CN109768101B - 复合薄膜太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，具体提供一种复合薄膜太阳能电池及其制备方法。该复合薄膜太阳能电池包括基底、层叠于基底表面的钼电极层、层叠于钼背电极层表面的光吸收复合层、层叠于光吸收复合层表面的缓冲层、层叠于所述缓冲层表面的N型半导体层、层叠于N型半导体层表面的透明导电层、层叠于所述透明导电层表面的金属电极层；光吸收复合层包括第一铜铟镓硒层、铜锌锡硫层和第二铜铟镓硒层，铜锌锡硫层具有相背对的第一表面和第二表面，第一铜铟镓硒层层叠于铜锌锡硫层的第一表面，第二铜铟镓硒层层叠于铜锌锡硫层的第二表面。本发明的复合薄膜太阳能电池，其光吸收层为具有三明治结构的复合薄膜，能够明显提高太阳能电池的光电转换效率。

Description

复合薄膜太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明属于薄膜太阳能电池技术领域，尤其涉及一种复合薄膜太阳能电池及其制备方法。
背景技术
随着石化等不可再生能源的日渐消耗，寻找新的能源以替代石化能源已经成为世界各国的共识。太阳能电池是一种通过光电效应或者光化学效应直接将光能转变为电能的装置，由于太阳能电池能够直接将取之不尽用之不竭的太阳能转变为人类可利用的清洁能源被备受关注。目前，根据太阳能电池所用的材料不同，可以将太阳能电池分为硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池和有机太阳能电池等。其中，常见的多元化合物薄膜电池包括铜铟镓硒(CuInGaSe，简称：CIGS)薄膜电池和铜锌锡硫(CuZnSnSe，简称：CZTS)薄膜电池。在这两类太阳能电池中，铜铟镓硒薄膜电池虽然具有高达20％的转换效率，但是，由于铟(In)、镓(Ga)元素为稀有金属，在地壳中的含量很少，大规模生产和大规模应用比较困难，只适用于实验室。而铜锌锡硫薄膜电池虽然不存在元素含量少的问题，可以大规模生产和应用，但是，其转换效率仅为10％左右，转换效率比较低，即使大规模使用，对太阳能的利用率也不高，不具有较高的性价比。
发明内容
本发明提供一种复合薄膜太阳能电池及其制备方法，旨在解决现有铜铟镓硒薄膜电池因原料稀少而不适合大规模应用以及铜锌锡硫薄膜电池转换效率不高等问题。
本发明是这样实现的：
一种复合薄膜太阳能电池，包括基底以及层叠于所述基底一表面的钼电极层，还包括：
光吸收复合层，所述光吸收复合层层叠于所述钼背电极层表面；
缓冲层，所述缓冲层层叠于所述光吸收复合层表面；
N型半导体层，所述N型半导体层层叠于所述缓冲层表面；
透明导电层，所述透明导电层层叠于所述N型半导体层表面；
金属电极层，所述金属电极层层叠于所述透明导电层表面；
所述光吸收复合层包括第一铜铟镓硒层、铜锌锡硫层和第二铜铟镓硒层，所述铜锌锡硫层具有相背对的第一表面和第二表面，所述第一铜铟镓硒层层叠于所述铜锌锡硫层的第一表面，所述第二铜铟镓硒层层叠于所述铜锌锡硫层的第二表面。
相应地，一种复合薄膜太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
提供表面沉积有钼电极层的基底；
采用脉冲激光沉积法在所述钼电极层表面沉积形成第一铜铟镓硒层；
采用脉冲激光沉积法在所述第一铜铟镓硒层表面沉积形成铜锌锡硫层；
采用脉冲激光沉积法在所述铜锌锡硫层表面沉积形成第二铜铟镓硒层。
本发明的有益效果如下：
相对于现有技术，本发明提供的复合薄膜太阳能电池，以“铜铟镓硒层-铜锌锡硫层-铜铟镓硒层”作为光吸收层，该光吸收层为一三明治结构的复合薄膜层，一方面可以减少稀有金属元素铟、镓的使用量；第二方面，第一铜铟镓硒层与钼电极层接触形成具有良好结合力的过渡层，而第二铜铟镓硒层与缓冲层在界面处生成有利于提高效率的N型薄层，解决了铜锌锡硫层直接与缓冲层、钼电极层接触而导致转化效率不高的问题；第三方面，由于铜锌锡硫层的禁带宽度和铜铟镓硒层的禁带宽度存在差异，形成了梯度的带隙，从而提高对太阳光谱能量的吸收量，对太阳光的吸收率达到99％及以上，进而提高太阳能电池的光电转换效率。
