CN109817820A - 封装薄膜及其封装方法和应用 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种封装薄膜，所述封装薄膜交替层叠设置在基体上的无机薄膜和有机薄膜，所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为奇数，且至少一层所述无机薄膜远离所述基体的表面为纳米织构表面。本发明提供的封装薄膜，无机薄膜与有机薄膜交替设置，对至少一层所述无机薄膜远离所述基体的表面形成纳米织构表面。纳米织构的形成可以提高纳米织构与有机薄膜之间的粘合力，使封装薄膜能够更好地抑制空气中的水氧，防止水氧进入器件内部，提高器件的使用寿命。

Description

封装薄膜及其封装方法和应用

技术领域

本发明属于薄膜封装技术，尤其涉及一种封装薄膜及其封装方法和应用。

背景技术

光电器件对空气中的水气和氧气很敏感，易与水氧发生反应，影响发光性能，需对光电器件进行封装处理。盖板封装和薄膜封装是现在主流的封装技术，随着柔性显示的迅速发展，对器件材料的选取会趋于更柔软的薄膜材料，所以薄膜封装更适合平板显示器的发展。

目前薄膜封装较为成熟的是Barix多层薄膜封装技术，Barix阻挡层是一种采用有机无机交替沉积得到的多层(7层)薄膜。但目前工艺上制备的无机阻水阻氧层由于材料的本征内聚应力使得薄膜的晶界处易出现孔洞，如果有机层厚度过薄，外界的水氧气易通过这些无机层上的孔洞渗透到有机层进而影响OLED发光层性能。为了使薄膜封装效果更好并且达到工业化生产，后续对Barix多层薄膜封装进行改进，不仅减少了薄膜层数，并且优化了薄膜工艺。例如：三星公司运用涂层技术减少薄膜存在的间隙和孔洞，把薄膜缩短为五层，薄膜封装效率也得到大幅提升。应用材料公司运用PECVD和喷涂技术制备了无机氮化硅层、有机丙烯酸脂和无机氮化硅层将封装薄膜继续缩短为三层，使用有机物来覆盖无机薄膜层上的孔洞，使得薄膜的封装性能大大提升且增加了器件的使用寿命。但是多层薄膜封装经常出现薄膜与薄膜之间的附着力不佳导致薄膜脱落和隔绝水氧能力不佳。目前对薄膜表面进行改性处理仍然是薄膜封装的热门话题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种封装薄膜及其封装方法，旨在解决现有光电器件的封装方法，薄膜与薄膜之间的附着力不佳导致薄膜脱落和隔绝水氧能力不佳的问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述封装薄膜的QLED器件。

本发明是这样实现的，一种封装薄膜，交替层叠设置在基体上的无机薄膜和有机薄膜，所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为奇数，且至少一层所述无机薄膜远离所述基体的表面为纳米织构表面。

相应的，一种封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供基体，在所述基体表面交替沉积无机薄膜和有机薄膜，且所述制备方法还包括，对至少一层无机薄膜进行表面改性，形成纳米织构表面，

其中，对所述无机薄膜进行表面改性的方法为：在沉积下一层有机薄膜前，对所述无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成具有纳米织构表面的无机薄膜。

以及，一种光电发光器件，包括发光二极管，所述发光二极管包括层叠设置的底电极、发光层和顶电极，还包括设置在所述顶电极表面的封装薄膜，所述封装薄膜为上述的封装薄膜；或所述封装薄膜为上述方法制备的封装薄膜。

本发明提供的封装薄膜，无机薄膜与有机薄膜交替设置，对至少一层所述无机薄膜远离所述基体的表面进行改性(即对与有机薄膜结合的无机薄膜界面进行改性)，形成纳米织构表面，提高纳米织构与有机薄膜之间的粘合力，使封装薄膜能够更好地抑制空气中的水氧，防止水氧进入器件内部，提高器件的使用寿命。此外，所述无机薄膜的纳米织构表面还带有一定的自清洁能力，从而使得具有特定设计组合的封装薄膜能投提高器件的机械稳定性能。本发明提供的封装薄膜，可用于平板显示器件。

