CN110781043B - 存储产品的品质检测方法、装置、存储介质及设备 - Google Patents

存储产品的品质检测方法、装置、存储介质及设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种存储产品的品质检测方法，其包括：对存储产品进行上电，并向存储产品的每一个flash单元写满测试数据；每隔预设时间对每一个flash单元进行读操作，以获取每一个flash单元中所有block的RBER数据；当对flash单元进行的读操作循环次数达到预设值时，根据已统计的所有block的RBER数据判断存储产品是否为良品。本发明通过对flash单元进行循环读操作，以获取每一个block的RBER数据，根据收集到的RBER数据对存储产品的品质进行评估，从而确定是否存在超出ECC纠错范围的存储产品。这种检测方法简单易行，准确性高，可以提高存储产品的出厂良品率。

Description

存储产品的品质检测方法、装置、存储介质及设备
技术领域
本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种存储产品的品质检测方法、装置、存储介质及设备。
背景技术
目前，嵌入式存储产品中的ECC纠错机制是保证数据读写准确性的重要技术手段。控制器控制数据通过ECC模块ENCODE后，写入到NandFlash中，写入的过程会产生一部分RBER(原始比特误码率)，当数据读出的时候通过ECC模块的DECODE纠错，如果没有发生UECC(纠错失败)，那么说明数据正常。
ECC纠错机制需要带电操作，并且是在读数据的过程中进行的。假如某一块NandFlash存在漏电情况，那么长期放置(比如出货前存放在仓库中)会导致RBER逐渐增加，最后超过控制器能纠错的范围，这个时候上电读数据就会产生UECC，产品的可靠性变低，变成不良品。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种存储产品的品质检测方法，旨在解决现有的存储产品缺乏质量可靠性检测的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种存储产品的品质检测方法，包括：
对存储产品进行上电，并向所述存储产品的每一个flash单元写满测试数据；
每隔预设时间对每一个flash单元进行读操作，以获取每一个flash单元中所有block的RBER数据；
当对flash单元进行的读操作循环次数达到预设值时，根据已统计的所有block的RBER数据判断所述存储产品是否为良品。
优选地，所述品质检测方法还包括：
在对flash单元进行读操作，以获取flash单元中所有block的RBER数据时，若获取到的RBER数据大于ECC的纠错范围，则停止下一个block的读操作，并将所述存储产品标记为不良品。
优选地，所述根据已统计的所有block的RBER数据判断所述存储产品是否为良品包括：
根据已统计的所有block的RBER数据生成每一个block的RBER变化趋势图，并根据所述RBER变化趋势图判断所述存储产品是否为良品。
优选地，在所述对存储产品进行上电的步骤之前，所述品质检测方法还包括：
将待检测的存储产品在预设环境条件下以无电且无读写操作状态放置预设时间。
本发明还提供一种存储产品的品质检测装置，包括：
数据写入模块，用于对存储产品进行上电，并向所述存储产品的每一个flash单元写满测试数据；
RBER获取模块，用于每隔预设时间对每一个flash单元进行读操作，以获取每一个flash单元中所有block的RBER数据；
品质判断模块，用于当对flash单元进行的读操作循环次数达到预设值时，根据已统计的所有block的RBER数据判断所述存储产品是否为良品。
优选地，所述品质检测装置还包括：
异常判断模块，用于在获取到的RBER数据大于ECC的纠错范围时，停止下一个block的读操作，并将所述存储产品标记为不良品。
优选地，所述品质判断模块包括：
数据分析单元，用于根据已统计的所有block的RBER数据生成每一个block的RBER变化趋势图；
品质判断单元，用于根据所述RBER变化趋势图判断所述存储产品是否为良品。
本发明还提出一种计算机程序存储介质，所述计算机程序存储介质中存储有计算机程序代码，该计算机程序代码被处理器执行时实现上述品质检测方法的步骤。
本发明还提供一种存储产品的品质检测设备，包括数据处理终端和与所述数据处理终端连接的显示器，所述数据处理终端包括系统总线和分别与所述系统总线连接的数据接口、处理器、存储器，所述存储器中存储有计算机程序代码，所述数据接口用于与待检测的存储产品连接，所述处理器在调用所述计算机程序代码时，实现上述品质检测方法的步骤。
优选地，所述数据接口包括EMMC接口和SSD接口，所述系统总线上设有用于对EMMC数据和SSD数据进行格式转换的转换模块。