本发明提供的复合薄膜太阳能电池的制备方法，通过采用脉冲激光沉积的方式，获得三明治结构的光吸收复合层，该方法工艺简单可行，而且在形成第一铜铟镓硒层时该铜铟镓硒层与钼电极层具有良好的结合力，提高了膜层的牢固度，有利于从第一铜铟镓硒层过渡至铜锌锡硫层，而第二铜铟镓硒层在与缓冲层接触时，生成有利于提高效率的N型薄层，同样使得缓冲层和铜锌锡硫层之间具有良好的过渡，从而解决了单独的铜锌锡硫层作为光吸收层转换效率不高的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的复合薄膜太阳能电池的结构示意图；
图2是本发明提供的复合薄膜太阳能电池的制备工艺流程图；
图3是对比例1常规单层CZTS薄膜太阳能电池制备的光吸收层的SEM图；
图4是本发明实施例1复合薄膜太阳能电池制备得到的光吸收复合层的SEM图；
图5是本发明提供的复合薄膜太阳能电池以及常规单层铜铟镓硒薄膜太阳能电池的电流-电压(J-U)曲线；
其中，1-基底；2-钼电极层；3-光吸收复合层，31-第一铜铟镓硒层，32-铜锌锡硫层，33-第二铜铟镓硒层；4-缓冲层；5-N型半导体层；6-透明导电层；7-金属电极层。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明提供复合薄膜太阳能电池。
请参阅图1，该复合薄膜太阳能电池包括以下部件：
(1).基底1，基底1可以是钠钙玻璃基底，也可以是其他类型的玻璃基底或者陶瓷、金属、聚合物等，其主要起到支撑钼电极层2及其他膜层的作用。
(2).钼电极层2，该钼电极层2层叠叠设在基底1一表面。
(3).光吸收复合层3，所述光吸收复合层3包括第一铜铟镓硒层31、铜锌锡硫层32、第二铜铟镓硒层33，铜锌锡硫层32具有相背对的第一表面和第二表面，其中，第一铜铟镓硒层31层叠叠设在铜锌锡硫层32的第一表面，而第二铜铟镓硒层33层叠叠设在铜锌锡硫层33的第二表面，由此形成“三明治”结构的光吸收复合层3，该光吸收复合层3层叠层叠于钼电极层2的表面，具体可以是第一铜铟镓硒层31与钼电极层2正相对层叠，也可以是第二铜铟镓硒层33与钼电极层2正相对层叠。
(4).缓冲层4，缓冲层4层叠叠设于光吸收复合层3表面，如当光吸收复合层3的第一铜铟镓硒层31与钼电极层2正相对层叠时，缓冲层4则层叠叠设在第二铜铟镓硒层33的表面，如当光吸收复合层3的第二铜铟镓硒层33与钼电极层2正相对层叠时，缓冲层4则层叠叠设在第一铜铟镓硒层31的表面。
(5).N型半导体层5，该N型半导体层5层叠于缓冲层4的表面。
(6).透明导电层6，透明导电层6层叠于N型半导体层5的表面。
(7).金属电极层7，金属电极层7与钼电极层2相对，和钼电极层2共同构成太阳能电池的正负两极，该金属电极层7层叠于透明导电层6的表面。
优选地，上述光吸收复合层3中，第一铜铟镓硒层31的厚度为80～120nm；第二铜铟镓硒层33的厚度为80～120nm；铜锌锡硫层32的厚度为750～850nm。
更为优选地，上述光吸收复合层3中，第一铜铟镓硒层31的厚度为100nm；第二铜铟镓硒层33的厚度为100nm；铜锌锡硫层32的厚度为800nm。光吸收复合层3的各个膜层在该厚度比例时，可以吸收照射到其表面的太阳光的99.5％及以上。
优选地，缓冲层4的材料选自CdS。
优选地，所述N型半导体层5的材料选自ZnO。
优选地，所述透明导电层6的材料选自铝掺杂的氧化锌、ITO等。
本发明涉及的金属电极层7的材料可以是薄膜太阳能电池与钼电极层2相对应的常见材料，如银、铝等。
本发明的复合薄膜太阳能电池具有以下几方面的特性：
(1).通过使用“铜铟镓硒层-铜锌锡硫层-铜铟镓硒层”的三层结构作为光吸收层替代常见的单层光吸收层，用丰富廉价的元素取代稀有金属铟(In)、镓(Ga)元素，解决了现有CIGS薄膜电池因原料缺稀和昂贵而不适合推广应用的问题。
(2).借助薄层CIGS与钼(Mo)电极层具有良好的结合力作为钼电极层和CZTS薄膜的过渡层，同时借助薄层CIGS与缓冲层在界面形成有利于提高效率的N型薄层，解决了铜锌锡硫层直接与缓冲层、钼电极层接触而导致转化效率不高的问题。
(4).由于CZTS的禁带宽度为1.4-1.5eV，CIGS的禁带宽度为1.04eV，使得三明治结构光吸收复合层形成具有梯度的带隙，有利于充分吸收利用太阳光谱能量，吸收量达到99.0％及以上，进而提高电池的光电转换效率。
