选，重复步骤S03至S08；S08）、若不大于，则选取下一种数据模型进行测试，重复步骤S04至S08。
2.根据权利要求1所述的NAND Flash弱块筛选的方法，其特征在于：所述数据模型X包括但不限于0、0xFF、0x55、0xAA、0x5A、随机数。
3.根据权利要求1所述的NAND Flash弱块筛选的方法，其特征在于：环境温度T小于等于70°C，RBER阈值THrber≤800。
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