相较于现有技术，本发明通过对flash单元进行循环读操作，以获取每一个block的RBER数据，根据收集到的RBER数据对存储产品的品质进行评估，从而确定是否存在超出ECC纠错范围的存储产品。这种检测方法简单易行，准确性高，可以提高存储产品的出厂良品率。
附图说明
图1为本发明的存储产品的品质检测设备一实施例的结构示意图；
图2为本发明公开的多个实施例能够在其中实施的数据处理终端的结构示意图；
图3为本发明的存储产品的品质检测方法一实施例的流程示意图；
图4为本发明的存储产品的品质检测方法另一实施例的流程示意图；
图5为本发明的存储产品的品质检测装置一实施例的功能模块图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种存储产品的品质检测设备，参见图1和图2，该品质检测设备包括数据处理终端10和与数据处理终端10连接的显示器20，在本实施例中，数据处理终端10可以是计算机，显示器20可以是液晶显示器，其中数据处理终端10与显示器20的连接方式不仅限于图示的分体式有线连接，数据处理终端10与显示器20可以合为一体，比如显示器20内嵌于数据处理终端10的壳体内。具体地，数据处理终端10包括系统总线11和分别与系统总线11连接的数据接口(比如图示的EMMC接口14和SSD接口15)、处理器12、存储器13，存储器13中存储有计算机程序代码，数据接口用于与待检测的存储产品30连接，通过该数据接口建立的通信连接，数据处理终端10可以向存储产品30发送控制指令，以及接收来自存储产品30的信息，存储产品30可以是eMMc或SSD，或者是其它任意适用的存储介质。在一较佳实施方式中，数据接口包括EMMC接口14和SSD接口15，通过配置两个标准接口，可以适用多种待检测的存储产品，比如目前常见的eMMc和SSD，并且系统总线11上设有用于对EMMC数据和SSD数据进行格式转换的转换模块(图未示)，利用该转换模块，可以将不同格式的数据转换为统一的格式，方便数据处理终端10对采集到的信息进行处理。
处理器12在调用该计算机程序代码时，实现本发明提出的品质检测方法各实施例中的步骤(详见下述说明)。
具体地，该计算机设备可为个人计算机或服务器，其中，处理器12用于提供计算和控制能力，支撑整个计算机设备的运行。存储器13包括非易失性存储介质和内存储器。非易失性存储介质中存储有操作系统和计算机程序，该计算机程序被处理器12执行时以实现一种品质检测方法。内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。通信接口用于与外部的服务器或终端通过网络连接通信。
至此，已经详细介绍了本发明各个实施例的应用环境、相关设备的硬件结构和功能，并且上述存储产品的品质检测设备的结构组成仅为基本功能的示例，并不是对品质检测设备实现方式的限制。下面，将基于上述应用环境和相关设备，详细介绍品质检测方法的各个实施例。
参见图3，在一实施例中，本发明提出的品质检测方法包括：
步骤S10，对存储产品进行上电，并向存储产品的每一个flash单元写满测试数据。
一般而言，待检测的存储产品30是从生产线下来并完成入库操作的对象，存储产品30处于放置状态，不带电且无读写操作，比如预设环境条件是：室内；气温25℃；空气相对湿度不大于90％。为了保证存储产品30在检测前是处于稳定状态的，还可以等存储产品30放置预设时间之后再进行检测，比如该预设时间为24小时、48小时或者其它任意适用的时间。在检测环节，先通过数据线将存储产品30与数据接口连接，然后启动数据处理终端10的检测程序，完成对存储产品30的上电操作，以及向存储产品30的每一个flash单元写满测试数据，其中测试数据可以是二进制数：“11111111,11111111，…，11111111”、“00000000,00000000，…，00000000”，或者，测试数据为其它按照特定规则排列的二进制数，本发明对此不作限制。在本实施例中，测试数据优先选择诸如“11111111,11111111，…，11111111”的二进制数，从而简化品质检测过程中涉及的数据比对操作。
步骤S20，每隔预设时间对每一个flash单元进行读操作，以获取每一个flash单元中所有block的RBER数据。
根据步骤S10中阐述的内容，对存储产品30上电之后，即将测试数据写入存储产品30中，而对存储产品30执行的读操作是发生在写操作之后的，因此第一次读操作可以紧随写操作之后，也可以是一定时间(比如24小时)之后再进行的。作为优选实施方式，在存储产品30写满测试数据时，即对存储产品执行读操作，这里，读操作是针对每一个flash单元的，也就是说，可以采用串行或并行的方式对存储产品30的所有flash单元进行读操作，以获取数据，在读操作的过程中，还获取每一个flash单元中所有block的RBER(原始比特误码率)数据，以“11111111,11111111，…，11111111”为原始数据，则通过计算Bit1变成0的个数，即可计算得到所有block的RBER数据。为了校验存储产品30的品质是否可靠，在进行了第一次读操作后，还通过设定操作条件，循环进行读操作，以获取更多RBER数据，比如每隔24小时执行一次读操作。