本发明提供的封装薄膜的制备方法，通过离子束轰击，使至少一层所述无机薄膜的远离所述基体的表面形成纳米织构，从而增加有机薄膜在无机薄膜表面的附着力；同时，离子束轰击产生原子溅射的同时，会使一部分表面原子获得足够的动能在表面运动，即形成表面热扩散，从而降低了无机薄膜的表面能，促进纳米织构表面与有机薄膜能更好的粘合，赋予封装薄膜优异的水氧隔绝性能，提高器件的使用寿命。此外，本发明工艺方法简单，可用于工业生产，在平板显示器技术方面有望得到广泛的应用。

本发明提供的光电发光器件，由于含有上述的封装薄膜，因此能够更好地抑制空气中的水氧，防止水氧进入器件内部，提高器件的使用寿命和机械稳定性能。

附图说明

图1是本发明实施例提供的封装薄膜的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的离子束轰击改性处理的方法示意图；

图3是本发明实施例提供的光电发光器件的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种封装薄膜包括交替层叠设置在基体上的无机薄膜和有机薄膜，所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为奇数，且至少一层所述无机薄膜远离所述基体的表面为纳米织构表面。

本发明实施例提供的封装薄膜，无机薄膜与有机薄膜交替设置，对至少一层所述无机薄膜远离所述基体的表面进行改性(即对与有机薄膜结合的无机薄膜界面进行改性)，形成纳米织构表面。纳米织构的形成使无机薄膜与有机薄膜的接触面积增大，提高纳米织构与有机薄膜之间的粘合力，使封装薄膜能够更好地抑制空气中的水氧，防止水氧进入器件内部，提高器件的使用寿命。此外，所述无机薄膜的纳米织构表面还带有一定的自清洁能力，从而使得具有特定设计组合的封装薄膜能投提高器件的机械稳定性能。本发明实施例提供的封装薄膜，可用于平板显示器件。

本发明实施例中，所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为奇数，即所述封装薄膜不仅将与所述基板相邻的一层设置为无机薄膜，而且将远离所述基板的顶层也设置为无机薄膜，使得顶层的无机薄膜发挥阻隔性能，保障下层有机薄膜的功能。

优选的，所述封装薄膜的总厚度为240-350nm。优选的薄膜厚度，在保证完整封装薄膜的前提下，有利于无机薄膜形成糙粗度更大的纳米织构表面，从而进一步提高有机薄膜在无机薄膜表面的粘附能力。若所述封装薄膜的总厚度过厚，会降低无机薄膜的结合效果，且会增加工艺成本；若所述封装薄膜的总厚度太薄，则无法阻隔水氧。

优选的，且所述无机薄膜和所述有机薄膜的厚度比(2-5):1。所述无机薄膜具有较好的结构强度，是很好的封装材料。但完全采用无机薄膜作为封装薄膜时，所述无机薄膜孔洞较多，会影响水氧阻隔性能。因此，本发明实施例通过交替设置的无机、有机薄膜形成封装薄膜。其中，所述有机薄膜可以填充所述无机薄膜的孔洞，无机薄膜起主导作用而有机薄膜起辅助作用，共同提高水氧阻隔性能，所以无机薄膜要比有机薄膜厚。若厚度比太大，会使无机薄膜中较多孔洞无法填充、修复，水氧阻隔性能的提升能力有限。进一步优选的，各层无机薄膜的厚度相同，各层有机薄膜的厚度也相同。

优选的，所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为3-9层，层数过多，层间界面结合问题增加，反而会影响封装效果。具体的，所述封装薄膜可以为3层，即包括交替层叠设置在基体上的第一无机薄膜、有机薄膜和第二无机薄膜，且所述第一无机薄膜远离所述基体的表面为纳米织构表面。所述封装薄膜可以为5层，即包括交替层叠设置在基体上的第一无机薄膜、第一有机薄膜、第二无机薄膜、第二有机薄膜、第三无机薄膜，且所述第一无机薄膜、第二无机薄膜中的至少一层在远离所述基体的表面为纳米织构表面。所述封装薄膜可以为7层，即包括交替层叠设置在基体上的第一无机薄膜、第一有机薄膜、第二无机薄膜、第二有机薄膜、第三无机薄膜、第三有机薄膜、第四无机薄膜，且所述第一无机薄膜、第二无机薄膜、第三无机薄膜中的至少一层在远离所述基体的表面为纳米织构表面。所述封装薄膜可以为9层，即包括交替层叠设置在基体上的第一无机薄膜、第一有机薄膜、第二无机薄膜、第二有机薄膜、第三无机薄膜、第三有机薄膜、第四无机薄膜、第四有机薄膜、第五无机薄膜，且所述第一无机薄膜、第二无机薄膜、第三无机薄膜、第四无机薄膜中的至少一层在远离所述基体的表面为纳米织构表面。