另一方面，基于上述复合薄膜太阳能电池的基础，本发明还进一步提供一种复合薄膜太阳能电池的制备方法。
请参阅图2，该复合薄膜太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
S01.提供沉积有钼电极层的基底；即所述基底一表面层叠叠设有一层钼电极层。如可以通过电子束镀膜工艺、溅射工艺、化学气相沉积(CVD)工艺或金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺使钼涂覆到基底上。
S02.采用脉冲激光沉积法在所述钼电极层表面沉积形成第一铜铟镓硒层。
具体地，步骤S02中，靶材的直径为50mm，厚度为3～8mm，控制基底的温度为400～450℃，靶材到基底的距离为35～45mm，脉冲激光的激光波长为240～250nm，频率为8～16赫兹，脉冲能量为250～400毫焦，镀膜时间为3～6min，镀膜时，控制真空度为(2.0～8.0)×10-4Pa。
S03.采用脉冲激光沉积法在所述第一铜铟镓硒层表面沉积形成铜锌锡硫层；
具体地，步骤S03中，靶材的直径为50mm，厚度为3～8mm，控制基底的温度为400～450℃，靶材到基底的距离为35～45mm，脉冲激光的激光波长为240～250nm，频率为8～16赫兹，脉冲能量为250～400毫焦，镀膜时间为40～120min，镀膜时，控制真空度为(2.0～8.0)×10-4Pa。
S04.采用脉冲激光沉积法在所述铜锌锡硫层表面沉积形成第二铜铟镓硒层。
具体地，步骤S04中，靶材的直径为50mm，厚度为3～8mm，控制基底的温度为400～450℃，靶材到基底的距离为35～45mm，脉冲激光的激光波长为240～250nm，频率为8～16赫兹，脉冲能量为250～400毫焦，镀膜时间为3～6min，镀膜时，控制真空度为(2.0～8.0)×10-4Pa。
S05.按照薄膜太阳能电池的生产工艺，在所述第二铜铟镓硒层表面沉积形成一层缓冲层。
S06.按照薄膜太阳能电池的生产工艺，在所述缓冲层表面沉积形成一层N型半导体层。
S07.按照薄膜太阳能电池的生产工艺，在所述N型半导体层表面沉积形成一层透明导电层。
S08.按照薄膜太阳能电池的生产工艺，如磁控溅射，在所述透明导电层表面沉积形成一层金属电极层。
步骤S05～S08的沉积过程均使用本领域技术人员熟知常规的工艺，在此不再展开赘述。
为更好的说明本发明的技术方案，下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
本实施例1提供一种复合薄膜太阳能电池及其制备方法。其中，该复合薄膜太阳能电池具有如图1所示的结构，即包括：
基底1，该基底1为K9玻璃；
钼电极层2，钼电极层2层叠叠设于基底1的表面；
光吸收复合层3，该光吸收复合层3包括层叠叠设在钼电极2表面的第一铜铟镓硒层31、层叠叠设在第一铜铟镓硒层31表面的铜锌锡硫层32以及层叠叠设在铜锌锡硫层32表面的第二铜铟镓硒层33，其中，第一铜铟镓硒层31的厚度为100nm，铜锌锡硫层32的厚度为800nm，第二铜铟镓硒层33的厚度为100nm；
缓冲层4，缓冲层4层叠叠设于光吸收复合层3的表面，具体是层叠叠设在第二铜铟镓硒层33的表面，其材料为CdS；
N型半导体层5，该N型半导体层5层叠于缓冲层4的表面，其材料为ZnO；
透明导电层6，透明导电层6层叠于N型半导体层5的表面，其材料为铝掺杂的氧化锌(Al：ZnO)；
金属电极层7，该金属电极层7层叠叠设于透明导电层6的表面，其材料为银。
上述复合薄膜太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
(1).通过电子束镀膜工艺在洁净的K9玻璃1的一表面沉积形成钼电极层2，钼电极层2的厚度为3μm。
(2).采用脉冲激光沉积法在钼电极层2表面沉积形成第一铜铟镓硒层31；
脉冲激光沉积时，靶材的直径为50mm，厚度为5mm，控制基底的温度为400℃，靶材到基底的距离为40mm，脉冲激光的激光波长为248nm，频率为10赫兹，脉冲能量为300毫焦，镀膜时间为5min，镀膜时，控制真空度为4.0×10-4Pa。