步骤S30，当对flash单元进行的读操作循环次数达到预设值时，根据已统计的所有block的RBER数据判断存储产品是否为良品。
本实施例需要对读操作的循环次数进行限制，同时保证检测结果的可靠性和检测流程的效率，比如将循环次数设定为7次，当然也可以根据存储产品30的特性选择相适用的循环次数。以针对每一个flash单元的读操作循环次数为7次为例，可以记录每一次获取到的RBER数据，并对所有RBER数据进行统计分析，在RBER数据没有大于ECC的纠错范围的前提下，比如RBER数据是否出现大幅增长的趋势，如果RBER数据是呈现大幅增长的趋势，比如通过计算增长率来量化趋势的变化，用于评估品质的参考值可以通过试验手段确定，并且在实际应用时，可以通过计算平均增长率来判断存储产品30是否为良品，比如将良品和不良品的界定值设为15％、20％、30％等任意适用的数值。在本实施例中，侧重于采集全面的检测数据，这有利于提高产品质量检测结果的准确性。
在一较佳实施例中，上述步骤S30具体包括：
根据已统计的所有block的RBER数据生成每一个block的RBER变化趋势图，并根据RBER变化趋势图判断存储产品是否为良品。
对于本实施例而言，为了客观形象地呈现检测结果，以已统计的所有block的RBER数据为基础，制作每一个block的RBER变化趋势图，可以通过比较两两RBER变化趋势图的相似程度来评估存储产品30的稳定性，或者将每一个block的RBER变化趋势图与参考图作比对，通过两者之间的相似程度来评估存储产品30是否满足良品要求。此外，还可以通过RBER变化趋势图预测一定时间内RBER数据的变化，从而在缩短检测时间的情况下，合理推测存储产品30是否满足良品要求。
参见图3，在本发明的另一实施例中，品质检测方法还包括：
步骤S40，获取到的RBER数据大于ECC的纠错范围，则停止下一个block的读操作，并将存储产品标记为不良品。
在本实施例中，主要是考虑到存储产品30可能存在掉电故障，并且个别存储区域已经不可用，因此增加异常数据的判断环节。具体地，在对flash单元进行读操作，以获取flash单元中所有block的RBER数据时，对异常数据进行判断，进而提高检测效率。如果执行某一次读操作获取到的RBER数据大于ECC的纠错范围，那么停止下一个block的读操作，提前结束检测流程，并且将该存储产品30标记为不良品。
此外，本发明还提供一种存储产品的品质检测装置，如图5所示，该品质检测装置包括：
数据写入模块100，用于对存储产品进行上电，并向存储产品的每一个flash单元写满测试数据；
RBER获取模块200，用于每隔预设时间对每一个flash单元进行读操作，以获取每一个flash单元中所有block的RBER数据；
品质判断模块300，用于当对flash单元进行的读操作循环次数达到预设值时，根据已统计的所有block的RBER数据判断存储产品是否为良品。
在另一实施例中，品质检测装置还包括：
异常判断模块，用于在获取到的RBER数据大于ECC的纠错范围时，停止下一个block的读操作，并将存储产品标记为不良品。
具体地，品质判断模块300包括：
数据分析单元，用于根据已统计的所有block的RBER数据生成每一个block的RBER变化趋势图；
品质判断单元，用于根据RBER变化趋势图判断存储产品是否为良品。
上述品质检测装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中，也可以以软件形式存储于服务器中的存储器中，以便于计算机设备调用执行以上各个模块对应的操作。该计算机设备可以为中央处理单元(CPU)、微计算机设备、单片机等。上述各功能模块所起到的工作原理及起到的作用可参见图3、4中所示的品质检测方法的实现过程，在此不作赘述。
本发明还提供一种计算机程序存储介质，该计算机程序存储介质中存储有计算机程序代码，该计算机程序代码被处理器执行时实现如下步骤：
对存储产品进行上电，并向存储产品的每一个flash单元写满测试数据；
每隔预设时间对每一个flash单元进行读操作，以获取每一个flash单元中所有block的RBER数据；
当对flash单元进行的读操作循环次数达到预设值时，根据已统计的所有block的RBER数据判断存储产品是否为良品。
该计算机程序被处理器执行时还实现了品质检测方法的其它步骤，具体可参见包括上述图3、4对应实施例在内的说明，在此不作赘述。
综上所述，本发明通过对flash单元进行循环读操作，以获取每一个block的RBER数据，根据收集到的RBER数据对存储产品的品质进行评估，从而确定是否存在超出ECC纠错范围的存储产品。这种检测方法简单易行，准确性高，可以提高存储产品的出厂良品率。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种存储产品的品质检测方法，其特征在于，包括：