本发明实施例中，所述纳米织构表面可以为波纹状纳米织构表面、点状纳米织构表面，更优选的，所述纳米织构表面为波纹状纳米织构表面，具有更大的表面粗糙度，更有利于提高有机薄膜在无机薄膜表面的粘附能力，从而形成具有优异防水氧功能的封装薄膜。

本发明实施例中，优选的，所述无机薄膜的材料为氮化铝、氮化硅、碳化硅、碳化铝中的至少一种，优选的无机薄膜材料具有较好的防水性能。优选的，所述有机薄膜的材料为PI、PET、PC、环氧树脂、丙烯酸脂中的至少一种，优选的有机薄膜材料具有较好的缓冲性能。

作为一个具体优选实施例，结合图1，本发明实施例提供了一种封装薄膜1，所述封装薄膜1包括层叠设置的第一无机薄膜11、第一有机薄膜12、第二无机薄膜13、第二有机薄膜14、第三无机薄膜15，其中，所述第一无机薄膜12和/或所述第二无机薄膜14在远离所述基体的表面为纳米织构表面。

本发明实施例中，优选的，所述第一无机薄膜的材料为氮化铝、氮化硅、碳化硅、碳化铝中的至少一种；优选的，所述第二无机薄膜的材料为氮化铝、氮化硅、碳化硅、碳化铝中的至少一种。

本发明实施例中，优选的，所述第一无机薄膜的厚度为50-100nm；优选的，所述第二无机薄膜的厚度为50-100nm。优选的薄膜厚度，在保证完整薄膜结构的前提下，有利于形成糙粗度更大的纳米织构表面，从而进一步提高有机薄膜在无机薄膜表面的粘附能力。

本发明实施例提供的封装薄膜，可以通过下述方法制备获得。

相应的，本发明实施例提供了一种封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供基体，在所述基体表面交替沉积无机薄膜和有机薄膜，且所述制备方法还包括，对至少一层无机薄膜进行表面改性，形成纳米织构表面，

其中，对所述无机薄膜进行表面改性的方法为：在沉积下一层有机薄膜前，对所述无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成具有纳米织构表面的无机薄膜。

本发明实施例提供的封装薄膜的制备方法，通过离子束轰击，使至少一层所述无机薄膜的远离所述基体的表面形成纳米织构，从而增加有机薄膜在无机薄膜表面的附着力；同时，离子束轰击产生原子溅射的同时，会使一部分表面原子获得足够的动能在表面运动，即形成表面热扩散，从而降低了无机薄膜的表面能，促进纳米织构表面与有机薄膜能更好的粘合，赋予封装薄膜优异的水氧隔绝性能，提高器件的使用寿命。此外，本发明实施例工艺方法简单，可用于工业生产，在平板显示器技术方面有望得到广泛的应用。

作为一种优选实施方式，封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S01.提供基体，在所述基体表面沉积第一无机薄膜，对所述第一无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成具有纳米织构表面的第一无机薄膜；

S02.在所述第一无机薄膜表面沉积第一有机薄膜；

S03.在所述第一有机薄膜表面沉积第二无机薄膜；

S04.在所述第二无机薄膜表面沉积第二有机薄膜，在所述第二有机薄膜表面沉积第三无机薄膜。

具体的，上述步骤S01中，所述基体没有严格限制，可以为发光二极管，但不限于此。在所述基体表面形成封装结构，是指在基体与衬底相背离的表面形成封装结构。具体的，所述第一无机薄膜的沉积方式优选为蒸镀方法，从而能够较好地结合在基体表面，提高附着力。