(3).采用脉冲激光沉积法在第一铜铟镓硒层31表面沉积形成铜锌锡硫层32；
脉冲激光沉积时，靶材的直径为50mm，厚度为5mm，控制基底的温度为400℃，靶材到基底的距离为40mm，脉冲激光的激光波长为248nm，频率为10赫兹，脉冲能量为300毫焦，镀膜时间为60min，镀膜时，控制真空度为4.0×10-4Pa。
(4).采用脉冲激光沉积法在铜锌锡硫层32表面沉积形成第二铜铟镓硒层33；
脉冲激光沉积时，靶材的直径为50mm，厚度为5mm，控制基底的温度为400℃，靶材到基底的距离为40mm，脉冲激光的激光波长为248nm，频率为10赫兹，脉冲能量为300毫焦，镀膜时间为5min，镀膜时，控制真空度为4.0×10-4Pa。
(5).通过电子束镀膜工艺在第二铜铟镓硒层33表面沉积形成一层CdS缓冲层4。
(6).通过溅射工艺将ZnO沉积在在缓冲层4表面形成N型半导体层5。
(7).通过溅射工艺将掺杂铝的氧化锌沉积在在N型半导体层5的表面，形成透明导电层6。
(8).通过磁控溅射在透明导电层6表面沉积形成银电极层7。
对比例1
本对比例1提供一种CZTS薄膜太阳能电池及其制备方法。其中，该CZTS薄膜太阳能电池包括：
基底，该基底为K9玻璃；
钼电极层，钼电极层层叠叠设于基底的表面；
光吸收层，该光吸收层为CZTS，层叠叠设在钼电极表面，厚度为200nm；
缓冲层，缓冲层层叠叠设于光吸收层的表面，其材料为CdS；
N型半导体层，该N型半导体层层叠于缓冲层的表面，其材料为ZnO；
透明导电层，透明导电层层叠于N型半导体层的表面，其材料为铝掺杂的氧化锌(Al：ZnO)；
金属电极层，该金属电极层层叠叠设于透明导电层的表面，其材料为银。
上述CZTS薄膜太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
(1).通过电子束镀膜工艺在洁净的K9玻璃1的一表面沉积形成钼电极层，钼电极层的厚度为3μm。
(2).采用脉冲激光沉积法在钼电极层表面沉积形成CZTS薄膜；
脉冲激光沉积时，靶材的直径为50mm，厚度为5mm，控制基底的温度为400℃，靶材到基底的距离为40mm，脉冲激光的激光波长为248nm，频率为10赫兹，脉冲能量为300毫焦，镀膜时间为5min，镀膜时，控制真空度为4.0×10-4Pa。
(3).通过电子束镀膜工艺在CZTS薄膜表面沉积形成一层CdS缓冲层。
(4).通过溅射工艺将ZnO沉积在在缓冲层表面形成N型半导体层。
(5).通过溅射工艺将掺杂铝的氧化锌沉积在在N型半导体层的表面，形成透明导电层。
(6).通过磁控溅射在透明导电层表面沉积形成银电极层。
将实施例1和对比例1获得的太阳能电池分别进行SEM扫描、电流-电压曲线(即J-U曲线)测试，其中SEM扫描详见图3、4；J-U曲线如图5所示，同时对图5进行分析，得到如表1所示的数据。
表1实施例1和对比例1的电流-电压曲线数据
例别 EFF(％) J<sub>sc</sub>/(mA) V<sub>oc</sub>/(V) FF Rs/(ohm)
实施例1 4.38 17.29 0.621 0.408 86
对比例1 3.07 14.23 0.585 0.372 138
由图3、4可知，常规单层CZTS薄膜太阳能电池的光吸收层出现起皱，结合力差，而将光吸收层制成复合层之后，则没有起皱，层间结合力强。
由图5及表1可知，与单层CZTS薄膜太阳能电池相比，采用(CIGS+CZTS+CIGS)三明治结构形成光吸收复合层的复合薄膜太阳能电池，开路电压(Voc)、短路电流(Jsc)以及填充因子(FF)均有较大提高，最终使得光电转换效率(EFF)有明显提高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种复合薄膜太阳能电池，包括基底以及层叠于所述基底一表面的钼电极层，其特征在于，还包括：
光吸收复合层，所述光吸收复合层层叠于所述钼电极层表面；
缓冲层，所述缓冲层层叠于所述光吸收复合层表面；
N型半导体层，所述N型半导体层层叠于所述缓冲层表面；
透明导电层，所述透明导电层层叠于所述N型半导体层表面；
金属电极层，所述金属电极层层叠于所述透明导电层表面；