对存储产品进行上电，并向所述存储产品的每一个flash单元写满测试数据；
每隔预设时间对每一个flash单元进行读操作，以获取每一个flash单元中所有block的RBER数据；
当对flash单元进行的读操作循环次数达到预设值时，根据已统计的所有block的RBER数据判断所述存储产品是否为良品，包括：若获取到的RBER数据不大于ECC的纠错范围且RBER数据大幅增长时，计算RBER数据的平均增长率并根据所述平均增长率判断所述存储产品是否为良品。
2.根据权利要求1所述的品质检测方法，其特征在于，还包括：
在对flash单元进行读操作，以获取flash单元中所有block的RBER数据时，若获取到的RBER数据大于ECC的纠错范围，则停止下一个block的读操作，并将所述存储产品标记为不良品。
3.根据权利要求1所述的品质检测方法，其特征在于，所述根据已统计的所有block的RBER数据判断所述存储产品是否为良品包括：
根据已统计的所有block的RBER数据生成每一个block的RBER变化趋势图，并根据所述RBER变化趋势图判断所述存储产品是否为良品。
4.根据权利要求1所述的品质检测方法，其特征在于，在所述对存储产品进行上电的步骤之前，所述品质检测方法还包括：
将待检测的存储产品在预设环境条件下以无电且无读写操作状态放置预设时间。
5.一种存储产品的品质检测装置，其特征在于，包括：
数据写入模块，用于对存储产品进行上电，并向所述存储产品的每一个flash单元写满测试数据；
RBER获取模块，用于每隔预设时间对每一个flash单元进行读操作，以获取每一个flash单元中所有block的RBER数据；
品质判断模块，用于当对flash单元进行的读操作循环次数达到预设值时，根据已统计的所有block的RBER数据判断所述存储产品是否为良品，包括：若获取到的RBER数据不大于ECC的纠错范围且RBER数据大幅增长时，计算RBER数据的平均增长率并根据所述平均增长率判断所述存储产品是否为良品。
6.根据权利要求5所述的品质检测装置，其特征在于，还包括：
异常判断模块，用于在获取到的RBER数据大于ECC的纠错范围时，停止下一个block的读操作，并将所述存储产品标记为不良品。
7.根据权利要求5所述的品质检测装置，其特征在于，所述品质判断模块包括：
数据分析单元，用于根据已统计的所有block的RBER数据生成每一个block的RBER变化趋势图；
品质判断单元，用于根据所述RBER变化趋势图判断所述存储产品是否为良品。
8.一种计算机程序存储介质，其特征在于，所述计算机程序存储介质中存储有计算机程序代码，该计算机程序代码被处理器执行时实现权利要求1至4中任一项所述品质检测方法的步骤。
9.一种存储产品的品质检测设备，包括数据处理终端和与所述数据处理终端连接的显示器，所述数据处理终端包括系统总线和分别与所述系统总线连接的数据接口、处理器、存储器，所述存储器中存储有计算机程序代码，所述数据接口用于与待检测的存储产品连接，其特征在于，所述处理器在调用所述计算机程序代码时，实现权利要求1至4中任意一项所述品质检测方法的步骤。
10.根据权利要求9所述的品质检测设备，其特征在于，所述数据接口包括EMMC接口和SSD接口，所述系统总线上设有用于对EMMC数据和SSD数据进行格式转换的转换模块。
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CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 floors 1-3 and 4 of buildings 4 and 8, zone 2, Zhongguan honghualing Industrial South Zone, No. 1213 Liuxian Avenue, Pingshan community, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong

Applicant after: BIWIN STORAGE TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 518000 1st, 2nd, 4th and 5th floors of No.4 factory building, tongfuyu industrial town, Taoyuan Street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant before: BIWIN STORAGE TECHNOLOGY Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
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