离子束表面处理是一种提高沉积的薄膜与基底附着力的有效方法，有鉴于此，本发明实施例进一步的，对所述第一无机薄膜远离所述基体的表面(即用于沉积有机薄膜的表面)进行离子束轰击改性处理，形成纳米织构表面，有利于减少薄膜与薄膜之间的孔隙，从而提高有机薄膜在无机材料表面的附着力，提高复合封装薄膜隔绝水氧和保持器件机械性能稳定性的能力。经离子束表面处理后，有机材料在所述第一无机薄膜的附着力可以提高5倍。

本发明实施例中，离子轰击的离子束需要与无机薄膜呈一定角度，如图2所示，才能在无机薄膜表面产生了纳米织构表面。优选的，所述离子束轰击改性处理的过程中，离子束与待轰击处理的表面之间的夹角(图2所示α)为15-60°。若所述离子束与待轰击处理的表面之间的夹角过小，则不足以产生纳米织构表面，特别是波纹状纳米织构表面。所述离子束与待轰击处理的薄膜界面的轰击夹角越大，即离子束与无机薄膜界面角度越大，波纹状纳米织构趋势愈加明显，无机薄膜形成的纳米织构表面起伏越大，表面粗糙度和接触面积也逐渐增加，有利于提高有机薄膜与无机薄膜的附着力。若所述离子束与待轰击处理的表面之间的夹角过大，会影响无机薄膜自身的机械性能，降低结构强度。

本发明实施例中，所述离子束轰击改性处理的时间对纳米织构表面的形成有较大影响。优选的，所述离子束轰击改性处理的时间为10-20min。若所述离子束轰击改性处理的时间较短，则不足以产生纳米织构表面；若所述离子束轰击改性处理的时间较长，会影响无机薄膜自身的机械性能，降低结构强度。

进一步优选的，所述离子束轰击改性处理的方法为：离子源与待轰击处理的表面的距离为25-35cm，离子源放电电压为650-750V，放电电流为450-550mA，引出电压为1100-1300V，束流大小为50-100mA。优选的离子束轰击改性处理的方法，可以形成明显的纳米织构表面，同时有效降低无机材料表面能，促进纳米织构表面与有机薄膜的牢固接合。具体优选的，所述离子束轰击改性处理的方法为：离子源与待轰击处理的表面的距离为30cm，离子源放电电压为700V，放电电流500mA，引出电压为1200V，束流大小为50-100mA。

上述步骤S02中，在所述第一无机薄膜表面沉积第一有机薄膜，可以通过常规方法实现。经过离子束轰击改性处理后，所述第一有机薄膜与所述纳米织构表面之间的粘合能力得到加强。

上述步骤S03中，在所述第一有机薄膜表面沉积第二无机薄膜，优选蒸镀方法，从而能够较好地结合在第一有机薄膜表面，提高附着力。

优选的，所述离子束轰击改性处理的方法为：离子源与待轰击处理的表面的距离为25-35cm，离子源放电电压为650-750V，放电电流450-550mA，引出电压为1100-1300V，束流大小为50-100mA。具体优选的，所述离子束轰击改性处理的方法为：离子源与待轰击处理的表面的距离为30cm，离子源放电电压为700V，放电电流500mA，引出电压为1200V，束流大小为50-100mA。

上述步骤S04中，在所述第二无机薄膜表面沉积第二有机薄膜，在所述第二有机薄膜表面沉积第三无机薄膜，可以参考常规方法实现，本发明实施例没有明确限定。

该实施方式中，进一步优选的，在步骤S03中，对所述第二无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成纳米织构表面，参考S01对所述第一无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理的方法进行，优选的，所述离子束轰击改性处理的过程中，离子束与第二无机薄膜的表面之间的夹角为15-60°；所述离子束轰击改性处理的时间为10-20min。