所述光吸收复合层包括第一铜铟镓硒层、铜锌锡硫层和第二铜铟镓硒层，所述铜锌锡硫层具有相背对的第一表面和第二表面，所述第一铜铟镓硒层层叠于所述铜锌锡硫层的第一表面，所述第二铜铟镓硒层层叠于所述铜锌锡硫层的第二表面；
所述第一铜铟镓硒层的厚度为80～120nm；所述第二铜铟镓硒层的厚度为80～120nm；所述铜锌锡硫层的厚度为750～850nm。
2.如权利要求1所述的复合薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一铜铟镓硒层的厚度为100nm；所述第二铜铟镓硒层的厚度为100nm；所述铜锌锡硫层的厚度为800nm。
3.如权利要求1～2任一项所述的复合薄膜太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的材料选自CdS；所述N型半导体层的材料选自ZnO；所述透明导电层的材料选自铝掺杂的氧化锌。
4.一种如权利要求1～3任一项所述的复合薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供沉积有钼电极层的基底；
采用脉冲激光沉积法在所述钼电极层表面沉积形成第一铜铟镓硒层；
采用脉冲激光沉积法在所述第一铜铟镓硒层表面沉积形成铜锌锡硫层；
采用脉冲激光沉积法在所述铜锌锡硫层表面沉积形成第二铜铟镓硒层。
5.如权利要求4所述的复合薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括在所述第二铜铟镓硒层表面沉积形成缓冲层、在所述缓冲层表面沉积形成N型半导体层、在所述N型半导体层表面沉积形成透明导电层、在所述透明导电层表面沉积形成金属电极层的步骤。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106575707A (zh) * 2014-07-15 2017-04-19 剑桥企业有限公司 复合型光捕获材料和装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9447489B2 (en) * 2011-06-21 2016-09-20 First Solar, Inc. Methods of making photovoltaic devices and photovoltaic devices
US8822261B2 (en) * 2011-09-26 2014-09-02 First Solar, Inc. Methods of making photovoltaic devices
CN102646745B (zh) * 2012-04-01 2015-03-11 北京大学深圳研究生院 一种光伏器件及太阳能电池
US9373741B2 (en) * 2012-08-15 2016-06-21 International Business Machines Corporation Heterostructure germanium tandem junction solar cell
KR20150142094A (ko) * 2014-06-10 2015-12-22 에스케이이노베이션 주식회사 원자층 증착법으로 형성된 버퍼층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
US10439084B2 (en) * 2015-06-02 2019-10-08 International Business Machines Corporation Energy harvesting device with prefabricated thin film energy absorption sheets and roll-to-sheet and roll-to-roll fabrication thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106575707A (zh) * 2014-07-15 2017-04-19 剑桥企业有限公司 复合型光捕获材料和装置

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