优选的，所述离子束轰击改性处理的方法为：离子源与待轰击处理的表面的距离为25-35cm，离子源放电电压为650-750V，放电电流450-550mA，引出电压为1100-1300V，束流大小为50-100mA。具体优选的，所述离子束轰击改性处理的方法为：离子源与待轰击处理的表面的距离为30cm，离子源放电电压为700V，放电电流500mA，引出电压为1200V，束流大小为50-100mA。

作为另外一种优选实施方式，在上述实施例的基础上，不对所述第一无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，而且对沉积在所述第一有机薄膜的第二无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，制备具有纳米织构表面的第二无机薄膜，最后沉积第二有机薄膜、第三无机薄膜。即封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：

提供基体，在所述基体表面沉积第一无机薄膜；

在所述第一无机薄膜表面沉积第一有机薄膜；

在所述第一有机薄膜表面沉积第二无机薄膜，对所述第二无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成具有纳米织构表面的第二无机薄膜；

在所述第二薄膜表面沉积第二有机薄膜，在所述第二有机薄膜表面沉积第三无机薄膜。

其中，对所述第二无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成纳米织构表面，参考S01对所述第一无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理的方法进行，优选的，所述离子束轰击改性处理的过程中，离子束与第二无机薄膜的表面之间的夹角为15-60°；所述离子束轰击改性处理的时间为10-20min。

优选的，所述离子束轰击改性处理的方法为：离子源与待轰击处理的表面的距离为25-35cm，离子源放电电压为650-750V，放电电流450-550mA，引出电压为1100-1300V，束流大小为50-100mA。具体优选的，所述离子束轰击改性处理的方法为：离子源与待轰击处理的表面的距离为30cm，离子源放电电压为700V，放电电流500mA，引出电压为1200V，束流大小为50-100mA。

该实施方式中，进一步优选的，对所述第一无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成纳米织构表面，参考所述第二无机薄膜远离所述器件基体的表面进行离子束轰击改性处理的方法进行，优选的，所述离子束轰击改性处理的过程中，离子束与第一无机薄膜的表面之间的夹角为15-60°；所述离子束轰击改性处理的时间为10-20min。

优选的，所述离子束轰击改性处理中，优选的，离子源与待轰击处理的表面的距离为25-35cm；优选的，离子源放电电压为650-750V；优选的，放电电流450-550mA；优选的，引出电压为1100-1300V；优选的，束流大小为50-100mA。当然，上述优选参数可以组合使用，更利于对无机薄膜表面改性，形成米织构表面。作为最优实施例，所述离子束轰击改性处理的方法为：离子源与待轰击处理的表面的距离为30cm，离子源放电电压为700V，放电电流500mA，引出电压为1200V，束流大小为50-100mA。

当然，本发明还包括参照上述方法，制备所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数分别为3层、7层、9层的封装薄膜(具体结构参见上文)。其中，当所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为3层时，对所述第一无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成纳米织构表面；当所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为7层时，所述第一无机薄膜、第二无机薄膜、第三无机薄膜中的至少一层，在远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成纳米织构表面；当所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为9层时，所述第一无机薄膜、第二无机薄膜、第三无机薄膜、第四无机薄膜中的至少一层，在远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成纳米织构表面。所述离子束轰击改性处理的方法和优选参数如上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。

以及，本发明实施例还提供了一种光电发光器件，包括发光二极管，所述发光二极管包括层叠设置的衬底底电极、发光层和顶电极，还包括设置在所述顶电极表面的封装薄膜，所述封装薄膜为上述的封装薄膜1；或所述封装薄膜为上述方法制备的封装薄膜。

本发明实施例提供的光电发光器件，由于含有上述的封装薄膜，因此能够更好地抑制空气中的水氧，防止水氧进入器件内部，提高器件的使用寿命和机械稳定性能。

作为一个具体实施例，如图3所示，所述底电极可以沉积在衬底上。即光电发光器件包括发光二极管，所述发光二极管包括层叠设置的衬底2、底电极3、发光层4和顶电极5，还包括设置在所述顶电极5表面的封装薄膜1，所述封装薄膜1为上述的封装薄膜1；或所述封装薄膜为上述方法制备的封装薄膜。

本发明实施例中，所述发光二极管可以为有机发光二极管，也可以为量子点发光二极管。

本发明实施例中，所述发光二极管可以为正型发光二极管，也可以为反型发光二极管。具体的，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

上述实施例中，优选的，所述发光二极管还包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的至少一层。

下面结合具体实施例进行说明。

实施例1

一种封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S11.在制作好的LED器件上蒸镀一层100nm的无机碳化硅薄膜，放在氮气中烘干放入真空室，待真空室气压为5×10^-4Pa时，对无机碳化硅薄膜进行轰击，具体的，轰击采用氩离子，离子源采用冷阴极离子源，气体为高纯氩气控制气体流量为15mL/min(标准状态)，离子源与无机碳化硅薄膜表面的轰击距离约为30cm，离子源放电电压700V，放电电流500mA，引出电压为1200V，束流大小为50-100Ma，无机碳化硅薄膜与离子源之间的夹角为60°，轰击15分钟，得到第一无机碳化硅薄膜。

S12.在第一无机碳化硅薄膜表面制备20nm的第一有机丙烯酸脂薄膜；

S13.采用与S11相同的方法，在第一有机丙烯酸脂薄膜表面制备100nm第二无机碳化硅薄膜；

S14.在第二无机碳化硅薄膜制备20nm第二有机丙烯酸脂薄膜，最后在第二有机丙烯酸脂薄膜上蒸镀100nm的第三无机碳化硅薄膜。

实施例2

一种封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S21.在制作好的LED器件上蒸镀一层60nm的无机碳化铝薄膜，放在氮气中烘干放入真空室，待真空室气压为5×10^-4Pa时，对无机碳化铝薄膜进行轰击，具体的，轰击采用氩离子，离子源采用冷阴极离子源，气体为高纯氩气控制气体流量为15mL/min(标准状态)，离子源与无机碳化铝薄膜表面的轰击距离约为30cm，离子源放电电压700V，放电电流500mA，引出电压为1200V，束流大小为50-100Ma，无机碳化铝薄膜与离子源之间的夹角为60°，轰击15分钟，得到第一无机碳化硅薄膜。

S22.在第一无机碳化硅薄膜表面制备30nm的第一有机PI薄膜；

S23.采用与S11相同的方法，在第一有机PI薄膜表面制备第二无机碳化铝薄膜60nm；

S24.在第二无机碳化铝薄膜制备第二有机PI薄膜30nm，最后在第二有机丙烯酸脂薄膜上蒸镀60nm的第三无机碳化铝薄膜。

实施例3

一种封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S31.在制作好的LED器件上蒸镀一层80nm的无机氮化铝薄膜，放在氮气中烘干放入真空室，待真空室气压为5×10^-4Pa时，对无机氮化铝薄膜进行轰击，具体的，轰击采用氩离子，离子源采用冷阴极离子源，气体为高纯氩气控制气体流量为15mL/min(标准状态)，离子源与无机氮化铝薄膜表面的轰击距离约为30cm，离子源放电电压700V，放电电流500mA，引出电压为1200V，束流大小为50-100Ma，无机氮化铝薄膜与离子源之间的夹角为60°，轰击15分钟，得到第一无机氮化铝薄膜。

S32.在第一无机氮化铝薄膜表面制备30nm的第一环氧树脂薄膜；

S33.采用与S11相同的方法，在第一环氧树脂薄膜表面制备第二无机氮化铝薄膜；

S34.在第二无机氮化铝薄膜制备第二环氧树脂薄膜，最后在第二环氧树脂薄膜上蒸镀80nm的第三无机氮化铝薄膜。

实施例4

一种封装薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S41.在制作好的LED器件上蒸镀一层50nm的无机氮化硅薄膜，放在氮气中烘干放入真空室，待真空室气压为5×10^-4Pa时，对无机氮化铝薄膜进行轰击，具体的，轰击采用氩离子，离子源采用冷阴极离子源，气体为高纯氩气控制气体流量为15mL/min(标准状态)，离子源与无机氮化铝薄膜表面的轰击距离约为30cm，离子源放电电压700V，放电电流500mA，引出电压为1200V，束流大小为50-100Ma，无机氮化铝薄膜与离子源之间的夹角为60°，轰击15分钟，得到第一无机氮化硅薄膜。

S42.在第一无机氮化硅薄膜表面制备20nm的第一环氧树脂薄膜；

S43.采用与S11相同的方法，在第一环氧树脂薄膜表面制备50nm第二无机氮化硅薄膜；

S44.在第二无机氮化铝薄膜制备20nm第二环氧树脂薄膜；

S45.在第二环氧树脂薄膜上蒸镀50nm的第三无机氮化硅薄膜；

重复S14、S15步骤，至完成9层封装薄膜。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种封装薄膜，其特征在于，包括交替层叠设置在基体上的无机薄膜和有机薄膜，所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为奇数，且至少一层所述无机薄膜远离所述基体的表面为纳米织构表面。

2.如权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜中，所述无机薄膜和所述有机薄膜的总层数为3-9层；和/或

所述封装薄膜的总厚度为240-350nm；和/或

所述无机薄膜和所述有机薄膜的厚度比为(2-5):1。

3.如权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述无机薄膜的材料为氮化铝、氮化硅、碳化硅、碳化铝中的至少一种；和/或

所述有机薄膜的材料为PI、PET、PC、环氧树脂、丙烯酸脂中的至少一种。

4.如权利要求1-3任一项所述的封装薄膜，其特征在于，包括交替层叠设置在基体上的第一无机薄膜、第一有机薄膜、第二无机薄膜、第二有机薄膜、第三无机薄膜，其中，所述第一无机薄膜和/或所述第二无机薄膜远离所述基体的表面为纳米织构表面。

5.一种封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基体，在所述基体表面交替沉积无机薄膜和有机薄膜，且所述制备方法还包括，对至少一层无机薄膜进行表面改性，形成纳米织构表面，

其中，对所述无机薄膜进行表面改性的方法为：在沉积下一层有机薄膜前，对所述无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成具有纳米织构表面的无机薄膜。

6.如权利要求5所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基体，在所述基体表面沉积第一无机薄膜，对所述第一无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成具有纳米织构表面的第一无机薄膜；

在所述第一无机薄膜表面沉积第一有机薄膜；

在所述第一有机薄膜表面沉积第二无机薄膜；

在所述第二无机薄膜表面沉积第二有机薄膜，在所述第二有机薄膜表面沉积第三无机薄膜。

7.如权利要求5所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基体，在所述基体表面沉积第一无机薄膜；

在所述第一无机薄膜表面沉积第一有机薄膜；

在所述第一有机薄膜表面沉积第二无机薄膜，对所述第二无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成具有纳米织构表面的第二无机薄膜；

在所述第二无机薄膜表面沉积第二有机薄膜，在所述第二有机薄膜表面沉积第三无机薄膜。

8.如权利要求5所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基体，在所述基体表面沉积第一无机薄膜，对所述第一无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成具有纳米织构表面的第一无机薄膜；

在所述第一无机薄膜表面沉积第一有机薄膜；

在所述第一有机薄膜表面沉积第二无机薄膜，对所述第二无机薄膜远离所述基体的表面进行离子束轰击改性处理，形成具有纳米织构表面的第二无机薄膜；

在所述第二无机薄膜表面沉积第二有机薄膜，在所述第二有机薄膜表面沉积第三无机薄膜。

9.如权利要求4-8任一项所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述离子束轰击改性处理的过程中，离子束与待轰击处理的表面之间的夹角为15-60°。

10.如权利要求9所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述离子束轰击改性处理的时间为10-20min。

11.如权利要求4-8任一项所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述离子束轰击改性处理中，离子源与待轰击处理的表面的距离为25-35cm；和/或

离子源放电电压为650-750V；和/或

放电电流为450-550mA；和/或

引出电压为1100-1300V；和/或

束流大小为50-100mA。

12.一种光电发光器件，包括发光二极管，所述发光二极管包括层叠设置的底电极、发光层和顶电极，其特征在于，还包括设置在所述顶电极表面的封装薄膜，所述封装薄膜为权利要求1-4任一项所述的封装薄膜；或所述封装薄膜为权利要求5-11任一项所述方法制备的封装薄膜。